CN111801772B - 基片翘曲修正方法、计算机存储介质和基片翘曲修正装置 - Google Patents

Abstract

本发明的基片翘曲修正方法不对基片的正面进行处理就能够修正基片翘曲。该基片翘曲修正方法包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对基片的背面进行表面粗糙化处理，在背面形成槽，来修正基片翘曲。

Description

基片翘曲修正方法、计算机存储介质和基片翘曲修正装置

技术领域

(关联申请的相互参照)

本申请基于2018年3月12日在日本国申请的日本特愿2018-44218号主张优先权，并在此处援引其内容。

本发明涉及修正基片翘曲的翘曲修正方法、计算机存储介质和基片翘曲修正装置。

背景技术

例如在半导体器件的制造工艺中，进行光刻处理以在晶片上形成规定的抗蚀剂图案，该光刻处理中依次进行：在作为基片的半导体晶片(以下，称为“晶片”。)上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理；在抗蚀剂膜上曝光出规定图案的曝光处理；在曝光后促进抗蚀剂膜内的化学反应的加热处理(曝光后烘烤处理)；使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等。然后，对于形成于晶片上的被处理膜，将上述抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻处理，之后进行抗蚀剂膜的除去处理等，而形成规定图案的被处理膜。通过反复进行像上述那样的抗蚀剂图案的形成和蚀刻处理，能够在晶片上形成分别具有规定图案的多层的薄膜。

但是，晶片有时因成膜、蚀刻等前处理的影响而发生翘曲。当晶片发生翘曲时，有可能发生在对晶片进行加热处理时不能从热板向晶片均匀地传递热量的情况，或者在曝光处理时不能高精度地进行曝光的情况等，从而发生不良状况。

作为修正晶片翘曲的方法，在专利文献1中，公开了一种方法，其中用设置于上平板与下平板之间的承载器来支承晶片，分别旋转驱动上平板、下平板和承载器，来除去形成于晶片的正面和背面的弯曲部和突出部，从而修正该晶片翘曲。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国55-141731号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，由于在晶片的正面形成有上述的规定图案的被处理膜，或者由于要在晶片的正面形成上述被处理膜，因此不能如专利文献1那样对晶片的正面进行加工处理。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于不对基片的正面进行处理也能够适当地修正基片翘曲。

用于解决问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明的一方式是一种修正基片翘曲的翘曲修正方法，其包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对所述基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对所述基片的背面进行所述表面粗糙化处理，在所述背面形成槽，来修正所述基片翘曲。

依照本发明的一方式，仅对基片的背面进行处理，无需对基片的正面进行处理，因此能够不对基片的正面造成影响地修正基片翘曲。

另一观点的本发明的一方式为一种可读取的计算机存储介质，其保存有在控制部的计算机上运行的程序，所述控制部控制表面粗糙化处理装置以用该表面粗糙化处理装置来执行所述修正基片翘曲的翘曲修正方法。

又一观点的本发明的一方式为一种修正基片翘曲的翘曲修正装置，所述翘曲修正装置对所述基片的背面进行表面粗糙化处理，在所述背面形成槽，来修正所述基片翘曲，其包括：滑动部件，其为了在所述基片的背面滑动以进行处理，而绕铅垂轴自转；以及控制部，其构成为：作为所述表面粗糙化处理时的处理条件，基于表示所述基片翘曲状态的信息来确定研磨压力、所述滑动部件的旋转速度、所述滑动部件的与基片背面接触的接触面的表面粗糙度、处理区域。

发明效果

依照本发明，不进行对基片的正面的处理，就能够适当地修正基片翘曲。

附图说明

图1是表示图1本实施方式的表面粗糙化处理装置的概要结构的俯视图。

图2是表示本实施方式的表面粗糙化处理装置的概要结构的纵截面图。

图3是表示表面粗糙化处理装置的表面粗糙化机构的概要结构的纵截面图。

图4是图3的表面粗糙化机构的俯视图。

图5是表示表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力与晶片翘曲相对于表面粗糙化处理的变化之相关性的图。

图6是表示对晶片的中央区域进行了表面粗糙化处理情况下的晶片翘曲的变化量的图。

图7是表示对晶片的外周区域进行了表面粗糙化处理情况下的晶片翘曲的变化量的图。

图8是作为第一实施方式的晶片翘曲修正方法的修正对象的晶片的一例的说明图。

图9是作为第二实施方式的晶片翘曲修正方法的修正对象的晶片的说明图。

图10是作为第二实施方式的晶片翘曲修正方法的修正对象的晶片的另一说明图。

图11是表示表面粗糙化处理时的公转速度与晶片翘曲相对于表面粗糙化处理的变化之相关性的图。

图12是表示表面粗糙化处理时的磨石的粒度与晶片翘曲相对于表面粗糙化处理的变化之相关性的图。

图13是作为第二实施方式的晶片翘曲修正方法的修正对象的晶片的另一例的说明图。

图14是作为第二实施方式的晶片翘曲修正方法的修正对象的晶片的又一例的说明图。

图15是表示外周表面粗糙化处理开始时的公转轴的位置与晶片翘曲相对于表面粗糙化处理的变化之相关性的图。

图16是表示处理条件4下的外周表面粗糙化处理后的、晶片翘曲量的面内分布的图。

图17是表示按照依次连续地进行了处理条件2下的外周表面粗糙化处理和处理条件4下的外周表面粗糙化处理的情况下的、处理后的晶片翘曲量的面内分布的图。

图18是表示搭载有本实施方式的表面粗糙化处理装置的涂敷显影处理系统的概要结构的俯视图。

图19是图14的涂敷显影处理系统的正视图。

图20是图14的涂敷显影处理系统的后视图。

具体实施方式

下面，参照附图，对本实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，而省略重复的说明。

如上所述，当晶片发生翘曲时会产生不良状况。

于是，本发明人经过反复锐意研究的结果，在对晶片的背面整面能够进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置的上述表面粗糙化处理与该晶片翘曲相对于表面粗糙化处理的变化之间发现了相关性，因此想到了使用上述表面粗糙化处理装置来修正晶片翘曲。

首先，对本实施方式的用于晶片翘曲修正方法的表面粗糙化处理装置(即翘曲修正装置)的结构进行说明。图1和图2分别是表示表面粗糙化处理装置(翘曲修正装置)100的概要结构的俯视图和纵截面图。

在本实施方式的表面粗糙化处理装置100中，作为处理对象的晶片例如是背面的至少最外表面由硅层形成的圆形的晶片。背面的最外表面由硅层形成的晶片与背面的最外表面由比氮化硅层、氧化硅层等硅层硬的层形成的晶片相比，晶片翘曲量相对于表面粗糙化处理量的变化较大。

表面粗糙化处理装置100使磨石在晶片W的背面滑动，换言之，用磨石研磨晶片W的背面，以将上述背面粗糙化。

此外，该表面粗糙化处理装置100也能够对进行了上述表面粗糙化的区域进行清洗处理，该清洗处理中，供给清洗液并用刷子刷洗，除去因表面粗糙化处理而产生的异物。

表面粗糙化处理装置100包括基座110、旋转吸盘120、杯状体130、表面粗糙化清洗处理部150、清洗部170以及供给作为清洗液的纯水的各种喷嘴。

基座110俯视时形成为长方形，由设置于表面粗糙化处理装置100的外部的未图示的输送机构，从基座110的前方侧(图的X方向负侧)将晶片W输送到表面粗糙化处理装置100。基座110具有以前后方向(图的X方向)为长度方向的方形的凹部111。在该凹部111的前方侧(图的X方向负侧)设置有旋转吸盘120。

旋转吸盘120吸附晶片W的背面的中央部以将晶片W保持为水平。旋转吸盘120的下方侧经由轴121连接到旋转机构122，旋转机构122使该旋转吸盘120旋转，以使由旋转吸盘120保持的晶片W绕铅垂轴旋转。

在旋转吸盘120的周围设置有垂直的3个支承销123。支承销123构成为通过升降机构124能够升降，能够在上述的输送机构与作为“第二保持部”的旋转吸盘120及作为后述的“第一保持部”的固定吸盘135之间交接晶片W。

此外，以包围旋转吸盘120、旋转机构122、支承销123和升降机构124的方式设置有从基座110的底部向上方延伸的圆筒状的气刀(air knife)125。气刀125的上端面形成向内侧倾斜的倾斜面。在该倾斜面设置有向上方释放例如空气的释放口126。在旋转吸盘120吸附保持晶片W的背面时气刀125的上端靠近晶片W的背面，通过从释放口126释放空气，能够防止清洗液附着在晶片W的背面中央部。此外，通过从释放口126释放空气，能够使晶片W的背面中央部干燥。

另外，在基座110的凹部111的底部设置有排液口127，该排液口127用于排出从晶片W滴落到凹部111内的废液。在比排液口127靠近气刀125的位置，设置有对凹部111内进行排气的排气管128。在处理晶片W的期间用该排气管128进行排气，由此能够抑制从晶片W飞散的清洗液、表面粗糙化处理时产生的晶片W的碎屑飞散到凹部111的外侧。

另外，在气刀125设置有覆盖排气管128的开口部分的凸缘129。利用该凸缘129，能够抑制废液流入排气管128。

杯状体130在处理中包围晶片W，抑制废液从晶片W飞散。该杯状体130以包围气刀125的方式形成为上端部向内侧突出的圆筒形状。各支承部131从杯状体130的左右(图中的Y方向的两端)外壁凹部111的外缘上伸出，连接到设置于基座110的水平移动机构132。通过水平移动机构132，杯状体130能够在凹部111内在前后方向上移动。此外，在水平移动机构132的下方设置有升降机构133，通过升降机构133，水平移动机构32即杯状体130能够升降。

在杯状体130，设置有从左右(图的Y方向的两侧)夹着旋转吸盘120并在前后方向(图的X方向)上延伸的2个桥部134。在桥部134设置有固定吸盘135。该固定吸盘135吸附晶片W的背面的中央部的外侧区域，以将晶片W保持为水平。固定吸盘135在处理晶片W的背面中央部等时使用。此外，旋转吸盘120在处理晶片W的背面的比中央部靠外侧的区域等时使用。

此外，在杯状体130的前方侧(图的X方向负侧)设置有周端部清洗喷嘴136，在后侧(图的X方向正侧)设置有背面清洗喷嘴137。周端部清洗喷嘴136在晶片W保持于旋转吸盘120时向晶片W的背面的周端部释放纯水。背面清洗喷嘴137在晶片W保持于固定吸盘135时向晶片W的背面的中央部释放纯水，在晶片W保持于旋转吸盘120时向晶片W的背面的比中央部靠外侧的区域释放纯水。

在杯状体130的水平移动机构132的左侧(图的Y方向负侧)，设置有使升降机构138在前后方向(图的X方向)上移动的移动机构139。

在升降机构138，向右侧(图的Y方向正侧)延伸地设置有通过该升降机构138能够升降的臂部140。在臂部140的前端，设置有对保持于旋转吸盘120的晶片W的正面的中心部释放纯水的正面清洗喷嘴141。

此外，正面清洗喷嘴141的待机部142设置于基座110的比凹部111靠后侧(图的X方向正侧)处。

下面，对表面粗糙化清洗处理部150进行说明。表面粗糙化清洗处理部150包括水平移动机构151、旋转机构152、升降机构153、154、表面粗糙化机构155和清洗机构156。水平移动机构151以在凹部111内在前后方向(图的X方向)延伸的方式设置。旋转机构152通过水平移动机构151而能够在前后方向(图的X方向)上从凹部111内的后端部(图的X方向正侧端部)移动至气刀125的跟前。

此外，旋转机构152的上部侧构成水平的圆形的载置台，该载置台能够绕其铅垂的中心轴旋转。在该旋转机构152的载置台上，在周向上隔开间隔地设置有升降机构153、154。表面粗糙化机构155以通过升降机构153能够升降的方式设置于该升降机构153上，清洗机构156以通过升降机构154能够升降的方式设置于该升降机构154上。通过用该升降机构153、154进行的升降、由水平移动机构151进行的水平移动和由旋转机构152进行的旋转的协作，表面粗糙化机构155和清洗机构156能够在杯状体130的内侧与杯状体130的外侧之间移动。该水平移动机构151、上述的杯状体130连接的水平移动机构132和使旋转吸盘120旋转的旋转机构122构成本发明的“相对移动机构”。

图3是表示表面粗糙化机构155的概要结构的纵截面图。

表面粗糙化机构155如图3所示包括磨石157、支承板158、公转板159和作为公转机构的驱动单元160。支承板158是水平的圆板，例如在其周缘部上沿该支承板158的周向等间隔地配置有6个上述的磨石157(参照图1)。此外，在支承板158设置有磨石157的结构相当于“滑动部件”。磨石157是例如粒度(目数)为60000目的金刚石磨石，形成为水平的圆板状，通过摩擦晶片W的背面使该晶片W的背面粗糙化。此外，在支承板158的背面的中心部设置有垂直的第一自转用轴601。

另外，公转板159是水平的圆板，设置于支承板158的下方。该公转板159设置有支承部602，用该支承部602将第一自转用轴601支承在该公转板159上。支承部602具有用于以使第一自转用轴601绕垂直轴P1可旋转地方式支承该第一自转用轴601的轴承603。此外，在第一自转用轴601，设置有将垂直轴P1作为旋转轴旋转的齿轮(gear)604。

在公转板159的下方设置有构成驱动单元160的箱体605。垂直的公转用圆筒606从公转板159的中心部向箱体605内伸出，公转板159通过轴承(bearing)607以相对于箱体605绕垂直轴P2可旋转的方式被支承。公转用圆筒606的下端部位于箱体605内，构成以垂直轴P2为旋转轴旋转的齿轮608。

另外，设置有贯通上述的公转用圆筒606的垂直的第二自转用轴609。第二自转用轴609的上端部构成齿轮610，与第一自转用轴601的齿轮604啮合。第二自转用轴609的下端部构成齿轮611。上述第二自转用轴609、齿轮610、611以垂直轴P2为旋转轴旋转。此外，在公转用圆筒606，设置有以使第二自转用轴609相对于该公转用圆筒606能够旋转的方式支承该第二自转用轴609的轴承612。

在箱体605内设置有构成驱动单元160的自转用电机161和公转用电机162，设置于自转用电机161的齿轮613与自转用轴609的齿轮611啮合，设置于公转用电机162的齿轮614与设置于公转用圆筒606的齿轮608啮合。通过这样的结构，由自转用电机161使支承板158旋转，由公转用电机162使公转板159旋转，并且支承板158和公转板159彼此独立地旋转。因此，支承板158能够绕垂直轴P1自转并且绕垂直轴P2公转，所以有时将垂直轴P1记为自转轴，将垂直轴P2记为公转轴。

图4是表面粗糙化机构155的俯视图。如该图所示，支承板158的直径R1比支承板158的公转半径R2大。晶片W的背面的粗糙化处理能够通过如下方式进行，例如：一边将磨石157与晶片W的背面抵接，一边使支承板158绕自转轴P1自转并反复绕公转轴P2公转，由此该磨石157相对于晶片W的背面滑动。

晶片W的背面的中央部的表面粗糙化处理能够通过如下方式进行：保持用固定吸盘135使晶片W静止的状态，如上述那样，使支承板158自转和公转。

另外，晶片W的背面的中央部以外的表面粗糙化处理能够通过如下方式进行，例如：一边用旋转吸盘120使晶片W旋转一边进行保持，如上述那样，使支承板158自转和公转。

此外，在对晶片W的背面进行表面粗糙化处理时，并不一定必须进行支承板158的自转和公转这两者，有时仅进行自转或者仅进行公转。

由于通过如上述那样设定R1、R2而磨石157通过比支承板158的公转轨道的外缘靠内侧的所有区域，因此通过以即使晶片W静止，支承板158的公转轨道也与晶片W的背面的中央部重叠的方式进行配置，而能够进行该背面的中央部整体的表面粗糙化处理。

清洗机构156与表面粗糙化机构155的结构大致相同，在支承板158不设置磨石157而设置圆形的刷子163这一点不同。刷子163通过摩擦晶片W的背面，能够除去因表面粗糙化处理而产生的、附着于晶片W的背面的颗粒。

回到图1和图2的说明。

清洗部170设置于基座110的凹部111内的后侧(图的X方向正侧)，具有磨石清洗部171和刷子清洗部172。磨石清洗部171设置有由例如金刚石构成的未图示的修整器，进行磨石157的修整，除去集聚于磨石157的碎屑并且进行磨石157的修锐。刷子清洗部172进行刷子163的清洗。

另外，表面粗糙化处理装置100具有未图示的纯水供给源，构成为能够从该纯水供给源对周端部清洗喷嘴136、背面清洗喷嘴137、正面清洗喷嘴141等分别独立地供给纯水。

表面粗糙化处理装置100还具有进行该表面粗糙化处理装置100的控制的控制部180。

控制部180例如是计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中，保存有控制表面粗糙化处理装置100的各部的动作以控制由表面粗糙化处理装置100进行晶片W的处理的程序。上述程序例如包含控制如下处理的程序：基于表示晶片W翘曲状态的信息控制表面粗糙化处理装置100的与由支承板158和磨石157构成的滑动部件相关驱动机构(水平移动机构151、旋转机构152、升降机构15，水平移动机构、旋转机构122)，来修正晶片W翘曲。此外，上述程序例如也可以记录于计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等的能够由计算机读取的存储介质，从该存储介质安装到控制部180。

在上述的表面粗糙化处理装置100中，支承板158和磨石157一边自转一边公转，或者在晶片W旋转的状态下支承板158和磨石157自转或公转。即，在由表面粗糙化处理装置100进行的表面粗糙化处理中用磨石157从所有方向摩擦晶片W的背面，在晶片W的背面形成无数的微小的针状突起。通过上述表面粗糙化处理形成的微小的针状突起的从前端至根端的高度例如为50nm以下。

如上述那样的表面粗糙化处理装置100是用于在晶片W的背面整面形成上述微小的针状突起，将该背面均匀地表面粗糙化的装置，不过在本实施方式的晶片W翘曲修正方法中，使用表面粗糙化处理装置100能够在晶片W的背面的一部分形成上述微小的针状突起，将该一部分表面粗糙化。

如上所述，本发明人在由构成为能够将晶片W的整个背面粗糙化的表面粗糙化处理装置100这样的装置进行的表面粗糙化处理与该晶片翘曲相对于表面粗糙化处理的变化之间发现了相关性，因此想到了通过用上述表面粗糙化处理装置100表面粗糙化处理来修正晶片W翘曲。

图5是表示在将表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力(研磨压力)即磨石157推压到晶片W的压力与晶片W翘曲相对于表面粗糙化处理的变化之间存在相关性的图。

本发明人使中心表面粗糙化处理和外周表面粗糙化处理这两种处理时的表面粗糙化压力对每个晶片W不同，对多个平坦的晶片W进行这两种处理，测量了两种处理前的晶片W上的各区域的晶片W翘曲和两种处理后的晶片W上的各区域的晶片W翘曲。此外，所使用的晶片W的直径为300mm。在图4中示出了中心表面粗糙化处理时和外周表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力与通过两种处理得到的晶片W翘曲的变化量之间的关系。

图5的横轴表示在中心表面粗糙化处理时和外周表面粗糙化处理时相同的表面粗糙化压力，纵轴表示通过两种处理得到的晶片W翘曲的变化量在各晶片W内最大的值。此外，示出如下情况：通过上述两种处理得到的晶片W翘曲的变化量越大，则向晶片W的背面侧的翘曲变得越大。

此外，在本说明书中，“中心表面粗糙化处理”是指通过如下方式进行的处理：在使公转轴P2与晶片W的中心一致并且用固定吸盘135吸附保持着晶片W的状态下使晶片W静止，使磨石157接触到晶片W的背面，使支承该磨石157的支承板158绕自转轴P1自转并且绕公转轴P2公转，使磨石157在晶片W的背面滑动。

此外，在本说明书中，“外周表面粗糙化处理”是指通过如下方式进行的处理：将晶片W背面的比至少包含中心表面粗糙化处理中要处理的区域靠外侧的区域作为处理对象，用旋转吸盘120一边使晶片W旋转一边吸附保持该晶片W，一边使磨石157接触到晶片W的背面，一边不使支承板158自转而使其公转。

另外，在本说明书中，“平坦的晶片W”是指晶片W翘曲在该晶片W的整面处于±10μm的范围内。

此处，得到图5的相关性时的、表面粗糙化压力以外的各处理条件如以下所述。中心表面粗糙化处理时的支承板158的自转旋转速度、公转旋转速度分别为1rpm、200rpm，外周表面粗糙化处理时的支承板158的公转旋转速度、晶片旋转速度分别为1、600rpm。

在使表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力对每个晶片W不同的情况下，虽然省略图示，但是在所有晶片W中，表面粗糙化处理后的晶片W的形状成为在晶片W的背面侧凹陷的凹陷形状，通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲的变化量最大的区域在晶片W的中心附近。

另外，如图5所示，在表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力与通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲的最大变化量之间，存在当上述表面粗糙化压力变大时上述最大变化量增加的相关关系。

由此，显然在使用表面粗糙化处理装置100的表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力与背面侧向凹陷方向去的晶片W翘曲的变化量之间存在相关性。

此外，表面粗糙化压力的控制能够通过升降机构153进行。

图6是表示对晶片W的中央区域进行了表面粗糙化处理的情况下的、晶片W翘曲的变化量的图，图7是表示对晶片W的外周区域进行了表面粗糙化处理的情况下的、晶片W翘曲的变化量的图。

另外，为了得到图6和图7的结果，使用了直径为300mm的晶片W。此外，得到图6的结果时的表面粗糙化处理区域是从晶片W的中心起50mm的圆形区域，图7的表面粗糙化处理区域是由从晶片W的中心起100mm的部分与晶片W的外周端部包围的圆环状区域。

图6和图7的纵轴表示通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲的变化量，在晶片W向背面侧凹陷的方向上翘曲量发生了变化时值为负。另外，图6和图7的横轴表示分别测量了上述变化量的部分的位置，将晶片的中心作为基准点。

如图6和图7所示，进行了表面粗糙化处理的区域中，除了从图6中的晶片W的中心起距离120mm以上的区域之外，通过进行表面粗糙化处理而向晶片W的背面侧凹陷。

由此可知，进行了表面粗糙化处理的区域中，无论该区域在晶片W内的位置在何处，换言之，无论是晶片W的中心区域还是晶片W的周缘区域，都向晶片W的背面侧凹陷。

像这样凹陷的情况下，如上述那样，在使用表面粗糙化处理装置100的表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力与通过表面粗糙化处理得到的在背面侧向凹陷的方向去的晶片W翘曲的变化量之间存在相关性，因此本实施方式的使用表面粗糙化处理装置100的晶片W翘曲修正方法中，如以下所述进行晶片W的处理。

(第一实施方式)

图8是作为本实施方式的晶片处理对象的晶片W的说明图。纵轴表示表面粗糙化处理前的晶片W的各区域中的该区域的从基准面起的距离即翘曲量，晶片W在比基准面更靠近正面侧的区域中该区域的值为正。此外，图的横轴表示上述区域各自的位置，将晶片W的中心作为基准点。

作为处理对象的晶片W，当如图8所示判断为是具有截面观察时为倒U字形状并且其中心在正面侧最为突出的形状的晶片W时，在本实施方式的翘曲修正方法中，进行例如如以下那样的晶片W的处理。

(获取翘曲量)

表面粗糙化处理装置100的控制部180例如抽取并获取预先存储于未图示的存储部中的、关于作为处理对象的晶片W的翘曲量的信息。该翘曲量例如是在关于作为处理对象的晶片W的正面侧最突出的部分的翘曲量，或者也可以是在关于作为处理对象的晶片W的正面侧突出的部分的翘曲量的平均值。此外，在本例中，翘曲量的信息是预先存储的信息，不过也可以在表面粗糙化处理装置100的内部或者外部使用距离传感器等实际地计测晶片W翘曲量，使用计测出的结果。

(表面粗糙化压力确定)

控制部180基于所获取的上述翘曲量的信息，来确定晶片W的表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力。作为表面粗糙化压力的确定方法，例如有这样的方法：使用将翘曲量作为变量的表面粗糙化压力的计算式，基于上述获取到的翘曲量的信息，计算表面粗糙化压力，将该计算出的表面粗糙化压力确定为表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力。此外，作为上述确定方法的另一例，由这样的方法：将翘曲量与表面粗糙化压力的对应表存储于未图示的存储部中，使用该对应表来进行确定。

此外，上述的翘曲量获取步骤和表面粗糙化压力确定步骤可以在后述的晶片输送步骤之前进行，也可以在后述的晶片输送步骤之后进行，还可以与后述的晶片输送步骤一同进行。

(送入晶片)

表面粗糙化机构155在位于例如基座110的凹部111内的后侧的待机位置(图1所述的位置)并且杯状体130的中心位于与旋转吸盘120的中心重叠基准位置(图1所示的位置)的状态下，通过表面粗糙化处理装置100的外部的输送机构将晶片W输送到表面粗糙化处理装置100中。当晶片W的中心部位于旋转吸盘120的上方时，使支承销123上升以支承晶片W。然后，使杯状体130上升后以使得固定吸盘135位于比旋转吸盘120高的位置，使支承销123下降，将该晶片W交接到固定吸盘135，使晶片W的背面的周缘区域吸附保持于该固定吸盘135。接着，使杯状体130向后方移动以使得晶片W的中央部位于比气刀125靠后方的位置。

(表面粗糙化)

接着，使表面粗糙化机构155前进，移动到杯状体130的内侧。然后，使表面粗糙化机构155上升，在表面粗糙化机构155的公转轴P2与晶片W的中心重叠的状态以及由表面粗糙化压力确定步骤确定的压力下，将磨石157推压到晶片W的背面，然后，使该表面粗糙化机构155的支承板158自转和公转，用磨石157对晶片W的中央部进行表面粗糙化处理。通过支承板158的自转和公转，在晶片W的背面的中央部内的各部分，从彼此不同的方向反复承受磨石157的摩擦而形成槽。

(送出晶片)

在上述表面粗糙化处理后，停止表面粗糙化机构155的支承板158的自转和公转，使表面粗糙化机构155下降，使磨石157从晶片W的背面离开。然后，使表面粗糙化机构155后退到待机位置。

然后，使支承销123上升将晶片W从固定吸盘135上推，以将晶片W交接到上述的输送机构，并从表面粗糙化处理装置100送出。

此外，优选在表面粗糙化步骤与晶片送出步骤之间，进行基于晶片W的中央部的清洗机构156的清洗。

依照本实施方式，使用表面粗糙化处理装置100对晶片W的背面的中央部进行表面粗糙化处理，在上述中央部形成槽，由此对晶片W翘曲进行了修正，无需对晶片W的正面进行处理。因此，能够不对晶片W的正面造成影响，而修正晶片W翘曲。

另外，依照本实施方式，基于在表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力与通过表面粗糙化处理得到的背面侧向凹陷的方向去的晶片W翘曲的变化量之间存在相关性这样的发现，以与晶片W的向正面侧的翘曲量相应的表面粗糙化压力进行了表面粗糙化处理，因此能够将晶片W适当地平坦化。

在专利文献1的晶片W翘曲的修正方法中，为了使存在数十μm的翘曲的晶片W平坦，必须将晶片W除去数十μm单位。与之相对，在本实施方式中，通过形成50nm以下的微小的突起，即通过将晶片W的背面削去数十nm单位，能够使有数十μm的翘曲的晶片W平坦。因此，依照本实施方式，能够在保证晶片W的强度的情况下，修正晶片W翘曲。

(第二实施方式)

图9和图10是表示晶片W的另一例的图，图9是晶片W的俯视图，用浓淡表示晶片W内的各区域的从基准面起的距离，比基准面向正面侧突出的突出量越大用越浓的颜色表示。图10是表示图9的实线L部分的、晶片W的各区域中的该区域的从基准面起的距离与该区域的位置之间的关系的图。

图9和图10所示的晶片W具有向正面侧的突出的形状，向正面侧突出的突出量大的区域并不是晶片W的中央部分，具体而言，是由虚线包围的区域A。

第一实施方式的晶片处理，是在作为处理对象的晶片W如图8所示其中心在正面侧最为突出的情况下，换言之，在向正面侧突出的突出量大的区域为晶片W的中央部分的情况下进行的处理。在作为处理对象的晶片W如图9和图10所示具有向正面侧突出的形状，向正面侧突出的突出量大的区域并不是晶片W的中央部分而是晶片W的周缘部的情况下，进行如以下那样的晶片处理。

(获取翘曲分布)

在本实施方式的晶片处理中，表面粗糙化处理装置100的控制部180例如获取作为处理对象的晶片W内的晶片W翘曲的分布的信息，换言之，获取作为处理对象的晶片W的各区域中的该区域的从基准面起的信息。关于上述晶片W翘曲的分布的信息，可以通过控制部180抽取预先存储于未图示的存储部来获取，也可以在表面粗糙化处理装置100的内部或者外部使用距离传感器等实际地计测晶片W翘曲量，控制部180基于计测出的结果进行生成来获取。也可以为控制部180基于上述计测出的结果，从表面粗糙化处理装置100的外部获取在该外部生成的上述分布的信息。

(确定表面粗糙化处理区域)

控制部180基于所获取的晶片W翘曲的分布的信息，确定进行表面粗糙化处理的晶片W的背面内的区域(以下，称为“表面粗糙化处理区域”)。例如，将晶片W内具有向正面侧突出的形状并且最大突出量大且该突出量为规定值以上的区域，确定为表面粗糙化处理区域。下面，对将图9的区域A确定为表面粗糙化处理区域的情况进行说明。

(获取翘曲量)

下面，控制部180获取表面粗糙化处理区域的晶片W翘曲量的信息。该翘曲量例如是在表面粗糙化处理区域中在正面侧最突出的部分的翘曲量，也可以是表面粗糙化处理区域中的晶片W翘曲量的平均值。此外，翘曲量的信息可以是预先存储的，也可以在表面粗糙化处理装置100的内部或者外部使用距离传感器等实际地计测晶片W翘曲量，使用该计测出的结果。

(确定表面粗糙化压力)

控制部180基于所获取的上述翘曲量的信息，确定表面粗糙化处理时的表面粗糙化压力。

此外，上述的翘曲分布获取步骤、表面粗糙化处理区域确定步骤、翘曲量获取步骤和表面粗糙化压力确定步骤，可以在后述的晶片输送步骤之前，也可以在后述的晶片输送步骤之后进行，还可以与后述的晶片输送步骤一同进行。

(送入晶片和调整晶片的角度)

在表面粗糙化机构155位于例如基座110的凹部111内的后侧的待机位置，并且杯状体130的中心位于与旋转吸盘120的中心重叠的基准位置的状态下，通过表面粗糙化处理装置100的外部的输送机构将晶片W输送到表面粗糙化处理装置100中。当晶片W的中心部位于旋转吸盘120的上方时，使支承销123上升以支承晶片W。然后，在旋转吸盘120位于比固定吸盘135高的位置的状态下，使支承销123下降，将该晶片W交接到旋转吸盘120，使晶片W的中央区域吸附保持于该旋转吸盘120。

然后，使旋转吸盘120旋转1圈，用未图示的缺口检测机构检测形成于晶片W的周缘的缺口。接着，基于检测结果，使旋转吸盘120旋转，调整晶片W的方向/角度以使得上述缺口朝向规定的方向。由此，使上述的晶片W翘曲的分布的坐标轴与磨石157的驱动机构的坐标轴一致。

(表面粗糙化)

接着，使表面粗糙化机构155前进，移动到杯状体130的内侧。然后，进行支承板158的公转和/或晶片W即旋转吸盘120的旋转，使表面粗糙化机构的自转轴P1位于与晶片W的区域A重叠的位置。然后，在该状态下，使表面粗糙化机构155上升，以由表面粗糙化压力确定步骤确定的压力，将磨石157推压到晶片W的背面，然后，使该表面粗糙化机构155的支承板158自转，并且在支承板158的公转和/或晶片W的规定范围内进行往复运动，用磨石157对至少包含晶片W背面的区域A的区域进行表面粗糙化处理。通过支承板158的自转以及支承板158的公转和/或晶片W的规定范围内的往复运动，在包含晶片W的区域A的区域的各部分，从彼此不同的方向反复承受磨石157的摩擦而形成槽。

另外，在表面粗糙化处理区域为与晶片W同心的圆环状区域的情况下，在表面粗糙化处理时使晶片W连续地旋转。此外，在表面粗糙化处理区域包含晶片W的中央部分的情况下，在对该中央部部分进行表面粗糙化处理时，与第一实施方式同样，晶片W由固定吸盘135保持并使之连续地旋转。

(送出晶片)

在上述表面粗糙化处理后，停止表面粗糙化机构155的支承板158的自转，并且停止支承板158的公转和/或晶片W即旋转吸盘120的旋转，使表面粗糙化机构155下降，使磨石157从晶片W的背面离开。然后，使表面粗糙化机构155后退到待机位置。

然后，使支承销123上升将晶片W从旋转吸盘120上推，以将晶片W交接到上述的输送机构，并从表面粗糙化处理装置100送出。

此为，优选在表面粗糙化步骤与晶片送出步骤之间，进行基于清洗机构156的晶片W的清洗。

依照本实施方式的晶片处理，在将向正面侧突出的突出量大的区域并不是晶片W的中央部分而是晶片W的周缘部这样的晶片W作为处理对象的情况下，也能够将晶片W适当地平坦化。

(第一实施方式和第二实施方式的变形例)

在以上的例子中，以与表面粗糙化处理区域的晶片W翘曲量相应的表面粗糙化压力进行了表面粗糙化处理。根据本发明人的研究，在表面粗糙化处理条件下，与晶片W翘曲相对于表面粗糙化处理的变化存在相关性的并不仅是表面粗糙化压力。

图11是表示表面粗糙化处理时的支承板158的公转速度，更具体而言中心表面粗糙化处理时的支承板158的公转速度，与通过处理得到晶片W翘曲的变化量之间存在相关性的图。

本发明人使中心表面粗糙化处理时的支承板158的公转速度对每个晶片W不同，对多个平坦的晶片W进行中心表面粗糙化处理和外周表面粗糙化处理，测量了两种处理前的晶片W上的各区域的晶片W翘曲和两种处理后的晶片W上的各区域的晶片W翘曲。图11中，示出了中心表面粗糙化处理时的支承板158的公转速度与通过上述两种处理得到的晶片W翘曲的变化量之间的关系。

图11的横轴表示中心表面粗糙化处理时的公转速度，纵轴表示通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲的变化量在各晶片W内最大的值。此外，示出如下情况：通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲的变化量越大，向晶片W的背面侧的翘曲变得越大。

此外，得到图11的相关性时的、上述公转速度以外的各处理条件，如以下所述。中心表面粗糙化处理时的支承板158的自转旋转速度、粗糙加压分别为1rpm、0.5N，外周表面粗糙化处理时的支承板158的公转旋转速度、晶片旋转速度和表面粗糙化压力分别为1rpm、600rpm、0.5N。

在使中心表面粗糙化处理时的支承板158的公转速度对每个晶片W不同的情况下，虽然省略图示，但是在所有晶片W中，表面粗糙化处理后的晶片W的形状成为在晶片W的背面侧凹陷的凹陷形状，在表面粗糙化处理前后晶片W翘曲的变化量最大的区域是晶片W的中心附近。

另外，如图11所示，中心表面粗糙化处理时的支承板158的公转速度与通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲的最大变化量，存在当上述公转速度变大时上述最大变化量增加的相关关系。

由此可知，使用表面粗糙化处理装置100的表面粗糙化处理时的支承板158的公转速度与背面侧向凹陷的方向去的晶片W翘曲的变化量之间存在相关性。

因此，在上述的晶片处理中，也可以不以与晶片W翘曲尺寸相应的表面粗糙化压力进行表面粗糙化处理，而以与晶片W翘曲的尺寸相应的支承板158的公转速度进行表面粗糙化处理。在该情况下，无论晶片W翘曲的尺寸是多少，都能够将晶片W适当地平坦化。

在产生晶片W与磨石157的相对的滑动方向速度的观点下，也可以不仅调整支承板158的公转速度，还调整晶片W的旋转速度。即，也可以不以与晶片W翘曲的尺寸相应支承板158的公转速度进行表面粗糙化处理，而以与晶片W翘曲的尺寸相应的晶片W的旋转速度进行表面粗糙化处理，此外，也可以以与晶片W翘曲的尺寸相应的支承板158的公转速度和晶片W的旋转速度进行表面粗糙化处理。

(第一实施方式和第二实施方式的另一变形例)

根据本发明人的研究，在表面粗糙化处理条件下，与晶片W翘曲相对于表面粗糙化处理的变化量存在相关性的不仅是表面粗糙化压力和支承板158的公转速度。

图12是表示表面粗糙化处理时的磨石157的粒度(目数)即表面粗糙度，更具体而言表面粗糙化处理时的磨石157的目数与通过处理得到的晶片W翘曲的变化量之间存在相关性的图。

本发明人使磨石157的目数对每个晶片W不同，对多个平坦的晶片W进行外周表面粗糙化处理，测量了该处理前的晶片W上的各区域的晶片W翘曲与该处理后的晶片W上的各区域的晶片W翘曲。在图12中，示出了外周表面粗糙化处理时的磨石157的目数与通过该处理得到的向晶片W的背面侧的翘曲的变化量之间的关系。图12的横轴表示外周表面粗糙化处理时的磨石157的目数，纵轴表示晶片W上的各区域的通过表面粗糙化处理得到的向晶片背面侧的翘曲的变化量在各晶片W内最大的值。此外，在得到图12的相关性时，使用目数为500目、2000目、30000目、60000目的磨石157，磨石157的目数以外的各处理条件相同。

在使外周表面粗糙化处理时的磨石157的目数对每个晶片W不同的情况下，虽然省略图示，但是在所有晶片W中，表面粗糙化处理后的晶片W的形状成为在晶片W的背面侧凹陷的凹陷形状，在表面粗糙化处理前后晶片W翘曲的变化量最大的区域是晶片W的中心附近。

另外，如图12所示，外周表面粗糙化处理时的磨石157的目数与外周通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲的最大变化量，存在当上述目数变小时上述最大变化量增加的相关关系。换言之，磨石157的表面粗糙度与上述最大变化量，存在当上述表面粗糙度变大时上述最大变化量增加的相关关系。

由此可知，使用表面粗糙化处理装置100的外周表面粗糙化处理时的磨石的目数即表面粗糙度与背面侧向凹陷的方向去的晶片W翘曲的变化量之间存在相关性。

另外，虽然省略图示，不过在中心表面粗糙化处理时也能够得到同样的结果。

因此，在上述的晶片处理中，也可以不以与晶片W翘曲的尺寸相应的表面粗糙化压力进行表面粗糙化处理，而用与晶片W翘曲的尺寸相应的表面粗糙度的磨石157进行表面粗糙化处理。在该情况下，无论晶片W翘曲的尺寸是多少，都能够将晶片W适当地平坦化。此外，当将彼此目数不同的多个磨石157设置于旋转机构152上时，通过使旋转机构152的载置台旋转，能够切换用于表面粗糙化处理的磨石157的目数。

此外，磨石157的目数越大(即磨石157的表面的磨粒越小)，同一条件下的表面粗糙化处理的结果为，刻在晶片W的背面的槽(痕迹)越容易变得细且浅。另一方面，磨石157的目数越小(即磨石157的表面的磨粒越大)，同一条件下的表面粗糙化处理的结果为，刻在晶片W的背面的槽越容易变得粗且深。

(第二实施方式的变形例)

在第二实施方式的晶片处理中，将晶片W内具有在正面侧突出形状且该突出量为规定值以上的区域作为表面粗糙化处理区域。

在晶片W内具有在正面侧突出的形状且该突出量为规定量以上的区域存在多个的情况下，也可以将该多个区域全部作为表面粗糙化处理区域。

另外，在设有多个表面粗糙化处理区域的情况下，也可以在各区域中使粗糙加压等表面粗糙化处理条件不同。

此外，在表面粗糙化处理区域为多个的情况下，例如从向正面侧突出的突出量较大的区域起依次进行表面粗糙化处理。

(第二实施方式的另一变形例)

图13和图14是表示晶片W的另一例的图，在图13和图14中示出了不同晶片W的情形。此外，图13和图14表示包含晶片W的中心的规定部分的截面中的各区域中的该区域的从基准面起的距离与该区域的位置之间的关系的图。

在上述的例子中，将晶片W面内具有在正面方向突出的形状的区域作为表面粗糙化处理区域。表面粗糙化处理区域并不限于该例，如图13所示，在具有在背面方向突出的形状的区域A11中该区域A11的从基准点向背面侧突出的突出量为规定值以下，而且，与该区域A11相邻的区域A12具有在正面方向突出的形状且该突出量为规定值以上的情况下，也可以将该区域A11作为表面粗糙化处理区域。

通过对区域A11进行表面粗糙化处理，该区域A11因表面粗糙化处理而向背面侧突出的突出量增加，不过相邻的区域A12的向正面侧突出的突出量减少，而且向背面侧突出的区域A11的外周端的突出量减少，能够使晶片W整体的翘曲量处于容许范围内。

另外，如图14所示，无论在正面方向还是在背面方向都不突出的区域A21中，与该区域A21相邻的区域A22具有在正面方向突出的形状且该突出量为规定值以上的情况下，也可以将该区域A21作为表面粗糙化处理区域。

通过对区域A21进行表面粗糙化处理，该区域A21具有在背面方向突出的形状，不过相邻的区域A22的向正面侧突出的突出量减少，能够使晶片W整体的翘曲量处于容许范围内。

此外，在以上的例子中，仅对晶片W的背面的一部分进行了表面粗糙化处理，不过为仅晶片W的中央部分在正面方向突出的形状的情况下，也可以对晶片W的背面整体进行表面粗糙化处理。

(通过外周表面粗糙化处理修正基片翘曲的另一例)

本发明人对直径为300mm的多个平坦的晶片W在以下所述的处理条件1～3下进行外周表面粗糙化处理，并且计算了晶片W上的各区域的该处理后的翘曲量。

(处理条件1)处理开始时的公转轴P2的位置：从晶片W的中心起70mm，磨石157的目数：2000目。

(处理条件2)处理开始时的公转轴P2的位置：从晶片W的中心起96mm，磨石157的目数：2000目。

(处理条件3)处理开始时的公转轴P2的位置：从晶片W的中心起122mm，磨石157的目数：2000目。

即，本发明人通过对每个晶片W使公转轴P2的位置不同，用目数为2000目的磨石157进行外周表面粗糙化处理，计算出了晶片W上的各区域的该处理后的翘曲量。图15是表示外周表面粗糙化处理开始时的公转轴P2的位置与通过处理得到的晶片W的向背面侧的翘曲量之间的关系的图。图15中的(A)～(C)分别是关于上述条件1～3的图。

另外，本发明人对直径为300mm的平坦的晶片W在以下的处理条件4下进行外周表面粗糙化处理，并且计算出了晶片W上的各区域的该处理后的翘曲量。图16是表示上述翘曲量在晶片W内的分布的图。

(处理条件4)处理开始时的公转轴P2的位置；从晶片W的中心起70mm，磨石157的目数：60000目。

另外，本发明人对直径为300mm的平坦的晶片W依次连续地在上述处理条件2下进行外周表面粗糙化处理、在上述处理条件4下进行外周表面粗糙化处理，并且计算出了晶片W上的各区域的该处理后的翘曲量。图17是表示上述翘曲量在晶片W内的分布的图。

图15～图17的纵轴表示各外周表面粗糙化处理后的晶片W翘曲量，当晶片W在背面侧在凹陷的方向弯曲时值为负。横轴表示分别得到上述翘曲量的部分的位置，将晶片W的中心作为基准点。此外，在得到图15～图17的结果时的外周表面粗糙化处理中，连续地使晶片W旋转，并且使公转轴P2的位置从该处理开始时的位置匀速地移动到外侧，当磨石157的外周部到达晶片W的边缘时结束处理。

如图15所示，翘曲量的最大值在处理条件1中为200μm，在处理条件2中为112μm，在处理条件3中为55μm。由此可知，外周表面粗糙化处理开始时的公转轴P2的位置与晶片W的向背面侧的翘曲量，存在外周表面粗糙化处理开始时的公转轴P2的位置越靠近中心，晶片W的向背面侧的翘曲量变得越大的关系。

另外，如图15中的(B)、图16和图17所示，翘曲量的最大值在处理条件2下为112μm，在处理条件4下为19μm。而且，按照处理条件2、处理条件4的顺序连续地进行了处理的情况下的翘曲量的最大值为131μm，大致等于处理条件2下的翘曲量的最大值与处理条件4下的翘曲量的最大值之和。

因此，有以下的结论。

(A)通过表面粗糙化处理的开始位置即处理区域的条件与磨石157的目数(表面粗糙度)的条件的组合，能够得到所希望的翘曲变化量。

(B)通过连续地进行磨石157的目数等彼此不同的多个处理条件，能够得到所希望的翘曲变化量。

即：

(a)在晶片处理中，也可以根据晶片W翘曲的尺寸，改变处理区域的条件与磨石157的目数的条件的组合等的、处理条件的组合，来进行表面粗糙化处理；或者，

(b)在晶片处理中，也可以根据晶片W翘曲的尺寸，连续地进行磨石157的目数等彼此不同的多个处理条件下的表面粗糙化处理。

然而，在施加了较大的表面粗糙化压力的情况下，也存在因该表面粗糙化压力使晶片W翘曲的情形，在该情况下，不能通过研磨而刻入所希望的痕迹，不能得到所希望的翘曲变化量。因此，通过一边使研磨压力为规定的阈值以下，一边使用上述(a)、(b)等方法，能够更可靠地得到所希望的翘曲变化量。

此外，如上述(a)那样，在改变处理条件的组合进行表面粗糙化处理以得到所希望的翘曲变化量的情况下，处理条件例如如以下所述由控制部180确定。

由于根据磨石157的目数而大致确定了痕迹的刻入状况，即能够应对翘曲量的范围，因此在具有目数不同的多个磨石157的情况下，首先确定磨石157的目数。接着，确定与该磨石157匹配的表面粗糙化压力和公转速度。然后，在研磨压力超过上述的阈值等、所确定的表面粗糙化压力、公转速度的处理条件并非优选的情况下，或者不能忽视预想翘曲变化量与目标翘曲变化量之差的情况下(对于前者，还选择更接近优选的范围的条件)，改变研磨开始位置。也可以不改变研磨开始位置，而由控制部180确定以进行多个处理条件下的表面粗糙化处理。

此外，如本例那样，在磨石157的目数(表面粗糙度)不同的多个处理条件下连续地进行的情况下，优选先在目数较大(表面粗糙度较小)条件下进行。这是因为，如上所述，磨石157的目数越小，刻入晶片W的痕迹越容易变得粗且深。于是，当先在目数较小的处理条件下进行表面粗糙化处理时，会刻入宽度粗且深的痕迹，之后难以用目数较大的磨石157刻入宽度小且浅的痕迹，因此难以得到所希望的翘曲变化量。

此外，关于将磨石157的目数与表面粗糙化处理区域组合而成处理条件进行了说明，但是并不限于此，也可以在将上述的研磨压力与晶片W、磨石的旋转速度组合而成的条件下得到所希望的翘曲变化量。

此外，根据图15的结果，可知表面粗糙化处理的开始位置即处理区域的条件与外周通过表面粗糙化处理得到的晶片W翘曲变化量之间存在相关性。

因此，在上述的晶片处理中，也可以根据晶片W翘曲的尺寸，来改变外周表面粗糙化处理的开始位置。在该情况下，即使不改变磨石157的目数、研磨压力，无论晶片W翘曲的尺寸为多少，都能够将该晶片W适当地平坦化。

接着，对搭载有上述的表面粗糙化处理装置100的半导体制造装置进行说明。

图18是表示上述半导体制造装置的一例即涂敷显影处理系统1的内部概要结构的说明图。图19和图20分别是表示涂敷显影处理系统1的内部概要结构的正视图和后视图。

涂敷显影处理系统1如图18所示例如具有将承载盒站2、处理站3和交接站5连接成一体的结构：该承载盒站2在其与外部之间送入送出承载盒C，该处理站3具有实施抗蚀剂涂敷处理、PEB等规定的处理的多个各种类的处理装置，该交接站5在其与处理站3相邻的曝光装置4之间进行晶片W的交接。

承载盒站2例如被分为承载盒送入送出部10和晶片输送部11。例如承载盒送入送出部10设置于涂敷显影处理系统1的Y方向负方向(图18的左方向)侧的端部。在承载盒送入送出部10设置有承载盒载置台12。在承载盒载置台12上设置有多个例如4个载置板13。载置板13在水平方向的X方向(图18的上下方向)上并排地设置成一列。在对涂敷显影处理系统1的外部送入送出承载盒C时，能够在上述载置板13载置承载盒C。

在晶片输送部11，如图18所示设置有在X方向上延伸的输送路20上能够移动的晶片输送装置21。晶片输送装置21能够在上下方向上移动并且绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各载置板13上的承载盒C与后述的处理站3的第三区块G3的交接装置之间输送晶片W。

在处理站3，设置有具有各种装置的多个例如第一区块～第四区块G1、G2、G3、G4这4个区块。例如在处理站3的正面侧(图18的X方向负方向侧)设置有第一区块G1，在处理站3的背面侧(图18的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。此外，在处理站3的承载盒站2侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3，在处理站3的交接站5侧(图18的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。

在第一区块G1，如图19所示从下依次配置有多个液处理装置，例如对晶片W进行显影处理的显影处理装置30、在晶片W附图抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置31。

例如显影处理装置30、抗蚀剂涂敷装置31分别在水平方向上并排地配置有3个。此外，这些显影处理装置30、抗蚀剂涂敷装置31的数量和配置能够任意地选择。

在上述显影处理装置30、抗蚀剂涂敷装置31中，例如进行在晶片W上涂敷规定的处理液的旋涂。在旋涂中，例如从涂敷喷嘴向晶片W上释放处理液，并且使晶片W旋转以使处理液在晶片W的表面上扩散。

例如在第二区块G2，如图20所示在上下方向和水平方向上并排地设置有进行加热、冷却晶片W的热处理的热处理装置40和对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光装置41。上述热处理装置40、周边曝光装置41的数量和配置也能够任意地选择。

例如在第三区块G3，设置有多个交接装置50，在交接装置50的上方从下依次设置有表面粗糙化处理装置100和翘曲测量装置200。翘曲测量装置200使用未图示的距离传感器等测量晶片W的各区域中的该区域的晶片W翘曲量。

另外，在第四区块G4，设置有多个交接装置60。

如图18所示在第一区块G1～第四区块G4所包围的区域，形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D配置有例如晶片输送装置70。

晶片输送装置70例如具有在Y方向、前后方向、θ方向和上下方向上能够移动的输送臂部70a。晶片输送装置70在晶片输送区域D内移动，能够将晶片W输送到周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3和第四区块G4内的规定的装置。晶片输送装置70例如如图20所示上下地配置有多台，例如能够将晶片W输送到各区块G1～G4的同程度的高度的规定的装置。

另外，在晶片输送区域D，设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地输送晶片W的往复输送装置71。

往复输送装置71例如在图20的Y方向上能够直线地移动。往复输送装置71在支承着晶片W的状态下在Y方向上移动，能够在相同高度的第三区块G3的交接装置50与第四区块G4的交接装置60之间输送晶片W。

如图18所示在第三区块G3的X方向正方向侧设置有晶片输送装置72。晶片输送装置72例如具有在前后方向、θ方向和上下方向上能够移动的输送臂部72a。晶片输送装置72在支承着晶片W的状态下上下地移动，能够将晶片W输送到第三区块G3内的各交接装置50。

在交接站5设置有晶片输送装置73和交接装置74。晶片输送装置73例如具有在Y方向、θ方向和上下方向上能够移动的输送臂部73a。晶片输送装置73例如在输送臂部73a支承晶片W，能够在第四区块G4内的各交接装置60、交接装置74与曝光装置4之间输送晶片W。

如图18所示在第一区块G1～第四区块G4所包围的区域形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D例如设置有多个晶片输送装置70，该晶片输送装置70具有在Y方向、X方向、θ方向和上下方向上能够移动的输送臂部70a。晶片输送装置70在晶片输送区域D内移动，能够将晶片W输送到周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3和第四区块G4内的规定的装置。

在以上的涂敷显影处理系统1，如图18所示连接到控制部180。控制部180不仅控制表面粗糙化处理装置100中的晶片W的处理，还控制涂敷显影处理系统1中的晶片W的处理。控制涂敷显影处理系统1中的晶片W的处理的程序，与控制表面粗糙化处理装置100中的晶片W的处理的程序同样保存于程序保存部。

下面，说明使用如上所述那样构成的涂敷显影处理系统1进行晶片处理。

首先，用晶片输送装置21从承载盒载置台12上的承载盒C取出晶片W，并将其输送到处理站3的交接装置50。

接着，用晶片输送装置70将晶片W输送到第二区块G2的热处理装置40并对其进行温度调节处理。然后，用晶片输送装置70将晶片W输送到第一区块G1的抗蚀剂涂敷装置31，并在晶片W上形成抗蚀剂膜。然后，用晶片输送装置70将晶片W输送到热处理装置40，并对其进行预烘烤处理。

接着，用晶片输送装置70将晶片W输送到周边曝光装置41，并对其进行周边曝光处理。然后，用晶片输送装置70将晶片W输送到第三区块G3的交接装置50。

接着，用往复输送装置71将晶片W输送到第四区块G4的交接装置60。

然后，用交接站5的晶片输送装置73将晶片W输送到曝光装置4，并按规定图案对其进行曝光处理。

接着，用晶片输送装置73将晶片W输送到第四区块G4的交接装置60。然后，用晶片输送装置70将晶片W输送到第三区块G3的翘曲测量装置200，并用该翘曲测量装置200获取关于该晶片W翘曲的信息。接着，用晶片输送装置72将晶片W输送到相同的第三区块G3的表面粗糙化处理装置100。然后，对基于与晶片W的上述翘曲相关的信息确定的表面粗糙化处理区域，在基于与上述翘曲相关的信息确定的表面粗糙化处理条件下进行表面粗糙化处理，来修正晶片W翘曲。然后，用晶片输送装置70将已修正了翘曲的晶片W输送到热处理装置40，并对其进行曝光后烘烤处理。然后，用晶片输送装置70将晶片W输送到显影处理装置30，并对其进行显影。在显影结束后，用晶片输送装置70将晶片W输送到热处理装置40，并对其进行后烘烤处理。然后，将晶片W输送到载置板13上的承载盒C，一连串晶片处理完成。

另外，也可以在交接站5设置表面粗糙化处理装置100、翘曲测量装置200。此外，晶片W翘曲的修正在上述的例子中在曝光处理之后且曝光后烘烤处理之前进行，但是也可以在曝光处理之前、后烘烤处理之前等进行。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定与上述的例子。对于本领域技术人员而言，在权利要求的范围中所记载技术思想的范畴内，当然能够想到各种变形例或者修正例，应当了解，它们当然也属于本发明的技术范围。

附图标记说明

100 表面粗糙化处理装置

120 旋转吸盘

130 杯状体

135 固定吸盘

155 表面粗糙化机构

157 磨石

200 翘曲测量装置

1 涂敷显影处理系统

P1 自转轴

P2 公转轴

Claims (10)

1.一种修正基片翘曲的基片翘曲修正方法，其特征在于：

包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对所述基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对所述基片的背面进行所述表面粗糙化处理，在所述背面形成槽，来修正所述基片翘曲，

在对所述背面进行的所述表面粗糙化步骤中，以与所述基片的翘曲量相对应的研磨压力进行所述表面粗糙化处理。

2.如权利要求1所述的基片翘曲修正方法，其特征在于：

所述表面粗糙化处理装置包括：

第一保持部，其水平地保持所述基片的背面中的不与中央部重叠的区域；

第二保持部，其水平地保持所述基片的背面中的中央部，并且使所述基片绕铅垂轴旋转；

滑动部件，其为了在所述基片的背面滑动以进行处理，而绕铅垂轴自转；

公转机构，其使自转中的所述滑动部件绕铅垂的公转轴公转；和

相对移动机构，其用于使所述基片与所述公转轴的相对位置在水平方向上移动。

3.如权利要求2所述的基片翘曲修正方法，其特征在于：

在所述表面粗糙化步骤中，以与所述基片的翘曲量相应的、由所述公转机构使所述滑动部件公转的公转速度，进行所述表面粗糙化处理。

4.如权利要求1所述的基片翘曲修正方法，其特征在于：

所述表面粗糙化处理装置具有滑动部件，该滑动部件为了在所述基片的背面滑动以进行处理，而绕铅垂轴自转，

在该翘曲修正方法的所述表面粗糙化步骤中，用所述滑动部件进行所述表面粗糙化处理，其中，所述滑动部件的与所述基片的背面接触的接触面具有与所述基片的翘曲量相应的表面粗糙度。

5.如权利要求4所述的基片翘曲修正方法，其特征在于：

从所述表面粗糙度小的所述滑动部件起，依次使用所述表面粗糙度彼此不同的多个所述滑动部件，来进行所述表面粗糙化处理。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基片翘曲修正方法，其特征在于：

对所述基片内的基于该基片翘曲的分布信息来确定的处理区域进行所述表面粗糙化处理。

7.如权利要求6所述的基片翘曲修正方法，其特征在于：

所述处理区域包含具有向所述基片的正面侧突出的形状的区域。

8.如权利要求6所述的基片翘曲修正方法，其特征在于：

所述处理区域包含与具有向基片的正面侧突出的形状的区域相邻的区域。

9.一种可读取的计算机存储介质，其保存有在作为控制部的计算机上运行的程序，所述控制部控制表面粗糙化处理装置以用该表面粗糙化处理装置来执行修正基片翘曲的翘曲修正方法，所述可读取的计算机存储介质的特征在于：

所述翘曲修正方法包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对所述基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对所述基片的背面进行所述表面粗糙化处理，在所述背面形成槽，来修正所述基片翘曲，

在对所述背面进行的所述表面粗糙化步骤中，以与所述基片的翘曲量相对应的研磨压力进行所述表面粗糙化处理。

10.一种修正基片翘曲的基片翘曲修正装置，其特征在于：

所述翘曲修正装置对所述基片的背面进行表面粗糙化处理，在所述背面形成槽，来修正所述基片翘曲，

所述翘曲修正装置包括：

滑动部件，其为了在所述基片的背面滑动以进行处理，而绕铅垂轴自转；

驱动所述滑动部件的驱动部；和

控制部，其构成为能够控制所述驱动部以使得所述滑动部件以与所述基片的翘曲量相对应的研磨压力对所述背面进行所述表面粗糙化处理。