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CN111509110A - 发光装置 - Google Patents

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CN111509110A
CN111509110A CN201911289409.9A CN201911289409A CN111509110A CN 111509110 A CN111509110 A CN 111509110A CN 201911289409 A CN201911289409 A CN 201911289409A CN 111509110 A CN111509110 A CN 111509110A
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CN
China
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light
light emitting
electrode
emitting unit
substrate
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Application number
CN201911289409.9A
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李允燮
金多慧
李祥弘
朴炳奎
金岱昱
朴宰贤
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Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
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Priority claimed from KR1020140161072A external-priority patent/KR102306802B1/ko
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Abstract

一种发光装置，包括：基板，其包括包围第一电极、第二电极、第三电极和第四电极的基底；第一发光单元，设置在基板上，并且包括第一发光二极管和第一波长转换器，设置在第一发光二极管上；第二发光单元，设置在基板上，与第一发光单元相隔开，并且包括第二发光二极管和第二波长转换器，设置在第二发光二极管上；以及侧壁，设置成包围第一发光单元的侧面和第二发光单元的侧面，且在第一发光单元和第二发光单元之间，其中第一发光二极管与第二发光二极管之间的第一间隔距离不同于第一波长转换器与第二波长转换器之间的第二间隔距离，侧壁包括反光材料，侧壁的侧面与基板的侧面齐平，以及侧壁的上表面与第一发光单元和第二发光单元的各个上表面齐平。

Description

发光装置
本申请是申请号为201580062657.3、申请日为2015年11月18日、发明 名称为“发光装置及包括该发光装置的车辆用照明灯”的发明专利申请的分 案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光装置及包括该发光装置的车辆用照明灯，尤其涉及 一种能够发出两种以上的彼此不同的波长的光的发光装置及包括该发光装置 的车辆用照明灯。
背景技术
发光二极管是发出通过电子和空穴的再结合而产生的光的无机半导体元 件，最近，在显示器、汽车照明灯、普通照明灯等多样的领域中得到使用。 发光二极管的寿命长，消耗的电力低，响应速度快，因此包含发光二极管的 发光装置被期望代替现有的光源。
由于这种发光二极管发出具有相对较窄的半值宽(half-width)的光，所 以一般的发光二极管总体发出接近于单颜色的光。因此如果根据需求而期望 在一个发光模块或发光机构发出多种颜色的光，则需要将发出彼此不同的颜 色的光的发光二极管封装件等设置在一个模块。
发明内容
技术问题
本发明所要解决的课题在于提供一种包括两个以上的发光部的发光装置。
本发明所要解决的另一课题在于，提供一种具有组合照明灯的车辆用照 明灯，所述组合照明灯使一个发光装置发出具有两个以上的颜色的光，从而 能够实现多个功能。
本发明所要解决的又一课题在于，提供一种散热效率高且具有高可靠性 的发光装置。
技术手段
根据本发明的一方面的发光装置包括：
基板，所述基板包括包围第一电极、第二电极、第三电极和第四电极的 基底；
第一发光单元，设置在所述基板上，所述第一发光单元包括：
第一发光二极管；以及
第一波长转换器，设置在所述第一发光二极管上；
第二发光单元，设置在所述基板上，与所述第一发光单元相隔开，所述 第二发光单元包括：
第二发光二极管；以及
第二波长转换器，设置在所述第二发光二极管上；以及
侧壁，设置成包围所述第一发光单元的侧面和所述第二发光单元的侧面， 且在所述第一发光单元和所述第二发光单元之间；
其中所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间的第一间隔距离不 同于所述第一波长转换器与所述第二波长转换器之间的第二间隔距离，
其中所述侧壁包括反光材料，
其中所述侧壁的侧面与所述基板的侧面齐平，以及
其中所述侧壁的上表面与所述第一发光单元和所述第二发光单元的各个 上表面齐平。
所述第一间隔距离可以大于所述第二间隔距离。
所述第一电极和所述第二电极可以电连接到所述第一发光单元，并且所 述第三电极和所述第四电极电连接到所述第二发光单元。
所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极可以彼此 绝缘，并且所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和第四电极中的每 一个可以暴露于所述基板的外部表面。
所述基板可以包括聚合物材料和陶瓷材料中的至少一种。
所述第一发光单元和所述第二发光单元可以被配置为发射具有不同峰值 波长的光。
所述第一发光单元可以被配置为发射白色光。
所述第二发光单元可以被配置为发射琥珀色光。
所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一个可以包括设置在 其下表面上的焊盘电极。
所述侧壁可以包围所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一 个的下表面的至少一部分以及所述焊盘电极的侧面的至少一部分。
所述第一波长转换器和所述第二波长转换器在平面图中可以具有比第一 发光二极管的上表面和第二发光二极管的上表面更大的表面积。
所述侧壁可以直接接触所述第一波长转换器和所述第二波长转换器两者。
介于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的所述侧壁的一部分的 第一厚度可以小于与从所述侧壁的外围表面到所述第一发光单元和所述第二 发光单元中的一个侧面的最短距离对应的侧壁的一部分的第二厚度。
根据本发明的另一方面的车辆用照明灯包括：组合照明灯，发出至少两 种颜色的光，并执行至少两种功能，所述组合照明灯包括：第一发光部；第 二发光部，与所述第一发光部相隔；侧壁部，包围所述第一发光部和所述第 二发光部的侧面，并与所述第一发光部和所述第二发光部的侧面相接，其中， 所述第一发光部和所述第二发光部发出具有彼此不同的峰值波长的光，在所 述第一发光部发光时和所述第二发光部发光时的组合照明灯的功能彼此不同。
所述第一发光部可以在所述组合照明灯发挥日间行车灯(DRL)功能时发 光，所述第二发光部可以在所述组合照明灯发挥方向指示灯功能时发光。
所述第一发光部可以发出白色光，所述第二发光部发出琥珀色光。
所述发光装置还可以包括基板，所述第一发光部、第二发光部及所述侧 壁部位于所述基板上。
所述车辆用照明灯还可以包括：控制部，用于控制所述发光装置。
根据本发明的又一方面的发光装置包括：
基板，所述基板包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；
第一发光单元，设置在所述基板上，所述第一发光单元包括：
第一发光二极管；以及
第一波长转换器，设置在所述第一发光二极管上；
第二发光单元，设置在所述基板上，与所述第一发光单元相隔开，所述 第二发光单元包含：
第二发光二极管；以及
第二波长转换器，设置在所述第二发光二极管上；以及
侧壁，包围所述第一发光单元的侧面和所述第二发光单元的侧面；
其中填充所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间的间隔的侧壁 的第一部分比填充所述第一波长转换器与所述第二波长转换器之间的间隔的 侧壁的第二部分厚。
所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极可以垂直 穿过所述基板形成，以暴露于所述基板的上表面和下表面。
所述发光装置，还可以包括：
第一接合层，介于所述第一发光单元和所述基板之间；
第二接合层，介于所述第二发光单元和所述基板之间。
所述第一电极和所述第二电极可以电连接到所述第一发光单元，并且所 述第三电极和所述第四电极可以电连接到第二发光单元。
所述基板可以具有使所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所 述第四电极绝缘的基底，并且所述基底的侧面可以与所述侧壁的侧面共面。
对应于与从所述侧壁的外围表面到所述第一波长转换器和所述第二波长 转换器中的一个的侧面的最短距离的所述侧壁的第三部分的厚度可以不同于 所述侧壁的第一部分的厚度。
所述侧壁的第一部分的厚度可以小于所述侧壁的第三部分的厚度。
技术效果
根据本发明，可以提供一种根据需求而选择性发出不同颜色的光的发光 装置，因此能够省略将发出彼此不同的颜色的两个以上的发光装置单独制造 的工序，从而能够简化制造工序。
此外，通过将所述发光装置应用到车辆用照明灯，能够简化在一个照明 灯执行多个功能的组合照明灯的制造工序，且能够减少不良。
根据本发明，公开了一种包含接合层的发光装置，所述接合层包含金属 离子烧结体，从而能够提供一种散热效率优良，且由于能够有效地防止电短 路等而可靠性较高的发光装置。
附图说明
图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的立体图。
图2是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的平面图。
图3是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的底部平面图。
图4是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
图5a及图5b是用于说明根据本发明的另一实施例的发光装置的剖面图。
图6是用于说明根据本发明的又一实施例的发光装置的平面图。
图7是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
图8a及图8b是用于说明根据本发明的另一实施例的发光装置的接合层 的放大剖面图。
图9至图12是用于说明根据本发明的又一实施例的发光装置的立体图、 平面图、底部平面图及剖面图。
图13是用于说明根据本发明的又一实施例的车辆用照明灯的正面图。
具体实施方式
在制造发出两个以上的颜色的发光二极管或者发光机构时，发出彼此不 同的颜色的发光二极管封装件的贴装工序至少要执行两次。随着工序数的增 加，发光模块或发光机构的制造产率可能会减少。此外，随着贴装多个发光 二极管封装件，只能使发光模块或者发光机构的体积相对增加。
此外，为了提高这种发光模块或发光机构的发光强度，要求具备三个以 上的发光二极管封装件，且在各个发光二极管封装件的发光特性之间有差异 的情况下，制造出的发光模块之间的发光颜色会发生偏差。进而，由于空间 上的限制，可贴装的发光二极管封装件的数量也被限制，因此难以制造发出 用户所需要的充分的光量的发光模块或者发光机构。
此外，为了在独立的基板贴装倒装芯片(flip chip)型发光二极管，要求 进行利用具有导电性的物质而将所述发光二极管结合到基板的工序。在现有 技术中，作为将倒装芯片型发光二极管接合到基板的方法，利用了导电焊膏， 或者利用了共晶(eutectic)接合，或者利用了金凸点(Au bump)球焊(ball bonding)方法等。
在利用导电焊膏的情况下，由于所述焊膏的粘性而在粘结过程中发生铺 开现象，从而发生n电极和p电极彼此电连接而导致发光二极管发生电短路 的问题。此外，对共晶接合的情况而言，由于在共晶接合的结构内发生气孔(pore)，所以可靠性上可能会发生问题。此外，对金凸点球焊的情况而言， 由于接触面积相对的较小，所以散热效率较低，因此机械可靠性较低。
以下，参照附图对本发明的实施例进行详细的说明。以下说明的实施例 为了给本发明所属技术领域的普通技术人员充分传递本发明的思想而作为示 例被提供。因此，本发明并不局限于以下说明的实施例，可以具体化为其他 形态。而且在附图中，构成要素的宽度、长度、厚度等为了方便起见而有可 能夸大表示。此外，当记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或 者“上方”时，其不仅包括各个构成要素位于另一构成要素的“紧邻的上部” 或者“紧邻的上方”的情形，还包括各个构成要素和另一构成要素之间包括 又一构成要素的情形。贯穿整个说明书，相同的参照标号表示相同的构成要 素。
图1至图4分别是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的立体图、 平面图、底部平面图以及剖面图。尤其，图4的剖面图示出对应于图1至图 3的A-A线的区域的剖面。
参照图1至图4，发光装置10可以包括两个以上的发光部，具体而言， 发光装置10包括第一发光部100、第二发光部200、侧壁部300。进而，发 光装置10还可以包括基板400及保护元件310。
基板400可以位于发光装置10的底部，且可以起到支撑第一发光部100 及第二发光部200和侧壁部300的作用。基板400可以是绝缘性基板或者导 电性基板，此外，可以是包括导电性图案的PCB。在基板400为绝缘性基板 的情况下，基板400可以包括聚合物物质或者陶瓷物质，例如，可以包括AIN 之类的具有优良的导热性的陶瓷物质。
此外，基板400可以包括基底410，进而还可以包括第一电极至第四电极 421、431、423、433。此时，基底410可以起到将基板400及多个电极421、 431、423、433整体支撑的作用，且为了使多个电极421、431、423、433彼 此绝缘而包括绝缘性物质。例如，基底410可以包括A1N之类的具有优良的 导热性的陶瓷物质。
第一电极至第四电极421、431、423、433可以彼此绝缘，且可以沿上下 贯通基底410而暴露于基底410的上部及下部上。据此，多个电极421、431、 423、433可以电连接于位于基板400上的第一发光部100及第二发光部200， 且可以通过暴露于基板400下部的部分而电连接于外部电源，从而向第一发 光部100及第二发光部200供应电源。
只不过，本发明并不局限于此，第一电极至第四电极421、431、423、433 的形状可以形成为多种多样。例如，第一电极至第四电极421、431、423、 433中的至少一个可以通过基底410的侧面而暴露，此外，第一电极至第四 电极421、431、423、433中的至少一部分可以彼此电连接。此外，根据包含 在发光装置10的发光部的数量，发光装置10还可以包括五个以上的电极。 下文中，针对发光部100、200和电极之间的电连接形态进行详细的说明。
另外，在某些实施例中，基板400可以被省略。
再次参照图1至图4，发光装置10可以包括至少两个发光部，且如同本 实施例，可以包括第一发光部100和第二发光部200。第一发光部100和第 二发光部200可以位于基板400上。
第一发光部100可以包括第一发光元件110及第一波长转换部120。此外， 第一发光元件110可以包括发光结构体111、第一焊盘电极113及第二焊盘 电极115。第一发光部100可以发出具有与第二发光部200不同的波长带 (wavelength range)的光，例如，可以发出白色光。
发光结构体111可以包括n型半导体层、p型半导体层及位于n型半导体 层与p型半导体层之间的活性层，据此，在向第一发光元件110供应电源时 可以发光。第一焊盘电极113和第二焊盘电极115可以分别电连接于n型半 导体层以及p型半导体层(或者可以相反)。尤其，第一焊盘电极113和第 二焊盘电极115可以从发光结构体111向下方延伸而形成，据此，第一焊盘 电极113和第二焊盘电极115可以位于与发光结构体111的下部。与此相反， 第一焊盘电极113和第二焊盘电极115也可以位于与发光结构体111的下表 面大致相同的平面上。进而，第一焊盘电极113及第二焊盘电极115也可以 位于比发光结构体111的下表面高的位置。在此情况下，在发光结构体111 的下表面可以形成有槽，且在所述槽可以暴露有第一焊盘电极113和第二焊 盘电极115。第一发光元件110的结构上的形态不受限，例如，可以是第一 发光电极113和第二发光电极115位于发光结构体111的一面上的倒装芯片 (flip chip)型半导体发光元件。
第一焊盘电极113及第二焊盘电极115可以分别电连接于第一电极421 及第二电极431。据此，可以通过第一电极421及第二电极431而向第一发 光元件110供应电源。
第一波长转换部120可以位于第一发光元件110上，且可以覆盖第一发 光元件110的上表面的至少一部分。进而，第一波长转换部120可以形成为 与第一发光元件110的上表面大致相同的面积，据此，如图所示，第一发光 元件110的侧面和第一波长转换部120的侧面可以大致齐平地形成。
第一波长转换部120可以包含荧光体以及装载所述荧光体的装载部。第 一波长转换部120可以包括普通技术人员所周知的多样的种类的荧光体，例 如，石榴石型荧光体、铝酸盐荧光体、硫化物荧光体、氧氮化合物荧光体、 氮化物荧光体、氟化物系荧光体、硅酸盐荧光体等，且可以转换从第一发光 元件110发出的光的波长而使第一发光部100发出白色光。例如，在第一发 光元件110发出具有蓝色光带的峰值波长的光的情况下，第一波长转换部120 可以包含发出具有比蓝色光长的波长的峰值波长的光(例如，绿色光、红色 光或者黄色光)的荧光体。或者，在第一发光元件110发出具有UV光带的 峰值波长的光的情况下，第一波长转换部120可以包含具有比UV光长的波 长的峰值波长的光(例如，蓝色光、绿色光、红色光或者黄色光)的荧光体。
所述装载部可以包含聚合物树脂、玻璃之类的陶瓷等。所述荧光体可以 在装载部内无规则地布置。例如，在装载部由环氧树脂或者丙烯酸树脂等树 脂形成的情况下，可以通过在第一发光元件110上涂覆并硬化包含荧光体的 树脂而提供第一波长转换部120。
与此不同，第一波长转换部120可以包含单晶物质。包含单晶物质的第 一波长转换部120可以被提供为荧光体片形态，而且所述片形态的第一波长 转换部120自身可以由单晶荧光体构成。通过包含单晶荧光体的第一波长转 换部120的光可以发出具有大致恒定的颜色坐标的光。例如，所述单晶荧光 体可以是单晶的YAG:Ce。这种片形状的第一波长转换部120可以粘接于第 一发光元件110上而形成。
第二发光部200可以位于基板400上，此外，可以从第一发光部100隔 开而布置。第二发光部200可以包含第二发光元件210以及第二波长转换部 220。此外，第二发光元件210可以包含发光结构体211、第三焊盘电极213 以及第四焊盘电极215。第二发光部200可以发出与第一发光部100不同的 波长带的光，例如，可以发出琥珀(amber)颜色的光。
关于第二发光元件210的发光结构体211、第三焊盘电极213及第四焊盘 电极215的说明分别大致地类似于第一发光元件110的发光结构体111、第 一焊盘电极113以及第二焊盘电极115。只不过，第三焊盘电极213可以电 连接于第三电极423，第四焊盘电极215可以电连接于第四电极433。
据此，第一发光元件110和第二发光元件120可以分别电连接于独立的 电极421、431、423、433。通过向所述电极421、431、423、433独立地连 接所供应的电源，可以使第一发光部100和第二发光部200独立地驱动。只 不过，本发明并不局限于此，电极421、431、423、433可以相互电连接。进 而，发光装置10还可以包括专门的控制部(未示出)，且可以借助所述控制 部而控制第一发光部100和第二发光部200的驱动。
与第二波长转换部220相关的说明与第一波长转换部120大致相同，只 不过，包含在第二波长转换部220的荧光体可以与包含在第一波长转换部120 的荧光体不同。
即，第二发光部200发出的光可以通过第二波长转换部220而发出，因 此第二波长转换部220可以包含与包含在第一波长转换部120的荧光体不同 的荧光体。据此，从第二发光元件210发出的光可以在第二波长转换部220 被激发，从而具有琥珀光带的峰值波长的光可以从第二发光部200发出。
在一些实施例中，第二波长转换部220还可以不包含荧光体。例如，在 期望从第二发光部200发出的光的波长带与从第二发光元件210发出的光的 波长带大致一致的情况下，第二波长转换部220可以不包含荧光体。在此情 况下，第二波长转换部220可以包含TiO2之类的光散射剂。
另外，与如图4所示的内容不同，如图5a以及图5b所示，第一波长转换 部120和第二波长转换部220可以分别形成为具有大于第一发光元件110和 第二发光元件210的上表面的面积，进而，可以进一步覆盖至第一发光元件 110和第二发光元件210的侧面。
参照图5a，对发光元件10a而言，第一波长转换部120a和第二波长转换 部220a分别可以形成为具有大于第一发光元件110和第二发光元件210的上 表面的面积。据此，从第一发光部100a和第二发光部200a发出光的面积可 以相对更宽地形成。而且，参照图5b，对于发光元件10b而言，第一波长转 换部120b和第二波长转换部220b可分别形成为进一步覆盖至第一发光元件 110和第二发光元件210的侧面。进而，第一波长转换部120b和第二波长转 换部220b可分别进一步覆盖第一发光元件110、第二发光元件210的下表面 的至少一部分。此时，第一波长转换部120b、第二波长转换部220b可以包 围焊盘电极的侧面。在此情况下，从发光元件的侧面发出的光可以直接入射 到波长转换部，而且波长转换效率可以进一步得到提高。
侧壁部300可以覆盖第一发光部100及第二发光部200的侧面，进而， 还覆盖第一波长转换部120、第二波长转换部220的侧面。侧壁部300可与 第一发光部100和第二发光部200接触。而且，侧壁部300的一部分还覆盖 第一发光元件110和第二发光元件210的下表面的一部分，此时，焊盘电极 113、115、213、215的侧面被侧壁部300包围。
侧壁部300可以支撑第一发光部100及第二发光部200，此外，可以从外 部环境保护第一发光部100和第二发光部200。进而，侧壁部300可以起到 使光反射的作用。随着侧壁部300形成于发光装置10的外廓侧面，可以使从 发光部100、200发出的光朝向上部集中。只不过，本发明并不局限于此，可 以根据需求而调整侧壁部300的反射度、光透射度等，从而调节从发光部100、 200发出的光的光束发散角(Angle of Beam Spread)。
侧壁部300可以包含绝缘性聚合物物质或者陶瓷，进而，还可以包括能 够使光反射或散射的填料(filler)。侧壁部300可以具有光透射性、光半透 射性或者光反射性。例如，侧壁部300可以包括硅树脂或者环氧树脂、聚酰 亚胺树脂、聚氨酯树脂等聚合物树脂。在本实施例中，所述侧壁部300可以 包括具有光反射性的白色硅树脂。
所述填料可以在侧壁部300内均匀地分散布置。所述填料只要是能够使 光反射或散射的物质则不会受限，例如，可以是氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2) 或者氧化锆(ZrO2)等。侧壁部300可以包括所述填料中的至少一个。通过 调节填料的种类或浓度，可以调节侧壁部300的反射度或者光的散射程度等。
另外，侧壁部300的上表面和第一发光部100、第二发光部200的上表面 可以构成彼此相同的高度。即，如图所示，侧壁部300的上表面和波长转换 部120、220的上表面可以齐平地(flush)形成。
此外，形成于第一发光部100和第二发光部200之间的侧壁部300的厚 度可以小于侧壁部300的外廓侧面边框部分的厚度。即，如图2所示，用于 填充第一发光部100和第二发光部200的相隔的区域的侧壁部300的厚度x 可以小于与从侧壁部300的外廓侧面到第一发光部100和第二发光部200中 的一个侧面之间的最短距离对应的厚度y。据此，可以通过使第一发光部100 和第二发光部200之间的相隔的距离最小化而使发光装置10进一步得到小型 化，进而，可以更为有效地从外部保护第一发光部100和第二发光部200。
此外，根据本实施例的发光装置10还可以包括保护元件310。保护元件 310可以布置于侧壁部300内，例如，可以包括齐纳二极管。保护元件310 可以电连接于第一发光元件110和第二发光元件120中的至少一个，从而能 够防止第一发光元件110及第二发光元件120因静电放电等而受损。保护元 件310可以分别独立地连接于第一发光元件110和第二发光元件120，或者， 可以同时连接于第一发光元件110和第二发光元件120。
在发光装置10还包括保护元件310的情况下，保护元件310可以偏向于 侧壁部300的至少一个侧面而布置。例如，如图2所示，保护元件310可以 偏向于侧壁部300的一侧面而布置于侧壁部300内。据此，从偏向布置有保 护元件310的侧壁部300的一侧面到发光部100、200之间的距离可以大于从 侧壁部300的另一侧面到发光部100、200之间的距离。即，保护元件310所 处的部分的侧壁部300的侧壁厚度可以比其他部分的侧壁厚度厚。
根据上述的实施例，发光装置10、10a、10b包括彼此相隔地布置在基板 400上的第一发光部100和第二发光部200，且所述第一发光部100和第二发 光部200可以分别电连接于彼此不同的电极。据此，第一发光部100和第二 发光部200可以彼此独立地驱动，且根据需求，可以提供选择性发出不同颜 色的光的发光装置10。因此，可以省略将发出彼此不同颜色的光的至少两个 发光装置单独制造的过程，从而能够简化制造工序。进而，可以只利用一个 发光装置发出多个颜色的光，因此能够减少在特定应用装置中的发光装置所 占的空间比率。
另外，根据本发明的发光装置并不局限于上述实施例，还可以包括三个 以上的发光部。例如，如图6所示，发光装置10c可以包括多个第一发光部 100和多个第二发光部200。多个第一发光部100可以相互串联连接或并联连 接，而且多个第二发光部200也可以相互串联连接或并联连接。如上所述， 由于发光装置10c包含三个以上的发光部，可以提高发光装置10c的发光强 度。
此外，本发明的发光装置还可以包括发出三种以上的颜色的光的发光部。
图7是用于说明根据本发明的实施例的发光装置的剖面图，图8a及图8b 是用于说明根据本发明的其他实施例的发光装置的接合层的放大剖面图。
根据本实施例的发光装置10d与参照图1至图4而说明的发光装置的第 一发光部100大致类似，但是在其还包括接合层130这一点上存在差异。以 下，以区别点为中心对本实施例的发光装置进行说明，并省略针对相同构成 的详细的说明。尤其，在本实施例中，对包含一个发光部的发光装置10d进 行说明，但是本发明并不局限于此，本实施例的接合层130对包含多个发光 部的发光装置也可以类似或相同地被应用。
首先，参照图7，发光装置10d包括包含发光元件110及波长转换部120 的第一发光部100、接合层130、侧壁部300及基板400。进而，发光装置10d 还可以包括保护元件(未示出)。
发光元件110可以位于基板400上，且可以包括发光结构体111。此外， 发光元件110还可以包括第一焊盘电极和第二焊盘电极。发光元件110可以 借助接合层130而贴装于基板400上。发光元件110的结构上的形态不受限， 例如，可以是焊盘电极位于发光结构体111的一面上的倒装芯片型半导体发 光元件。
接合层130可以位于发光元件110和基板400之间，此外，可以将发光 元件110通过接合而贴装于基板400。此外，接合层130可以包含第一接合 层131以及第二接合层133。
第一接合层131和第二接合层133彼此隔开而绝缘，且可以分别电连接 于发光结构体111的彼此不同的极性的半导体层。此外，第一接合层131和 第二接合层133可以位于基板400的第一电极421及第二电极431上，且可 以电连接。
接合层130可以包括具有导电性的物质，尤其，可以包括金属烧结体。 例如，接合层130可以包括Ag粒子被烧结而形成的Ag烧结体。这种接合层 130可以通过如下方法而形成：在基板400上的与形成接合层130的区域对 应的部分形成多个Ag烧结体薄膜，并在所述Ag烧结体薄膜上布置发光元件 110，之后对所述Ag烧结体薄膜施加低温和/或压力而使其硬化。据此，借助 接合层130，发光元件110可以与基板400相接合。
对由金属烧结体薄膜形成的接合层130而言，即使在布置发光元件110 之后使其硬化，也几乎没有体积变化或位置变化。因此，可以防止如同现有 的焊膏那样在贴装发光元件110的过程中由于第一接合层131与第二接合层 133接触而发生电短路。此外，由于利用预先制造的烧结体薄膜，所以在贴 装发光元件110的过程中不会在接合层130内发生空孔或者气孔，因此能够 防止接合层130的散热效率降低，且能够防止机械强度降低。进而，由于可 以自由地调节由接合层130形成的烧结体薄膜的厚度，所以能够使所述烧结 体薄膜的厚度较厚地形成，从而在驱动发光元件110时提高散热效率。例如， 接合层130的厚度可以为约10～30μm。通过提供散热效率得到提高的发光装 置，可以对要求高输出的发光装置的应用，例如，车辆用车前灯(head lamp) 等有利地采用根据实施例的发光装置。不仅如此，由于金属烧结体薄膜的硬 化可以在相对较低的压力和较低的温度下执行，所以在将发光元件110接合 到基板400的过程中无需担心发生高温或高压等所引起的发光元件110的受 损。
另外，发光元件110还可以包括形成于发光结构体111的下表面的第一 焊盘电极113及第二焊盘电极115，参照图8a及图8b而对在发光元件110 包含焊盘电极113、115的情况下的与接合层130之间的关系进行更为详细的 说明。
第一焊盘电极113和第二焊盘电极115分别可以电连接于n型半导体层 及p型半导体层(或者相反)。尤其，第一焊盘电极113和第二焊盘电极115 可以从发光结构体111朝向下方延伸而形成，据此，第一焊盘电极113和第 二焊盘电极115可以位于第一发光元件110的下部。与此相反，第一焊盘电 极113和第二焊盘电极115还可以位于与发光结构体111的下表面大致相同 的平面上。进而，第一焊盘电极113和第二焊盘电极115还可以位于比发光结构体111的下表面高的位置。在此情况下，在发光结构体111的下表面可 以形成有槽，且在所述槽可以暴露有第一焊盘电极113和第二焊盘电极115。
第一焊盘电极113和第二焊盘电极115分别可以电连接于基板400的第 一电极421和第二电极431。此时，焊盘电极113、115可以借助接合层130 而电连接于电极421、431。
具体而言，参照图8a，第一焊盘电极113和第二焊盘电极115分别可以 接触到第一接合层131a和第二接合层133a。第一接合层131a可以覆盖第一 板电极113的至少一部分，尤其，第一接合层131a可以覆盖第一板电极113 的下表面和侧面的一部分。类似地，第二接合层133a可以覆盖第二焊盘电极 115的至少一部分，尤其，第二接合层133a可以覆盖第二焊盘电极115的下 表面及侧面的一部分。
更为具体地，第一接合层131a和第二接合层133a可以将除了第一焊盘电 极113和第二焊盘电极115彼此面对的第一焊盘电极113和第二焊盘电极115 的侧面以外的其他侧面全部覆盖。即，如图所示，第一接合层131a的一侧面 可以不覆盖第一焊盘电极113的侧面中的第一焊盘电极113和第二焊盘电极 115所面对的侧面，并与所述所面对的侧面齐平地形成。第二接合层133a也 不覆盖第二焊盘电极113的侧面中的第一焊盘电极113和第二焊盘电极115 所面对的侧面，并与所述所面对的侧面齐平地形成。进而，第一接合层131a 的除了一侧面以外的其余的侧面可以与发光元件110的侧面齐平地形成，且 第二接合层133a的除了一侧面以外的其余的侧面可以与发光元件110的侧面 齐平地形成。
接合层130a没有位于第一焊盘电极113和第二焊盘电极115的相隔的区 域，从而能够防止在贴装发光元件110时发生电短路。
此外，如图8b所示，接合层130b可以形成为覆盖第一焊盘电极113和 第二焊盘电极115的下表面及侧面。在此情况下，由于接合层130b的水平截 面积可以变宽，所以在驱动发光装置10时能够提高散热效率。
在本实施例中，侧壁部300可至少局部地接触于接合部130。尤其，在接 合部130延伸至发光元件110的侧面而形成且形成为倾斜的情况下，与接合 部130的侧面接触的部位的侧壁部300可以倾斜地形成。因此，发光装置10 的发光效率可以进一步得到提高。只不过，本发明并不局限于此，根据需求， 可以通过调节侧壁部300的反射度、光透射度等而调节从发光部100发出的 光的光束发散角。
在上述实施例中说明的接合部130可以被应用到如图1至图4所述的发 光装置。例如，图9至图12是用于说明根据本发明的实施例的发光装置的立 体图、平面图、底部平面图以及剖面图。
参照图9至图12说明的发光装置10e与参照图1至图4而说明的发光装 置相比，区别点在于发光装置10e还包括接合部130、230。以下，以区别点 为中心针对所述发光装置10e进行说明，并省略针对相同的构成的详细的说 明。
参照图9至图12，发光装置10e可以包括至少两个发光部。具体而言， 发光装置10e包括第一发光部100、第二发光部200、第一接合层130、第二 接合层230、侧壁部300及基板400。进而，发光装置10e还可以包括保护元 件310。
第一发光部100可以包括发光结构体111、第一焊盘电极113及第二焊盘 电极115，第二发光部200可以包括发光结构体211、第三焊盘电极213及第 四焊盘电极215。第一接合层130可以位于第一发光部100和基板400之间 而将第一发光部100接合到基板400。第二接合层230可以位于第二发光部 200和基板400之间而将第二发光部200接合到基板400。第一接合层130和 第二接合层230可以包括金属粒子烧结而形成的金属烧结体，尤其，可以包括Ag粒子被烧结而形成的Ag烧结体。
根据上述的实施例，发光装置10、10a、10b、10c、10d、10e可以包括在 基板400上彼此隔开地布置的至少两个发光部。例如，发光装置10、10a、10b、 10c、10d、10e可以包括第一发光部100和第二发光部200，所述第一发光部 100及第二发光部200分别可以电连接于彼此不同的电极。据此，第一发光 部100和第二发光部200可以彼此独立地被驱动，且根据需求，可以提供选 择性地发出彼此不同的颜色的光的发光装置10a。因此，可以省略将发出彼此 不同的颜色的光的至少两个发光装置单独制造的过程，从而能够简化制造工 序。进而，可以只利用一个发光装置来发出多个颜色的光，因此可以在特定 的应用装置中减少发光装置所占的空间比率。
另外，根据本发明的发光装置并不局限于上述的实施例，还可以包括三 个以上的发光部。例如，发光装置可以包括第一发光部至第三发光部，且所 述第一发光部和第三发光部可以发出彼此不同的颜色坐标的光。此外，多个 发光部中的至少两个发光部也可以发出相同颜色坐标的光。
在上述的实施例中说明的发光装置可以从一个发光装置发出两个以上的 颜色的光。这种发光装置可以被应用到需要多个发光颜色的应用装置等中， 例如，可以被应用到车辆用照明灯。以下，参照图13而对包含根据本发明的 实施例的发光装置的车辆用照明灯进行说明。
图13是用于说明根据本发明的又一实施例的车辆用照明灯的正面图。
参照图13，根据本实施例的车辆用照明灯20可以包括组合照明灯23， 进而还可以包括主照明灯21。且所述车辆用照明灯20可以被应用在车前灯、 尾灯、侧视镜灯等多样的车辆部位。
主照明灯20在车辆用照明灯20中可以是主发光灯，例如，在车辆用照 明灯20被利用为车前灯的情况下，可以具有照亮车辆的前方的前照灯的功能。
组合照明灯23可以包括根据本发明的实施例的发光装置10。所述发光装 置10可以包括根据上述实施例的发光装置10、10a、10b、10c、10d、10e中 的至少一个。组合照明灯23可以具有至少两种功能。例如，在车辆用照明灯 被利用为车前灯的情况下，组合照明灯23可以执行日间行车灯(daytime running light；DRL)及方向指示灯的功能。
具体而言，对包括本实施例的车辆用照明灯20的车辆而言，在所述车辆 一般行驶状态下，组合照明灯23的发光装置10从发出白色光的第一发光部 100发光。据此，所述组合照明灯23可以发出白色光而执行日间行车灯的功 能。此外，在接通(turn-on)所述车辆的方向指示灯的情况下，组合照明灯 23的发光装置10关闭第一发光部100的电源且从第二发光部200发出琥珀 色的光。据此，所述组合照明灯23可以发出琥珀色的光而执行方向指示灯的 功能。这种组合照明灯23和发光装置10的驱动可以借助专门的控制部(未 示出)而得到控制。
如上所述，可以将根据本发明的实施例的发光装置10作为能够发出两种 以上的颜色的光而执行两种以上的功能的组合照明灯23的光源而使用。由于 根据本发明的实施例的发光装置10包括发出至少两个彼此不同的波长的光 的发光部，所以在制造包含组合照明灯23的车辆用照明灯20时，可以省略 贴装独立的两个以上的发光装置的工序。因此，能够减少车辆用照明灯20的 不良率，且能够简化制造工序，从而能够提高工艺产率。此外，由于发光装 置10的体积相对较小，所以在制造组合照明灯23时，可以减少空间制约， 且可以容易地实现组合照明灯23的多样的变形及变更。
只不过，本发明并不局限于此，所述发光装置可以应用于除了车辆用照 明灯以外的其他多样的应用机构。此外，本发明并不局限于上述的多样的实 施例和特征，在不脱离基于本发明的权利要求书的技术思想的范围内，可以 实现多样的变形和变更。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
基板，所述基板包括包围第一电极、第二电极、第三电极和第四电极的基底；
第一发光单元，设置在所述基板上，所述第一发光单元包括：
第一发光二极管；以及
第一波长转换器，设置在所述第一发光二极管上；
第二发光单元，设置在所述基板上，与所述第一发光单元相隔开，所述第二发光单元包括：
第二发光二极管；以及
第二波长转换器，设置在所述第二发光二极管上；以及
侧壁，设置成包围所述第一发光单元的侧面和所述第二发光单元的侧面，且在所述第一发光单元和所述第二发光单元之间；
其中所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间的第一间隔距离不同于所述第一波长转换器与所述第二波长转换器之间的第二间隔距离，
其中所述侧壁包括反光材料，
其中所述侧壁的侧面与所述基板的侧面齐平，以及
其中所述侧壁的上表面与所述第一发光单元和所述第二发光单元的各个上表面齐平。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一间隔距离大于所述第二间隔距离。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极和所述第二电极电连接到所述第一发光单元，并且所述第三电极和所述第四电极电连接到所述第二发光单元。
4.如权利要求3所述的发光装置，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极彼此绝缘，并且所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和第四电极中的每一个暴露于所述基板的外部表面。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述基板包括聚合物材料和陶瓷材料中的至少一种。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元被配置为发射具有不同峰值波长的光。
7.如权利要求6所述的发光装置，其中，所述第一发光单元被配置为发射白色光。
8.如权利要求6所述的发光装置，其中，所述第二发光单元被配置为发射琥珀色光。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一个包括设置在其下表面上的焊盘电极。
10.如权利要求9所述的发光装置，其中，所述侧壁包围所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一个的下表面的至少一部分以及所述焊盘电极的侧面的至少一部分。
11.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一波长转换器和所述第二波长转换器在平面图中具有比第一发光二极管的上表面和第二发光二极管的上表面更大的表面积。
12.如权利要求11所述的发光装置，其中，所述侧壁直接接触所述第一波长转换器和所述第二波长转换器两者。
13.如权利要求1所述的发光装置，其中，介于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的所述侧壁的一部分的第一厚度小于与从所述侧壁的外围表面到所述第一发光单元和所述第二发光单元中的一个侧面的最短距离对应的侧壁的一部分的第二厚度。
14.一种发光装置，包括：
基板，所述基板包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；
第一发光单元，设置在所述基板上，所述第一发光单元包括：
第一发光二极管；以及
第一波长转换器，设置在所述第一发光二极管上；
第二发光单元，设置在所述基板上，与所述第一发光单元相隔开，所述第二发光单元包含：
第二发光二极管；以及
第二波长转换器，设置在所述第二发光二极管上；以及
侧壁，包围所述第一发光单元的侧面和所述第二发光单元的侧面；
其中填充所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间的间隔的侧壁的第一部分比填充所述第一波长转换器与所述第二波长转换器之间的间隔的侧壁的第二部分厚。
15.如权利要求14所述的发光装置，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极垂直穿过所述基板形成，以暴露于所述基板的上表面和下表面。
16.如权利要求15所述的发光装置，还包括：
第一接合层，介于所述第一发光单元和所述基板之间；
第二接合层，介于所述第二发光单元和所述基板之间。
17.如权利要求16所述的发光装置，其中，所述第一电极和所述第二电极电连接到所述第一发光单元，并且所述第三电极和所述第四电极电连接到第二发光单元。
18.如权利要求17所述的发光装置，其中，所述基板具有使所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极绝缘的基底，并且所述基底的侧面与所述侧壁的侧面共面。
19.如权利要求14所述的发光装置，其中，对应于与从所述侧壁的外围表面到所述第一波长转换器和所述第二波长转换器中的一个的侧面的最短距离的所述侧壁的第三部分的厚度不同于所述侧壁的第一部分的厚度。
20.如权利要求19所述的发光装置，其中，所述侧壁的第一部分的厚度小于所述侧壁的第三部分的厚度。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD186014S (zh) * 2016-09-29 2017-10-11 新世紀光電股份有限公司 發光二極體模組之部分
US11257990B2 (en) * 2017-09-29 2022-02-22 Nichia Corporation Light emitting device
US20190198564A1 (en) 2017-12-20 2019-06-27 Lumileds Llc Monolithic segmented led array architecture with islanded epitaxial growth
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
JP6665872B2 (ja) * 2018-01-15 2020-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6769449B2 (ja) * 2018-01-30 2020-10-14 日亜化学工業株式会社 照明装置
WO2019177335A1 (ko) 2018-03-13 2019-09-19 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지
TWD201606S (zh) * 2018-06-28 2019-12-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
EP3598510B1 (en) * 2018-07-18 2022-02-23 Lumileds LLC Light emitting diode device and producing methods thereof
EP3608959B1 (en) * 2018-08-06 2023-11-15 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US11714153B2 (en) 2019-05-29 2023-08-01 Nvision Solutions, Inc. Remote controlled navigation/locator beacon system
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
DE102020206897A1 (de) * 2020-06-03 2021-12-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
USD993199S1 (en) * 2020-06-22 2023-07-25 Epistar Corporation Light-emitting device
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US12040432B2 (en) 2020-10-30 2024-07-16 Lumileds Llc Light emitting diode devices with patterned TCO layer including different thicknesses
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
JP7561698B2 (ja) * 2021-06-18 2024-10-04 スタンレー電気株式会社 車載用灯具
US12402440B2 (en) 2021-09-03 2025-08-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices with bonding and/or ohmic contact-reflective material
US12484346B2 (en) 2021-09-03 2025-11-25 Lumileds Singapore Pte. Ltd. Light emitting diode devices with bonding and/or ohmic contact-reflective material
US12419137B2 (en) 2021-09-10 2025-09-16 Lumileds Llc Light emitting diodes with segmented anodes by pixel
US12431478B2 (en) 2021-09-29 2025-09-30 Lumileds Singapore Pte. Ltd. Hybrid CMOS micro-LED display layout
US12433080B2 (en) 2021-09-29 2025-09-30 Lumileds Singapore Pte. Ltd. Hybrid CMOS micro-LED display layout
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area
US12490570B2 (en) 2021-11-12 2025-12-02 Lumileds Singapore Pte. Ltd. Thin-film LED array with low refractive index patterned structures
CN115188790A (zh) * 2022-07-12 2022-10-14 京东方科技集团股份有限公司 车辆、车尾灯、显示面板及其制作方法
FR3151077B1 (fr) * 2023-07-10 2025-11-07 Valeo Vision Module lumineux d’un dispositif de signalisation d’un véhicule automobile
TWI870997B (zh) * 2023-09-05 2025-01-21 群光電子股份有限公司 電子裝置
WO2025192455A1 (ja) * 2024-03-15 2025-09-18 株式会社小糸製作所 素子搭載基板、車両用灯具および素子搭載方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101867003A (zh) * 2009-04-20 2010-10-20 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN102165611A (zh) * 2008-09-25 2011-08-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 有涂层的发光器件及其涂覆方法
CN102859727A (zh) * 2010-03-19 2013-01-02 美光科技公司 具有增强散热性的发光二极管和相关联的操作方法
CN103119735A (zh) * 2010-09-24 2013-05-22 首尔半导体株式会社 晶片级发光二极管封装件及其制造方法
CN103247745A (zh) * 2012-02-07 2013-08-14 晶元光电股份有限公司 具有波长转换层的发光二极管元件
CN103339749A (zh) * 2011-01-28 2013-10-02 首尔Opto仪器股份有限公司 晶片级发光二极管封装件及制造此的方法
CN103392093A (zh) * 2011-02-15 2013-11-13 株式会社小糸制作所 发光模块及车辆用灯具

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7367503B2 (en) 2002-11-13 2008-05-06 Sandisk Corporation Universal non-volatile memory card used with various different standard cards containing a memory controller
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP1864339A4 (en) * 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd LED CAPSULATION WITH A GROUP IN A SERIES OF SWITCHED LUMINAIRES
KR101308701B1 (ko) * 2006-02-21 2013-09-13 삼성디스플레이 주식회사 점광원, 이를 갖는 광 출사 모듈 및 표시장치
FR2901753B1 (fr) * 2006-06-02 2009-04-17 Valeo Vision Sa Dispositif d'eclairage interieur multifonctions pour vehicule automobile
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
CN101459211B (zh) * 2007-12-11 2011-03-02 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光器件
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
JP4479827B2 (ja) * 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
CN102124574B (zh) * 2008-06-16 2013-07-17 丰田合成株式会社 半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯
KR101653267B1 (ko) * 2009-08-25 2016-09-02 삼성디스플레이 주식회사 전계 발광 장치 및 이를 갖는 표시장치
US8485704B2 (en) * 2009-10-14 2013-07-16 Koito Manufacturing Co., Ltd. Lamp unit and vehicle lamp
CN102201524A (zh) * 2010-03-24 2011-09-28 旭硝子株式会社 发光元件用基板及发光装置
CN103003966B (zh) * 2010-05-18 2016-08-10 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
TW201201419A (en) 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
CN103222073B (zh) * 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
DE102010046254A1 (de) * 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR101144351B1 (ko) * 2010-09-30 2012-05-11 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR102015971B1 (ko) 2010-12-28 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 유닛, 발광 장치, 조명 장치, 및 발광 유닛의 제작 방법
JP6004747B2 (ja) * 2011-06-28 2016-10-12 株式会社小糸製作所 発光モジュール
KR101303168B1 (ko) 2011-07-26 2013-09-09 안상정 반도체 발광부 연결체
KR101871501B1 (ko) * 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
US9046228B2 (en) 2012-04-06 2015-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device for emitting light of multiple color temperatures
JP2015144147A (ja) * 2012-05-11 2015-08-06 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
US9308858B2 (en) * 2012-07-13 2016-04-12 Lg Innotek Co., Ltd. Lamp unit and lighting system for vehicle
KR101941450B1 (ko) 2012-08-02 2019-01-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
US20140042470A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
KR20140036670A (ko) * 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 차량용 헤드라이트
KR101931771B1 (ko) * 2012-11-23 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
DE102012112988A1 (de) 2012-12-21 2014-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Scheinwerfer
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
KR20140094914A (ko) * 2013-01-23 2014-07-31 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리를 갖는 표시 장치
KR101998765B1 (ko) 2013-03-25 2019-07-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
TWI549322B (zh) * 2013-04-10 2016-09-11 映瑞光電科技（上海）有限公司 一種結合磊晶結構與封裝基板爲一體之整合式ｌｅｄ元件及其製作方法
EP2803715B1 (en) 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor and light emitting device package including the same
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP2015012244A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 株式会社東芝 半導体発光素子
JP6713720B2 (ja) 2013-08-30 2020-06-24 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びそれを含む車両用照明装置
KR102109764B1 (ko) 2013-09-13 2020-05-29 삼성전자주식회사 전력 전송 장치에서 전력 수신 장치의 위치를 판단하는 방법 및 상기 방법을 수행하는 전력 전송 장치
CN105299107B (zh) 2014-05-28 2018-01-05 现代摩比斯株式会社 停车制动装置
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102554231B1 (ko) 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지
CN107946441A (zh) 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102165611A (zh) * 2008-09-25 2011-08-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 有涂层的发光器件及其涂覆方法
CN101867003A (zh) * 2009-04-20 2010-10-20 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN102859727A (zh) * 2010-03-19 2013-01-02 美光科技公司 具有增强散热性的发光二极管和相关联的操作方法
CN103119735A (zh) * 2010-09-24 2013-05-22 首尔半导体株式会社 晶片级发光二极管封装件及其制造方法
CN103339749A (zh) * 2011-01-28 2013-10-02 首尔Opto仪器股份有限公司 晶片级发光二极管封装件及制造此的方法
CN103392093A (zh) * 2011-02-15 2013-11-13 株式会社小糸制作所 发光模块及车辆用灯具
CN103247745A (zh) * 2012-02-07 2013-08-14 晶元光电股份有限公司 具有波长转换层的发光二极管元件

Also Published As

Publication number Publication date
US20200256526A1 (en) 2020-08-13
US20180259137A1 (en) 2018-09-13
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US10907789B2 (en) 2021-02-02
CN111490146A (zh) 2020-08-04
US10323803B2 (en) 2019-06-18
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EP3239592A4 (en) 2018-09-12
CN107210344A (zh) 2017-09-26
US20190309916A1 (en) 2019-10-10
CN107210344B (zh) 2020-05-15
US10655801B2 (en) 2020-05-19
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