[go: up one dir, main page]

CN111524958B - 一种高电子迁移率晶体管 - Google Patents

一种高电子迁移率晶体管 Download PDF

Info

Publication number
CN111524958B
CN111524958B CN201910103281.6A CN201910103281A CN111524958B CN 111524958 B CN111524958 B CN 111524958B CN 201910103281 A CN201910103281 A CN 201910103281A CN 111524958 B CN111524958 B CN 111524958B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier
layer
hemt
supply layer
carrier supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910103281.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111524958A (zh
Inventor
江怀慈
林胜豪
刘冠宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
United Microelectronics Corp
Original Assignee
United Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by United Microelectronics Corp filed Critical United Microelectronics Corp
Priority to CN201910103281.6A priority Critical patent/CN111524958B/zh
Priority to US16/294,893 priority patent/US10714607B1/en
Publication of CN111524958A publication Critical patent/CN111524958A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111524958B publication Critical patent/CN111524958B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
    • H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having 2D charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
    • H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
    • H10D30/475—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having wider bandgap layer formed on top of lower bandgap active layer, e.g. undoped barrier HEMTs such as i-AlGaN/GaN HEMTs
    • H10D30/4755—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having wider bandgap layer formed on top of lower bandgap active layer, e.g. undoped barrier HEMTs such as i-AlGaN/GaN HEMTs having wide bandgap charge-carrier supplying layers, e.g. modulation doped HEMTs such as n-AlGaAs/GaAs HEMTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
    • H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having 2D charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
    • H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
    • H10D30/475—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having wider bandgap layer formed on top of lower bandgap active layer, e.g. undoped barrier HEMTs such as i-AlGaN/GaN HEMTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/124—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of semiconductor bodies or of junctions between the regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H10D62/8503—Nitride Group III-V materials, e.g. AlN or GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H10D62/854—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs further characterised by the dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H10D62/343—Gate regions of field-effect devices having PN junction gates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H10D62/852—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs being Group III-V materials comprising three or more elements, e.g. AlGaN or InAsSbP

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

本发明公开一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一载流子运输层设于该缓冲层上、一载流子供应层设于该载流子运输层上、一栅极电极设于该载流子供应层上以及一源极电极以及一漏极电极设于该栅极电极两侧，其中该载流子供应层包含铝的浓度梯度。

Description

一种高电子迁移率晶体管
技术领域
本发明涉及一种高电子迁移率晶体管。
背景技术
以氮化镓基材料(GaN-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。
发明内容
本发明一实施例公开一种高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,HEMT)，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一载流子运输层设于该缓冲层上、一载流子供应层设于该载流子运输层上、一栅极电极设于该载流子供应层上以及一源极以及一漏极设于该栅极电极两侧，其中该载流子供应层包含铝的浓度梯度。
本发明另一实施例公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一缓冲层设于一基底上、一载流子运输层设于该缓冲层上、一载流子供应层设于该载流子运输层上、一栅极电极设于该载流子供应层上以及一源极以及一漏极设于该栅极电极两侧，其中栅极电极包含一上半部以及一下半部且该上半部及该下半部包含不同材料。
附图说明
图1为本发明一实施例的一高电子迁移率晶体管的结构示意图。
主要元件符号说明
12     基底                     14     缓冲层
16     载流子运输层             18     载流子供应层
20     栅极电极                 22     下半部
24     上半部                   26     源极电极
28     漏极电极                 30     通道区
具体实施方式
请参照图1，图1为本发明一实施例的一高电子迁移率晶体管的结构示意图。如图1所示，首先提供一基底12，例如一由硅、碳化硅或氧化铝(或可称蓝宝石)所构成的基底，其中基底12可为单层基底、多层基底、梯度基底或上述的组合。依据本发明其他实施例基底12又可包含一硅覆绝缘(silicon-on-insulator,SOI)基底
然后于基底12表面形成一缓冲层14。在一实施例中，缓冲层14包含III-V族半导体例如氮化镓，其厚度可介于0.5微米至10微米之间。在一实施例中，可利用分子束外延制作工艺(molecular-beam epitaxy,MBE)、有机金属气相沉积(metal organic chemicalvapor deposition,MOCVD)制作工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)制作工艺、氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)制作工艺或上述组合于基底12上形成缓冲层14。
接着于缓冲层14表面形成一载流子运输层(carrier transit layer)16。在本实施例中，载流子运输层16较佳包含III-V族半导体，例如氮化镓或更具体而言非刻意掺杂(unintentionally doped)氮化镓。在一实施例中，可利用分子束外延制作工艺(molecular-beam epitaxy,MBE)、有机金属气相沉积(metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)制作工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)制作工艺、氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)制作工艺或上述组合于缓冲层14上形成载流子运输层16。
随后形成一载流子供应层(carrier supply layer)18于载流子运输层16表面。在本实施例中载流子供应层18较佳包含III-V族半导体例如N型氮化铝镓(AlxGa1-xN)，其中0<x<1，载流子供应层18较佳包含一由外延成长制作工艺所形成的外延层，且载流子供应层较18佳包含硅或锗的掺质。如同上述形成缓冲层14与载流子运输层16的方式，可利用分子束外延制作工艺(molecular-beam epitaxy,MBE)、有机金属气相沉积(metal organicchemical vapor deposition,MOCVD)制作工艺、化学气相沉积(chemical vapordeposition,CVD)制作工艺、氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)制作工艺或上述组合于载流子运输层16上形成载流子供应层18。
值得注意的是，本实施例的载流子供应层18较佳包含铝的浓度梯度，亦即载流子供应层中的铝浓度较佳以渐层方式分布而非平均分布。更具体而言，载流子供应层18中铝原子的浓度较佳朝载流子运输层16及载流子供应层18间的交界降低，或整体来看远离载流子运输层16与载流子供应层18交界处的载流子供应层18具有较高的铝浓度而靠近载流子运输层16及载流子供应层18交界处的载流子供应层18则具有较低的铝浓度。
然后依序形成一半导体层以及一栅极材料层于载流子供应层18表面，再利用光刻及蚀刻制作工艺去除部分半导体层与部分栅极材料层以形成一栅极电极20于载流子供应层18表面，其中栅极电极20较佳于图案化后包含一下半部22与一上半部24且下半部22及上半部24较佳包含不同材料。在本实施中，半导体层或栅极电极20的下半部22较佳包含P型氮化铝镓(AlyGa1-yN)，其中0<y<1且y小于前述构成载流子供应层18中氮化铝镓(AlxGa1-xN)的x，y较佳介于0-0.2而x则较佳大于0.2，且下半部22较佳包含镁或锌的掺质。栅极电极20的上半部24则较佳包含金属，例如可包含金、银或铂等萧特基(Schottky)金属。需注意的是，虽然下半部22与载流子供应层18均由氮化铝镓所构成，但相较于铝原子以渐层方式分布于载流子供应层18中，栅极电极20的下半部22较佳不具任何浓度梯度，或铝浓度于下半部22中较佳为平均分布。
随后形成一源极电极26以及一漏极电极28于栅极电极20两侧。在本实施例中，源极电极26与漏极电极28较佳由金属所构成，但有别于栅极电极20的上半部24由萧特基金属所构成，源极电极26与漏极电极28较佳由欧姆接触金属所构成。依据本发明一实施例，源极电极26与漏极电极28可各自包含钛、铝、钨、钯或其组合。在一些实施例中，可先以光刻及蚀刻制作工艺去除部分栅极电极20两侧的载流子供应层18形成凹槽，再以电镀制作工艺、溅镀制作工艺、电阻加热蒸镀制作工艺、电子束蒸镀制作工艺、物理气相沉积(physicalvapor deposition,PVD)制作工艺、化学气相沉积制作工艺(chemical vapor deposition,CVD)制作工艺、或上述组合于凹槽内形成电极材料，然后再以蚀刻将电极材料图案化以形成源极电极26与漏极电极28。由于源极电极26与漏极电极28是以光刻及蚀刻制作工艺形成于载流子供应层18两侧，因此载流子供应层18底部较佳切齐源极电极26及漏极电极28底部。
一般而言，由于载流子运输层16与载流子供应层18的材料能带间隙(band gap)不同之故，载流子运输层16与载流子供应层18的界面数较佳形成异质接面(heterojunction)。异质接面处的能带弯曲，导带(conduction band)弯曲深处形成量子阱(quantum well)，将压电效应(piezoelectricity)所产生的电子约束于量子阱中，因此在载流子运输层16与载流子供应层18的界面处形成二微电子气(two-dimensional electrongas,2DEG)，进而形成导通电流。如图中所示，载流子运输层16与载流子供应层18的交界处较佳形成一通道区30，此通道区30即为二微电子气形成导通电流之处，且在此状态下的高电子迁移率晶体管通常具有正常开启(Normally on)的操作方式。
随着仅由金属所构成的栅极电极结构开始导入于由P型氮化镓(GaN)所构成的材料作为栅极电极下半部，高电子迁移率晶体管在此环境模式下即由正常开启操作模式转换为正常关闭(Normally off)的操作方式。然而在此操作模式下的元件又通常具有动态阻值比例降低(dynamic Ron ratio reduction)以及晶格不匹配(lattice mismatch)等缺点，其中晶格不匹配又可能影响前述二微电子气的形成。
为了改善这两个缺点本发明首先将载流子供应层18中原本呈现平均分布的铝浓度转变为梯度分布或渐层分布，其中靠近载流子供应层16与栅极电极20下半部22交界处的载流子供应层16内较佳具有较高浓度的铝原子而靠近载流子运输层16及载流子供应层18交界处的载流子供应层18内则具有较低浓度的铝浓度。通过调整铝原子的浓度梯度本发明可有效改善高电子迁移率晶体管在正常关闭操作时动态阻值比例降低的问题。
除此之外，本发明另一实施例又可将现有由P型氮化镓(GaN)所构成的栅极电极20下半部22取代为P型氮化铝镓(AlyGa1-yN)，其中0<y<1且y小于前述载流子供应层18中氮化铝镓(AlxGa1-xN)的x，同时栅极电极20下半部22中又较佳包含镁或锌的掺质。通过栅极电极20下半部22材料的替换本发明可改善现行高电子迁移率晶体管中晶格不匹配(latticemismatch)进而影响二微电子气形成的缺点。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。

Claims (18)

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上；
载流子运输层，设于该缓冲层上；
载流子供应层，设于该载流子运输层上，其中该载流子供应层包含铝的浓度梯度，且铝的浓度是朝该载流子运输层及该载流子供应层之间的交界降低；
栅极电极，设于该载流子供应层上；以及
源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子运输层包含非刻意掺杂氮化镓。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含N型氮化铝镓。
5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含硅或锗的掺质。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含外延层。
7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层的底部切齐该源极电极以及该漏极电极的底部。
8.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上；
载流子运输层，设于该缓冲层上；
载流子供应层，设于该载流子运输层上；
栅极电极，设于该载流子供应层上，其中该栅极电极包含上半部以及下半部且该上半部及该下半部包含不同材料，且该上半部包含金属且该下半部包含外延层；以及
源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。
9.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
10.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子运输层包含非刻意掺杂氮化镓。
11.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含N型氮化铝镓。
12.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含硅或锗的掺质。
13.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含外延层。
14.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中下半部包含P型氮化铝镓。
15.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该下半部包含镁或锌的掺质。
16.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该下半部厚度小于该上半部厚度。
17.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该上半部侧壁切齐该下半部侧壁。
18.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层的底部切齐该源极电极以及该漏极电极的底部。
CN201910103281.6A 2019-02-01 2019-02-01 一种高电子迁移率晶体管 Active CN111524958B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910103281.6A CN111524958B (zh) 2019-02-01 2019-02-01 一种高电子迁移率晶体管
US16/294,893 US10714607B1 (en) 2019-02-01 2019-03-06 High electron mobility transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910103281.6A CN111524958B (zh) 2019-02-01 2019-02-01 一种高电子迁移率晶体管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111524958A CN111524958A (zh) 2020-08-11
CN111524958B true CN111524958B (zh) 2023-05-02

Family

ID=71519844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910103281.6A Active CN111524958B (zh) 2019-02-01 2019-02-01 一种高电子迁移率晶体管

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10714607B1 (zh)
CN (1) CN111524958B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112242441A (zh) * 2019-07-16 2021-01-19 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管
TWI775065B (zh) * 2020-04-13 2022-08-21 世界先進積體電路股份有限公司 半導體裝置
CN116583957A (zh) * 2020-12-08 2023-08-11 罗姆股份有限公司 氮化物半导体装置
CN115394846A (zh) 2021-05-24 2022-11-25 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法
CN115621310B (zh) 2021-07-16 2026-01-02 联华电子股份有限公司 半导体装置以及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62239584A (ja) * 1986-04-11 1987-10-20 Hitachi Ltd 半導体装置
US4958203A (en) * 1986-10-31 1990-09-18 Fujitsu Limited High electron mobility transistor
JPH06163598A (ja) * 1992-11-26 1994-06-10 Fujitsu Ltd 高電子移動度トランジスタ
JP2003234356A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Oki Electric Ind Co Ltd 高電子移動度トランジスタ
CN103904111A (zh) * 2014-01-20 2014-07-02 西安电子科技大学 基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011171640A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Sanken Electric Co Ltd 窒化物半導体装置及びその製造方法
CN102299071A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 中国科学院微电子研究所 一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法
US8791504B2 (en) * 2011-10-20 2014-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate breakdown voltage improvement for group III-nitride on a silicon substrate
JP6762977B2 (ja) * 2018-03-06 2020-09-30 株式会社東芝 半導体装置、半導体装置の製造方法、電源回路、及び、コンピュータ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62239584A (ja) * 1986-04-11 1987-10-20 Hitachi Ltd 半導体装置
US4958203A (en) * 1986-10-31 1990-09-18 Fujitsu Limited High electron mobility transistor
JPH06163598A (ja) * 1992-11-26 1994-06-10 Fujitsu Ltd 高電子移動度トランジスタ
JP2003234356A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Oki Electric Ind Co Ltd 高電子移動度トランジスタ
CN103904111A (zh) * 2014-01-20 2014-07-02 西安电子科技大学 基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111524958A (zh) 2020-08-11
US20200251583A1 (en) 2020-08-06
US10714607B1 (en) 2020-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11705512B2 (en) High electron mobility transistor (HEMT) and forming method thereof
JP5580602B2 (ja) デプレッションモードＧａＮベースＦＥＴを使用したカスコード回路
CN111524958B (zh) 一种高电子迁移率晶体管
CN104576861B (zh) 半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法
CN103548127A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN101689563A (zh) 高电压GaN基异质结晶体管结构及其形成方法
CN112436056B (zh) 高电子迁移率晶体管
US11843046B2 (en) High electron mobility transistor (HEMT)
CN100568530C (zh) 半导体器件
CN116487425A (zh) 高电子迁移率晶体管及其制作方法
TWM508782U (zh) 半導體裝置
US12369371B2 (en) High electron mobility transistor and method for fabricating the same
US12040380B2 (en) High electron mobility transistor and method for fabricating the same
CN116487259A (zh) 高电子迁移率晶体管及其制作方法
CN116153993A (zh) 半导体结构及其形成方法
TWI909074B (zh) 高電子遷移率電晶體及其製作方法
US12176431B2 (en) Electronic device employing two-dimensional electron gas with reduced leakage current
KR102029816B1 (ko) 이종 접합 전계 효과 트랜지스터
HK1142996B (zh) 採用耗盡模式gan基fet的串叠電路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant