CN111712909A - 晶片清洗装置 - Google Patents
晶片清洗装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111712909A CN111712909A CN201980013114.0A CN201980013114A CN111712909A CN 111712909 A CN111712909 A CN 111712909A CN 201980013114 A CN201980013114 A CN 201980013114A CN 111712909 A CN111712909 A CN 111712909A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tray
- cleaning solution
- cleaning
- wafer
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
-
- H10P72/0416—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- H10P72/0448—
-
- H10P72/15—
-
- H10P72/3312—
-
- H10P72/7612—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种可以防止清洗溶液泄漏并能够及时处理的晶片清洗装置。本发明提供一种晶片清洗装置,该晶片清洗装置包括:清洗槽,该清洗槽接纳清洗溶液,并且清洗溶液由于晶片的浸入而从清洗槽中溢出;多个提升部件,该多个提升部件被布置在清洗槽的外部并且将晶盒浸入到清洗槽内的清洗溶液中;外部水箱,该外部水箱具有被接纳在其中的清洗槽和提升部件,并且包括排放孔,清洗溶液通过该排放孔排出;以及托盘,该托盘可拆卸地附接至外部水箱的内底表面并收集清洁溶液,以将清洗溶液引导至排放孔。
Description
技术领域
本发明涉及一种能够防止清洗溶液泄漏到外部并对其作出快速响应的晶片清洗装置。
背景技术
通常,硅晶片是通过如下过程制造的,所述过程即:用于将多晶硅生长成单晶硅锭的生长过程、用于将生长成的单晶硅锭切成晶片形状的切片过程、用于使晶片的厚度均匀化和平坦化的研磨过程、用于去除或减轻由机械抛光产生的损伤的蚀刻过程、对晶片的表面进行镜面抛光的抛光过程以及用于清洗晶片的清洗过程。
通常,晶片清洗装置用于执行清洗过程,并且当强碱性溶液的清洗溶液被包含在内部槽中并使清洗溶液从内部槽中溢出时,晶片移动机器人将晶片浸入内部槽的清洗溶液中,然后提升部件在清洗溶液中竖直摇动晶片,以清洗晶片表面。
另外,在晶片清洗装置中,内部槽、外部槽以及提升部件被设置在外部水槽内,但是当用纯水清洗内部槽/外部槽时,清洗溶液由于异常操作而溢出,或者清洗溶液在使晶片移动时滴落,清洗溶液通过设置在外部水槽中的排放孔排出。
然而,当在晶片清洗装置中使用诸如KOH的强碱性溶液作为清洗溶液时,当金属材料的部件长时间暴露于具有高渗透性的清洗溶液时,清洗溶液由于老化或降解而泄漏。
编号为2004-0036300的韩国公开专利出版物涉及一种化学循环系统,该化学循环系统具有晶片湿式蚀刻装置的泄漏感测功能,并且还设置了被安装在连接至槽的管中的螺杆、连接至螺杆的发电机以及泄漏感测装置,该泄漏感测装置包括电连接至发电机的传感器。
因此,当管中发生泄漏时,通过泄漏引入的空气上升以使螺杆旋转,发电机根据螺杆旋转而产生的电流被传输至传感器以感测泄漏。
然而,根据相关技术,仅在连接至清洗槽的管中可以感测到清洗溶液的泄漏,并且清洗溶液由于老化或降解而经常从外部水槽泄漏,但是存在这样的问题:由于清洗溶液通过外部水槽泄漏到外部,因此难以确保安全性。
另外,当清洗溶液从外部水槽侧面泄漏时,清洗过程停止,然后视觉上感测到泄漏部分并对该泄漏部分进行焊接,但是存在一个问题:由于不仅停止了过程,而且花费了很长时间来感测和校正泄漏部分,因此降低了生产效率。
发明内容
技术问题
本发明旨在解决相关技术中的上述问题并提供一种晶片清洗装置,该晶片清洗装置能够防止清洗溶液泄漏到外部并对其作出快速响应。
技术方案
本发明提供了一种晶片清洗装置,该晶片清洗装置包括:包含清洗溶液的清洗槽,其中,清洗溶液随着晶片的浸入而溢出;多个提升部件,该多个提升部件被设置在清洗槽的外部并且将晶盒浸入到清洗槽内的清洗溶液中;外部水槽,该外部水槽容纳清洗槽和提升部件并且具有排放孔,清洗溶液通过该排放孔排出;以及托盘,该托盘可从外部水槽的内底表面上拆下并收集清洁溶液,以将清洗溶液引导至排放孔。因此,该晶片清洗装置可防止清洗溶液泄漏到外部,并且可以快速响应于清洗溶液泄漏到外部。
托盘可设置有用于支撑清洗槽的支撑件以及安装孔,提升部件穿过该安装孔,并且托盘可被设置成使得布置在外部水槽的排放孔内的排放口向下突出。因此,清洗槽可通过托盘稳定地安装在外部水槽内部的预定位置。
托盘可设置有从与外部水槽的内表面接触的圆周部分向上突出的外侧壁和从安装孔中的每个安装孔向上突出的多个内侧壁。因此,该晶片清洗装置可以防止收集在托盘中的清洗溶液流入到外部水槽中。
托盘可被构造成朝向排放口向下倾斜。因此,收集在托盘中的清洗溶液可以顺利地排出。
本发明的晶片清洗装置可以进一步包括第一引导部分,该第一引导部分被设置在外部水槽的内表面与托盘之间,并且将滴落在外部水槽的内表面上的清洗溶液引导至托盘。因此,即使清洗溶液滴落在外部水槽的内表面上,清洗溶液在向下流动的同时也会被第一引导部分引导,因此,清洗溶液可被收集在托盘中。
第一引导部分可以螺栓连接至外部水槽的下部部分的内表面。因此,第一引导部分可以容易地附接至外部水槽并且从外部水槽上拆下。
第一引导部分可以被构造成杆状形状并且可以由非金属材料制成,该杆状形状具有用于引导清洗溶液向下流动的倾斜表面。因此,可以防止第一引导部分被清洗溶液腐蚀。
本发明的晶片清洗装置可以进一步包括第二引导部分,该第二引导部分被设置在提升部件的圆周表面与托盘之间,并且将滴落在提升部件的圆周表面上的清洗溶液引导至托盘。因此,即使清洗溶液滴落在提升部件上,清洗溶液在向下流动的同时也会被第二引导部分引导,因此,清洗溶液可被收集在托盘中。
第二引导部分可以螺栓连接至提升部件的下部部分的圆周表面。因此,第二引导部分可以容易地附接至提升部件并且从提升部件上拆下。
第二引导部分可以被构造成圆柱形形状并且可以由非金属材料制成,该圆柱形形状具有围绕提升部件的下部部分并引导清洗溶液向下流动的倾斜表面。因此,可以防止第二引导部分被清洗溶液腐蚀。
有益效果
在根据本发明的晶片清洗装置中,清洗槽和提升部件被安装在外部水槽的内部,能够收集和排放清洗溶液的托盘被设置在外部水槽的内底表面上,因此,可以通过预先防止清洗溶液泄漏到外部来确保安全性,并且即使发生清洗溶液泄漏到外部,也可以仅快速地安装托盘以对该泄漏作出响应,因此具有可以提高生产效率的优点。
附图说明
图1是示出了根据本发明的晶片清洗装置的正视图。
图2是根据本发明的晶片清洗装置的侧视图。
图3是示出了根据本发明的晶片清洗装置的托盘的平面图。
图4和图5是沿图4的线B-B’和线C-C’截取的横截面图。
图6是示出了应用于图3的第一引导部分和第二引导部分的安装结构的视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图对实施例进行详细描述。然而,本发明的精神的范围可以从实施例所公开的事项中确定,并且本发明的实施例的精神包括对以下提出的实施例的实际修改,例如部件的添加、删除、修改等。
图1和图2是示出了根据本发明的晶片清洗装置的正视图和侧视图。
在根据本发明的晶片清洗装置中,如图1和图2所示,清洗槽110和四个提升部件121、122、123和124被设置在外部水槽130内,用于收集并排放清洗溶液的托盘150被设置在外部水槽130内,并且提供了用于将清洗溶液引导至托盘150的第一引导部分160和第二引导部分170。
清洗槽110可以由包含清洗溶液的内部槽111和包含从内部槽111溢出的清洗溶液的外部槽112组成,并且可以被构造成使得清洗溶液被供应至内部槽111或者在外部槽112中溢出的清洗溶液再次循环至内部槽。
另外,其中成排地设置有凹槽(晶片W被布置在该凹槽上)的杆状载置部113被设置在内部槽111中,并且设置三个载置部113,以支撑晶片W的下部部分处的三个位置。
当然,晶片W以其沿前后方向以预定距离被容置在晶盒中的状态被存储,并且当晶片移动机器人(未示出)保持晶片W的边缘时,晶片W可立即被转移。
因此,晶片移动机器人立即保持被存储在晶盒中的晶片W,将晶片转移至内部槽111内,以将晶片固定至载置部113,然后在使包含在内部槽111中的清洗溶液溢出的同时清洗晶片W。
设置提升部件121、122、123和124以使连接至载置部113的前面/后面的框架向上/向下移动,并且在清洗槽的前面/后面的两侧上设置四个提升部件。
因此,当提升部件121、122、123和124沿竖直方向摇动载置部113时,可以提高清洗溶液对晶片W的清洁效果。
外部水槽130是由金属制成的一种框架,并且被构造成具有两个侧表面131和132、前表面133和后表面134以及底表面135,并且清洗槽110和提升部件121、122、123和124被安装在外部水槽130的内底表面上。
这时,外部槽的底表面135设置有排放孔135h,清洗溶液、纯水等可通过该排放孔排出,并且该排放孔相对于清洗槽110被设置在后中心处。
因此,即使供应的纯水溢出以清洗清洗槽110本身,清洗槽110也会异常地运作,使得清洗溶液溢出到外部槽112的外部,或者即使当晶片W从清洗槽110中移出时清洗溶液滴落,清洗溶液也可以通过外部水槽的排放孔135h排出。
托盘150被安装在外部水槽的整个内底表面135上方,并且优选地由即使在强碱性溶液下也不会降解的非金属材料(诸如PVC)制成。
另外,托盘150可以通过诸如螺栓等的紧固构件单独地安装在外部水槽135上,以便容易地附接和拆卸,并且托盘形成为能够收集清洁溶液的一种板状形状。
此时,托盘150可以设置有用于支撑清洗槽110的支撑件151a和151b,并且设置了其中安装有提升部件121、122、123和124的孔134h(在图3中示出)以及用于排放清洗溶液的排放孔152h。
当然,托盘的排放孔152h被设置在与外部水槽的排放孔135h相同的位置处。
第一引导部分160被设置在外部水槽130与托盘150之间,并且防止清洗溶液滴落在托盘150与外部水槽的两个侧表面131和132以及前表面133和后表面134之间的间隙上,并且将已经滴落在外部水槽130的内壁表面上的清洗溶液引导至托盘150。
另外,与托盘130一样,第一引导部分160由不会被清洗溶液降解的非金属材料(诸如PVC)制成,并且被构造成通过螺栓连接至外部水槽的两个侧表面131和132以及前表面133和后表面134而易于附接和拆卸。
第二引导部分170被设置在提升部件与托盘之间,防止清洗溶液滴落在提升部件与托盘之间的间隙上,并且将已经滴落在提升部件的下圆周表面上的清洗溶液引导至托盘。
另外,与托盘130一样,第二引导部分170可以由不会被清洗溶液降解的非金属材料(诸如PVC)制成,并且被构造成通过螺栓连接至提升部件121、122、123和124的圆周表面而易于拆卸。
图3是示出了根据本发明的晶片清洗装置的托盘的平面图,图4和图5是沿图4的线B-B’和线C-C’截取的横截面图,并且图6是示出了应用于图3的第一引导部分和第二引导部分的安装结构的视图。
参照图3至图5,在检查托盘150的构造时,托盘被构造成与外部水槽的底表面135的形状(在图2中示出)类似的板状形状。
在这种情况下,可以设置一对支撑件151a和151b,在这对支撑件151a和151b上,清洗槽110(如图2所示)可以被安装在托盘150的中央,并且在托盘150的后面设置排放孔152h和排放口152,清洗溶液通过该排放孔152h排出,该排放口152具有从排放孔152h向下突出的形状。
因此,托盘的排放口152可以将托盘150固定在外部水槽130(在图1中示出)的内部,并且可以通过如下方式防止外部水槽的排放孔135h(在图2中示出)被降解:所述方式即防止外部水槽的排放孔135h(在图2中示出)通过托盘的排放口152直接接触清洗溶液。
当然,托盘150被构造成水平平面形状,但是可以被构造成倾斜形式,以便将清洗溶液引导至排放口152。
另外,外侧壁153被设置成围绕托盘150向上突出,并且外侧壁153被安装成与外部水槽的两个侧表面131和132(在图1中示出)以及前表面133和后表面134(在图2中示出)接触。
因此,设置在托盘150中的外侧壁153防止清洗溶液流到托盘150的外部,并且外部水槽130(在图2中示出)与托盘150之间的间隙可进一步减小。
另外,托盘150设置有用于安装提升部件121、122、123和124(在图2中示出)的四个安装孔154h,并且内侧壁154被设置成围绕每个安装孔154h向上突出。
因此,托盘150的内侧壁154被安装成与提升部件121、122、123和124(在图2中示出)的圆周表面接触,使得清洗溶液不会向下流到安装孔154h,并且提升部件121、122、123和124(在图2中示出)与托盘150之间的间隙可进一步减小。
如下将参照图6检查第一引导部分160和第二引导部170的构造和安装结构。
第一引导部分160和第二引导部分170可以被构造成非金属材料的杆状形状,并且第一引导部分160的竖直外部部分可以被定位成与外部水槽的内侧表面131至134接触,并且可螺栓连接至外部水槽130的螺栓孔160h被设置成沿水平方向交叉。
另外,第一引导部分160在其内上角部分设置有向下倾斜的倾斜表面161,并且该第一引导部分可以被构造成将清洗溶液从其一侧的外部水槽130引导至其下侧的托盘150,但是本发明不限于此。
另外,第一引导部分160以其下端部部分162从其内下部部分向下突出的方式被定位在托盘150上,并且可以被安装成与托盘150的内底表面间隔开预定的距离,以免防止托盘150内的清洗溶液沿排放方向流动,但是本发明不限于此。
当然,第一引导部分的下端部部分162可以被定位在托盘150的外侧壁153的内部,以双重地阻挡清洗溶液向下流到托盘150的外部。
第二引导部分170可以被构造成非金属材料的圆柱形形状,第二引导部分170的上内圆周表面可以被安装成与提升部件121至124的圆周接触,并且可以螺栓连接的螺栓孔170h沿水平方向设置。
另外,第二引导部分170设置有倾斜表面171,该倾斜表面的直径从上部部分向下部部分增大,并且该倾斜表面可被构造成将清洗溶液从定位在该第二引导部分的中央的提升部件121至124引导至围绕该第二引导部分定位的托盘150,但是本发明不限于此。
另外,下端部部分172被定位在托盘150上,该下端部部分172在第二引导部分的倾斜表面171的下侧处竖直地连续,并且该下端部部分可被安装成与托盘150的内底表面接触,以抑制清洗溶液流到提升部件121至124,但是本发明不限于此。
当然,第二引导部分的下端部部分172可以被定位在托盘的内侧壁154的外部,以双重地阻挡清洗溶液向下流到安装孔154h(在图3中示出)中。
当非金属材料的托盘150以及如上文所述构造的第一引导部分160和第二引导部分170被安装在金属材料的外部水槽130的内底表面上时,即使清洗溶液滴落在外部水槽130的内侧上,清洗溶液也不会通过托盘150直接与外部水槽130接触,并且可以防止清洗溶液因外部水槽130的老化或降解而泄漏到外部,以通过第一引导部分160和第二引导部分170防止清洗溶液流入到外部水槽130与托盘150之间的间隙中或流入到提升部件121至124与托盘150之间的间隙中来确保安全性。
另外,当清洗溶液的泄漏发生在外部水槽130中时,即使泄漏部分未被发现,托盘150以及第一引导部分160和第二引导部分170也易于安装,从而快速阻止清洗溶液在外部水槽130中泄漏并立即执行过程,因此可以提高生产效率。
工业实用性
本发明适用于一种晶片清洗装置,该晶片清洗装置在对单晶锭进行切片以制造晶片的过程中清洗晶片。
Claims (13)
1.一种晶片清洗装置,所述晶片清洗装置包括:
包含清洗溶液的清洗槽,其中,所述清洗溶液在晶片浸入时溢出;
多个提升部件,所述多个提升部件被设置在所述清洗槽的外部并且将晶盒浸入到所述清洗槽内部的所述清洗溶液中;
外部水槽,所述外部水槽容纳所述清洗槽和所述提升部件并具有排放孔,所述清洗溶液通过所述排放孔排出;以及
托盘,所述托盘能够从所述外部水槽的内底表面上拆下并收集所述清洗溶液,以将所述清洗溶液引导至所述排放孔。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘设置有用于支撑所述清洗槽的支撑件以及安装孔,所述提升部件穿过所述安装孔,并且所述托盘被设置成使得布置在所述外部水槽的排放孔内的排放口向下突出。
3.根据权利要求2所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘设置有从与所述外部水槽的内表面接触的圆周部分向上突出的外侧壁以及从所述安装孔中的每个安装孔向上突出的多个内侧壁。
4.根据权利要求2所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘被构造成朝向所述排放口向下倾斜。
5.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,所述晶片清洗装置进一步包括第一引导部分,所述第一引导部分被设置在所述外部水槽的内表面与所述托盘之间,并且将滴落在所述外部水槽的内侧表面上的所述清洗溶液引导至所述托盘。
6.根据权利要求5所述的晶片清洗装置,其中,所述第一引导部分螺栓连接至所述外部水槽的下部部分的内表面。
7.根据权利要求5所述的晶片清洗装置,其中,所述第一引导部分被构造成杆状形状,所述杆状形状具有用于引导所述清洗溶液向下流动的倾斜表面。
8.根据权利要求5所述的晶片清洗装置,其中,所述第一引导部分由非金属材料制成。
9.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,所述晶片清洗装置进一步包括第二引导部分,所述第二引导部分被设置在所述提升部件的圆周表面与所述托盘之间,并且将滴落在所述提升部件的圆周表面上的所述清洗溶液引导至所述托盘。
10.根据权利要求9所述的晶片清洗装置,其中,所述第二引导部分螺栓连接至所述提升部件的下部部分的圆周表面。
11.根据权利要求9所述的晶片清洗装置,其中,所述第二引导部分被构造成圆柱形形状并且引导所述清洗溶液向下流动,所述圆柱形形状具有围绕所述提升部件的下部部分的倾斜表面。
12.根据权利要求9所述的晶片清洗装置,其中,所述第二引导部分由非金属材料制成。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘由非金属材料制成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180069784A KR102185097B1 (ko) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | 웨이퍼 세정장치 |
| KR10-2018-0069784 | 2018-06-18 | ||
| PCT/KR2019/002813 WO2019245129A1 (ko) | 2018-06-18 | 2019-03-11 | 웨이퍼 세정장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111712909A true CN111712909A (zh) | 2020-09-25 |
| CN111712909B CN111712909B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=68984155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201980013114.0A Active CN111712909B (zh) | 2018-06-18 | 2019-03-11 | 晶片清洗装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12051598B2 (zh) |
| JP (1) | JP7007491B2 (zh) |
| KR (1) | KR102185097B1 (zh) |
| CN (1) | CN111712909B (zh) |
| WO (1) | WO2019245129A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114721231B (zh) * | 2022-04-17 | 2023-04-11 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种用于光刻版清洗的工装夹具 |
| CN116387185B (zh) * | 2022-12-20 | 2025-12-16 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11168077A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Sony Corp | 基板洗浄装置 |
| KR19990039059U (ko) * | 1998-04-03 | 1999-11-05 | 김영환 | 반도체 웨이퍼 세정용 에이치큐디알 베스의 순수냉각장치 |
| KR20030008448A (ko) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | 삼성전자 주식회사 | 보조 싱크대를 갖는 습식 세정 장치의 배쓰 유닛 |
| KR20180060059A (ko) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213257A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 湿式処理槽 |
| JP3225441B2 (ja) * | 1991-04-23 | 2001-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3003017B2 (ja) * | 1993-05-26 | 2000-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
| US5503171A (en) | 1992-12-26 | 1996-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrates-washing apparatus |
| JP3296428B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2002-07-02 | 日本電気株式会社 | Wet処理方法と装置 |
| KR20040036300A (ko) | 2002-10-24 | 2004-04-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 습식 식각 장치의 리크 감지 기능을 구비한 케미컬순환 시스템 |
| JP4248257B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2009-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 超音波洗浄装置 |
| JP2009218514A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR101104016B1 (ko) | 2008-11-04 | 2012-01-06 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 처리 장치 및 이에 사용되는 배럴과, 웨이퍼 처리 방법 |
| JP5574929B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 色素吸着装置 |
| JP2014170782A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2018
- 2018-06-18 KR KR1020180069784A patent/KR102185097B1/ko active Active
-
2019
- 2019-03-11 US US16/981,228 patent/US12051598B2/en active Active
- 2019-03-11 CN CN201980013114.0A patent/CN111712909B/zh active Active
- 2019-03-11 WO PCT/KR2019/002813 patent/WO2019245129A1/ko not_active Ceased
- 2019-03-11 JP JP2020543530A patent/JP7007491B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11168077A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Sony Corp | 基板洗浄装置 |
| KR19990039059U (ko) * | 1998-04-03 | 1999-11-05 | 김영환 | 반도체 웨이퍼 세정용 에이치큐디알 베스의 순수냉각장치 |
| KR20030008448A (ko) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | 삼성전자 주식회사 | 보조 싱크대를 갖는 습식 세정 장치의 배쓰 유닛 |
| KR20180060059A (ko) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190142619A (ko) | 2019-12-27 |
| JP7007491B2 (ja) | 2022-01-24 |
| US12051598B2 (en) | 2024-07-30 |
| WO2019245129A1 (ko) | 2019-12-26 |
| US20210035822A1 (en) | 2021-02-04 |
| JP2021514542A (ja) | 2021-06-10 |
| CN111712909B (zh) | 2023-08-22 |
| KR102185097B1 (ko) | 2020-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5286657A (en) | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system | |
| JP5426301B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN111712909B (zh) | 晶片清洗装置 | |
| KR101206923B1 (ko) | 매엽식 웨이퍼 세정 장치 | |
| JP5237668B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP6369263B2 (ja) | ワークの研磨装置およびワークの製造方法 | |
| KR20190011897A (ko) | 웨이퍼 세정장비의 온도제어장치 및 이를 이용한 온도제어방법 | |
| KR100933593B1 (ko) | 습식세정장치의 웨이퍼 지지구조 | |
| KR20160116476A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 장치 | |
| KR102852298B1 (ko) | 웨이퍼 세정 장치 | |
| KR20100053092A (ko) | 배치식 세정장치의 로딩부 | |
| JP4457046B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100571628B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 및 세정방법 | |
| KR101425813B1 (ko) | 웨이퍼의 침지식 세정 건조 장치 | |
| CN107993963B (zh) | 用于晶圆检测的机械手臂 | |
| JP2005243812A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101402844B1 (ko) | 카세트 세정 장치 | |
| JPH04124824A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| KR20240133070A (ko) | 웨이퍼 세정 장치 | |
| KR20240146404A (ko) | 웨이퍼 이동용 수조 | |
| KR100653706B1 (ko) | 반도체 제조설비의 케미컬 공급장치 | |
| KR20120134523A (ko) | 에칭 처리 장치 | |
| JP2008098425A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR100334058B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 제조용 세정조의 세척수안정화 장치 | |
| KR100533620B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |