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CN111799397A - 用于制造显示装置的设备和方法 - Google Patents

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CN111799397A
CN111799397A CN202010222384.7A CN202010222384A CN111799397A CN 111799397 A CN111799397 A CN 111799397A CN 202010222384 A CN202010222384 A CN 202010222384A CN 111799397 A CN111799397 A CN 111799397A
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CN
China
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supply nozzle
support substrate
unit
graphene oxide
layer
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Application number
CN202010222384.7A
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文升俊
姜秉熏
徐东均
申憘龜
沈俊昊
曺雨辰
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种用于制造显示装置的设备和方法。用于制造显示装置的设备包括：第一单元，配置成去除支承衬底的杂质；第二单元，配置成在支承衬底上形成牺牲层；第三单元，配置成在牺牲层上形成柔性衬底；以及第四单元，配置成在柔性衬底上形成显示单元。第二单元包括：移动单元，能够在第一方向上移动以接收支承衬底；第一供给喷嘴，配置成将溶液喷射到支承衬底上以涂覆氧化石墨烯层；以及第二供给喷嘴，配置成干燥涂覆在支承衬底上的氧化石墨烯层，同时去除氧化石墨烯层的一部分以形成牺牲层。

Description

用于制造显示装置的设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年4月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0038620号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文汇总。
技术领域
本公开的实施方式的方面涉及一种用于制造显示装置的设备及制造显示装置的方法。
背景技术
基于移动性的电子装置被广泛使用。近来，平板PC以及诸如移动电话的小型电子装置被广泛用作移动电子装置。
为了支持各种功能的目的，移动电子装置可以包括显示单元，以向用户提供视觉信息，诸如图像或图片。近年来，随着用于驱动显示单元的其他组件的尺寸减小，显示单元在电子装置中所占的比例逐渐增加。显示单元被开发成可以从平坦状态以一定角度(例如，预定角度)弯曲。
发明内容
根据本公开的实施方式的方面，提供了一种能够简化制造工艺的用于制造显示装置的设备和方法。
根据本公开的一个或多个实施方式，用于制造显示装置的设备包括：第一单元，配置成去除支承衬底的杂质；第二单元，配置成在支承衬底上形成牺牲层；第三单元，配置成在牺牲层上形成柔性衬底；以及第四单元，配置成在柔性衬底上形成显示单元。第二单元可包括：移动单元，能够在第一方向上移动以接收支承衬底；第一供给喷嘴，配置成将待通过范德华键合而键合至支承衬底的溶液喷射到支承衬底上以涂覆氧化石墨烯层；以及第二供给喷嘴，配置成干燥涂覆在支承衬底上的氧化石墨烯层，同时去除氧化石墨烯层的一部分以形成牺牲层。第一供给喷嘴和第二供给喷嘴可以彼此间隔开一定的距离，并且可以彼此成直线联接。此外，第一供给喷嘴和第二供给喷嘴中的每一个可包括具有约15°至45°的注射角的注射端口。
在实施方式中，第一供给喷嘴和第二供给喷嘴之间的距离可以是约50mm。
在实施方式中，第二单元还可以包括位于第一供给喷嘴和第二供给喷嘴之间的第三供给喷嘴。
在实施方式中，第三供给喷嘴可配置成将去离子(DI)水喷射到在第一方向上移动的支承衬底的氧化石墨烯层上，以清洁支承衬底的氧化石墨烯层。
在实施方式中，第三供给喷嘴可以与第一供给喷嘴和第二供给喷嘴中的每一个间隔开一定的距离，并且可以与第一供给喷嘴和第二供给喷嘴成直线联接。
在实施方式中，第三供给喷嘴可以包括具有约15°至45°的注射角的注射端口。
在实施方式中，第一供给喷嘴和第三供给喷嘴之间的距离可以等于第三供给喷嘴和第二供给喷嘴之间的距离。
在实施方式中，第二供给喷嘴可以包括气刀以在高压下喷射气体。
在实施方式中，第一供给喷嘴至第三供给喷嘴中的每一个可以包括布置在第一方向上的至少一个辅助供给喷嘴。
在实施方式中，第一供给喷嘴至第三供给喷嘴中的每一个的辅助供给喷嘴可以包括注射端口，并且辅助供给喷嘴的注射端口可以能够在第一方向和与第一方向相反的方向上向左和向右反复移动。
在实施方式中，第二单元还可以包括框架以支承第一供给喷嘴至第三供给喷嘴中的每一个，并且框架可以能够在第一方向上移动。
在实施方式中，第二单元还可以包括回收单元，以回收从第一供给喷嘴喷射的溶液。
在实施方式中，显示单元可以包括：像素电路层，位于柔性衬底上，并且包括至少一个晶体管；以及显示元件层，位于像素电路层上并电联接到晶体管以发射光。
根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：准备支承衬底；通过将经由范德华键合而键合至支承衬底的溶液喷射到支承衬底上来形成牺牲层，由此涂覆氧化石墨烯层，且然后在去除氧化石墨烯层的一部分的同时干燥氧化石墨烯层；在牺牲层上形成柔性衬底；在柔性衬底上形成显示单元；在显示单元上形成薄膜封装膜；以及将支承衬底与柔性衬底分离。
在实施方式中，形成牺牲层还可以包括通过将去离子(DI)水喷射到在第一方向上移动的支承衬底的氧化石墨烯层上来清洁氧化石墨烯层。
在实施方式中，形成牺牲层可包括：干燥氧化石墨烯层，同时使用配置成在高压下喷射气体的气刀去除氧化石墨烯层的一部分。
在实施方式中，准备支承衬底可以包括去除支承衬底的表面杂质。在实施方式中，可以通过将氧等离子体喷射到支承衬底的表面上来去除支承衬底的表面杂质。
在实施方式中，形成显示单元可以包括：在柔性衬底上形成包括至少一个晶体管的像素电路层；以及在像素电路层上形成包括发光元件的显示元件层，发光元件电联接到晶体管以发射光。
根据本公开的一个或多个实施方式，用于制造显示装置的设备包括：第一单元，配置成去除支承衬底的杂质；第二单元，配置成在支承衬底上形成牺牲层；第三单元，配置成在牺牲层上形成柔性衬底；以及第四单元，配置成在柔性衬底上形成显示单元。第二单元可包括：移动单元，能够在第一方向上移动以接收支承衬底；第一供给喷嘴，配置成将待通过范德华键合而键合到支承衬底的溶液喷射到支承衬底上，以涂覆氧化石墨烯层；以及第二供给喷嘴，配置成干燥涂覆在支承衬底上的氧化石墨烯层，同时去除氧化石墨烯层的一部分，以形成牺牲层。第一供给喷嘴和第二供给喷嘴可以彼此间隔开一定的距离，并且可以彼此成直线联接。
附图说明
图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的用于制造显示装置的设备的概念图。
图2是示出图1中所示的第二单元的视图。
图3A和图3B是示出图2的第一供给喷嘴的图。
图4A至图4C是示意性地示出用于在图2的第二单元中在支承衬底上形成牺牲层的制造工艺的图。
图5A至图5C是示意性地示出使用图4A至图4C中所示的制造工艺在支承衬底上形成牺牲层的状态的平面图。
图6A是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图6B是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图6C是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图6D是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图7是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图8是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的用于制造显示装置的设备的概念图。
图9是示出使用图1中所示的用于制造显示装置的设备的最终完成的显示装置的示意性平面图。
图10是示出图9中所示的像素中的一个的等效电路图。
图11是示出图9的显示装置的放大剖视图。
图12是示出制造图9的显示装置的方法的流程图。
图13A至图13G是依次示出根据图12的流程图制造图9的显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
由于本公开允许各种变化和多个实施方式，因此一些特定实施方式将在附图中示出并在书面描述中进一步详细描述。然而，这并不旨在将本公开限制于特定的实践模式，并且应当理解，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同和替代都包含在本公开中。
在整个公开中，在本公开的各个附图和实施方式中，相同的附图标记表示相同的部分。为了清楚地示出，附图中的元件的尺寸可能被放大。应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为“第二”元件。类似地，第二元件也可以被称为“第一”元件。在本公开中，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”等指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部分设置在第二部分上时，第一部分不仅可以直接设置在第二部分上，而且可以在它们之间存在一个或多个第三部分。此外，当表示在第二部分上形成诸如层、膜、区域或板的第一部分时，第二部分的其上形成有第一部分的表面不限于第二部分的上表面，而是可以包括其他表面，诸如第二部分的侧表面或下表面。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部分在第二部分之下时，第一部分不仅可以直接在第二部分之下，而且可以在它们之间存在一个或多个第三部分。
当某一实施方式可以不同地实现时，特定的工艺顺序可以不同于所描述的工艺顺序。例如，连续描述的两个工艺可以基本上同时执行，或者以与所述顺序相反的顺序执行。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不被解释为理想化的或过于形式化的含义。
本文中将参考附图更详细地描述本公开的实施方式。
图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的用于制造显示装置的设备的概念图。
参照图1，根据本公开的实施方式的用于制造显示装置的设备1可以包括第一单元100至第四单元400。此外，根据本公开的实施方式的用于制造显示装置的设备1还可以包括柔性衬底形成单元500、像素电路层形成单元600、显示元件层形成单元700、薄膜封装膜形成单元800和切割单元900。各个单元可以通过单独的传送装置(未示出)、连接装置(未示出)等彼此连接。
在实施方式中，柔性衬底形成单元500、像素电路层形成单元600、显示元件层形成单元700、薄膜封装膜形成单元800和切割单元900可以顺序地连接到第二单元200和/或第四单元400。在另一实施方式中，它们可以顺序地连接到第三单元300。根据另一实施方式，柔性衬底形成单元500、像素电路层形成单元600、显示元件层形成单元700、薄膜封装膜形成单元800和切割单元900可以分开地安装，以将支承衬底10顺序地输送到相应的单元。为了便于描述，下面将描述柔性衬底形成单元500、像素电路层形成单元600、显示元件层形成单元700、薄膜封装膜形成单元800和切割单元900分开安装的示例。
用于制造显示装置的设备1还可以包括除了上述单元之外的其他单元。例如，根据本公开的实施方式的用于制造显示装置的设备1可以包括用于制造柔性显示装置(未示出)的所有装置和结构。
根据本公开的实施方式，第一单元100可以是清洁单元，以清洁从装载单元(未示出)传送的支承衬底10的表面。就此而言，装载单元可以配备有单独的移动装置或单元(例如，传送机COV)，以将支承衬底10传送到第一单元100。也就是说，支承衬底10可以由传送机COV接收和支承，以从装载单元传送到第一单元100。
在实施方式中，第一单元100可以对支承衬底10的表面(例如，未由传送机COV支承的表面)进行干洗。在实施方式中，第一单元100可以通过位于第一单元100的上端处的喷嘴110将氧等离子体喷射到支承衬底10上，以从支承衬底10的表面去除杂质。这里，氧等离子体可以用特定的电荷对支承衬底10的表面充电。当已经完成上述工艺时，支承衬底10可以通过传送机COV被传送到执行后续工艺的下一个单元。传送机COV可在第一单元100中安装成穿过第一单元100。
已经在第一单元100中被清洁的支承衬底10可以通过传送机COV移动到第二单元200。
第二单元200可以在支承衬底10上形成牺牲层SCL。为此，第二单元200可以包括设置在第二单元200的上端处的第一供给喷嘴210、第二供给喷嘴220和第三供给喷嘴230。
在实施方式中，第一供给喷嘴210可以通过将经由范德华键合而键合至支承衬底10的材料(例如，氧化石墨烯溶液)喷射在支承衬底10上，从而在支承衬底10上形成氧化石墨烯层。在本公开的实施方式中，将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上的方法可以使用选自包括以下项的组中的任何方法：浸涂、喷涂、旋涂、丝网涂布、胶印、喷墨印刷、移印、刮涂、吻合涂布、凹面涂布、刷涂、超声精细喷涂和喷雾喷涂，但不限于此。
第二供给喷嘴220干燥涂覆在支承衬底10上的氧化石墨烯层，同时去除该层的一部分，从而在支承衬底10上最终形成(或完成)牺牲层SCL。在实施方式中，第二供给喷嘴220可以包括气刀以将高压气体喷射到氧化石墨烯层上。气刀可以将气体(例如，空气)喷射到氧化石墨烯层上以干燥氧化石墨烯层，并且从而在支承衬底10上形成牺牲层SCL。在本公开的实施方式中，由第二供给喷嘴220干燥的氧化石墨烯层最终可以是牺牲层SCL。上述气刀可以去除倾斜到支承衬底10上的特定部分的牺牲层SCL，并在支承衬底10上均匀地形成牺牲层SCL。
在实施方式中，第三供给喷嘴230可以将去离子(DI)水喷射到通过第一供给喷嘴210涂覆到支承衬底10上的氧化石墨烯层上。在本公开的实施方式中，第三供给喷嘴230可以设置在第一供给喷嘴210和第二供给喷嘴220之间，以清洁支承衬底10上的氧化石墨烯层的杂质中的一些。
在本公开的实施方式中，第一供给喷嘴210、第三供给喷嘴230和第二供给喷嘴220可以在第二单元200中成直线互连。在第二单元200中，支承衬底10可以通过传送机COV顺序地移动到第一供给喷嘴210、第三供给喷嘴230和第二供给喷嘴220，以执行上述工艺，从而最终在支承衬底10上形成牺牲层SCL。
在本公开的实施方式中，通过利用范德华键合来调节支承衬底10和牺牲层SCL之间的拉伸粘附强度，可以在制造显示装置之后容易地分离牺牲层SCL。
其上形成有牺牲层SCL的支承衬底10可以通过传送机COV传送到第三单元300。第三单元300可以是将支承衬底10运送到外部的卸载单元。由第三单元300承载的支承衬底10可以被传送到柔性衬底形成单元500。
柔性衬底形成单元500可以在牺牲层SCL上形成柔性衬底SUB。柔性衬底形成单元500可以通过狭缝喷嘴510向牺牲层SCL施加具有柔性的绝缘材料，且然后可以固化该材料，从而形成柔性衬底SUB。
在本公开的实施方式中，柔性衬底SUB可以由选自包括聚酯、聚乙烯化合物、聚碳酸酯、聚乙烯、聚乙酸酯、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的组合中的材料制成。
其上形成有柔性衬底SUB的支承衬底10可以被传送到像素电路层形成单元600。像素电路层形成单元600可以在柔性衬底SUB上形成包含至少一个晶体管的像素电路层。
其上形成有像素电路层的支承衬底10可以被传送到显示元件层形成单元700。显示元件层形成单元700可以在像素电路层上形成包含与晶体管电连接的发光元件的显示元件层。
其上形成有显示元件层的支承衬底10可以被传送到薄膜封装膜形成单元800。薄膜封装膜形成单元800可以在显示元件层上形成覆盖显示元件层的薄膜封装膜。
其上形成有薄膜封装膜的支承衬底10可以被传送到切割单元900。切割单元900可以将支承衬底10切割成柔性显示装置的单元格单元。具体地，切割单元900可以将支承衬底10切割成单元格单元，以容易地将柔性衬底SUB与支承衬底10分离。
同时，如果牺牲层SCL具有其中具有不同电荷的多个氧化石墨烯层堆叠的结构，则牺牲层SCL上的柔性衬底SUB和支承衬底10可以容易地彼此分离。如果从第二单元200的第一供给喷嘴210喷射的氧化石墨烯溶液具有第一电荷，则可以添加将具有与氧化石墨烯溶液的电荷相反特性的第二电荷的氧化石墨烯溶液涂覆到支承衬底10的表面上的工艺。在这种情况下，用于制造显示装置的设备1还可以包括第四单元400，以将具有第二电荷的氧化石墨烯溶液涂覆到支承衬底10的氧化石墨烯层上。
第四单元400可在通过传送机COV从第二单元200传送的支承衬底10的氧化石墨烯层上形成具有与该氧化石墨烯层的电荷相反特性的氧化石墨烯层(本文中称为“第二氧化石墨烯层”)。为此，如第二单元200中那样，第四单元400可以包括第一供给喷嘴410至第三供给喷嘴430。
第四单元400的第一供给喷嘴410可以将具有第二电荷的氧化石墨烯溶液涂覆到支承衬底10上以在支承衬底10的氧化石墨烯层上形成第二氧化石墨烯层。第四单元400的第二供给喷嘴420可以干燥第二氧化石墨烯层，同时去除层中的一些。在实施方式中，第四单元400的第二供给喷嘴420可以包括气刀。第四单元400的第三供给喷嘴430可以将DI水喷射到通过第四单元400的第一供给喷嘴410涂覆到支承衬底10上的第二氧化石墨烯层上。第四单元400的第三供给喷嘴430可以设置在第四单元400的第一供给喷嘴410和第四单元400的第二供给喷嘴420之间。
在本公开的实施方式中，第四单元400的第一供给喷嘴410、第四单元400的第三供给喷嘴430和第四单元400的第二供给喷嘴420可以在第四单元400中成直线互连。在第四单元400中，支承衬底10可以通过传送机COV顺序地移动到第四单元400的第一供给喷嘴410、第四单元400的第三供给喷嘴430和第四单元400的第二供给喷嘴420，且然后可以执行上述工艺以最终在支承衬底10上形成其上堆叠有具有不同电荷的两个氧化石墨烯层的牺牲层SCL。
其上形成有牺牲层SCL的支承衬底10可以被传送到第三单元300，且然后通过传送机COV被运送到外部。随后，可以将支承衬底10传送到柔性衬底形成单元500。
图2是示出图1中所示的第二单元的视图；以及图3A和图3B是示出图2的第一供给喷嘴的图。
参照图1、图2、图3A和图3B，用于制造显示装置的设备1可以包括第二单元200，以在支承衬底10上形成牺牲层SCL。
第二单元200可以执行在从第一单元100传送的支承衬底10上形成牺牲层SCL的工艺。在实施方式中，第二单元200可以包括第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230、框架240、第一供给源250a至第三供给源250c、第一回收喷嘴270a至第三回收喷嘴270c以及第一过滤部280a至第三过滤部280c。
第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230中的每一个可固定到框架240。在第二单元200中，第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230可以按照第一供给喷嘴210、第三供给喷嘴230和第二供给喷嘴220的顺序设置在框架240的表面上。在本公开的实施方式中，框架240可以固定到第二单元200的上侧。然而，不限于此，根据实施方式，框架240可以在第一方向上(例如由图2的箭头所示的方向)通过移动装置或单元(未示出)而移动。
在本公开的实施方式中，第一供给喷嘴210可与第三供给喷嘴230间隔开一定距离(例如，预定距离)d1，且第三供给喷嘴230可与第二供给喷嘴220间隔开一定距离(例如，预定距离)d2。在实施方式中，第一供给喷嘴210和第三供给喷嘴230之间的距离d1可以是约50mm，并且第三供给喷嘴230和第二供给喷嘴220之间的距离d2可以是约50mm。也就是说，在实施方式中，第一供给喷嘴210和第三供给喷嘴230之间的距离d1可以等于第三供给喷嘴230和第二供给喷嘴220之间的距离d2。
第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230在框架240的表面设置成彼此间隔开一定距离(例如，预定距离)，使得从各个供给喷嘴喷射的材料彼此不混合。
第一供给喷嘴210将待通过范德华键合而键合至支承衬底10的氧化石墨烯溶液喷射(或施加)到支承衬底10上，从而在支承衬底10上涂覆(或形成)氧化石墨烯层。为此，第一供给喷嘴210可以包括第一注射端口215，第一注射端口215形成为用于将氧化石墨烯溶液喷射(或施加)到支承衬底10上的中空管的形状。
第一注射端口215的注射角θ1对应于用于将穿过第一注射端口215的氧化石墨烯溶液均匀地喷射(或施加)到支承衬底10的表面上的重要参数。在本公开的实施方式中，第一注射端口215可以具有固定在从15°至45°的范围内的注射角θ1。
如果第一注射端口215具有小于15°的注射角θ1，则用于将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10的表面上的力可能减小。此外，如果第一注射端口215具有大于45°的注射角θ1，则氧化石墨烯溶液会喷射(或施加)到不与第一供给喷嘴210对应的区域(例如，已经喷射了氧化石墨烯溶液的区域)上，从而使得难以在支承衬底10的整个表面上均匀地形成氧化石墨烯层。
在本公开的实施方式中，支承衬底10的表面和第一注射端口215之间的距离(或高度)h可以是100mm或更小，但是本公开不限于此。支承衬底10的表面与第一注射端口215之间的距离(或高度)h可根据支承衬底10上的氧化石墨烯层的设计条件、施加氧化石墨烯的显示装置的要求等而变化。在实施方式中，第一注射端口215可以被设计成在约0.1至0.5MPa的压力下将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上，并且由此在支承衬底10上快速地涂覆(或形成)氧化石墨烯层。
在实施方式中，如图3A中所示，第一供给喷嘴210可以包括溶液储存器210a、流速调节器210b、溶液入口部210c和孔口210d。包括上述组件的第一供给喷嘴210可以与第一注射端口215联接。在本公开的实施方式中，溶液储存器210a和第一注射端口215可以一体地设置。在这种情况下，第一注射端口215可以是包括在第一供给喷嘴210中的一个组件。
溶液入口部210c经由第一供给管260a与第一供给源250a连接以接收来自第一供给源250a的氧化石墨烯溶液。溶液储存器210a积聚从溶液入口部210c引入的氧化石墨烯溶液。流速调节器210b位于溶液入口部210c和溶液储存器210a之间，以调节喷射到支承衬底10的表面上的氧化石墨烯溶液的流速。流速调节器210b可以具有平板的形状，并且可以包括孔口210d，以在降低氧化石墨烯溶液的流速的同时使氧化石墨烯溶液通过。孔口210d可具有朝向溶液储存器210a变窄的锥形形状，但本公开不限于此。
在实施方式中，如图3B中所示，第一注射端口215可以包括至少一个狭缝SL和至少一个坝状件DM。第一注射端口215的狭缝SL可以是将积聚在溶液储存器210a中的氧化石墨烯溶液喷射到外部(例如，支承衬底10的表面)的出口。第一注射端口215的坝状件DM可以进一步调节穿过第一注射端口215的氧化石墨烯溶液的流速，以防止或基本上防止氧化石墨烯溶液倾聚到支承衬底10的特定部分。
尽管本公开的实施方式已经描述为使得第一供给喷嘴210具有上述结构，但是本公开不限于此。根据实施方式，第一供给喷嘴210的配置和形状可以不同地改变。
通过第一供给喷嘴210的第一注射端口215喷射到支承衬底10的表面以外的区域中的氧化石墨烯溶液可以被第一回收喷嘴270a回收，并且通过第一回收喷嘴270a回收的氧化石墨烯溶液可以通过第一回收管290a供给到第一过滤部280a。第一过滤部280a可以包括过滤包含在氧化石墨烯溶液中的杂质的过滤器。第一过滤部280a可以将从中去除了杂质的氧化石墨烯溶液供给到第一供给源250a，并且第一供给源250a可以通过第一供给管260a将氧化石墨烯溶液供给到第一供给喷嘴210。
通过第一供给喷嘴210涂覆有氧化石墨烯层的支承衬底10可以通过传送机COV沿图2中所示的箭头方向移动到第三供给喷嘴230。
第三供给喷嘴230将DI水喷射到涂覆有氧化石墨烯层的支承衬底10上，以执行用于从氧化石墨烯层去除杂质的冲洗工艺。为此，第三供给喷嘴230可以包括形成为空心管形状以用于将DI水喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上的第三注射端口235。
第三注射端口235的注射角θ2可对应于用于将DI水均匀地喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上的主要参数。在本公开的实施方式中，与第一注射端口215的注射角θ1类似，第三注射端口235的注射角θ2可以为约15°至45°。在实施方式中，支承衬底10的表面和第三注射端口235之间的距离(或高度)h可以是100mm或更小，但是本公开不限于此。在实施方式中，第三注射端口235可以在约0.1至0.5MPa的压力下将DI水喷射到支承衬底10上，并且从而可以快速清洁支承衬底10上的氧化石墨烯层。
尽管在附图中未详细示出第三供给喷嘴230，但是在实施方式中，其可以具有与图3A和图3B中所示的第一供给喷嘴210相同的配置。例如，第三供给喷嘴230可以包括溶液储存器、流速调节器、溶液入口部、孔口和第三注射端口235。
通过第三供给喷嘴230的第三注射端口235喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层以外的区域中的DI水可以被第三回收喷嘴270c回收。此外，包含在支承衬底10的氧化石墨烯层中的杂质可以与DI水混合，且然后由第三回收喷嘴270c回收。由第三回收喷嘴270c回收的、含有杂质的DI水可以通过第三回收管290c供给到第三过滤部280c。第三过滤部280c可以包括过滤包含在DI水中的杂质的过滤器。第三过滤部280c可以将从中去除了杂质的DI水供给到第三供给源250c，并且第三供给源250c可以通过第三供给管260c将DI水供给到第三供给喷嘴230。
通过第三供给喷嘴230涂覆有从中去除了杂质的氧化石墨烯层的支承衬底10可以通过传送机COV沿图2中所示的箭头方向移动到第二供给喷嘴220。
第二供给喷嘴220将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上以干燥氧化石墨烯层，同时防止或基本上防止氧化石墨烯层倾聚到特定部分，由此允许氧化石墨烯层均匀地形成在支承衬底10的表面上。
在实施方式中，第二供给喷嘴220可以包括第二注射端口225，第二注射端口225形成为管的形状，以将通过第二供给管260b从第二供给源250b供给的气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。第二注射端口225的注射角θ3可对应于用于将气体均匀地喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上的主要参数。在实施方式中，与第一注射端口215的注射角θ1类似，第二注射端口225的注射角θ3可以为约15°至45°。
在本公开的实施方式中，第二注射端口225可以被设计成在高压下将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。在实施方式中，第二注射端口225可以在约0.1至0.5MPa的压力下将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上，以快速干燥氧化石墨烯层。在实施方式中，支承衬底10的表面和第二注射端口225之间的距离(或高度)h可以是100mm或更小，但是本公开不限于此。
在本公开的实施方式中，第二供给喷嘴220可以由气刀构成，该气刀在高压下将气体喷射到涂覆在支承衬底10上的氧化石墨烯层上以干燥氧化石墨烯层。支承衬底10的氧化石墨烯层中的一些和残留在氧化石墨烯层上的DI水可以通过从第二注射端口225喷射的气体与支承衬底10分离，并且然后可以由第二回收喷嘴270b回收。由第二回收喷嘴270b回收的、氧化石墨烯层的中一些和残留在氧化石墨烯层上的DI水可以通过第二回收管290b供给到第二过滤部280b。第二过滤部280b可以将氧化石墨烯层中的一些和残留在氧化石墨烯层上的DI水运送到残余物收集罐(未示出)。
在本公开的实施方式中，第一过滤部280a位于与第二单元200中的第一供给喷嘴210对应的区域中，第二过滤部280b位于与第二单元200中的第二供给喷嘴220对应的区域中，且第三过滤部280c位于与第二单元200中的第三供给喷嘴230对应的区域中。
支承衬底10的氧化石墨烯层可以通过从第二供给喷嘴220的第二注射端口225喷射的气体来干燥。在支承衬底10上干燥的氧化石墨烯层最终可以是牺牲层SCL。
包括形成在第二单元200上的牺牲层SCL的支承衬底10可以通过传送机COV传送到第三单元300，或者在实施方式中，传送到第四单元400。
图4A至图4C是示意性地示出用于在图2的第二单元中的支承衬底上形成牺牲层的制造工艺的图；以及图5A至图5C是示意性地示出使用图4A至图4C中所示的制造工艺在支承衬底上形成牺牲层的状态的平面图。
为了便于说明，图4A至图4C仅示出了第二单元的第一供给喷嘴至第三供给喷嘴、框架、传送机和通过传送机沿第一方向移动的支承衬底。
对于图4A至图4C以及图5A至图5C的第二单元，将主要描述与上述实施方式的不同之处，以避免其重复描述。在本公开的以下描述中未单独解释的组件可与前述实施方式的组件相符。相同的附图标记将被用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的组件。
首先，参照图1、图2、图4A和图5A，从第一单元100传送的支承衬底10通过传送机COV在第二单元200中沿图4A的箭头所示的第一方向(在本文中，称为“水平方向”)移动。水平方向可以被称为第一方向DR1。与第一方向DR1相交的方向可以被称为第二方向DR2。
在本公开的实施方式中，第二单元200可以包括第一区域I、第二区域II和第三区域III。第二单元200的第一区域I是对应于第一供给喷嘴210的区域，第二单元200的第三区域III是对应于第三供给喷嘴230的区域，且第二单元200的第二区域II是对应于第二供给喷嘴220的区域。
当支承衬底10在第二单元200中通过传送机COV移动到第一区域I时，第一供给喷嘴210通过第一注射端口215将氧化石墨烯溶液ML1喷射到支承衬底10的相关区域中。在本公开的实施方式中，支承衬底10的相关区域意味着与第一区域I对应的区域。
氧化石墨烯溶液ML1通过第一供给喷嘴210喷射到支承衬底10的与第一区域I对应的表面上，以在支承衬底10的与第一供给喷嘴210相对应的表面上形成氧化石墨烯层ML1'。
随后，参考图1、图2、图4A、图4B、图5A和图5B，其上形成有氧化石墨烯层ML1'的支承衬底10通过传送机COV在水平方向上移动到第三供给喷嘴230所处的区域。也就是说，如果氧化石墨烯层ML1'形成在位于第二单元200中的第一区域I中的支承衬底10的表面上，则支承衬底10通过传送机COV移动到第三区域III。并发地(例如，同时)，未涂覆有氧化石墨烯层ML1'的支承衬底10可以通过传送机COV移动到第一区域I。
在第二单元200的第三区域III中，第三供给喷嘴230将DI水ML2喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层ML1'上，以去除支承衬底10的氧化石墨烯层ML1'的杂质，从而清洁氧化石墨烯层ML1'。
在第二单元200的第一区域I中，第一供给喷嘴210将氧化石墨烯溶液ML1喷射到与第一区域I对应的支承衬底10上，从而在支承衬底10上形成氧化石墨烯层ML1'。
随后，参考图1、图2、图4A至图4C、以及图5A至图5C，包括已通过第三供给喷嘴230清洁的氧化石墨烯层ML1'的支承衬底10通过传送机COV在水平方向上移动到第二供给喷嘴220所处的区域。也就是说，如果位于第二单元200中的第三区域III中的支承衬底10的氧化石墨烯层ML1'被清洁，则支承衬底10通过传送机COV移动到第二区域II。
并发地(例如，同时)，具有通过第一供给喷嘴210形成在其表面上的氧化石墨烯层ML1'的支承衬底10通过传送机COV在水平方向上移动到第三供给喷嘴230所处的区域。也就是说，如果氧化石墨烯层ML1'被涂覆(形成)在位于第二单元200的第一区域I中的支承衬底10上，则支承衬底10通过传送机COV移动到第三区域III。并发地(例如，同时)，其上未形成氧化石墨烯层ML1'的支承衬底10可以通过传送机COV移动到第一区域I。
在第二单元200的第二区域II中，第二供给喷嘴220喷射气体ML3以干燥支承衬底10上的已清洁的氧化石墨烯层ML1'，从而最终在支承衬底10上形成牺牲层SCL。并发地(例如，同时)，在第二单元200的第三区域III中，第三供给喷嘴230将DI水ML2喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层ML1'上以清洁氧化石墨烯层ML1'。并发地(例如，同时)，在第二单元200的第一区域I中，第一供给喷嘴210将氧化石墨烯溶液ML1喷射在支承衬底10上，从而在支承衬底10的表面上形成氧化石墨烯层ML1'。
如果在第二区域II中在支承衬底10上最终形成牺牲层SCL，则支承衬底10通过传送机COV在水平方向上移动以用于后续工艺。
包括已经在第三区域III中被清洁的氧化石墨烯层ML1'的支承衬底10通过传送机COV在水平方向上移动到第二区域II，以通过第二供给喷嘴220进行干燥。因此，牺牲层SCL最终形成在支承衬底10的表面上。如果牺牲层SCL最终形成在支承衬底10的表面上，则支承衬底10通过传送机COV在水平方向上移动以用于后续工艺。
其上在第一区域I中形成了氧化石墨烯层ML1'的支承衬底10通过传送机COV在水平方向上移动到第三区域III，并且然后由第三供给喷嘴230清洁。如果已经在第三区域III中完成清洁工艺，则支承衬底10移动到第二区域II，以通过第二供给喷嘴220进行干燥，使得牺牲层SCL可以最终形成在支承衬底10上。
如上所述，在支承衬底10上形成氧化石墨烯层ML1'的工艺、清洁氧化石墨烯层ML1'的工艺和干燥氧化石墨烯层ML1'的工艺可以沿着一条线顺序地进行，从而可以缩短在支承衬底10上形成牺牲层SCL所需的制造时间。因此，与在分开的单元中执行形成氧化石墨烯层ML1'的工艺、清洁氧化石墨烯层ML1'的工艺和干燥氧化石墨烯层ML1'的工艺的情况相比，在大规模生产中，可以提高产品的生产率。
图6A是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图6A中所示的第二单元可以具有与图2的第二单元基本相同或相似的配置，其不同之处在于，每个供给喷嘴的注射端口不是固定的而是可移动的，并且每个供给喷嘴在特定方向上移动。
因此，对于图6A的第二单元，将主要描述与上述实施方式的不同之处，以避免对其进行重复描述。在本实施方式的以下描述中未单独解释的组件可与前述实施方式的描述相符。相同的附图标记将被用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的组件。
参照图1和图6A，第二单元200执行在从第一单元100传送的支承衬底10上形成牺牲层SCL的工艺。在实施方式中，第二单元200可以包括第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230、框架240、第一供给源250a至第三供给源250c、第一回收喷嘴270a至第三回收喷嘴270c、以及第一过滤部280a至第三过滤部280c。
第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230中的每一个可固定到框架240。框架240可以通过移动装置或单元(未示出)在图6A的箭头所示的方向上移动。第一供给喷嘴210可与第三供给喷嘴230间隔开一定距离(例如，预定距离)d1，且第三供给喷嘴230可与第二供给喷嘴220间隔开一定距离(例如，预定距离)d2。第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230在框架240的表面设置成彼此间隔开一定距离(例如，预定距离)，使得从各个供给喷嘴喷射的材料彼此不混合。
第一供给喷嘴210可以包括用于将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上的第一注射端口215，第三供给喷嘴230可以包括用于将DI水喷射到支承衬底10上的第三注射端口235，并且第二供给喷嘴220可以包括用于将气体喷射到支承衬底10上的第二注射端口225。
在实施方式中，第一注射端口215、第二注射端口225和第三注射端口235中的每一个可以在其出口处在约15°至45°的注射角范围内反复变窄和变宽。在实施方式中，可以重复执行使出口变窄使得第一注射端口215、第二注射端口225和第三注射端口235中的每一个具有最小15°的注射角以及使出口变宽使得第一注射端口215、第二注射端口225和第三注射端口235中的每一个具有最大45°的注射角，同时将储存在每个供给喷嘴中的相关材料喷射到与每个供给喷嘴对应的支承衬底10上。
第一注射端口215可以将氧化石墨烯溶液喷射到与第一供给喷嘴210对应的支承衬底10上，同时其出口在约15°至45°的注射角范围内变窄和变宽。第三注射端口235可以将DI水喷射到与第三供给喷嘴230对应的支承衬底10上，同时其出口在约15°至45°的注射角范围内变窄和变宽。此外，第二注射端口225可以将气体喷射到与第二供给喷嘴220对应的支承衬底10上，同时其出口在约15°至45°的注射角范围内变窄和变宽。
在第二单元200中，在传送机COV上的支承衬底10被固定并且每个供给喷嘴已经将储存在相应供给喷嘴中的材料喷射到支承衬底10上之后，框架240可以在图6A的箭头所示的方向上移动。
图6B是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图6B中所示的第二单元可以具有与图2的第二单元基本相同或相似的配置，其不同之处在于，它包括多个辅助供给喷嘴并且每个辅助供给喷嘴的注射端口是可移动的。
因此，对于图6B的第二单元，将主要描述与上述实施方式的不同之处，以避免其重复描述。在本实施方式的以下描述中未单独解释的组件可与前述实施方式的描述相符。相同的附图标记将被用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的组件。
参照图1和图6B，第二单元200执行在从第一单元100传送的支承衬底10上形成牺牲层SCL的工艺。在实施方式中，第二单元200可以包括第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230、框架240、第一供给源250a至第三供给源250c、第一回收喷嘴270a至第三回收喷嘴270c、以及第一过滤部280a至第三过滤部280c。
第一供给喷嘴210可包括至少一个第一辅助供给喷嘴以将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上。例如，第一供给喷嘴210可以包括第1-1辅助供给喷嘴210a至第1-4辅助供给喷嘴210d。在本公开的实施方式中，第1-1辅助供给喷嘴210a至第1-4辅助供给喷嘴210d中的每一个可以在框架240的表面上设置成与相邻的第一辅助供给喷嘴间隔开一定距离(例如，预定距离)。
第1-1辅助供给喷嘴210a可包括第1-1辅助注射端口215a，第1-2辅助供给喷嘴210b可包括第1-2辅助注射端口215b，第1-3辅助供给喷嘴210c可包括第1-3辅助注射端口215c，并且第1-4辅助供给喷嘴210d可以包括第1-4辅助注射端口215d。第1-1辅助注射端口215a至第1-4辅助注射端口215d可以构成第一注射端口215。
在实施方式中，第1-1辅助注射端口215a至第1-4辅助注射端口215d中的每一个可在其出口处在约15°至45°的注射角范围内反复变窄和变宽。在实施方式中，可以重复执行使出口变窄使得第1-1辅助注射端口215a至第1-4辅助注射端口215d中的每一个具有最小15°的注射角以及使出口变宽使得第1-1辅助注射端口215a至第1-4辅助注射端口215d中的每一个具有最大45°的注射角，同时将储存在第1-1辅助供给喷嘴210a至第1-4辅助供给喷嘴210d中的每一个中的氧化石墨烯材料喷射到与每个第一辅助供给喷嘴对应的支承衬底10上。
在本公开的实施方式中，第1-1辅助注射端口215a至第1-4辅助注射端口215d中的每一个可在框架240的表面上设置成与相邻辅助注射端口间隔开一定距离(例如，预定距离)。
如果将氧化石墨烯溶液喷射到与第一供给喷嘴210相对应的支承衬底10上以在支承衬底10上形成氧化石墨烯层，则支承衬底10通过传送机COV移动到第三供给喷嘴230。
第三供给喷嘴230可以包括至少一个第三辅助供给喷嘴，以将DI水喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。例如，第三供给喷嘴230可包括第3-1辅助供给喷嘴230a至第3-4辅助供给喷嘴230d。第3-1辅助供给喷嘴230a可包括第3-1辅助注射端口235a，第3-2辅助供给喷嘴230b可包括第3-2辅助注射端口235b，第3-3辅助供给喷嘴230c可包括第3-3辅助注射端口235c，并且第3-4辅助供给喷嘴230d可以包括第3-4辅助注射端口235d。第3-1辅助注射端口235a至第3-4辅助注射端口235d可以构成第三注射端口235。
在实施方式中，第3-1辅助注射端口235a至第3-4辅助注射端口235d中的每一个可以在其出口处在约15°至45°的注射角范围内反复变窄和变宽。在实施方式中，可以反复执行使出口变窄使得第3-1辅助注射端口235a至第3-4辅助注射端口235d中的每一个具有最小15°的注射角以及使出口变宽使得第3-1辅助注射端口235a至第3-4辅助注射端口235d中的每一个具有最大45°的注射角，同时将储存在第3-1辅助供给喷嘴230a至第3-4辅助供给喷嘴230d中的每一个中的DI水喷射到与每个第三辅助供给喷嘴对应的支承衬底10上。
在本公开的实施方式中，第3-1辅助注射端口235a至第3-4辅助注射端口235d中的每一个可在框架240的表面上设置成与相邻的辅助注射端口间隔开一定距离(例如，预定距离)。
在通过将DI水喷射到与第三供给喷嘴230对应的支承衬底10的氧化石墨烯层上来清洁氧化石墨烯层之后，支承衬底10通过传送机COV移动到第二供给喷嘴220。
第二供给喷嘴220可以包括至少一个第二辅助供给喷嘴，以将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。例如，第二供给喷嘴220可以包括第2-1辅助供给喷嘴220a至第2-4辅助供给喷嘴220d。第2-1辅助供给喷嘴220a可包括第2-1辅助注射端口225a，第2-2辅助供给喷嘴220b可包括第2-2辅助注射端口225b，第2-3辅助供给喷嘴220c可包括第2-3辅助注射端口225c，并且第2-4辅助供给喷嘴220d可以包括第2-4辅助注射端口225d。第2-1辅助注射端口225a至第2-4辅助注射端口225d可以构成第二注射端口225。
在实施方式中，第2-1辅助注射端口225a至第2-4辅助注射端口225d中的每一个可在其出口处在约15°至45°的注射角范围内反复变窄和变宽。在实施方式中，可以重复执行使出口变窄使得第2-1辅助注射端口225a至第2-4辅助注射端口225d中的每一个具有最小15°的注射角以及使出口变宽使得第2-1辅助注射端口225a至第2-4辅助注射端口225d中的每一个具有最大45°的注射角，同时将储存在第2-1辅助供给喷嘴220a至第2-4辅助供给喷嘴220d中的每一个中的气体喷射到与每个第二辅助供给喷嘴对应的支承衬底10上。
在本公开的实施方式中，第2-1辅助注射端口225a至第2-4辅助注射端口225d中的每一个可在框架240的表面上设置成与相邻的辅助注射端口间隔开一定距离(例如，预定距离)。
如果通过将气体喷射到与第二供给喷嘴220对应的支承衬底10的氧化石墨烯层上并且然后干燥氧化石墨烯层来最终在支承衬底10的整个表面上形成牺牲层SCL，则可以通过传送机COV将具有牺牲层SCL的支承衬底10运送出第二单元200，并传送到用于执行后续工艺的单元。
图6C是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图6C中所示的第二单元可以具有与图6B的第二单元基本相同或相似的配置，其不同之处在于，支承衬底是固定的。
因此，对于图6C的第二单元，将主要描述与上述实施方式的不同之处，以避免其重复描述。在本实施方式的以下描述中未单独解释的组件可与前述实施方式的描述相符。相同的附图标记将被用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的组件。
参照图1和图6C，第二单元200执行在从第一单元100传送的支承衬底10上形成牺牲层SCL的工艺。在实施方式中，第二单元200可以包括第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230、框架240、第一供给源250a至第三供给源250c、第一回收喷嘴270a至第三回收喷嘴270c、以及第一过滤部280a至第三过滤部280c。
第一供给喷嘴210可以包括第1-1辅助供给喷嘴210a至第1-4辅助供给喷嘴210d，以将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上。第1-1辅助供给喷嘴210a可包括第1-1辅助注射端口215a，第1-2辅助供给喷嘴210b可包括第1-2辅助注射端口215b，第1-3辅助供给喷嘴210c可包括第1-3辅助注射端口215c，并且第1-4辅助供给喷嘴210d可以包括第1-4辅助注射端口215d。
在实施方式中，第1-1辅助注射端口215a至第1-4辅助注射端口215d中的每一个可以在其出口处在约15°至45°的注射角范围内反复变窄和变宽，同时将氧化石墨烯溶液喷射到与每个第一辅助供给喷嘴对应的支承衬底10上。
如果将氧化石墨烯溶液喷射到与第一供给喷嘴210对应的支承衬底10上以在支承衬底10上涂覆(形成)氧化石墨烯层，则框架240可以在经过一段时间(例如，预定时间段)之后在第二单元200中沿一个方向移动。因此，通过第一供给喷嘴210在支承衬底10上形成的氧化石墨烯层可以与第三供给喷嘴230对应。
第三供给喷嘴230可以包括第3-1辅助供给喷嘴230a至第3-4辅助供给喷嘴230d，以将DI水喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。第3-1辅助供给喷嘴230a可包括第3-1辅助注射端口235a，第3-2辅助供给喷嘴230b可包括第3-2辅助注射端口235b，第3-3辅助供给喷嘴230c可包括第3-3辅助注射端口235c，并且第3-4辅助供给喷嘴230d可以包括第3-4辅助注射端口235d。
在实施方式中，第3-1辅助注射端口235a至第3-4辅助注射端口235d中的每一个可以在其出口处在约15°至45°的注射角范围内反复变窄和变宽，同时将DI水喷射到与每个第三辅助供给喷嘴对应的支承衬底10的氧化石墨烯层上。
如果DI水被喷射到与第三供给喷嘴230对应的支承衬底10的氧化石墨烯层上以清洁氧化石墨烯层，则框架240可以在经过一段时间(例如，预定时间段)之后在第二单元200中沿一个方向移动。因此，已通过第三供给喷嘴230清洁的氧化石墨烯层可与第二供给喷嘴220对应。
第二供给喷嘴220可以包括第2-1辅助供给喷嘴220a至第2-4辅助供给喷嘴220d，以将气体喷射到已经清洁的氧化石墨烯层上，且然后干燥氧化石墨烯层。第2-1辅助供给喷嘴220a可包括第2-1辅助注射端口225a，第2-2辅助供给喷嘴220b可包括第2-2辅助注射端口225b，第2-3辅助供给喷嘴220c可包括第2-3辅助注射端口225c，并且第2-4辅助供给喷嘴220d可以包括第2-4辅助注射端口225d。
在实施方式中，第2-1辅助注射端口225a至第2-4辅助注射端口225d中的每一个可以在其出口处在约15°至45°的注射角范围内反复变窄和变宽，同时将气体喷射到与每个第二辅助供给喷嘴对应的支承衬底10的氧化石墨烯层上。支承衬底10的氧化石墨烯层可以通过从每个第二辅助供给喷嘴喷射的气体来干燥，使得牺牲层SCL可以最终形成在支承衬底10上。
图6D是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图6D中所示的第二单元可以具有与图6A的第二单元基本相同或相似的配置，其不同之处在于，每个供给喷嘴的注射端口包括两个辅助喷嘴并且支承衬底是不固定的。
因此，对于图6D的第二单元，将主要描述与上述实施方式的不同之处，以避免其重复描述。在本实施方式的以下描述中未单独解释的组件可与前述实施方式的描述相符。相同的附图标记将被用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的组件。
参照图1和图6D，第二单元200执行在从第一单元100传送的支承衬底10上形成牺牲层SCL的工艺。在实施方式中，第二单元200可以包括第一供给喷嘴210至第三供给喷嘴230、框架240、第一供给源250a至第三供给源250c、第一回收喷嘴270a至第三回收喷嘴270c、以及第一过滤部280a至第三过滤部280c。
第一供给喷嘴210包括第1-1辅助注射端口215a和第1-2辅助注射端口215b，第1-1辅助注射端口215a和第1-2辅助注射端口215b将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上并在同一平面上彼此间隔开。在实施方式中，第1-1辅助注射端口215a和第1-2辅助注射端口215b中的每一个可具有固定在从15°至45°的范围内的注射角。在本公开的实施方式中，第1-1辅助注射端口215a和第1-2辅助注射端口215b可以在第二单元200中并发地(例如，同时)并且反复地在第一方向和与第一方向相反的方向上向左和向右移动，以将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上。就此而言，第一方向可以是从第一供给喷嘴210到第二供给喷嘴220的方向，而与第一方向相反的方向可以是从第二供给喷嘴220到第一供给喷嘴210的方向。
如果氧化石墨烯溶液被喷射到与第一供给喷嘴210对应的支承衬底10上以在支承衬底10上涂覆(形成)氧化石墨烯层，则支承衬底10通过传送机COV移动到第三供给喷嘴230。
第三供给喷嘴230包括第3-1辅助注射端口235a和第3-2辅助注射端口235b，以将DI水喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。在实施方式中，第3-1辅助注射端口235a和第3-2辅助注射端口235b中的每一个可以具有固定在从15°至45°的范围内的注射角。在本公开的实施方式中，第3-1辅助注射端口235a和第3-2辅助注射端口235b可以在第二单元200中并发地(例如，同时)并且反复地在第一方向和与第一方向相反的方向上向左和向右移动，以将DI水喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。
在通过将DI水喷射到与第三供给喷嘴230对应的支承衬底10的氧化石墨烯层上来清洁氧化石墨烯层之后，支承衬底10通过传送机COV移动到第二供给喷嘴220。
第二供给喷嘴220包括第2-1辅助注射端口225a和第2-2辅助注射端口225b，以将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上，且由此干燥氧化石墨烯层。在实施方式中，第2-1辅助注射端口225a和第2-2辅助注射端口225b中的每一个可以具有固定在从15°至45°的范围内的注射角。在本公开的实施方式中，第2-1辅助注射端口225a和第2-2辅助注射端口225b可以在第二单元200中并发地(例如，同时)并且反复地在第一方向和与第一方向相反的方向上向左和向右移动，以将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上，且由此干燥氧化石墨烯层。
图7是示出根据另一实施方式的图2的第二单元的图。
图7中所示的第二单元可以具有与图2的第二单元基本相同或相似的配置，其不同之处在于，省略了用于喷射DI水的第三供给喷嘴。
因此，对于图7的第二单元，将主要描述与上述实施方式的不同之处，以避免其重复描述。在本实施方式的以下描述中未单独解释的组件可与前述实施方式的描述相符。相同的附图标记将被用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的组件。
参照图1和图7，第二单元200执行在从第一单元100传送的支承衬底10上形成牺牲层SCL的工艺。在实施方式中，第二单元200可以包括第一供给喷嘴210和第二供给喷嘴220、框架240、第一供给源250a和第二供给源250b、第一回收喷嘴270a和第二回收喷嘴270b、以及第一过滤部280a和第二过滤部280b。
第一供给喷嘴210和第二供给喷嘴220可以在框架240的表面上设置成彼此间隔开一定距离(例如，预定距离)。在实施方式中，第一供给喷嘴210和第二供给喷嘴220之间的距离d可以是50mm。
第一供给喷嘴210包括第一注射端口215以将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上。在实施方式中，第一注射端口215具有固定在从15°至45°的范围内的注射角，并且将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上。第一供给喷嘴210将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上以在支承衬底10上涂覆(形成)氧化石墨烯层。如果氧化石墨烯层被涂覆(或形成)在支承衬底10上，则支承衬底10通过传送机COV移动到第二供给喷嘴220。
第二供给喷嘴220包括第二注射端口225以将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上。在实施方式中，第二注射端口225具有固定在从15°至45°的范围内的注射角，并且将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上以干燥氧化石墨烯层并且去除氧化石墨烯层的杂质。第二供给喷嘴220将气体喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上以干燥氧化石墨烯层，从而最终在支承衬底10的整个表面上形成牺牲层SCL。
图8是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的用于制造显示装置的设备的概念图。
图8中所示的用于制造显示装置的设备可以具有与图1的用于制造显示装置的设备基本相同或相似的配置，其不同之处在于，支承衬底在定位于传送机的后表面上的同时，在第一单元至第四单元中被传送。
因此，对于图8的用于制造显示装置的设备，将主要描述与上述实施方式的不同之处，以避免对其进行重复描述。在本实施方式的以下描述中未单独解释的组件可与前述实施方式的描述相符。相同的附图标记将被用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的组件。
参照图8，根据本公开的另一实施方式的用于制造显示装置的设备1可以包括第一单元100至第四单元400、柔性衬底形成单元500、像素电路层形成单元600、显示元件层形成单元700、薄膜封装膜形成单元800和切割单元900。各个单元可以通过单独的传送装置(未示出)、连接装置(未示出)等彼此连接。
第一单元100可以干燥且清洁支承在传送机COV的后表面(或下表面)上的支承衬底10。在实施方式中，第一单元100可以使用位于第一单元100的下端处的喷嘴110将氧等离子体喷射到支承衬底10上，以从支承衬底10的表面去除杂质。
当已经完成上述工艺时，支承衬底10可以通过传送机COV被传送到执行后续工艺的第二单元200。
第二单元200可以在支承衬底10上形成牺牲层SCL。在实施方式中，第二单元200可以使用位于第二单元200的下端处的第一供给喷嘴210、第二供给喷嘴220和第三供给喷嘴230在支承衬底10上形成牺牲层SCL。
第一供给喷嘴210将氧化石墨烯溶液喷射到支承衬底10上以在支承衬底10上形成氧化石墨烯层。第三供给喷嘴230将DI水喷射到支承衬底10的氧化石墨烯层上以清洁氧化石墨烯层。第二供给喷嘴220将气体高速喷射到已清洁的支承衬底10的氧化石墨烯层上以干燥氧化石墨烯层，从而最终在支承衬底10上形成牺牲层SCL。在实施方式中，第一供给喷嘴210、第三供给喷嘴230和第二供给喷嘴220可以在第二单元200中成直线互连。
其上形成有牺牲层SCL的支承衬底10可以通过传送机COV传送到第三单元300。
在实施方式中，当牺牲层SCL具有其中堆叠有具有不同电荷的多个氧化石墨烯层的结构时，已在第二单元200中完成相关工艺的支承衬底10可以通过传送机COV传送到第四单元400。
第四单元400形成第二氧化石墨烯层，该第二氧化石墨烯层的电荷具有与通过传送机COV从第二单元200传送的支承衬底10的氧化石墨烯层的电荷相反的特性。在实施方式中，第四单元400可以包括位于第四单元400的下端处的第一供给喷嘴410至第三供给喷嘴430。
在第四单元400中，第一供给喷嘴410、第三供给喷嘴430和第二供给喷嘴420可以在第四单元400中成直线互连。
图9是示出使用图1中所示的用于制造显示装置的设备的最终完成的显示装置的示意性平面图。
参照图9，根据本公开的实施方式的显示装置包括柔性衬底SUB、设置在柔性衬底SUB上的像素PXL、设置在柔性衬底SUB上并配置成驱动像素PXL的驱动单元、以及将像素PXL与驱动单元联接的线单元(未示出)。
柔性衬底SUB可以在其至少一部分上具有柔性，并且可以在具有柔性的部分上折叠。在本公开的实施方式中，术语“折叠”是指这样的事实，即衬底可以从其原始形状改变为另一形状而不是保持形状固定不变，并且术语“折叠”具有包括沿着至少一条特定线(例如，折叠线)“折叠”或“弯曲”或者以滚动的方式“卷曲”的含义。
柔性衬底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是其中设置有用于显示图像的像素PXL的区域。在本文中，稍后将描述每个像素PXL。非显示区域NDA可以是其中设置有用于驱动像素PXL的驱动单元和用于将像素PXL与驱动单元联接的线单元(未示出)的一部分的区域。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧上。在本公开的实施方式中，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的周边。
像素PXL可以设置在柔性衬底SUB上的显示区域DA中，并且可以与线接触。每个像素PXL表示用于显示图像的最小单元，并且可以设置多个像素PXL。
像素PXL可以包括用于发射白光和/或彩色光的发光元件(未示出)，以及用于驱动发光元件的像素电路(未示出)。像素电路可包括联接到发光元件的至少一个晶体管。
每个像素PXL可以发射具有红色、绿色和蓝色中的任何颜色的光，但不限于此。例如，每个像素PXL可以发射具有青色、品红色、黄色和白色中的任何颜色的光。
多个像素PXL可以沿着在第一方向DR1上延伸的行和在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的列布置。在本公开的实施方式中，像素PXL的布置不限于特定布置。换句话说，像素PXL可以以各种形式中的任何一种来布置。
驱动单元可以通过线单元向每个像素PXL提供信号，且由此控制每个像素PXL的操作。在图9中，为了便于描述，省略了线单元。在本文中，稍后将描述线单元。
驱动单元可以包括：扫描驱动器SDV，配置成通过扫描线将扫描信号施加到每个像素PXL；发射驱动器EDV，配置成通过发射控制线将发射控制信号施加到像素PXL；数据驱动器DDV，配置成通过数据线将数据信号施加到像素PXL；以及时序控制器(未示出)。时序控制器可以控制扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和数据驱动器DDV。
在本公开的实施方式中，扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和数据驱动器DDV可以设置在柔性衬底SUB的非显示区域NDA中。扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和/或数据驱动器DDV的位置可以根据需要改变。
图10是示出图9中所示的像素中的一个的等效电路图。
为了便于描述，图10示出了联接到第j数据线Dj、第i-1扫描线Si-1和第i扫描线Si的一个像素PXL。
参照图10，根据本公开的实施方式的像素PXL可以包括发光元件OLED以及联接到发光元件OLED并配置成驱动发光元件OLED的像素电路PC。在实施方式中，像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。
发光元件OLED的阳极电极可以经由第六晶体管T6联接到第一晶体管T1。发光元件OLED的阴极电极可以联接到第二驱动电源ELVSS。发光元件OLED可以发射具有与从第一晶体管T1提供的电流对应的预定亮度的光。待施加到电力线的第一驱动电源ELVDD的电压可以设置为高于第二驱动电源ELVSS的电压，以允许电流流到发光元件OLED。对于像素PXL的发光周期，第一驱动电源ELVDD和第二驱动电源ELVSS之间的电势差可以被设置为等于或高于发光元件OLED的阈值电压。
第一晶体管T1(驱动晶体管)的电极(例如，源电极)可以经由第五晶体管T5联接到施加有第一驱动电源ELVDD的电力线，并且另一电极(例如，漏电极)可以经由第六晶体管T6联接到发光元件OLED的阳极电极。第一晶体管T1的栅电极可以联接到第一节点N1。这种第一晶体管T1响应于第一节点N1的电压控制从第一驱动电源ELVDD经由发光元件OLED流到第二驱动电源ELVSS的电流。
第二晶体管T2(开关晶体管)联接在与像素PXL联接的第j数据线Dj和第一晶体管T1的源电极之间。第二晶体管T2的栅电极联接到与像素PXL联接的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si提供具有栅极导通电压(即，低电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第j数据线Dj电连接到第一晶体管T1的源电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从第j数据线Dj提供的数据信号被传输到第一晶体管T1。
第三晶体管T3联接在第一晶体管T1的漏电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极联接到第i扫描线Si。当具有栅极导通电压的扫描信号被提供给第i扫描线Si时，第三晶体管T3导通以将第一晶体管T1的漏电极电连接到第一节点N1。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以以二极管的形式连接。
第四晶体管T4联接在第一节点N1和施加有初始化电源Vint的线之间。第四晶体管T4的栅电极联接到前一扫描线，例如，第i-1扫描线Si-1。当具有栅极导通电压的扫描信号提供到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4导通，以将初始化电源Vint传输到第一节点N1。这里，初始化电源Vint可以具有作为数据信号的最小电压或更小电压的电压。
第五晶体管T5联接在第一驱动电源ELVDD和第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极联接到相应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。当具有栅极截止电压的发射控制信号被提供给第i发射控制线Ei时，第五晶体管T5截止，并且第五晶体管T5在其他情况下导通。
第六晶体管T6联接在第一晶体管T1和发光元件OLED的阳极电极之间。第六晶体管T6的栅电极联接到第i发射控制线Ei。当具有栅极截止电压的发射控制信号提供给第i发射控制线Ei时，第六晶体管T6截止，并且第六晶体管T6在其他情况下导通。
第七晶体管T7联接在发光元件OLED的阳极电极和施加有初始化电源Vint的线之间。第七晶体管T7的栅电极联接到前述扫描线中的任一条，例如，第i-1扫描线Si-1。当具有栅极导通电压的扫描信号提供给第i-1扫描线Si-1时，第七晶体管T7导通，以将初始化电源Vint提供给发光元件OLED的阳极电极。
存储电容器Cst联接在第一驱动电源ELVDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst存储与在每个帧周期期间施加到第一节点N1的数据信号和第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。
图11是示出图9的显示装置的放大剖视图。
为了便于描述，图11示出了仅与图10中所示的第一晶体管至第七晶体管中的第二晶体管和第六晶体管对应的部分的截面。
参照图9至图11，显示装置可以包括柔性衬底SUB、像素电路层PCL、显示元件层DPL和薄膜封装膜TFE。
柔性衬底SUB可以由具有柔性的材料制成，以便可弯曲或可折叠，并且具有单层结构或多层结构。例如，柔性衬底SUB可以包括以下中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。
像素电路层PCL可以包括缓冲层BFL、第一晶体管T1至第七晶体管T7以及钝化层PSV。
缓冲层BFL可以设置在柔性衬底SUB上，并防止或基本上防止杂质扩散到第一晶体管T1至第七晶体管T7中。缓冲层BFL可以设置为单层结构或具有至少两层或更多层的多层结构。取决于柔性衬底SUB的材料或工艺条件，可以省略缓冲层BFL。
第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每一个可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。在实施方式中，如图11中所示，第二晶体管T2和第六晶体管T6中的每一个可以包括半导体层SML、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
第二晶体管T2和第六晶体管T6中的每一个的半导体层SML可以设置在缓冲层BFL上。半导体层SML可以包括与源电极SE接触的第一区域和与漏电极DE接触的第二区域。第一区域和第二区域之间的区域可以是沟道区域。在本公开的实施方式中，第一区域可以是源极区域和漏极区域中的任一个，并且第二区域可以是源极区域和漏极区域中的另一个。
半导体层SML可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区域可以是未掺杂杂质的本征半导体图案。在一些实施方式中，沟道区域可以掺杂有杂质。诸如n型杂质、p型杂质的杂质或其他金属可以用作杂质。第一区域和第二区域中的每一个可以是掺杂有杂质的半导体图案。
第二晶体管T2和第六晶体管T6中的每一个的栅电极GE可以设置在相应的半导体层SML上，且栅极绝缘层GI插置在栅电极GE和半导体层SML之间。
第二晶体管T2和第六晶体管T6中的每一个的源电极SE可以通过依次穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的接触孔与相应的半导体层SML的第一区域和第二区域中的任何一个接触。例如，第二晶体管T2的源电极SE可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的第一接触孔CH1与相应的半导体层SML的第一区域接触。第六晶体管T6的源电极SE可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的第三接触孔CH3与相应的半导体层SML的第一区域接触。
第二晶体管T2和第六晶体管T6中的每一个的漏电极DE可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的接触孔与相应的半导体层SML的第一区域和第二区域中的另一个接触。例如，第二晶体管T2的漏电极DE可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的第二接触孔CH2与相应的半导体层SML的第二区域接触。第六晶体管T6的漏电极DE可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的第四接触孔CH4与相应的半导体层SML的第二区域接触。
在本公开的实施方式中，层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI中的每一个可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。
钝化层PSV可以设置在第二晶体管T2和第六晶体管T6上，以覆盖第二晶体管T2和第六晶体管T6。钝化层PSV可以包括第五接触孔CH5，第六晶体管T6的漏电极DE的一部分通过第五接触孔CH5暴露于外部。
显示元件层DPL可以包括设置在钝化层PSV上并且配置成发光的发光元件OLED。
发光元件OLED可以包括第一电极AE和第二电极CE以及设置在两个电极AE和CE之间的发射层EML。第一电极AE和第二电极CE中的任何一个可以是阳极电极，并且另一个可以是阴极电极。例如，第一电极AE可以是阳极电极，而第二电极CE可以是阴极电极。在发光元件OLED是顶部发射型有机发光元件的情况下，第一电极AE可以是反射电极，且第二电极CE可以是透射电极。在本实施方式中，示出了发光元件OLED是顶部发射型有机发光二极管并且第一电极AE是阳极电极的情况。
第一电极AE可以通过穿过钝化层PSV的第五接触孔CH5电联接到第六晶体管T6的漏电极DE。第一电极AE可以包括可反射光的反射层(未示出)以及设置在反射层上或之下的透明导电层(未示出)。透明导电层和反射层中的至少一个可以电联接到第六晶体管T6的漏电极DE。
显示元件层DPL还可以包括具有开口OP的像素限定层PDL，该开口OP暴露第一电极AE的一部分，例如第一电极AE的上表面。
设置在显示面板上的像素PXL中的每个可以设置在显示面板的平坦表面上的像素区域中。在本公开的实施方式中，像素区域可包括发射区域和邻近发射区域设置的非发射区域。在实施方式中，非发射区域可以围绕发射区域。在该实施方式中，发射区域可以被限定为与第一电极AE的通过开口OP暴露的部分对应。
显示元件层DPL可以包括空穴控制层HCL和电子控制层ECL。
空穴控制层HCL可以公共地设置在发射区和非发射区中。尽管未示出，但是可以在多个像素PXL中公共地形成诸如空穴控制层HCL的公共层。
发射层EML可以设置在空穴控制层HCL上。发射层EML可以设置在与开口OP对应的区域中。换句话说，在实施方式中，可以在多个像素PXL中的每一个中分别设置发射层EML。发射层EML可以包括有机材料和/或无机材料。在本公开的实施方式中，尽管已经示出了图案化的发射层EML，但是发射层EML可以针对像素PXL公共地设置。从发射层EML产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但是本公开不限于此。例如，从发射层EML产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。
电子控制层ECL可以设置在发射层EML上。电子控制层ECL可以针对像素PXL公共地设置，并且用于将电子注入和/或传输到发射层EML。
第二电极CE可以设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以针对像素PXL公共地设置。
薄膜封装膜TFE可以设置在第二电极CE上以覆盖第二电极CE。
薄膜封装膜TFE可以由单层或多层形成。薄膜封装膜TFE可以包括配置成覆盖发光元件OLED的多个绝缘层。在实施方式中，薄膜封装膜TFE可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，薄膜封装膜TFE可以具有通过交替堆叠无机层和有机层形成的结构。在一些实施方式中，薄膜封装膜TFE可以是封装衬底，该封装衬底设置在发光元件OLED上并通过密封剂接合到柔性衬底SUB。
图12是示出制造图9的显示装置的方法的流程图；以及图13A至图13G是依次示出根据图12的流程图制造图9的显示装置的方法的剖视图。
在本文中，将参考图1至图11、图12以及图13A至图13G的实施方式来描述根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法。
参考图1、图12和图13A，准备支承衬底10(ST10)。
支承衬底10可以通过传送机COV传送到第一单元100以去除表面杂质。在本公开的实施方式中，支承衬底10可以是支承柔性衬底SUB以形成柔性显示装置的衬底。支承衬底10的示例可包括玻璃衬底、聚合物膜或硅晶片，但本公开不限于此。在一些实施方式中，支承衬底10可以是包括在充分支承柔性衬底SUB的同时可以通过牺牲层SCL容易地从柔性衬底SUB剥离(或分离)的材料的任何类型。
参考图1、图12和图13B，在支承衬底10上形成牺牲层SCL(ST20)。
可以将氧化石墨烯溶液喷射到通过传送机COV从第一单元100传送到第二单元200的支承衬底10上，以形成氧化石墨烯层，并且氧化石墨烯层可以被清洁并且然后干燥，从而最终在支承衬底10的表面上形成牺牲层SCL。
在实施方式中，氧化石墨烯溶液通过范德华键合而键合至支承衬底10，并通过喷射涂覆方法从第二单元200的第一供给喷嘴210喷射到支承衬底10上，从而形成氧化石墨烯层。
可以通过传送机COV将包括牺牲层SCL的支承衬底10传送到第三单元300。
参考图1、图12和图13C，在牺牲层SCL上形成柔性衬底SUB(ST30)。
将具有柔性的绝缘材料施加到通过传送机COV从第三单元300传送到柔性衬底形成单元500的支承衬底10上的牺牲层SCL，从而形成柔性衬底SUB。
可以通过传送机COV将包括柔性衬底SUB的支承衬底10传送到像素电路层形成单元600。
参考图1、图12和图13D，在柔性衬底SUB上形成像素电路层PCL(ST40)。
像素电路层PCL可以包括形成在柔性衬底SUB上的缓冲层BFL、形成在缓冲层BFL上的晶体管T2和T6以及配置成覆盖晶体管T2和T6的钝化层PSV。
可以通过传送机COV将包括像素电路层PCL的支承衬底10传送到显示元件层形成单元700。
参考图1、图12和图13E，在像素电路层PCL上形成显示元件层DPL(ST50)。
显示元件层DPL可以包括配置成发射光的发光元件OLED以及配置成界定发光元件OLED的发射区域的像素限定层PDL。发光元件OLED可以包括形成在像素电路层PCL上的第一电极AE、形成在第一电极AE上的发射层EML以及形成在发射层EML上的第二电极CE。
可以通过传送机COV将包括显示元件层DPL的支承衬底10传送到薄膜封装膜形成单元800。
参考图1、图12、图13F和图13G，在显示元件层DPL上形成薄膜封装膜TFE(ST60)。
薄膜封装膜TFE可以包括配置成覆盖发光元件OLED的多个绝缘层。在实施方式中，薄膜封装膜TFE可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，薄膜封装膜TFE可以具有通过交替堆叠无机层和有机层形成的结构。
随后，可以通过传送机COV将包括薄膜封装膜TFE的支承衬底10传送到切割单元900，且然后被切割成单元格单元，以分离成多个显示装置。
接着，将支承衬底10与切割成单元格单元的每个显示装置的柔性衬底SUB分离(ST70)。
可使用各种方法作为用于分离支承衬底10的方法。例如，可以应用以下方法中的任何一种：使用器材通过物理方法将支承衬底10与柔性衬底SUB分离的方法、使用化学方法将支承衬底10与柔性衬底SUB分离的方法、或者通过将激光直接辐射到牺牲层SCL上将支承衬底10与柔性衬底SUB分离的方法。
本公开的实施方式提供了一种用于制造显示装置的设备和方法，该方法使用成直线连接的涂覆喷嘴、冲洗喷嘴和干燥喷嘴在支承衬底上形成牺牲层，从而简化了制造工艺并提高了制造工艺的产率。
此外，本公开的实施方式提供一种用于制造显示装置的设备和方法，该方法使用牺牲层将支承衬底与柔性衬底分离，从而最小化或减少柔性衬底中发生的缺陷。
然而，本公开的方面和效果不受前述内容的限制，并且其他各个方面和效果由本公开预期或将从本公开显而易见。
虽然上面已经描述了各种示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。
因此，本说明书中所公开的实施方式用于说明目的，而不是限制本公开的技术精神。本公开的范围由所附权利要求阐述。

Claims (20)

1.用于制造显示装置的设备，包括：
第一单元，配置成去除支承衬底的杂质；
第二单元，配置成在所述支承衬底上形成牺牲层；
第三单元，配置成在所述牺牲层上形成柔性衬底；以及
第四单元，配置成在所述柔性衬底上形成显示单元，
其中，所述第二单元包括：
移动单元，能够在第一方向上移动以接收所述支承衬底；
第一供给喷嘴，配置成将待通过范德华键合而键合至所述支承衬底的溶液喷射到所述支承衬底上以涂覆氧化石墨烯层；以及
第二供给喷嘴，配置成干燥涂覆在所述支承衬底上的所述氧化石墨烯层，同时去除所述氧化石墨烯层的一部分，以形成所述牺牲层，
其中，所述第一供给喷嘴和所述第二供给喷嘴彼此间隔开一定的距离并且彼此成直线联接，以及
其中，所述第一供给喷嘴和所述第二供给喷嘴中的每一个包括具有15°至45°的注射角的注射端口。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一供给喷嘴与所述第二供给喷嘴之间的所述距离为50mm。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二单元还包括位于所述第一供给喷嘴和所述第二供给喷嘴之间的第三供给喷嘴。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述第三供给喷嘴配置成将去离子水喷射到在所述第一方向上移动的所述支承衬底的所述氧化石墨烯层上，以清洁所述支承衬底的所述氧化石墨烯层。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第三供给喷嘴与所述第一供给喷嘴和所述第二供给喷嘴中的每一个间隔开一定的距离，并与所述第一供给喷嘴和所述第二供给喷嘴成直线联接。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第三供给喷嘴包括具有15°至45°的注射角的注射端口。
7.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第一供给喷嘴与所述第三供给喷嘴之间的所述距离等于所述第三供给喷嘴与所述第二供给喷嘴之间的所述距离。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述第二供给喷嘴包括气刀以在高压下喷射气体。
9.根据权利要求7所述的设备，其中，所述第一供给喷嘴至所述第三供给喷嘴中的每一个包括布置在所述第一方向上的至少一个辅助供给喷嘴。
10.根据权利要求9所述的设备，
其中，所述第一供给喷嘴至所述第三供给喷嘴中的每一个的所述辅助供给喷嘴包括注射端口，以及
其中，所述辅助供给喷嘴的所述注射端口能够在所述第一方向和与所述第一方向相反的方向上向左和向右反复移动。
11.根据权利要求9所述的设备，
其中，所述第二单元还包括框架，以支承所述第一供给喷嘴至所述第三供给喷嘴中的每一个，以及
其中，所述框架能够在所述第一方向上移动。
12.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第二单元还包括回收单元，以回收从所述第一供给喷嘴喷射的所述溶液。
13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述显示单元包括：
像素电路层，位于所述柔性衬底上，并且包括至少一个晶体管；以及
显示元件层，位于所述像素电路层上，并且电联接到所述晶体管以发射光。
14.制造显示装置的方法，包括：
准备支承衬底；
通过将经由范德华键合而键合至所述支承衬底的溶液喷射到所述支承衬底上，由此涂覆氧化石墨烯层，且之后干燥所述氧化石墨烯层同时去除所述氧化石墨烯层的一部分来形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成显示单元；
在所述显示单元上形成薄膜封装膜；以及
将所述支承衬底与所述柔性衬底分离。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述牺牲层还包括：通过将去离子水喷射到在第一方向上移动的所述支承衬底的所述氧化石墨烯层上来清洁所述氧化石墨烯层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述牺牲层还包括：干燥所述氧化石墨烯层，同时使用配置成在高压下喷射气体的气刀去除所述氧化石墨烯层的所述一部分。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，准备所述支承衬底包括：去除所述支承衬底的表面杂质。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，通过将氧等离子体喷射到所述支承衬底的表面上，去除所述支承衬底的所述表面杂质。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述显示单元包括：
在所述柔性衬底上形成包括至少一个晶体管的像素电路层；以及
在所述像素电路层上形成包括发光元件的显示元件层，所述发光元件电联接到所述晶体管以发射光。
20.用于制造显示装置的设备，包括：
第一单元，配置成去除支承衬底的杂质；
第二单元，配置成在所述支承衬底上形成牺牲层；
第三单元，配置成在所述牺牲层上形成柔性衬底；以及
第四单元，配置成在所述柔性衬底上形成显示单元；
其中，所述第二单元包括：
移动单元，能够在第一方向上移动以接收所述支承衬底；
第一供给喷嘴，配置成将能够通过范德华键合而键合至所述支承衬底的溶液喷射到所述支承衬底上，以涂覆氧化石墨烯层；以及
第二供给喷嘴，配置成干燥涂覆在所述支承衬底上的所述氧化石墨烯层，同时去除所述氧化石墨烯层的一部分，以形成所述牺牲层，
其中，所述第一供给喷嘴和所述第二供给喷嘴彼此间隔开一定的距离，并且彼此成直线联接。
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