CN111600199B - 一种有限长带宽的高功率半导体激光器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有限长带宽的高功率半导体激光器，包括：多模波导，在多模波导内光栅区域采用多个扇形倾斜光栅，且各个扇形倾斜光栅平面的延长线汇聚于多模波导横向中轴线上一点，各个扇形倾斜光栅平面与多模波导纵轴所形成的倾角以及光栅周期形成渐变，且扇形倾斜光栅沿横向中轴线呈轴对称分布。通过设计扇形倾斜光栅，可以调节光栅周期和倾角的变化，从而可以调节多种模式之间的耦合，实现对激射光的控制，从而实现灵活控制出射波长的带宽，进而在外界电流的调控下，实现目标响应。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，更具体的说是涉及一种有限长带宽的高功率半导体激光器。
背景技术
光通信在近几十年发展迅速，也逐渐成为了最主流的信息传输方式，其主要原因有三个：一、光具有极大的带宽，一般有几百个THz，远大于传统电磁波信号，因此可以同时传输大量的信息；二、光很容易被传导，用来传导光信号的光纤成本损耗都很低，同时抗干扰能力强；三、光的产生和探测得到了极大的发展，都可以在基于半导体的材料中实现，并且较容易制造。而在光源部分，半导体激光器有着体积小、能耗低、可靠性高并且可高速调制等诸多优点，成为了光通信系统中的核心器件。
由于良好的单模特性和优异的波长控制特性，DFB半导体激光器成为了通讯上主流的激光器，其主要结构为在有源区附近增加一段光栅结构形成折射率耦合或者增益耦合，从而实现波长选择。目前DFB半导体激光器都是单模运转，线宽大约为1MHz左右，并用于单模光纤的传输。但是在某些应用中，比如空间激光通讯等场景需要高功率激光器，此外为了覆盖多个信道，激光器的波长需要覆盖一定的波长。但是常规的激光器因谐振，导致激射带宽比较窄，而LED光源带宽太宽，发光功率小。
而在激光气体检测领域，激光器的波长要对准气体特征吸收峰，通过判断激光器吸收的量来判断气体的浓度。一般对激光器波长精度的要求在±1.0nm。但是该精度对于DFB半导体激光器的制作要求非常高，准确对准吸收峰的难度非常大。而有限激射波长带宽的激光器可以增加波长的误差容限，方便波长对准。另外，为了增加激光气体遥测距离，需要增加激光器出射功率。而增加功率的有效办法是增加激光器波导的宽度。但是传统激光器因为要保证横向单模，所以增加宽度非常有限。
因此，如何提供一种有限带宽高功率的激光器是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种有限长带宽的高功率半导体激光器，能够同时兼顾带宽和功率两项性能，适用于WDM-PON系统以及激光传感。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种有限长带宽的高功率半导体激光器，包括：多模波导，在多模波导内光栅区域采用多个扇形倾斜光栅，且各个扇形倾斜光栅平面的延长线汇聚于多模波导横向中轴线上一点，各个扇形倾斜光栅平面与多模波导纵轴所形成的倾角以及光栅周期形成渐变，且扇形倾斜光栅沿横向中轴线呈轴对称分布。
优选的，通过改变倾角以及光栅周期来改变不同模式耦合的效率和波长，从而调整半导体激光器的中心波长和带宽大小。
优选的，保持扇形倾斜光栅所汇聚的位置不变，通过改变光栅周期大小改变不同模式耦合的效率和波长。
优选的，所述扇形倾斜光栅通过电子束刻蚀技术结合ICP干法刻蚀或湿法刻蚀来制备。
优选的，所述扇形倾斜光栅通过扇形倾斜取样光栅实现，采用全息曝光和掩模版二次曝光技术制备。
优选的，所述半导体激光器一端采用抗反射膜，另一端采用高反射膜。
优选的，所述多模波导的宽度为4微米以上，支持至少3个横向模式。
优选的，所述半导体激光器用于多种波段，包括：1310波段、1550波段和1650波段。
经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种有限长带宽的高功率半导体激光器，通过设计扇形倾斜光栅，可以调节光栅周期和倾角的变化，从而可以调节多种模式之间的耦合，实现对激射光的控制，实现灵活控制出射波长的带宽，从而在外界电流的调控下，实现目标响应。
而且，在同一芯片同一均匀光栅的基础光栅的基础上，设计扇形倾斜光栅图案来实现多个DFB激光器的集成，从而降低能耗和体积，简化测试过程，得到适合WDM-PON系统应用以及激光传感的有限波长带宽高功率DFB激光器。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为有限长带宽的高功率半导体激光器扇形倾斜光栅结构示意图；
图2为模式耦合过程图；
图3为TE0模式和TE1模式的混合谐振示意图；
图4为同一模式激射光谱图；
图5为有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器激射带宽波长范围；
图6为有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器原理图；
图7为有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器光栅周期的分布图；
图8为有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器的结构示意图；
图9为全息曝光制作取样布拉格光栅的示意图。
其中，在图8中，101.金属电极一；102.衬底层；103.下限制层；104.有源层；105.上限制层；106.光栅层；107.波导层；108.金属电极二。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种有限长带宽的高功率半导体激光器，包括：多模波导，在多模波导内光栅区域采用多个扇形倾斜光栅，且各个扇形倾斜光栅平面的延长线汇聚于多模波导横向中轴线上一点，各个扇形倾斜光栅平面与多模波导纵轴所形成的倾角以及光栅周期形成渐变，且扇形倾斜光栅沿横向中轴线呈轴对称分布，请参见附图1和附图7，可以实现同种模式下激射多波长。通过注入电流，各个模式的谐振波长会发生交叠，从而增大激射带宽，如图5所示。设计扇形倾斜光栅结构，可以相应地实现对激光器激射波长及带宽的调节。
本发明提供的技术方案中，多模波导的宽度为4微米以上，支持至少3个横向模式，即TE0，TE1以及TE2，宽波导可以有效增加电流注入面积和散热面积，提高激光器出光功率。将半导体激光器的光栅制作为扇形倾斜光栅，不仅可以实现多种模式间的相位匹配，并且可以提高模式转换的耦合效率，从而实现多模波导内多种模式的相互耦合。该光栅能支持TE0前后向谐振、TE1前后向谐振以及TE2前后向谐振，以及TE0与TE1混合谐振、TE0与TE2混合谐振以及TE1与TE2混合谐振。因为不同的谐振模式波长不同，当全部激射时，实现有限带宽的激光波长以及高功率。
本发明提供的有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器，增加波长的利用率，为未来的光通讯WDM-PON市场以及激光传感提供低成本，易封装，大规模集成的有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器，其技术基础是：激光器无源光栅采取扇形倾斜光栅，其光栅平面的延长线汇聚于波导横向中轴线上一点，如图1所示，扇形倾斜光栅沿中轴线呈轴对称，具体的，汇聚的位置与波导的距离d＝22微米，波导宽度为4微米，长度为300微米，从光栅位置P1到光栅位置P2，光栅平面与波导纵轴所形成的倾斜角从0度渐变为10度，光栅周期从242nm渐变为262nm，如表1所示，其光栅矢量
沿x轴和y轴变化。扇形倾斜光栅与交错光栅作用原理相同，可以实现多模波导内多种模式的相互耦合，如TE0-TE0、TE1-TE1、TE2-TE2、TE0-TE1、TE0-TE2、TE1-TE2，如图2所示。以TE0和TE1模式的混合谐振为例，如图3所示，沿+x方向传播的TE0模式经过扇形倾斜光栅，耦合为沿-x方向传输的TE1模式，而TE1模式在-x方向传播过程中又反射形成沿+x方向的TE0模式。即扇形倾斜光栅可以实现TE0模式和TE1模式的混合谐振回路。因此，当偏置电流较大时，扇形倾斜光栅中不同模式耦合的谐振波长就会产生重叠，从而导致激射带宽Δλ变宽，如图4和图5所示。
表1扇形倾斜光栅基本参数
通过改变倾角以及光栅周期来改变不同模式耦合的效率和波长，从而调整半导体激光器的中心波长和带宽大小。即通过改变扇形倾斜光栅汇聚点与波导的距离d可以调节DFB半导体激光器的带宽和耦合效率。
保持扇形倾斜光栅所汇聚的位置不变，通过改变光栅周期大小改变不同模式耦合的效率和波长。
扇形倾斜光栅通过电子束刻蚀技术结合ICP干法刻蚀或湿法刻蚀来制备，首先在晶片表面旋涂所适配的电子束光刻胶，常见的为PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，然后使用电子束曝光技术，使电子束在曝光胶上扫描并通过改变电子束的曝光量，形成所需的布拉格光栅的图案，接着使用有机溶剂将曝光量少的PMMA溶解，然后使用ICP(电感耦合等离子体)干法刻蚀或基于化学反应的湿法刻蚀对该材料进行刻蚀，实现扇形倾斜光栅结构。
此外，扇形倾斜光栅还可以通过扇形倾斜取样光栅实现，采用全息曝光和掩模版二次曝光技术制备。图6为扇形倾斜取样光栅结构示意图，其基本光栅为均匀光栅，所设计的扇形倾斜取样结构叠印在均匀光栅上。其中，均匀光栅矢量
为常矢量，扇形倾斜取样的傅里叶分量
沿x轴和y轴变化。在设计扇形倾斜取样光栅时，均匀光栅矢量和扇形倾斜取样光栅矢量的矢量和为：
而扇形倾斜取样光栅的-1级傅里叶子光栅矢量
需要满足：
扇形倾斜取样光栅的制备方法为：首先在晶片上旋涂光刻胶，之后利用全息曝光技术在基片上形成均匀光栅，然后使用设计好的取样掩模版进行接触式二次曝光，得到扇形倾斜取样光栅图形。之后再通过显影、刻蚀将曝光图形转移到基片上得到扇形倾斜光栅结构，如图9所示。其中，基本光栅周期为225纳米,其扇形取样结构的光栅平面的延长线汇聚于波导横向中轴线上一点，与波导的距离D＝120微米，波导宽度为4微米，长度为300微米，如图7所示。扇形倾斜取样光栅沿中轴线呈轴对称，从光栅位置SP1到光栅位置SP2，取样结构的光栅平面与波导纵轴所形成的倾斜角从0度渐变为40度，周期从3.2微米渐变为1微米，如表2所示。扇形倾斜取样光栅制备工艺，光栅均匀性好，制备时间短，有利于实现大规模量产低成本有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器。
表2扇形倾斜取样光栅基本参数
参见附图8，有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器的结构包括：102为激光器衬底层，是生长整个激光器主要结构的基本支撑；103为下限制层，为进行光学限制的一个低折射率外延层；104为有源层，是由本征半导体材料形成的双异质结或多层量子阱结构，实现电子到光子的转换；105为上限制层，作用与下限制层一样，但材料为p型掺杂；106为光栅层；107层为波导层，波导结构通过光刻刻蚀的方法在本层制作；101和108为金属电极，用于为激光器供电。
本发明中的半导体激光器的衬底一般应用III-V族化合物半导体材料(如GaAlAs/GaAs,InGaAs/InGaP,GaAsP/InGaP,InGaAsP/InP,InGaAsP/GaAsP,AlGaInAs等)，同时也可应用II-VI族化合物半导体材料、IV-VI族化合物半导体材料等各种三元化合物、四元化合物半导体材料。
本发明提供的有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器一端采用抗反射膜，抗反射膜的端面反射率范围在0.05％到1％的范围内，另一端采用高反射膜，反射率在95％以上，从而能够增加激光器的出光功率。
有限波长带宽的高功率DFB半导体激光器可以用于多种波段，具体如1310波段和1550波段和1650波段。光栅周期的值与增益区量子阱材料需要根据具体的所需要的激射波长设计。
在本发明提供的有限长带宽的高功率半导体激光器中，通过调整扇形倾斜光栅的周期和倾角，可灵活调节多种模式之间的谐振，改变出射带宽。在外界电流的调控下，在同一芯片同一均匀光栅的基础上，可以来实现多个DFB激光器的集成，降低能耗和体积，简化测试过程，从而可以得到适合WDM-PON系统应用以及激光传感的有限波长带宽高功率DFB激光器。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (6)
1.一种有限长带宽的高功率半导体激光器，其特征在于，包括：多模波导，在多模波导内光栅区域采用多个扇形倾斜光栅，且各个扇形倾斜光栅平面的延长线汇聚于多模波导横向中轴线上一点，各个扇形倾斜光栅平面与多模波导纵轴所形成的倾角以及光栅周期形成渐变，且扇形倾斜光栅沿横向中轴线呈轴对称分布；通过改变倾角以及光栅周期来改变不同模式耦合的效率和波长，从而调整半导体激光器的中心波长和带宽大小；
所述扇形倾斜光栅通过扇形倾斜取样光栅实现，采用全息曝光和掩模版二次曝光技术制备；所述扇形倾斜光栅基本光栅为均匀光栅，所设计的扇形倾斜取样结构叠印在均匀光栅上。
2.根据权利要求1所述的一种有限长带宽的高功率半导体激光器，其特征在于，保持扇形倾斜光栅所汇聚的位置不变，通过改变光栅周期大小改变不同模式耦合的效率和波长。
3.根据权利要求1所述的一种有限长带宽的高功率半导体激光器，其特征在于，所述扇形倾斜光栅通过电子束刻蚀技术结合ICP干法刻蚀或湿法刻蚀来制备。
4.根据权利要求1所述的一种有限长带宽的高功率半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器一端采用抗反射膜，另一端采用高反射膜。
5.根据权利要求1所述的一种有限长带宽的高功率半导体激光器，其特征在于，所述多模波导的宽度为4微米以上，支持至少3个横向模式。
6.根据权利要求1所述的一种有限长带宽的高功率半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器用于多种波段，包括：1310波段、1550波段和1650波段。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6643316B2 (en) * | 2001-10-13 | 2003-11-04 | Spectra Physics Semiconductor Lasers, Inc | High power surface-emitting distributed feedback laser |
| CN102460237A (zh) * | 2009-06-16 | 2012-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 倾斜光栅和用于生产倾斜光栅的方法 |
| CN104917052A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-09-16 | 中国科学院半导体研究所 | 变周期倾斜光栅激光器及制备方法 |
-
2020
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US6643316B2 (en) * | 2001-10-13 | 2003-11-04 | Spectra Physics Semiconductor Lasers, Inc | High power surface-emitting distributed feedback laser |
| CN102460237A (zh) * | 2009-06-16 | 2012-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 倾斜光栅和用于生产倾斜光栅的方法 |
| CN104917052A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-09-16 | 中国科学院半导体研究所 | 变周期倾斜光栅激光器及制备方法 |
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