CN111490055A - 像素阵列基板 - Google Patents

Abstract

一种包括基板、第一信号线、第一像素、绝缘层、有机层以及遮光图案的像素阵列基板被提出。第一像素包括彼此电性连接的第一有源元件以及第一像素电极。第一有源元件电性连接第一信号线。绝缘层具有重迭于第一信号线的第一开口。第一信号线具有定义第一开口的第一表面。有机层具有连通于第一开口的第二开口、定义第一开口的底面以及定义第二开口的侧壁。遮光图案覆盖第一表面、侧壁与底面，且具有位于第一开口的第一部分以及位于第二开口并凸伸出有机层的第二部分。第一部分与第二部分分别具有第一宽度与第二宽度，且第一宽度大于第二宽度。

Description

像素阵列基板

技术领域

本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种像素阵列基板。

背景技术

随着科技产业的蓬勃发展，举凡移动电话(mobile phone)、平板电脑(tabletcomputer)或电子书(eBook)等显示装置已被广泛应用于日常生活中。尤其近年来，随着立体显示(stereoscopic display)及虚拟实境(virtual reality)等多媒体应用的出现，为了提供令人惊艳的视觉效果，具超高解析度的显示面板需求逐渐增加。

然而，随着显示面板解析度不断地提升，驱动电路的可布局空间势必不足，进而导致像素的开口率下降。因此，如何在提升显示面板解析度与像素开口率的同时，维持既有的成本优势是相关厂商所致力于克服的难题之一。

发明内容

本发明提供一种像素阵列基板，具有较高的像素开口率。

本发明的像素阵列基板，包括基板、第一信号线、第一像素、绝缘层、有机层以及遮光图案。第一信号线与第一像素设置于基板上。第一像素包括彼此电性连接的第一有源元件以及第一像素电极。第一有源元件电性连接第一信号线。绝缘层覆盖基板，且具有重迭于第一信号线的第一开口。第一信号线具有定义第一开口的第一上表面。有机层设置于绝缘层上，且具有连通于第一开口的第二开口。有机层具有定义第一开口的底面以及定义第二开口的侧壁，且底面连接于侧壁。遮光图案覆盖第一信号线的第一上表面以及有机层的侧壁与底面，且具有位于第一开口的第一部分以及位于第二开口并凸伸出有机层的第二部分。第一部分与第二部分分别具有第一宽度与第二宽度，且第一宽度大于第二宽度。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的遮光图案的第一部分与第二部分的材质相同。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括设置于基板上的间隙物。遮光图案的第一顶面与基板的上表面之间具有第一高度。间隙物与基板的上表面之间具有第二高度，且第一高度小于第二高度。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的遮光图案与间隙物属于同一膜层。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的有机层为彩色滤光层与有机绝缘层的迭层结构。有机绝缘层覆盖彩色滤光层，且设有定义第二开口的侧壁。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的绝缘层为第一子绝缘层与第二子绝缘层的迭层结构。第一子绝缘层位于基板与第一信号线之间。第二子绝缘层位于第一信号线与有机层之间，且第一开口贯穿第二子绝缘层。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的第一开口更贯穿第一子绝缘层。第一信号线还具有定义第一开口的第一下表面以及连接第一上表面与第一下表面的第一侧面，且遮光图案更覆盖第一信号线的第一下表面与第一侧面。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二信号线与第二像素。第二信号线与该第一信号线相邻且平行排列于基板上。第二信号线具有定义第一开口的第二上表面，且遮光图案更覆盖第二信号线的第二上表面。第二像素包括彼此电性连接的第二有源元件与第二像素电极。第二有源元件电性连接第二信号线。第一信号线与第二信号线位于第一像素与第二像素之间，且遮光图案位于第一信号线与第二信号线之间。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的绝缘层为第一子绝缘层与第二子绝缘层的迭层结构。第一子绝缘层位于基板与第一信号线之间。第二子绝缘层位于第一信号线与有机层之间，且第一开口贯穿第二子绝缘层。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的第一开口更贯穿第一子绝缘层。第一信号线还具有定义第一开口的第一下表面以及连接第一上表面与第一下表面的第一侧面。第二信号线还具有定义第一开口的第二下表面以及连接第二上表面与第二下表面的第二侧面，且遮光图案更覆盖第一信号线的第一下表面与第一侧面以及第二信号线的第二下表面与第二侧面。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的有机层为彩色滤光层。

基于上述，在本发明一实施例的像素阵列基板中，绝缘层与有机层分别具有相连通的第一开口与第二开口，且电性连接于像素的有源元件的第一信号线与这两开口相重迭。通过遮光图案位于第二开口的第二部分的宽度小于遮光图案位于第一开口的第一部分的宽度，可增加像素之像素电极的可布局空间，有助于提升像素的开口率(ApertureRatio，AR)。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1是本发明的第一实施例的像素阵列基板的俯视图。

图2A至图2E是图1的像素阵列基板的制造流程的剖视图。

图2F是采用图2E的像素阵列基板的显示面板的剖视图。

图3是本发明的第二实施例的像素阵列基板的剖视图。

图4是本发明的第三实施例的像素阵列基板的剖视图。

图5是本发明的第四实施例的像素阵列基板的俯视图。

图6是图5的像素阵列基板的剖视图。

图7是本发明的第五实施例的像素阵列基板的剖视图。

其中，附图标记：

1：显示面板

10、11、12、20、21：像素阵列基板

101、201：基板

101s：上表面

110：绝缘层

110a、110a-1：第一开口

111：第一子绝缘层

112：第二子绝缘层

115：接触窗

120：有机层

120a、120a-1：第二开口

120s1：侧壁

120s2：底面

121：彩色滤光层

121a：开槽

121b：开孔

1211、1212：彩色滤光图案

122：有机绝缘层

122M：有机绝缘材料层

130、130A、130B、130C、130D：遮光图案

130As、130Ds、135s：顶面

130M：遮光材料层

131、131A、131B：第一部分

132、132A、132B：第二部分

135：间隙物

210：驱动电极

CL：共用线

D、D1、D2：漏极

DL、DL1、DL2：数据线

DLa、DL1a、DL2a：上表面

DLb、DL1b、DL2b：下表面

DLc、DL1c、DL2c：侧面

DM：显示介质层

G：栅极

H1：第一高度

H2：第二高度

OC：欧姆接触层

PE：像素电极

PEa：第一子部

PEb：第二子部

PX、PX1、PX2：像素

S：源极

SC：半导体图案

SL：扫描线

T、T’：有源元件

W1、W’：第一宽度

W2：第二宽度

X、Y：方向

A-A’、B-B’、C-C’：剖线

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」可依量测性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，「电性连接」可为二元件间存在其它元件。

此外，诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件的「下」侧的元件将被定向在其它元件的「上」侧。因此，示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件「下方」或「下方」的元件将被定向为在其它元件「上方」。因此，示例性术语「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

现将详细地参考本发明的示范性实施方式，示范性实施方式的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。

图1是本发明的第一实施例的像素阵列基板的俯视图。图2A至图2E是图1的像素阵列基板的制造流程的剖视图。图2E对应于图1的剖线A-A’。图2F是采用图2E的像素阵列基板的显示面板的剖视图。为清楚呈现起见，图1省略了图2E的绝缘层110、有机绝缘层122、遮光图案130与间隙物135的绘示。特别一提的是，图2E的像素阵列基板10可应用于显示面板1(如图2F所示)。

请参照图1及图2E，像素阵列基板10包括基板101、多条信号线以及多个像素PX。在本实施例中，多条信号线包括多条扫描线SL与多条数据线DL。多条扫描线SL相交于多条数据线DL并定义出多个像素区。多个像素PX分别设置于这些像素区中，且各自电性连接于对应的一条扫描线SL与对应的一条数据线DL。举例而言，多条数据线DL沿方向X排列于基板101上，且在方向Y上延伸，其中方向X实质上可垂直于方向Y。多条扫描线SL沿方向Y排列于基板101上，且在方向X上延伸。在本实施例中，任两相邻的数据线DL之间可设有一个像素PX，且此像素PX可电性连接于这两相邻的数据线DL的其中一者，但本发明不以此为限。

在本实施例中，像素阵列基板10还可选择性地包括多条共用线CL。举例来说，这些共用线CL可沿方向Y排列于基板101上，且在方向X上延伸。亦即，共用线CL可选择性地平行于扫描线SL。基于导电性的考量，数据线DL、扫描线SL与共用线CL的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他的实施例，数据线DL、扫描线SL与共用线CL也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆迭层。需说明的是，本发明并不以图式揭示内容而加以限制数据线DL、扫描线SL与共用线CL的数量，在一些实施例中，数据线DL、扫描线SL与共用线CL的数量可根据实际的像素PX数量(即显示面板的解析度)需求而调整。

进一步而言，像素PX包括绝缘层110、有源元件T以及像素电极PE。绝缘层110包括第一子绝缘层111与第二子绝缘层112，其中第一子绝缘层111覆盖扫描线SL，第二子绝缘层112覆盖第一子绝缘层111的部分表面、数据线DL以及有源元件T。在本实施例中，第一子绝缘层111与第二子绝缘层112可为一层或两层以上的无机绝缘层，无机绝缘层的材质包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy；x＞y)、氧氮化硅(SiNxOy；x＞y)、或其他适合的无机绝缘材料。

举例而言，形成有源元件T的方法可包括以下步骤：于基板101上依序形成栅极G、第一子绝缘层111、半导体图案SC、欧姆接触层OC、源极S与漏极D，其中源极S与漏极D系通过欧姆接触层OC(例如两个欧姆接触图案)分别电性连接于半导体图案SC的不同两区。有源元件T的源极S与漏极D分别电性连接于数据线DL与像素电极PE。在本实施例中，有源元件T的栅极G可选择性地配置在半导体图案SC的下方，即栅极G位于半导体图案SC与基板101之间，以形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT)，但本发明不以此为限。根据其他的实施例，有源元件的栅极G也可配置在半导体图案SC的上方，以形成顶部栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT)。

另一方面，半导体图案SC的材质例如是非晶硅半导体(amorphous siliconsemiconductor)材料，也就是说，有源元件T可以是非晶硅薄膜晶体管(Amorphous SiliconTFT，a-Si TFT)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，有源元件也可以是低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)、微晶硅薄膜晶体管(micro-Si TFT)或金属氧化物晶体管(MetalOxide Transistor)。在本实施例中，欧姆接触层OC的材料可包括含有掺杂物(dopant)的金属氧化物半导体材料、含有掺杂物的多晶硅、含有掺杂物的非晶硅或是其他合适的含有掺杂物的半导体材料、或其它合适的材料、或上述的组合。

在本实施例中，有源元件T的源极S与漏极D以及数据线DL的材质可选择性地相同，有源元件T的栅极G与扫描线SL的材质可选择性地相同。也就是说，有源元件T的源极S与漏极D以及数据线DL可形成于同一膜层，有源元件T的栅极G与扫描线SL可形成于同一膜层。像素电极PE可选择性地为穿透式电极，穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者之堆迭层。然而，本发明并不限于此，在其他实施例中，像素电极PE也可以是反射式电极，反射式电极的材质包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆迭层。

像素阵列基板10更包括有机层120与遮光图案130。有机层120设置于绝缘层110上，且遮光图案130在基板101的法线方向上重迭于数据线DL。也就是说，遮光图案130可位于沿方向X排列且相邻的两像素PX之间。在本实施例中，遮光图案130可选择性地贯穿有机层120与绝缘层110以覆盖数据线DL与基板101的部分上表面101s。据此，可增加遮光图案130在基板101的法线方向上的光学密度(optical density，OD)，有助于降低数据线DL对于外在环境光(ambient light)的反射，进而提升显示面板的暗态表现。另一方面，像素PX的像素电极PE可设置于有机层120上，并贯穿有机层120与第二子绝缘层112以电性连接有源元件T的漏极D。举例来说，有机绝缘层122与第二子绝缘层112可设有接触窗115，而像素电极PE延伸至彩色滤光层121的开孔121b内并通过接触窗115与有源元件T的漏极D电性连接。

进一步而言，绝缘层110与有机层120分别具有重迭于数据线DL的第一开口110a与第二开口120a。遮光图案130设置于第一开口110a与第二开口120a内，并覆盖数据线DL的上表面DLa、下表面DLb以及侧面DLc，其中上表面DLa相对于下表面DLb，且侧面DLc连接于上表面DLa与下表面DLb之间。从另一观点而言，遮光图案130具有位于第一开口110a的第一部分131以及位于第二开口120a并凸伸出有机层120的第二部分132。遮光图案130的第一部分131与第二部分132在垂直于基板101的法线方向上分别具有第一宽度W1与第二宽度W2，且第一部分131的第一宽度W1大于第二部分132的第二宽度W2。

值得一提的是，藉由第一部分131与数据线DL的配置关系(例如：在垂直于基板101的法线方向上，第一部分131的宽度大于数据线DL的宽度)，可确保遮光图案130的遮光效果(例如：在基板101的法线方向上，位于像素电极PE与数据线DL的重迭区域的多个液晶分子因第二部分132位于有机层120表面上的构形影响而产生的排列不良所造成的漏光)。也因此，可有效缩减遮光图案130的第二部分132的第二宽度W2，有助于增加像素电极PE的可布局空间，进而提升像素PX的开口率(Aperture Ratio，AR)。

以下将针对遮光图案130的制造流程进行示范性地说明。首先，请参照图2A及图2B，在形成有机绝缘材料层122M后，进行一蚀刻步骤，移除有机绝缘材料层122M重迭于数据线DL的一部分以形成像素阵列基板10的有机绝缘层122，且有机绝缘层122设有第二开口120a。在本实施例中，有机层120可以是彩色滤光层121与有机绝缘层122的堆迭结构。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，有机层也可以仅是彩色滤光层121(亦即，有机层可不包含有机绝缘层122)。

在本实施例中，有机绝缘层122的材料可为高分子聚合物(polymer)、或其它合适的材料，其中高分子聚合物包括压克力树脂(acrylic resin)、感光树脂(photosensitiveresin)、聚酰亚胺(polyimide)、或以上述材料为主要成分的复合材料、或其它合适的材料、或上述之组合。另一方面，彩色滤光层121可具有多个彩色滤光图案，且这些彩色滤光图案彼此分离开来地沿方向X排列于基板101上(如图1所示)。换句话说，彩色滤光层121在任两相邻的彩色滤光图案(例如第一彩色滤光图案1211与第二彩色滤光图案1212)之间具有一开槽121a，且此开槽121a在基板101的法线方向上重迭于数据线DL与第二开口120a。

请参照图2B及图2C，在形成有机绝缘层122后，进行另一蚀刻步骤，移除绝缘层110在基板101的法线方向上重迭于数据线DL的部分以形成绝缘层110的第一开口110a。在本实施例中，绝缘层110的第一开口110a可暴露出数据线DL的上表面DLa、下表面DLb以及侧面DLc，但本发明不以此为限。

举例而言，此处的蚀刻步骤可以是干式蚀刻(dry etching)制程，例如：利用反应性的气体(蚀刻气体)或离子、自由基对绝缘层110被第二开口120a所暴露出的部分进行蚀刻，且此处的蚀刻气体对绝缘层110的材料与对有机层120的材料的蚀刻选择比较高。换言之，在绝缘层110的蚀刻过程中，有机层120较不容易受蚀刻气体所蚀刻。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，绝缘层110的蚀刻步骤也可以湿式(wet etching)蚀刻的方式进行。

在绝缘层110的蚀刻过程中，由于蚀刻气体系通过有机层120的第二开口120a与绝缘层110接触并产生蚀刻反应。因此，于绝缘层110中所蚀刻出的第一开口110a系连通于有机层120的第二开口120a。特别一提的是，此处绝缘层110的第一开口110a所占区域于基板101上的垂直投影面积大于有机层120的第二开口120a所占区域于基板101上的垂直投影面积。

请参照图2D，在绝缘层110的蚀刻步骤完成后，于有机层120上形成一遮光材料层130M，且此遮光材料层130M填入绝缘层110的第一开口110a与有机层120的第二开口120a。具体而言，有机层120具有定义第一开口110a的底面120s2以及定义第二开口120a并连接于底面120s2的侧壁120s1，而遮光材料层130M在填入第一开口110a与第二开口120a后，覆盖有机层120的侧壁120s1与底面120s2以及数据线DL的上表面DLa、下表面DLb与侧面DLc。在本实施例中，遮光材料层130M的材质可包括黑色树脂材料。

接着，对遮光材料层130M进行一微影蚀刻制程，以形成遮光图案130，如图2E所示。举例而言，在形成遮光图案130的步骤中，还可同时形成重迭设置于有源元件T的间隙物135。亦即，遮光图案130与间隙物135可属于同一膜层。特别说明的是，此处的微影蚀刻制程可选择性地使用半色调(half-tone)遮罩进行曝光，其中半色调区重迭于数据线DL，且半色调区的宽度略小于数据线DL的宽度，但本发明不以此为限。于此，便完成本实施例的遮光图案130。

需说明的是，本发明并不以图2A至图2E揭示内容而加以限制遮光图案130的制造方式。本发明所属技术领域中具有通常知识者应可理解的是，本实施例的遮光图案130也可通过较为繁琐的制造流程来形成。例如：在形成绝缘层110后，先进行遮光图案130的第一部分131的制作，且此第一部分131贯穿绝缘层110并覆盖数据线DL的下表面DLb；接着，再形成具有第二开口120a的有机层120，并于第二开口120a内形成遮光图案130的第二部分132，且彼此连接的第一部分131与第二部分132的材质可相同。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，遮光图案的第一部分的材质也可不同于第二部分的材质。

在本实施例中，像素阵列基板10包括基板101、数据线DL、像素PX、绝缘层110、有机层120以及遮光图案130。数据线DL与像素PX设置于基板101上。像素PX包括彼此电性连接的有源元件T以及像素电极PE，且有源元件T电性连接数据线DL。绝缘层110具有重迭于数据线DL的第一开口110a。数据线DL具有定义第一开口110a的上表面DLa。有机层120设置于绝缘层110上，且具有连通于第一开口110a的第二开口120a、定义第一开口110a的底面120s2以及定义第二开口120a的侧壁120s1。侧壁120s1与底面120s2相连接。遮光图案130覆盖数据线DL的上表面DLa以及有机层120的侧壁120s1与底面120s2，且具有位于第一开口110a的第一部分131以及位于第二开口120a并凸伸出有机层120的第二部分132。第一部分131与第二部分132分别具有第一宽度W1与第二宽度W2，且第一宽度W1大于第二宽度W2。

特别说明的是，在本实施例中，有机层120的第二开口120a所占区域在基板101的法线方向上可完全重迭于数据线DL，且第一开口110a相对于数据线DL呈现镜像对称，但本发明不以此为限。在其他实施例中，有机层120的第二开口120a所占区域也可部分重迭于数据线DL的一侧，且遮光图案的第一部分仅覆盖数据线DL的一侧面DLc。需说明的是，本发明并不以附图揭示内容为限制，根据其他实施例，遮光图案的第一部分(或者是绝缘层的第一开口)也可重迭于扫描线SL或共用线CL。

举例而言，如图1所示，定义出一像素PX的开口区的多条信号线(例如两条数据线DL、一条扫描线SL以及一条共用线CL)与此像素PX的像素电极PE相邻或相重迭的区域都可成为遮光图案的设置处。并且通过遮光图案位于第二开口的第二部分的宽度小于遮光图案位于第一开口的第一部分的宽度，可增加像素的像素电极的可布局空间，有助于提升像素PX的开口率(Aperture Ratio，AR)。

进一步而言，像素阵列基板10可应用于显示面板1，如图2F所示。显示面板1更包括基板201、驱动电极210、显示介质层DM。基板201与像素阵列基板10对向设置，且驱动电极210设置于基板201朝向像素阵列基板10的一侧表面上。显示介质层DM夹设于驱动电极210与像素阵列基板10之间。在本实施例中，显示介质层DM可包含多个液晶分子。亦即，显示面板1例如是液晶显示面板(liquid crystal display panel，LCD Panel)。举例而言，在本实施例中，驱动电极210例如是共用电极(common electrode)，且具有一接地电位。当像素电极PE被致能而具有一高电位时，驱动电极210与像素电极PE之间的电位差所形成的电场可驱使这些液晶分子转动。藉此，可控制背光(未示出)在通过像素PX后的光强度，以达到显示画面的效果。特别一提的是，夹设于基板201与像素阵列基板10之间的间隙物135，可用以将显示介质层DM在基板101的法线方向上的厚度控制在一设定值。

以下将列举另一些实施例以详细说明本发明，其中相同的构件将标示相同的符号，并且省略相同技术内容的说明，省略部分请参考前述实施例，以下不再赘述。特别说明的是，以下实施例的像素阵列基板均可用以取代上述显示面板1中的像素阵列基板10。

图3是本发明的第二实施例的像素阵列基板的剖视图。请参照图3，本实施例的像素阵列基板11与图2E的像素阵列基板10的主要差异在于：遮光图案的构型不同。在本实施例中，遮光图案130A(或者是第二部分132A)与间隙物135分别具有顶面130As与顶面135s。遮光图案130A的顶面130As与基板101的上表面101s之间具有第一高度H1，间隙物135的顶面135s与基板101的上表面101s之间具有第二高度H2，且第一高度H1小于第二高度H2。

值得一提的是，在形成遮光材料层时，由于绝缘层110与有机层120分别设有第一开口110a与第二开口120a，遮光材料层重迭于第二开口120a的部分膜面可凹陷于其他部分的膜面。藉此，在遮光材料层的图案化过程中，无需使用半色调(half-tone)遮罩进行曝光，即可形成遮光图案130A与间隙物135之间的高度差。更具体地说，在本实施例中，遮光图案130A还可具有辅助间隙物的功能。亦即，通过遮光图案130A与间隙物135之间的高度差，可提升显示介质层的厚度均匀性，并增加显示面板的制程容许度(process latitude)，有助于提升显示面板的生产良率。

图4是本发明的第三实施例的像素阵列基板的剖视图。请参照图4，本实施例的像素阵列基板12与图2E的像素阵列基板10的主要差异在于：遮光图案的构型不同。在本实施例中，第一开口110a-1仅贯穿第二子绝缘层112，且遮光图案130B的第一部分131仅覆盖数据线DL的上表面DLa。换句话说，遮光图案130B的第一部分131A的第一宽度W1’小于像素阵列基板10的遮光图案130的第一部分131的第一宽度W1，但仍大于第二部分132的第二宽度W2。据此，在不损及遮光图案130B的遮光效果的前提下，可有效缩减遮光图案130B的第二部分132的第二宽度W2，有助于增加像素电极PE的可布局空间，进而提升像素PX的开口率(Aperture Ratio，AR)。

图5是本发明的第四实施例的像素阵列基板的俯视图。图6是图5的像素阵列基板的剖视图。请参照图5及图6，本实施例的像素阵列基板20与图1的像素阵列基板10的主要差异在于：信号线与像素之间的配置关系不同以及遮光图案的第一部分的构型不同。在本实施例中，在方向X上排列且相邻的两像素(例如第一像素PX1与第二像素PX2)之间可设有两信号线，分别为第一数据线DL1与第二数据线DL2，其中第一数据线DL1与第二数据线DL2相邻且平行排列于基板101上。第一像素PX1与第二像素PX2分别电性连接于第一数据线DL1与第二数据线DL2。

在本实施例中，遮光图案130C的第一部份131B同时覆盖第一数据线DL1的上表面DL1a、下表面DL1b与侧面DL1c以及第二数据线DL2的上表面DL2a、下表面DL2b与侧面DL2c。也就是说，遮光图案130C设置在第一数据线DL1与第二数据线DL2之间的区域。通过第一部分131B覆盖部分的第一数据线DL1、部分的第二数据线DL2以及这两条数据线之间的区域，可阻挡背光自这两条数据线之间的区域出射而产生漏光，并且藉由缩短第二部分132在垂直基板101法线方向上的宽度，以增加像素电极的可布局空间，进而提升像素的开口率(Aperture Ratio，AR)。

另一方面，本实施例的各像素的像素电极可分为第一子部PEa与第二子部PEb，而有源元件T’可具有两个漏极，分别为漏极D1与漏极D2，其中像素电极的第一子部PEa与第二子部PEb分别电性连接有源元件T’的漏极D1与漏极D2，但本发明不以此为限。

图7是本发明的第五实施例的像素阵列基板的剖视图。请参照图7，本实施例的像素阵列基板21与图6的像素阵列基板20的主要差异在于：有机层的组成不同。在本实施例中，有机层120仅包括彩色滤光层121，且间隙物135(或像素电极)与彩色滤光层121之间设有一无机绝缘层140。更具体地说，彩色滤光层121的开槽121a可定义出有机层120A的第二开口120a-1，且遮光图案130D的第二部分132B在垂直基板101的法线方向上的宽度由第二开口120a-1内朝遮光图案130D的顶面130Ds逐渐缩小。特别一提的是，由于第二开口120a-1位于绝缘层110一侧的底部口径较大，在绝缘层110的蚀刻过程中，可缩短反应时间，有助于提升蚀刻效率。在本实施例中，无机绝缘层140的材质可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆迭层。

综上所述，在本发明一实施例的像素阵列基板中，绝缘层与有机层分别具有相连通的第一开口与第二开口，且电性连接于像素的有源元件的第一信号线与这两开口相重迭。通过遮光图案位于第一开口的第一部分的宽度大于遮光图案位于第二开口的第二部分的宽度，可增加像素之像素电极的可布局空间，有助于提升像素的开口率(ApertureRatio，AR)。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种像素阵列基板，其特征在于，包括：

一基板；

一第一信号线，设置于该基板上；

一第一像素，设置于该基板上，该第一像素包括：

一第一有源元件，电性连接该第一信号线；以及

一第一像素电极，电性连接该第一有源元件；

一绝缘层，覆盖该基板，该绝缘层具有重迭于该第一信号线的一第一开口，其中该第一信号线具有定义该第一开口的一第一上表面；

一有机层，设置于该绝缘层上，该有机层具有连通于该第一开口的一第二开口，其中该有机层具有定义该第一开口的一底面以及定义该第二开口的一侧壁，且该底面连接于该侧壁；以及

一遮光图案，覆盖该第一信号线的该第一上表面以及该有机层的该侧壁与该底面，且具有位于该第一开口的一第一部分以及位于该第二开口并凸伸出该有机层的一第二部分，其中该第一部分与该第二部分分别具有一第一宽度与一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。

2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该遮光图案的该第一部分与该第二部分的材质相同。

3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：

一间隙物，设置于该基板上，其中该遮光图案的一第一顶面与该基板的一上表面之间具有一第一高度，该间隙物的一第二顶面与该基板的该上表面之间具有一第二高度，且该第一高度小于该第二高度。

4.如权利要求3所述的像素阵列基板，其特征在于，该遮光图案与该间隙物属于同一膜层。

5.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该有机层为一彩色滤光层与一有机绝缘层的迭层结构，该有机绝缘层覆盖该彩色滤光层，且设有定义该第二开口的该侧壁。

6.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该绝缘层为一第一子绝缘层与一第二子绝缘层的迭层结构，该第一子绝缘层位于该基板与该第一信号线之间，该第二子绝缘层位于该第一信号线与该有机层之间，且该第一开口贯穿该第二子绝缘层。

7.如权利要求6所述的像素阵列基板，其特征在于，该第一开口更贯穿该第一子绝缘层，该第一信号线还具有定义该第一开口的一第一下表面以及连接该第一上表面与该第一下表面的一第一侧面，且该遮光图案更覆盖该第一信号线的该第一下表面与该第一侧面。

8.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：

一第二信号线，与该第一信号线相邻且平行排列于该基板上，其中该第二信号线具有定义该第一开口的一第二上表面，且该遮光图案更覆盖该第二信号线的该第二上表面；以及

一第二像素，设置于该基板上，该第二像素包括：

一第二有源元件，电性连接该第二信号线；以及

一第二像素电极，电性连接该第二有源元件，

其中该第一信号线与该第二信号线位于该第一像素与该第二像素之间，且该遮光图案位于该第一信号线与该第二信号线之间。

9.如权利要求8所述的像素阵列基板，其特征在于，该绝缘层为一第一子绝缘层与一第二子绝缘层的迭层结构，该第一子绝缘层位于该基板与该第一信号线之间，该第二子绝缘层位于该第一信号线与该有机层之间，且该第一开口贯穿该第二子绝缘层。

10.如权利要求9所述的像素阵列基板，其特征在于，该第一开口更贯穿该第一子绝缘层，该第一信号线还具有定义该第一开口的一第一下表面以及连接该第一上表面与该第一下表面的一第一侧面，该第二信号线还具有定义该第一开口的一第二下表面以及连接该第二上表面与该第二下表面的一第二侧面，且该遮光图案更覆盖该第一信号线的该第一下表面与该第一侧面以及该第二信号线的该第二下表面与该第二侧面。

11.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该有机层为一彩色滤光层。

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