CN111816777A - 一种oled发光器件及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种OLED发光器件及其制作方法，OLED发光器件由下而上依序包含：薄膜晶体管、阳极设置在薄膜晶体管上、功能层设置在阳极上、电子传输层设置在功能层上、电浆保护层设置在电子传输层上以及阴极设置在电浆保护层上。OLED发光器件的方法，其步骤包含：形成薄膜晶体管、阳极形成在薄膜晶体管上、功能层形成在阳极上、电子传输层形成在功能层上、保护层形成在电子传输层上、电浆处理保护层，于形成有电子传输层的上方形成电浆保护层，据此未有电子传输层的区域在电浆处理时受到损伤，使得未形成电浆保护层的区域无法传导载流子以及阴极设置在电浆保护层上。

Description

一种OLED发光器件及其制作方法

技术领域

本发明是涉及一种显示屏技术领域，特别是有关于一种OLED发光器件及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED,organic light-emitting diode)显示技术与传统的LCD显示方式不同，OLED显示方式不需要背光灯而是采用非常薄的发光层和玻璃基板制作得到。其中发光层包括有机发光层、电子注射层和空穴注入层。电子注入层和空穴注入层分别设置在有机发光层的上侧和下侧，当有电流通过发光层时，这些发光层就会发光。由于OLED显示方式不需要背光灯，因此OLED显示设备可以做得更轻，更薄，可视角度更大，并且能够显着节省电能，所以OLED显示技术愈来愈多普及。

然而，目前OLED RGB器件启动电压不同，B最大、R最小。当器件中部份庚能层载流子迁移率过快时，在显示屏(panel)点亮时，原本通给B的电流I1发生串扰流向G和R，使得低灰阶现象更明显，导致色偏，另外，色偏有部份的原因是因为TFT漏电，而解决上述低灰阶所造成的色偏的解决方案有：调整RGB电压使之相近、降低OLED功能层的迁移率以及/或制备各向异性OLED功能层。

发明内容

根据现有技术的缺陷，本发明主要的目的是在OLED发光器件的发光层(EML,emitting layer)增加一层保护功能层，其具有一定的电子能力，并且利用电浆对保护功层进行处理，在电浆处理的过程中，对保护功能层下方的OLED功能层起到保护作用，而在非画素区域的OLED功能层被电浆损伤，使其失去传导载流子功能，因此而降低串扰的发生。

本发明的另一目的是画素在保护功能层的沉积方向上形成孤岛，阻止其相邻的画素发生串扰，而可以解决低灰阶所造成的色偏的缺陷。

根据上述目的，本发明披露一种OLED发光器件，由下而上依序包含：薄膜晶体管、阳极设置在薄膜晶体管上、功能层设置在阳极上、电子传输层设置在功能层上、电浆保护层设置在电子传输层上以及阴极设置在电浆保护层上。

根据上述OLED发光器件，本发明还披露一种制作OLED发光器件的方法，其步骤包含：形成薄膜晶体管、阳极形成在薄膜晶体管上、功能层形成在阳极上、电子传输层形成在功能层上、保护层形成在电子传输层上、电浆处理保护层，于形成有电子传输层的上方形成电浆保护层，据此未有电子传输层的区域在电浆处理时受到损伤，使得未形成电浆保护层的区域无法传导载流子以及阴极设置在电浆保护层上。

本发明还披露另一OLED发光器件，由下而上依序包含：薄膜晶体管、阳极设置在所述薄膜晶体管上、功能层设置在阳极上，其中功能层由下而上依序包括:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层及发光层、电浆保护层设置在发光层上、电子传输层设置在电浆保护层上以及阴极设置在电子传输层上。

根据上述OLED发光器件，本发明另外还披露一种制作OLED发光器件的方法，其步骤包含：形成薄膜晶体管、阳极形成在薄膜晶体管上、功能层形成在阳极上，功能层由下而上依序包括:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层及发光层、保护层形成在发光层上、电浆处理保护层，于形成有发光层的上方形成电浆保护层，据此未有发光层的区域在电浆处理时受到损伤，使得未形成电浆保护层的区域无法传导载流子、电子传输层形成在电浆保护层上以及阴极形成在电子传输层上。

附图说明

图1是根据本发明所揭露的技术，表示制作具有电浆保护层的OLED器件的步骤流程图。

图2是根据本发明所揭露的技术，表示具有电浆保护层的OLED器件的截面示意图。

图3是根据本发明所揭露的技术，表示具有电浆保护层的OLED器件的另一实施例的截面示意图。

图4是根据本发明所揭露的技术，表示制作具有电浆保护层的OLED器件的另一实施例的步骤流程图。

图5A－图5C是根据本发明所揭露的技术，表示当电浆处理保护层之后，没有覆盖保护层的区域受到损伤，使得未形成电浆保护层的区域无法传导载流子的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本发明，在此配合所附的图式、具体阐明本发明的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本发明特征有关的示意，并未亦不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，亦不再加以陈述。

首先请同时参考图1及图2。图1表示具有电浆保护层的OLED器件的截面示意图及图2表示制作具有电浆保护层的OLED器件的步骤流程图。在图1中，OLED器件1由下而上依序包括:薄膜晶体管(TFT)10、阳极12、功能层14、电子传输层(ETL)16、电浆保护层18及阴极20，其中功能层14还包括有空穴注入层(HIL)142、空穴传输层(HTL)144、电子阻挡层(EBL)146及发光层(EBL)148。

其制作步骤如图2所示。于步骤101：先形成薄膜晶体管(TFT)。步骤102：阳极形成在薄膜晶体管上。步骤103：功能层形成在阳极上。步骤104：电子传输层形成在功能层上。步骤105：保护层形成在电子传输层上。于此步骤中，保护层是利用蒸镀或是化学气相沉积(CVD,chemical vapor deposition)法来达成，于一实施例中，保护层的材料可以是有机物和金属的混合物，其混合比例为2：1-20：1，其中有机物可以是金属螯合物、喹淋衍生物或喔啉衍生物；金属可以是镱(Yb)、钙(Ca)or镁(Mg)，其形成在电子传输层16上的厚度可以是

接着于步骤106：电浆处理保护层，于形成有电子传输层的上方形成电浆保护层，此电将保护层18的目的是当保护层形成在电子传输层16之后，立即利用电浆来处理此保护层，使得有没画素(pixel)(即如图2中发光层148)的区域受到电浆作用而损伤，而有画素的区域则受到电浆保护层18的保护、且与相邻之间的画素隔绝，即让有画素的区域形成孤岛的结构，由于画素之间被电浆保护层18隔离，相邻之间的画素之间不会发生串扰的问题。最后，步骤107：阴极形成在电浆保护层上。

接着，请同时参考图3及图4。图3表示具有电浆保护层的OLED器件的另一实施例的截面示意图及图4表示制作具有电浆保护层的OLED器件的另一实施例的步骤流程图。图3与前述图1的OLED器件相似，其差异在于电浆保护层36设置在发光层348与电子传输层38之间。

在图3中，OLED器件3由下而上依序包括:薄膜晶体管(TFT)30、阳极32、功能层34、电浆保护层36、电子传输层(ETL)38、及阴极40，其中功能层36还包括有空穴注入层(HIL)1342、空穴传输层(HTL)344、电子阻挡层(EBL)346及发光层(EBL)348。

其制作步骤如图4所示。于步骤301：先形成薄膜晶体管(TFT)。步骤302：阳极形成在薄膜晶体管上。步骤303：功能层形成在阳极上，功能层由下而上依序包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层及发光层。步骤304：保护层形成在发光层上。步骤105：电浆处理保护层，于形成有发光层的上方形成电浆保护层。于此步骤105与前述步骤106的目的及形成手段相同，不再重复。接着于步骤306：电子传输层形成在电浆保护层上。最后，步骤307：阴极形成在电子传输层上。

接着请参考图5A至图5C。图5A至图5C是表示当电浆处理保护层之后，没有覆盖保护层的区域受到损伤，使得未形成电浆保护层的区域无法传导载流子的示意图。在图5A至图5C是以图1的OLED器件来举例说明，当保护层以蒸镀的方式形成在电子传输层16时(如图5A至图5B)，对保护层进行电浆处理，使得有电子传输层16的区域(即表示有画素的区域)因有保护层覆盖故不会受到损毁，而没有保护层覆盖的区域400则因受到电浆作用而被毁，使得未形成电浆保护层18的区域400无法传导载流子，即如图5C中所标示的箭头为载流子原来流动的方向，然而由于在相邻的画素之间被电浆作用破或，其无法在相邻之间的画素进行传导，据此可以降低在画素之间的串扰，可改善OLED器件色偏的缺陷。

因此利用改变OLED器件的结构，增加一层保护层，并且利用电浆处理，对保护功能层下方的画素起到保护作用，而在非画素区域的OLED功能层被电浆作用而损伤，使得相邻画素之间成为孤岛结构，使得画素之间其失去传导载流子功能，因此而降低串扰的发生，据此改善OLED器件色偏的缺陷。

以上所述仅为本发明之较佳实施例，并非用以限定本发明之权利范围；同时以上的描述，对于相关技术领域之专门人士应可明了及实施，因此其他未脱离本发明所揭示之精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请专利范围中。

Claims (10)

1.一种OLED发光器件，其特征在于，所述OLED发光器件由下而上依序包含：

薄膜晶体管；

阳极，所述阳极设置在所述薄膜晶体管上；

功能层，所述功能层设置在所述阳极上；

电子传输层，所述电子传输层设置在所述功能层上；

电浆保护层，所述电浆保护层设置在所述电子传输层上；以及

阴极，所述阴极设置在所述电浆保护层上。

2.一种OLED发光器件，其特征在于，所述OLED发光器件由下而上依序包含:

薄膜晶体管；

阳极，所述阳极设置在所述薄膜晶体管上；

功能层，所述功能层设置在所述阳极上，所述功能层由下而上依序包括:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层及发光层；

电浆保护层，所述电浆保护层设置在所述发光层上；

电子传输层，所述电子传输层设置在所述电浆保护层上；以及

阴极，所述阴极设置在所述电子传输层上。

3.如权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述功能层由下而上还包括:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层及发光层。

4.如权利要求1或2所述的OLED发光器件，其特征在于，所述电浆保护层的材料由有机材料及金属混合组成。

5.如权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述有机材料可以是金属螯合物、喹淋衍生物或喔啉衍生物。

6.如权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述金属可以是镱(Yb)、钙(Ca)or镁(Mg)。

7.如权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述有机材料与所述金属的混合比例为2：1－20：1。

8.如权利要求1或2所述的OLED发光器件，其特征在于，所述电浆保护层的厚度为

9.一种制作如权利要求1所述的OLED发光器件的方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤:

形成薄膜晶体管；

形成阳极在所述薄膜晶体管上；

形成功能层在所述阳极上；

形成电子传输层在所述功能层上；

形成保护层在所述电子传输层上；

电浆处理所述保护层，于形成有所述电子传输层的上方形成电浆保护层，据此未有所述电子传输层的区域在所述电浆处理时受到损伤，使得未形成所述电浆保护层的所述区域无法传导载流子；以及

形成阴极在所述电浆保护层上。

10.一种制作如权利要求2所述的OLED发光器件的方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤:

形成薄膜晶体管；

形成阳极在所述薄膜晶体管上；

形成功能层在所述阳极上，所述功能层由下而上依序包括:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层及发光层；

形成保护层在所述发光层上；

电浆处理所述保护层，于形成有所述发光层的上方形成电浆保护层，据此未有所述发光层的区域在所述电浆处理时受到损伤，使得未形成所述电浆保护层的所述区域无法传导载流子；

形成电子传输层在所述电浆保护层上；以及

形成阴极在所述电子传输层上。

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