CN111584535A - Led芯片制造方式及其led芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种针对micro LED图像显示的LED芯片，针对巨量转移，良品率问题提出了一种制造方法。生长晶圆(7)与转移基板(1)对位贴合，LED膜片(3)剥离并键合到设有驱动晶体管以及电路(TFT)的转移基板(16)上，即可精准实现晶圆级规模的巨量转移，RGB三种生长晶圆分别进行三次晶圆级规模转移，得到RGB转移基板(16)，分割出许多LED芯片，不良的芯片废除，良品芯片贴片到PCB板上就可得到良品的显示板。
Description
技术领域
本发明属于LED芯片技术领域，特别涉及用于图像显示的像素点微小(micro)的LED芯片制造方法及其芯片。
技术背景
Micro LED显示技术，具有许多LCD显示技术具备不了的优点，但当前技术不成熟，造价过高，还不能实际应用。微米级的微小LED，巨量转移，保证每粒LED两驱动电极与驱动电路定位连接(键合)，带来显示屏成品的良品率问题，造成极高的造价。当前有提出测试修补的技术方案来提高良品率，但面对微米级的微小尺寸，数量巨大，还未有可靠并造价可接受的技术方案，巨量转移也没有可靠并造价可接受的技术方案。
发明内容
本发明的目的就是针对以上所述巨量转移，良品率的问题，提出了工艺技术都属于现有的、成本低的技术方案。
本发明的技术方案：本发明的LED芯片，包括有：芯片基板，数量不少于100片的LED膜片，LED膜片的尺寸小于0.2mm，芯片基板的管脚面设置有数多贴片管脚；芯片基板的键合面上设置有键合盘，芯片基板的键合面的一侧设置有驱动晶体管和电路，所述电路有通过穿过芯片基板的过孔或芯片基板侧壁上的引线与贴片管脚导通，本发明的LED芯片的特征有以下两种：
(一)LED膜片通过键合料键合在键合盘上，LED膜片的外侧面设置有绝缘护层，绝缘护层外设置有引线，LED膜片的外侧的膜片电极与该引线导通，该引线通过穿过芯片基板的过孔或芯片基板侧壁上的引线与贴片管脚导通，数多或者全部的LED膜片的外侧膜片电极共用一个贴片管脚。
(二)LED膜片的内侧面设置有绝缘护层，该绝缘护层另一侧设置有键合盘，该键合盘通过键合料与芯片基板上的键合盘键合，即该绝缘护层与键合料之间设置有键合盘，LED膜片的内侧的膜片电极与该键合盘导通，LED膜片的外侧面设置有透光电极，LED膜片的外侧的透光电极通过穿过芯片基板的过孔或芯片基板侧壁上的引线与贴片管脚导通，数多或者全部的LED膜片的外侧的透光电极共用一个贴片管脚。
本发明的LED芯片制造方法，包括有：生长晶圆和转移基板，LED芯片上的LED膜片是从该生长晶圆剥离下来，通过键合料键合在键合盘上的，转移基板上有数多芯片基板，相应有键合盘，键合面的一侧设置有相应的驱动晶体管和电路；转移基板上的键合盘的位置与需要键合在该键合盘上的LED膜片在其生长晶圆的位置一一相对应，同一片转移基板上的同一种LED膜片全部取自于同一片生长晶圆，LED膜片转移有以下两种工艺：
(一)含有LED膜片的生长晶圆直接与转移基板对位贴合，只有需要键合的LED膜片与键合盘之间设置有键合料，晶圆级规模的LED膜片与键合盘通过键合料实现键合，通过剥离工艺，将LED膜片从其生长晶圆上剥离分开，生长晶圆与转移基板分离，构成LED膜片晶圆级规模转移工序，
(二)含有LED膜片的生长晶圆先与一中转面贴合，需要键合的晶圆级规模的LED膜片粘贴定位在所述中转面上，通过剥离工艺，将LED膜片从其生长晶圆上剥离分开，含有LED膜片的所述中转面再与转移基板对位贴合，LED膜片与键合盘之间设有键合料，LED膜片与键合盘通过键合料实现键合，所述中转面与转移基板分离，构成晶圆级规模LED膜片转移工序。
本发明中的“键合”的意思包含有：电的导通连接和固定连接。
本发明限定，LED芯片上的LED膜片数量的不少于100片，LED膜片的尺寸小于0.2mm，是基于制造成本方面考虑，当LED膜片数量的少于100片，尺寸大于0.2mm时，相比其他技术方案，本发明就没有优势。更合理的设计是：LED膜片不少于200片、芯片基板的面积不小于2mm2，不大于30mm2。
附图说明
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
图1和图2分别是两种本发明的LED芯片的特征剖面示意图。
图3是一种LED驱动晶体管和电路的原理图。
图4-1～4-4是一种本发明中的LED膜片键合过程的特征剖面示意图。
图5-1～5-4是一种本发明中的LED膜片键合过程的特征剖面示意图。
图6-1是一种R生长晶圆，LED膜片没有转移前的平面特征示意图。
图6-2是图6-1所示的LED膜片转移到一种转移基板的平面特征示意图。
图6-3是图6-1所示的生长晶圆，LED膜片转移到图6-2所示的转移基板后的，平面特征示意图。
图6-4是一种G生长晶圆，LED膜片没有转移前的平面特征示意图。
图6-5是图6-4所示的LED膜片转移到图6-2所示的转移基板的平面特征示意图。
图6-6是图6-4所示的生长晶圆，LED膜片转移到图6-5所示的转移基板后的，平面特征示意图。
图6-7是一种B生长晶圆，LED膜片没有转移前的平面特征示意图。
图6-8是图6-7所示的LED膜片转移到图6-5所示的转移基板的平面特征示意图。
图6-9是图6-7所示的生长晶圆，LED膜片转移到图6-8所示的转移基板后的，平面特征示意图。
图6-10是一种经过了一次LED膜片转移的G生长晶圆平面特征示意图。
图6-11是图6-10所示的LED膜片转移到图6-2所示的转移基板的平面特征示意图。
图6-12是图6-10所示的生长晶圆，LED膜片转移到图6-11所示的转移基板后的，平面特征示意图。
图6-13是一种经过两了次LED膜片转移的B生长晶圆平面特征示意图。
图6-14是图6-13所示的LED膜片转移到图6-11所示的转移基板的平面特征示意图。
图6-15是图6-13所示的生长晶圆，LED膜片转移到图6-14所示的转移基板后的，平面特征示意图。
图7-1和7-2是一种本发明中LED膜片键合过程的特征剖面示意图。
图8和图9分别是两种本发明的LED芯片没有裁分前的转移基板的特征剖面示意图。
图10和图11分别是两种本发明的LED芯片的特征剖面示意图。
图12是一种RGB转移基板平面特征示意图。
以上的图这只是示意图，图中的尺寸、大小比例、数量等都不能代表实际设计。
图中：1、芯片基板，11、111、键合盘，12、键合面，13、贴片管脚，141、142、过孔，15、管脚面，16、转移基板，2、键合料，3、LED膜片，31、32、膜片电极，34、电极盘，4、引线，41、42、侧壁引线，5、51、绝缘护层、61、数据线，62、阴极，63、LED，64、驱动晶体管，65、供应线，66、电容线，67、扫描线，68、存储电容，69、开关晶体管，7、生长晶圆，8、透光电极。
具体实施方式
图1所示的本发明LED芯片，芯片基板1的键合面12上设置有键合盘11，芯片基板1的键合面12的一侧应设置有驱动晶体管和电路(比如薄膜晶体管(TFT)类的)，键合盘11与所述电路有导通，(图中没有示出)，所述电路通过过孔141与贴片管脚13导通，该贴片管脚应该有数多个(图中只示出一个)；LED膜片3通过键合料2键合在键合盘11上，也就成了LED的一驱动电极，LED膜片3的外侧面设置有绝缘护层5(可采用气相或液相沉积法生成)，绝缘护层5外设置有引线4，绝缘护层5延伸到芯片基板1，LED膜片3的侧壁以及键合料2都覆盖了；LED膜片3的外侧的膜片电极31与引线4导通，引线4通过过孔142与贴片管脚13导通，LED的另一驱动电极完成引出；图中示出4个LED膜片3的外侧膜片电极31共用一个贴片管脚，即可以设计成，LED的另一驱动电极共用一个贴片管脚。
图2所示的本发明LED芯片，与图1所示的不同之处有：LED膜片3的外侧膜片电极31分别通过两个侧壁引线42分别与两个贴片管脚13导通。
图3所示的LED驱动晶体管和电路的原理图，采用该LED驱动方式，LED芯片的贴片管脚至少要5个。因而芯片基板的面积不应小于2mm2，但也不应大于30mm2。
图4-1～4-4所示的本发明LED芯片制造过程中的LED膜片键合过程，键合料2先设置在LED膜片3上，LED膜片3上应有相应的键合盘(图中没有示出)；转移基板16设置有与LED芯片上相对应的键合盘11，以及驱动晶体管和电路(图中没有示出)；转移基板16分别从两种生长晶圆7转移LED膜片3。
图4-1和图4-2示出，转移基板16从一种生长晶圆7上转移LED膜片3，图4-3和图4-4示出，转移基板16完成首次从一种生长晶圆7上转移LED膜片3之后，再从另一种生长晶圆7上转移LED膜片3。图中示出，键合料2键合前的高度h大于其键合后的厚度b，设计时应该采用，转移基板完成首次LED膜片转移后，之后的LED膜片转移工序中，键合料2键合前的高度h大于其键合后的厚度b再加上两倍LED膜片3的厚度t。键合料2应该采用加热到一定温度时，可以软化(融化材料的，比如焊锡。
LED膜片从其生长晶圆上剥离，可采用激光剥离工艺。LED膜片的键合与剥离工艺过程有：a)生长晶圆上所有需要键合转移的LED膜片与转移基板上的键合盘都完成键合之后，再进行膜片剥离工序；b)进行膜片剥离工序的同时完成键合，比如采用激光剥离工艺，键合料采用加热熔化的焊料(焊锡类，共金焊料类等)，利用激光剥离过程产生高温，实现键合工序，即剥离与键合同时完成。
图中示出，生长晶圆上的LED膜片都分刻出来了(一般采用刻蚀工艺)，当然，也可以采用以下方法：LED膜片在生长晶圆上的没有分刻开，在剥离工序的时候，利用激光将所要的LED膜片分割下来。
图5-1～5-4所示的本发明LED膜片键合过程，转移基板16分别从两种生长晶圆7上转移LED膜片3，该两种生长晶圆7分别是图4-2和图4-4所示的已经完成过一次LED膜片转移的生长晶圆7。图5-1和图5-2示出，转移基板16从图4-2所示的生长晶圆7上转移LED膜片3，图5-3和图5-4示出，转移基板16从图4-4所示的生长晶圆7上转移LED膜片3。
图中示出，生长晶圆7直接与转移基板16对位贴合，实施LED膜片3转移。还可以，生长晶圆先与一中转面贴合，需要键合的LED膜片粘贴定位在所述中转面上，通过剥离工艺，将需要键合的LED膜片从其生长晶圆上剥离分开，含有LED膜片的所述中转面再与转移基板对位贴合，实施LED膜片3转移键合至转移基板上。
图6-1～图6-15所示本发明LED膜片转移过程，三种LED膜片7转移到一转移基板16上，R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)，用于彩色图像显示，有三种生长晶圆7，图中示出的转移基板16的形状与生长晶圆7一样，但实际上不限定转移基板是晶圆或晶圆的外形。图中，LED膜片3在转移基板16上所占据的范围尺寸规格与生长晶圆7的规格相同。
图中示出本发明中的晶圆级规模定义：同一片转移基板16上的同一种LED膜片3全部取自于同一片生长晶圆7，同一片生长晶圆7上的所有需要转移到同一片转移基板16上的LED膜片3的数量规模定义为晶圆级规模，其膜片转移称为晶圆级规模转移。
图中，三种生长晶圆7的规格相同，其上的LED膜片数量规模相同。数量规模相同不是数量上绝对相同，而是生产制造中的数量相当(同等)，比如10000个与9950个，数量上绝对不同，但是数量规模上是相同的。图中，三种生长晶圆7上的LED膜片3之间的相对位置尺寸(比如图中的间距d以及e)相同。
生长晶圆上的LED膜片数量巨大，三种生长晶圆7的规格相同，边缘上的少数LED膜片可能由于某原因(比如错位)被放弃，这是可接受的，不是浪费；但是，如果生长晶圆规格不相同，将不是边缘上的少数，而是大量被放弃，这是不可接受的浪费。
图6-1～6-3示出，R生长晶圆7是首次进行晶圆级规模转移，转移基板16是首次接受晶圆级规模转移。
图6-4～6-6示出，G生长晶圆7是首次进行晶圆级规模转移，转移基板16是第二次接受晶圆级规模转移。
图6-7～6-9示出，B生长晶圆7是首次进行晶圆级规模转移，转移基板16是第三次接受晶圆级规模转移。
图6-10～6-12示出，G生长晶圆7是第二次进行晶圆级规模转移，转移基板16是第二次接受晶圆级规模转移。
图6-13～6-15示出，B生长晶圆7是第三次进行晶圆级规模转移，转移基板16是第三次接受晶圆级规模转移。
图6-1～图6-15所示本发明LED膜片转移，每种生长晶圆上的LED膜片完成全部转移，要经过四次晶圆级规模转移。
图7-1和图7-2所示的本发明LED膜片键合过程，LED膜片3转移键合至转移基板16工序之前，LED膜片3上面设置有绝缘护膜51(可采用气相或液相沉积法生成)，该绝缘护膜51上面有键合盘111，LED膜片3的膜片电极32与该键合盘111导通。
图8和图9所示的本发明的LED芯片没有裁分前的转移基板，LED膜片3上面设置有绝缘护膜5。图8中，该绝缘护膜5上面有电极盘34，LED膜片3的膜片电极31与该电极盘34导通。图9中，该绝缘护膜5上面有引线4，LED膜片3的膜片电极31与引线4导通。
图10和图11所示的本发明LED芯片，LED膜片3的内侧面设置有绝缘护层51，绝缘护层51与键合料2之间设置有键合盘111，LED膜片3的内侧的膜片电极32与键合盘111导通，键合盘111通过键合料2与键合盘11键合。
图10中，LED膜片3的外侧面设置有透光电极8，LED膜片3的外侧的透光电极8通过侧壁引线42与贴片管脚13导通，图中的四个LED膜片3的外侧的透光电极8共用一个贴片管脚。图中，贴片管脚13通过导通侧壁引线41与芯片基板1的键合面的一侧的驱动晶体管和电路(图中没有示出)导通。透光电极8也可以通过穿过芯片基板1的过孔与贴片管脚13导通。
图11中，LED膜片3的外侧面设置有绝缘护层5，绝缘护层5外设置有引线4，LED膜片3的外侧的膜片电极31与引线4导通，引线4通过过孔142与贴片管脚13导通。图中，LED膜片3两侧面上的膜片电极31和32是采用相互错位结构，当然也可以是正对结构。
图12所示本发明转移转移基板16，三种(RGB)LED膜片3，每种生长晶圆上的LED膜片完成全部转移，要经过三次晶圆级规模转移，转移基板16上的LED膜片3的数量规模与生长晶圆7上的LED膜片3的数量规模相同。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种用于图像显示的LED芯片制造方法，所述LED芯片包括有：芯片基板(1)，不少于100片的LED膜片(3)，LED膜片(3)的尺寸小于0.2mm，芯片基板(1)的管脚面(15)设置有数多贴片管脚(13)，芯片基板(1)的键合面(12)上设置有键合盘(11)，芯片基板(1)的键合面(12)的一侧设置有驱动晶体管和电路，LED膜片(3)是从其生长晶圆(7)剥离下来，通过键合料(2)键合在键合盘(11)上的，所述的LED芯片制造方法包括有：生长晶圆(7)和转移基板(16)，转移基板(16)上有数多芯片基板(1)，相应有键合盘(11)，键合面(12)的一侧设置有相应的驱动晶体管和电路，其特征在于：转移基板(16)上的键合盘(11)的位置与需要键合在该键合盘(11)上的LED膜片(3)在其生长晶圆(7)的位置一一相对应，同一片转移基板(16)上的同一种LED膜片(3)全部取自于同一片生长晶圆(7)，
含有LED膜片(3)的生长晶圆(7)直接与转移基板(16)对位贴合，只有需要键合的LED膜片(3)与键合盘(11)之间设置有键合料(2)，晶圆级规模数量的LED膜片(3)与键合盘(11)通过键合料(2)进行键合，通过剥离工艺，将LED膜片(3)从其生长晶圆(7)上剥离分开，生长晶圆(7)与转移基板(16)分离，构成LED膜片晶圆级规模转移工序，
或者，含有LED膜片(3)的生长晶圆(7)先与一中转面贴合，需要键合的晶圆级规模数量的LED膜片(3)粘贴定位在所述中转面上，通过剥离工艺，将LED膜片(3)从其生长晶圆(7)上剥离分开，含有LED膜片(3)的所述中转面再与转移基板(16)对位贴合，LED膜片(3)与键合盘(11)之间有键合料(2)，LED膜片(3)与键合盘(11)通过键合料(2)进行键合，所述中转面与转移基板(16)分离，构成晶圆级规模LED膜片转移工序。
2.根据权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：LED膜片(3)转移键合至转移基板(16)工序之前，LED膜片(3)上面设置有绝缘护膜(51)，该绝缘护膜(51)上面有键合盘(111)，LED膜片(3)的膜片电极(32)与该键合盘(111)导通。
3.根据权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：LED膜片(3)转移键合至转移基板(16)工序之后，所述LED芯片从转移基板(16)裁分之前，LED膜片(3)上面设置有绝缘护膜(5)，该绝缘护膜(5)上面有电极盘(34)或引线(4)，LED膜片(3)的膜片电极(31)与该电极盘(34)或引线(4)导通。
4.根据权利要求1，或2，或3所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述LED芯片上的LED膜片(3)有三种，分别是R，G和B，该三种生长晶圆(7)上的LED膜片(3)之间的相对位置相同，分三次进行晶圆级规模LED膜片转移工序；每一片生长晶圆(7)至少要进行三次晶圆级规模LED膜片(3)转移工序，将其上的LED膜片(3)分别转移至至少三片转移基板(16)上。
5.根据权利要求4所述的LED芯片制造方法，其特征在于：同一片转移基板(16)的后两次晶圆级规模转移工序，键合料(2)键合前的高度h大于其键合的厚度b再加上两倍LED膜片(3)的厚度t。
6.一种LED芯片，包括有：芯片基板(1)，数量不少于100片的LED膜片(3)，LED膜片(3)的尺寸小于0.2mm，芯片基板(1)的管脚面(15)设置有数多贴片管脚(13)，其特征在于：芯片基板(1)的键合面(12)上设置有键合盘(11)，芯片基板(1)的键合面(12)的一侧设置有驱动晶体管和电路，所述电路有通过过孔(141)或侧壁引线(41)与贴片管脚(13)导通，LED膜片(3)通过键合料(2)键合在键合盘(11)上，LED膜片(3)的外侧面设置有绝缘护层(5)，绝缘护层(5)外设置有引线(4)，LED膜片(3)的外侧的膜片电极(31)与引线(4)导通，引线(4)通过过孔(142)或侧壁引线(42)与贴片管脚(13)导通，数多或者全部的LED膜片(3)的外侧膜片电极(31)共用一个贴片管脚。
7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：LED膜片(3)的内侧面设置有绝缘护层(51)，绝缘护层(51)与键合料(2)之间设置有键合盘(111)，LED膜片(3)的内侧的膜片电极(32)与键合盘(111)导通，键合盘(111)通过键合料(2)与键合盘(11)键合。
8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于：LED膜片(3)两侧面上的膜片电极(31)和(32)采用了错位结构。
9.一种LED芯片，包括有：芯片基板(1)，数量不少于100片的LED膜片(3)，LED膜片(3)的尺寸小于0.2mm，芯片基板(1)的管脚面(15)设置数多有贴片管脚(13)，其特征在于：芯片基板(1)的键合面(12)上设置有键合盘(11)，芯片基板(1)的键合面(12)的一侧设置有驱动晶体管和电路，所述电路有通过过孔(141)或侧壁引线(41)与贴片管脚(13)导通，LED膜片(3)的内侧面设置有绝缘护层(51)，绝缘护层(51)与键合料(2)之间设置有键合盘(111)，LED膜片(3)的内侧的膜片电极(32)与键合盘(111)导通，键合盘(111)通过键合料(2)与键合盘(11)键合，LED膜片(3)的外侧面设置有透光电极(8)，LED膜片(3)的外侧的透光电极(8)通过过孔(142)或侧壁引线(42)与贴片管脚(13)导通，数多或者全部的LED膜片(3)的外侧的透光电极(8)共用一个贴片管脚。
10.根据权利要求6，或7，或8，或9所述的LED芯片，其特征在于：LED膜片(3)不少于200片，芯片基板(1)的面积不小于2mm2，不大于30mm2。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120064943A (ko) * | 2010-12-10 | 2012-06-20 | 이정훈 | 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 |
| US20130256735A1 (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| JP2018049971A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| CN110546771A (zh) * | 2017-06-15 | 2019-12-06 | 歌尔股份有限公司 | 微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备 |
| CN110832572A (zh) * | 2017-07-10 | 2020-02-21 | 株式会社V技术 | 显示装置的制造方法、芯片零件的转印方法及转印部件 |
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2020
- 2020-05-12 CN CN202010427553.0A patent/CN111584535A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120064943A (ko) * | 2010-12-10 | 2012-06-20 | 이정훈 | 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 |
| US20130256735A1 (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| JP2018049971A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| CN110546771A (zh) * | 2017-06-15 | 2019-12-06 | 歌尔股份有限公司 | 微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备 |
| CN110832572A (zh) * | 2017-07-10 | 2020-02-21 | 株式会社V技术 | 显示装置的制造方法、芯片零件的转印方法及转印部件 |
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