CN111799197A - 感性耦合反应器及其工作方法 - Google Patents
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Abstract
一种感性耦合反应器及其工作方法，感性耦合反应器包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元；所述感性耦合射频单元包括：屏蔽罩；位于所述屏蔽罩内部的反应室介质管，所述反应室介质管的侧壁倾斜且反应室介质管的顶部横截面小于底部横截面；位于所述屏蔽罩内部且分布于所述反应室介质管侧部的上射频天线和下射频天线，所述上射频天线和下射频天线相互分立，所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调。所述感性耦合反应器能加强对等离子体分布的控制能力。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种感性耦合反应器及其工作方法。
背景技术
在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，刻蚀工艺是半导体制造中一种重要的工艺，如等离子体刻蚀工艺。等离子体刻蚀工艺是利用反应气体在获得能量后产生等离子体，包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基，通过物理和化学的反应对刻蚀对象进行刻蚀。
然而，在等离子体刻蚀过程中，晶圆边缘的刻蚀条件和晶圆中心的刻蚀条件差别较大，所述刻蚀条件包括：等离子体密度分布、射频电场、温度分布等。其中等离子体密度分布是非常重要的一个刻蚀条件。例如，一般情况下，在晶圆中心区域上方分布的等离子体密度大于晶圆边缘区域上方分布的等离子体密度，且这种分布难以进行调节。
因此，需要提出一种对等离子体分布进行可控调节的感性耦合反应器，以满足需要。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种感性耦合反应器及其工作方法，能够加强对等离子体分布的控制能力。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种感性耦合反应器，包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元；所述感性耦合射频单元包括：屏蔽罩；位于所述屏蔽罩内部的反应室介质管，所述反应室介质管的侧壁倾斜且反应室介质管的顶部横截面小于底部横截面；位于所述屏蔽罩内部且分布于所述反应室介质管侧部的上射频天线和下射频天线，所述上射频天线和下射频天线相互分立，所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调。
可选的，所述反应室介质管的纵向剖面形状呈梯形。
可选的，所述下射频天线具有第一天线终端和第二天线终端，所述上射频天线具有第三天线终端和第四天线终端；所述第一天线终端适于馈入第一射频，所述第三天线终端适于馈入第二射频，第一射频和第二射频的大小可调。
可选的，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接；第一功率分配器，所述第一功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第一功率分配器的另一端与所述第一天线终端连接；第二功率分配器，所述第二功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第二功率分配器的另一端与所述第三天线终端连接；第一电压平衡电容，所述第一电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接，所述第一电压平衡电容的另一端接地；第二电压平衡电容，所述第二电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接，所述第二电压平衡电容的另一端接地。
可选的，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第一天线终端连接；电压平衡电容，所述电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接；开关器，所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第三天线终端连接或者接地；阻抗匹配电容，所述阻抗匹配电容的一端与所述第四天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地。可选的，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第三天线终端连接；电压平衡电容，所述电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接；开关器，所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第一天线终端连接或者接地；阻抗匹配电容，所述阻抗匹配电容的一端与所述第二天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地。
可选的，所述开关器包括继电器。
可选的，所述上射频天线的电感L1、所述阻抗匹配电容C1以及射频源的射频频率ω之间满足：ω=（L1*C1）1/2。
可选的，所述下射频天线的电感L2、所述阻抗匹配电容C1以及射频源的射频频率ω之间满足：ω=（L2*C1）1/2。
可选的，还包括：位于所述反应腔主体内底部的晶圆夹持平台；所述上射频天线和下射频天线用于在所述反应室介质管内部产生等离子体，所述等离子体适于通过所述反应室介质管进入所述晶圆夹持平台和所述反应室介质管之间。
可选的，所述感性耦合射频单元还包括：位于所述反应室介质管顶部的进气通道，所述进气通道适于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述反应室介质管中。
可选的，还包括：冷却装置，所述冷却装置位于所述屏蔽罩的顶部，所述冷却装置用于对所述射频天线和所述反应室介质管进行冷却。
本发明还提供一种感性耦合反应器的工作方法，采用上述任意一项所述的感性耦合反应器，包括：将晶圆放置在所述反应腔主体中；调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率；调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率之后，所述上射频天线和下射频天线在所述反应室介质管内部产生等离子体，所述等离子体进入所述反应腔主体中以对所述晶圆进行刻蚀。
可选的，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接；第一功率分配器，所述第一功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第一功率分配器的另一端与所述第一天线终端连接；第二功率分配器，所述第二功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第二功率分配器的另一端与所述第三天线终端连接；第一电压平衡电容，所述第一电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接，所述第一电压平衡电容的另一端接地；第二电压平衡电容，所述第二电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接，所述第二电压平衡电容的另一端接地；调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：采用第一功率分配器调节所述下射频天线馈入的射频功率，采用第二功率分配器调节所述上射频天线馈入的射频功率。
可选的，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器；电压平衡电容；开关器；阻抗匹配电容；所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第一天线终端连接；所述电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接；所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第三天线终端连接或者接地；所述阻抗匹配电容的一端与所述第四天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地；调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：所述开关器在第三天线终端和地线之间切换。
可选的，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器；电压平衡电容；开关器；阻抗匹配电容；所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第三天线终端连接；所述电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接；所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第一天线终端连接或者接地；所述阻抗匹配电容的一端与所述第二天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地；调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：所述开关器在第一天线终端和接地之间切换。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的感性耦合反应器，所述有效射频天线用于在所述反应室介质管中产生等离子体。由于反应室介质管的侧壁倾斜且反应室介质管的顶部横截面小于底部横截面, 因此气体在反应室介质管内扩散更加均匀。且还包括：位于所述屏蔽罩内部且分布于所述反应室介质管侧部的上射频天线和下射频天线，所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调,因此通过上射频天线和下射频天线中馈入的射频功率分别调节,能够使得反应室介质管内部的等离子体密度分布可调，进而使得等离子体进入反应腔主体后的分布得到较好的控制，进而对反应腔主体中的晶圆进行相应的可控的刻蚀。综上，所述感性耦合反应器能加强对等离子分布的控制能力。
附图说明
图1是一种感性耦合反应器的剖面结构示意图；
图2是本发明一实施例中感性耦合反应器的剖面结构示意图；
图3为本发明另一实施例中感性耦合反应器的工作方法；
图4是本发明另一实施例中感性耦合反应器的剖面结构示意图；
图5是本发明又一实施例中感性耦合反应器的剖面结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的感性耦合反应器中，难以对产生的离子体分布进行可控的调节。
一种感性耦合反应器，参考图1，包括感性耦合射频单元，感性耦合射频单元包括屏蔽罩1000，位于所述屏蔽罩1000内部的反应室介质管1001，位于所述反应室介质管1001侧壁的盘香形射频天线1002，所述反应室介质管1001的形状为柱状，且盘香形射频天线1002环绕所述反应室介质管1001，所述盘香形射频天线1002的位置固定。
上述感性耦合反应器，气体从反应室介质管1001顶部的进气管1003通入反应室介质管1001中，在柱状的反应室介质管1001内混合，射频天线1002在所述反应室介质管1001内产生等离子体，所述等离子体再扩散至反应腔主体内，晶圆位于反应腔主体内且与所述感性耦合射频单元相对，晶圆上方的等离子体密度分布存在中间高边缘低的特点，且不可调控，造成刻蚀的不均匀。
其次，屏蔽罩1000的顶部设置有冷却风扇1004，但是由于反应室介质管1001的形状为柱状，所述冷却风扇1004对反应室介质管1001的顶部和侧壁冷却不会太均匀，造成反应室介质管1001内等离子体密度分布不均匀，进而造成晶圆上方等离子体密度分布不均匀。
为了解决上述技术问题，本发明一实施例提供一种感性耦合反应器，参考图2，包括：
反应腔主体10；
位于所述反应腔主体10上方的感性耦合射频单元20；
所述感性耦合射频单元20包括：屏蔽罩201；位于所述屏蔽罩201内部反应室介质管202，所述反应室介质管202的侧壁倾斜且反应室介质管202的顶部横截面小于底部横截面；位于所述屏蔽罩201内部且分布于所述反应室介质管202侧部的上射频天线203b和下射频天线203a，所述上射频天线203b和下射频天线203a相互分立，所述上射频天线203b馈入的射频功率和所述下射频天线203a馈入的射频功率分别可调。
本实施例中，所述反应室介质管202的纵向剖面形状呈梯形。
在其他实施例中，所述反应室介质管202还可以呈锥形。
本实施例中，所述上射频天线203b的形状为盘香形，所述下射频天线203a的形状为盘香形。
本实施例中，所述上射频天线203b环绕所述反应室介质管202的上部且具有多匝连续的线圈，每匝线圈至反应室介质管202的距离相等。
本实施例中，所述下射频天线203a环绕所述反应室介质管202的下部且具有多匝连续的线圈，每匝线圈至反应室介质管202的距离相等。
本实施例中，所述下射频天线203a具有第一天线终端2031和第二天线终端2032，所述上射频天线203b具有第三天线终端和2033第四天线终端2034；所述第一天线终端2031适于馈入第一射频，所述第三天线终端2033适于馈入第二射频，第一射频和第二射频的大小可调。
本实施例中，所述感性耦合射频单元20还包括：射频源205；射频匹配器206，所述射频匹配器206的一端与所述射频源205连接；第一功率分配器206a，所述第一功率分配器206a的一端与所述射频匹配器206的另一端连接，所述第一功率分配器206a的另一端与所述第一天线终端2031连接；第二功率分配器206b，所述第二功率分配器206b的一端与所述射频匹配器206的另一端连接，所述第二功率分配器206b的另一端与所述第三天线终端2033连接；第一电压平衡电容207a，所述第一电压平衡电容207a的一端与所述第二天线终端2032连接，所述第一电压平衡电容207a的另一端接地；第二电压平衡电容207b，所述第二电压平衡电容207b的一端与所述第四天线终端2034连接，所述第二电压平衡电容207b的另一端接地。
所述第一电压平衡电容207a的作用包括：使得第二天线终端2032保持一定的电压，第一天线终端2031和第二天线终端2032之间的电压差较小，减少等离子体对反应室介质管202侧壁的碰撞。
所述第二电压平衡电容207b的作用包括：使得第四天线终端2034保持一定的电压，第四天线终端2034和第三天线终端2033之间的电压差较小，减少等离子体对反应室介质管202侧壁的碰撞。
本实施例中，还包括：位于所述反应腔主体10内底部的晶圆夹持平台103。
本实施例中，所述下射频天线203a和上射频天线203b用于在所述反应室介质管202内部产生等离子体，所述等离子体适于通过所述反应室介质管202进入所述晶圆夹持平台103和所述反应室介质管202之间。
本实施例中，所述感性耦合射频单元20还包括：位于所述反应室介质管202顶部的进气通道208，所述进气通道208适于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述反应室介质管202中。
本实施例中，还包括：冷却装置209，所述冷却装置209位于所述屏蔽罩201的顶部，所述冷却装置209用于对所述射频天线203和所述反应室介质管202进行冷却。
图2的感性耦合反应器，工作原理为：射频源205提供的射频功率经过射频匹配器206馈入上射频天线和下射频天线，下射频天线203a馈入的射频功率由第一功率分配器206a进行控制调节，上射频天线203b馈入的射频功率由第二功率分配器206b进行控制调节,且第一功率分配器206a对下射频天线203a馈入的射频功率的控制与第二功率分配器206b对上射频天线203b馈入的射频功率的控制独立，下射频天线的第二天线终端的电压由第一电压平衡电容进行分配控制，所述上射频天线的第四天线终端的电压由第二电压平衡电容进行分配控制，上射频天线的线圈中的RF电流在梯形的反应室介质管202内的上部产生垂直于电流平面的交变磁场H1，下射频天线的线圈中的RF电流在梯形的反应室介质管202内的下部产生垂直于电流平面的交变磁场H2，交变磁场H1在反应室介质管202内的上部诱导出平行于线圈电流方向的角向电场E1，交变磁场H2在反应室介质管202内的下部诱导出平行于线圈电流方向的角向电场E2,反应气体在角向电场E1、E2的作用下产生高密度等离子体，等离子体的径向密度分布可被上射频天线的射频功率和下射频天线的射频功率的大小进行控制，调控后的等离子体被晶圆夹持平台103上所施加的偏置电压逐渐加速到达晶圆表面，完成对晶圆的刻蚀工艺。
本发明还提供一种感性耦合反应器的工作方法，采用上述的感性耦合反应器，请参考图3，包括以下步骤：
S01:将晶圆放置在所述反应腔主体10中；
S02:调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率；
S03: 调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率之后，所述上射频天线和下射频天线在所述反应室介质管202内部产生等离子体，所述等离子体进入所述反应腔主体10中以对所述晶圆进行刻蚀。
具体的，将所述晶圆放置在晶圆夹持板103上，采用第一功率分配器调节所述下射频天线馈入的射频功率，采用第二功率分配器调节所述上射频天线馈入的射频功率。
本发明另一实施例提供一种感性耦合反应器，参考图4，本实施例中的感性耦合反应器与上一实施例中的感性耦合反应器的区别在于，所述感性耦合射频单元中：射频源205；射频匹配器206，所述射频匹配器206的一端与所述射频源205连接，所述射频匹配器206的另一端与所述第一天线终端2031连接；电压平衡电容207，所述电压平衡电容207的一端与所述第二天线终端2032连接；开关器210，所述开关器210与所述电压平衡电容207的另一端连接，所述开关器210可选择与所述第三天线终端2033连接或者接地；阻抗匹配电容211，所述阻抗匹配电容211的一端与所述第四天线终端2034连接，所述阻抗匹配电容211的另一端接地。
所述开关器210包括继电器。
本实施例中，所述上射频天线的电感L1、所述阻抗匹配电容C1以及射频源的射频频率ω之间满足：ω=（L1*C1）1/2。
关于本实施例中与上一实施例中相同的内容，不再详述。
本实施例中感性耦合反应器的工作方法中与上一实施例中的工作方法的区别在于：调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：所述开关器210在第三天线终端2033和地线之间切换。
本实施例中的感性耦合反应器的工作方法中，当开关器210接地时，上射频天线没有射频功率馈入，仅下射频天线能在反应室介质管202内部激发等离子体，此时边缘的等离子体密度较高。
本实施例中的感性耦合反应器的工作方法中，当开关器210连接第三天线终端2033时，实现下射频天线和上射频天线中均馈入射频功率；上射频天线的电感L1、所述阻抗匹配电容C1满足串联共振匹配条件，即ω=（L1*C1）1/2，使得不影响整个天线系统的阻抗匹配。
本发明又一实施例还提供一种感性耦合反应器，请参考图5，本实施例中的感性耦合反应器与上一实施例中的感性耦合反应器的区别在于，所述感性耦合射频单元还包括：射频源205；射频匹配器206，所述射频匹配器206的一端与所述射频源205连接，所述射频匹配器206的另一端与所述第三天线终端2033连接；电压平衡电容207，所述电压平衡电容207的一端与所述第四天线终端2034连接；开关器210，所述开关器210与所述电压平衡电容207的另一端连接，所述开关器210可选择与所述第一天线终端2031连接或者接地；阻抗匹配电容211，所述阻抗匹配电容211的一端与所述第二天线终端2032连接，所述阻抗匹配电容211的另一端接地。
所述开关器210包括继电器。
所述下射频天线的电感L2、所述阻抗匹配电容C1以及射频源的射频频率ω之间满足：ω=（L2*C1）1/2。
关于本实施例中与上一实施例中相同的内容，不再详述。
本实施例中感性耦合反应器的工作方法中与上一实施例中的工作方法的区别在于：调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：所述开关器210在第一天线终端2031和地线之间切换。
本实施例中的感性耦合反应器的工作方法中，当开关器210接地时，下射频天线没有射频功率馈入，仅上射频天线能在反应室介质管202内部激发等离子体，此时中心的等离子体密度较高。
本实施例中的感性耦合反应器的工作方法中，当开关器210连接第一天线终端2031时，实现下射频天线和上射频天线中均馈入射频功率；所述下射频天线的电感L2、所述阻抗匹配电容C1以及射频源的射频频率ω之间满足：ω=（L2*C1）1/2，使得不影响整个天线系统的阻抗匹配。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (16)
1.一种感性耦合反应器，其特征在于，包括：
反应腔主体；
位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元；
所述感性耦合射频单元包括：屏蔽罩；位于所述屏蔽罩内部的反应室介质管，所述反应室介质管的侧壁倾斜且反应室介质管的顶部横截面小于底部横截面；位于所述屏蔽罩内部且分布于所述反应室介质管侧部的上射频天线和下射频天线，所述上射频天线和下射频天线相互分立，所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调。
2.根据权利要求1所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述反应室介质管的纵向剖面形状呈梯形。
3.根据权利要求1所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述下射频天线具有第一天线终端和第二天线终端，所述上射频天线具有第三天线终端和第四天线终端；所述第一天线终端适于馈入第一射频，所述第三天线终端适于馈入第二射频，第一射频和第二射频的大小可调。
4.根据权利要求3所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接；第一功率分配器，所述第一功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第一功率分配器的另一端与所述第一天线终端连接；第二功率分配器，所述第二功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第二功率分配器的另一端与所述第三天线终端连接；第一电压平衡电容，所述第一电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接，所述第一电压平衡电容的另一端接地；第二电压平衡电容，所述第二电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接，所述第二电压平衡电容的另一端接地。
5.根据权利要求3所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第一天线终端连接；电压平衡电容，所述电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接；开关器，所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第三天线终端连接或者接地；阻抗匹配电容，所述阻抗匹配电容的一端与所述第四天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地。
6.根据权利要求3所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第三天线终端连接；电压平衡电容，所述电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接；开关器，所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第一天线终端连接或者接地；阻抗匹配电容，所述阻抗匹配电容的一端与所述第二天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地。
7.根据权利要求5或6所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述开关器包括继电器。
8.根据权利要求5所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述上射频天线的电感L1、所述阻抗匹配电容C1以及射频源的射频频率ω之间满足：
ω=（L1*C1）1/2。
9.根据权利要求6所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述下射频天线的电感L2、所述阻抗匹配电容C1以及射频源的射频频率ω之间满足：
ω=（L2*C1）1/2。
10.根据权利要求1所述的感性耦合反应器，其特征在于，还包括：位于所述反应腔主体内底部的晶圆夹持平台；
所述上射频天线和下射频天线用于在所述反应室介质管内部产生等离子体，所述等离子体适于通过所述反应室介质管进入所述晶圆夹持平台和所述反应室介质管之间。
11.根据权利要求1所述的感性耦合反应器，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：位于所述反应室介质管顶部的进气通道，所述进气通道适于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述反应室介质管中。
12.根据权利要求1所述的感性耦合反应器，其特征在于，还包括：冷却装置，所述冷却装置位于所述屏蔽罩的顶部，所述冷却装置用于对所述射频天线和所述反应室介质管进行冷却。
13.一种感性耦合反应器的工作方法，采用权利要求1至12任意一项所述的感性耦合反应器，其特征在于，包括：
将晶圆放置在所述反应腔主体中；
调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率；
调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率之后，所述上射频天线和下射频天线在所述反应室介质管内部产生等离子体，所述等离子体进入所述反应腔主体中以对所述晶圆进行刻蚀。
14.根据权利要求13所述的感性耦合反应器的工作方法，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频源连接；第一功率分配器，所述第一功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第一功率分配器的另一端与所述第一天线终端连接；第二功率分配器，所述第二功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接，所述第二功率分配器的另一端与所述第三天线终端连接；第一电压平衡电容，所述第一电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接，所述第一电压平衡电容的另一端接地；第二电压平衡电容，所述第二电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接，所述第二电压平衡电容的另一端接地；
调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：采用第一功率分配器调节所述下射频天线馈入的射频功率，采用第二功率分配器调节所述上射频天线馈入的射频功率。
15.根据权利要求13所述的感性耦合反应器的工作方法，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器；电压平衡电容；开关器；阻抗匹配电容；所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第一天线终端连接；所述电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接；所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第三天线终端连接或者接地；所述阻抗匹配电容的一端与所述第四天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地；
调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：所述开关器在第三天线终端和地线之间切换。
16.根据权利要求13所述的感性耦合反应器的工作方法，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：射频源；射频匹配器；电压平衡电容；开关器；阻抗匹配电容；所述射频匹配器的一端与所述射频源连接，所述射频匹配器的另一端与所述第三天线终端连接；所述电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接；所述开关器与所述电压平衡电容的另一端连接，所述开关器可选择与所述第一天线终端连接或者接地；所述阻抗匹配电容的一端与所述第二天线终端连接，所述阻抗匹配电容的另一端接地；
调节所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率，包括：所述开关器在第一天线终端和接地之间切换。
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