CN111471970A - 一种低氧钼铌合金靶材及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低氧钼铌合金靶材，包括按重量百分比计量的以下组分：铌粉5％～15％、碳黑0.1％～0.3％、余量为钼粉，以上组分质量百分比之和为100％。本发明还公开了一种低氧钼铌合金靶材制备方法，该方法通过在钼铌合金压制坯中添加适量的碳黑，以达到采用简单、低成本的制备工艺获得低氧钼铌合金靶材的目的。
Description
技术领域
本发明属于合金靶材制备技术领域，涉及一种低氧钼铌合金靶材，本发明还涉及上述靶材的制备方法。
背景技术
靶材作为溅射中的阴极源，固体中的杂质和气孔中的氧气和水是沉积薄膜的主要污染源。为了减少靶材固体中的气孔，提高薄膜的性能，一般要求溅射靶材具有较高的密实度。溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅。这些微粒的出现会降低薄膜品质。通常，靶材的密实度不仅影响溅射时的沉积速率，溅射膜粒子的密度和放电现象等，还影响这溅射薄膜的电学和光学性能。靶材越密实，溅射膜粒子的密度越低，放电现象越弱，而薄膜的性能也越好。因此，在钼溅射靶材的制备过程中，需要严格控制气体杂质元素，最大程度的降低其在靶材中的含量。
目前，钼铌合金溅射靶材已在触摸屏(手机、公共领域显示器等)、液晶显示器等功能薄膜制备中开始应用，显示了显著的优点和广阔的应用前景。
通常，钼铌合金溅射靶材所采用的制备工艺包括：
1)熔炼铸造工艺
将一定配比的钼、铌原料熔炼，再将合金熔液浇注于模具中，得到铸锭，再经热处理、锻造、挤压和轧制等制成靶材。此工艺存在的问题是：熔炼铸锭难免存在铸造缺陷，如缩孔、缩松、夹杂、偏析等，且铸锭晶粒粗大，后续挤压成本高，且加工工序多，成品率低；再加上由于钼、铌皆属高熔点金属，熔炼通常需采用真空电子束熔炼，设备条件要求高，成本高；而且很难获得晶粒细小均匀的钼铌合金靶材。目前，该制备工艺已经很少应用。
2)粉末冶金工艺
对于钼铌合金靶材的制备，常规的粉末冶金工艺：铌粉和钼粉混合，然后进行真空烧结。该方法对原材料纯度要求较高，能快速实现致密化的成型烧结，但常规工艺方法很难降低氧含量，氧含量一般在2000～3000ppm，这是由于原料铌粉的含氧量控制最好的在1500ppm，烧结过程中单单依靠铌粉中的氧杂质会发困难，且会阻止烧结致密化，此种工艺得到的靶材相对密度仅有85～92％，气孔率大，后续轧制性能差，成品率低，在溅射使用过程中微粒大量飞溅，溅射镀膜质量较差。
3)热等静压工艺
该工艺是将一定量的钼粉和铌粉混合，经压制成形后进行真空热压或热等静压获得钼铌合金靶材。此种工艺得到的靶材相对密度可以达到95～98％，甚至98％以上，该工艺所用设备复杂、昂贵，制造成本高。此工艺也没有能降低含氧量。
显然，粉末冶金工艺具有容易获得均匀细晶结构、节约原材料、生产效率高等优点，若能通过技术措施，采用常规粉末冶金工艺直接制备低氧钼铌合金靶材，具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种低氧钼铌合金靶材；
本发明的目的是还提供一种低氧钼铌合金靶材制备方法，该方法通过在钼铌合金压制坯中添加适量的碳黑，以达到采用简单、低成本的制备工艺获得低氧钼铌合金靶材的目的。
本发明所采用的技术方案是，一种低氧钼铌合金靶材，包括按重量百分比计量的以下组分：铌粉5％～15％、碳黑0.1％～0.3％、余量为钼粉，以上组分质量百分比之和为100％。
本发明采用的另一种技术方案为，一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，具体包括如下步骤：
步骤1，首先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，然后加入碳黑研磨、混匀，得到初级混合粉末；
步骤2，将步骤1制得的初级混合粉末再与钼粉余料进行三维混合，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；
步骤4，将步骤3所得的压制坯直接进行真空烧结，或者在氢气气氛中预烧结后再进行真空烧结，得到烧结坯；
步骤5，将步骤,4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得钼铌合金棒或钼铌合金板。
本发明另一种技术方案的特点还在于，
步骤3中压制压力为160～250Mpa。
步骤4中氢气预烧结最高温度为1200℃，真空烧结的保温温度为1950℃～2050℃，保温时间为5～10小时，保温结束后随炉冷却至100℃以下，再出炉冷却至室温。
步骤1中钼粉的费氏粒度为3.0～4.5μm，钼粉的纯度为3N7，氧含量为800ppm以下。
步骤1研磨后铌粉的费氏粒度为2～5微米，铌粉的氧含量为1500～2500ppm。
步骤4中预烧结的升温速度不大于5℃/分钟。
步骤4中真空烧结的升温速度不大于10℃/分钟，升温过程中真空度保持在1×10－2Pa以下。
本发明的有益效果是，利用碳黑的脱氧作用，采用粉末冶金工艺直接制备低氧的钼铌合金坯料，最后经锻造或轧制制得客户要求规格的钼铌合金靶材，工艺简单，成本低；同时，有效减少了气孔造成的微粒飞溅，提高了镀膜质量。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种低氧钼铌合金靶材，包括按重量百分比计量的以下组分：铌粉5％～15％、碳黑0.1％～0.3％、余量为钼粉，以上组分质量百分比之和为100％。
本发明一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，具体包括如下步骤：
步骤1，首先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，然后加入碳黑研磨、混匀，得到初级混合粉末；
钼粉、铌粉均为普通市售产品，钼粉的费氏粒度为3.0～4.5μm，钼粉的纯度为3N7，氧含量为800ppm以下。研磨后铌粉的费氏粒度为2～5微米，铌粉的氧含量为1500～2500ppm。碳黑的纯度为工业纯以上，费氏粒度500nm。
步骤2，将步骤1制得的初级混合粉末再与钼粉余料进行三维混合，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；
步骤3中压制压力为160～250Mpa。
步骤4，将步骤3所得的压制坯直接进行真空烧结，或者在氢气气氛中预烧结后再进行真空烧结，得到烧结坯；
步骤4中氢气预烧结最高温度为1200℃，真空烧结的保温温度为1950℃～2050℃，保温时间为5～10小时，保温结束后随炉冷却至100℃以下，再出炉冷却至室温。
步骤1研磨后铌粉的费氏粒度为2～5微米，铌粉的氧含量为1500～2500ppm。
步骤4中真空烧结的升温速度不大于10℃/分钟，升温过程中真空度保持在1×10－2Pa以下。
步骤5，将步骤,4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得客户要求规格的钼铌合金棒或板。
实施例1
一种低氧钼铌合金靶材，按重量百分比计量的以下组分组成：铌粉5％，碳黑0.1％，余量为钼粉。
其中，钼粉、铌粉均为普通市售产品，钼粉选择金堆城钼业股份有限公司的费氏粒度为3.0μm，纯度为3N7，氧含量为800ppm的FMo-1；铌粉选用株洲硬质合金集团有限公司牌号FNb-1的产品，铌粉的费氏粒度8μm，氧含量为2200ppm，经过研磨后铌粉的费氏粒度为5微米(μm)；碳黑选自天津市金大地化工有限公司，化学纯，费氏粒度500nm。
一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，碳黑全部加入后研磨24h，得到混合均匀的初级混合粉末；
步骤2，将步骤1的初级混合粉末再与钼粉余料在三维混料机混合8h，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；其中，压制压力为160MPa；
步骤4，将步骤3所得的压制坯直接进行真空烧结，升温速度控制在6℃/min；升温过程中真空度为5×10－3Pa，升温至1950℃进行保温，保温阶段真空度为1×10－3Pa，保温5小时后随炉冷却，冷却过程中真空度为1×10－3Pa，冷却至80℃后出炉，得到烧结坯；
步骤5，将步骤4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得客户要求规格的钼铌合金棒或板。
作为比较，采用与实施例1中上述相同的钼粉、铌粉及制备工艺来制备钼铌合金靶材；其中，钼粉与铌粉的质量比为95：5，不添加碳黑。
采用排水法分别测定上述钼铌合金靶材的密度、相对密度和含氧量，如表1所示。
实施例2
一种低氧钼铌合金靶材，按重量百分比计量的以下组分组成：铌粉8％，碳黑0.16％，余量为钼粉。
其中，钼粉、铌粉均为普通市售产品，钼粉选择金堆城钼业股份有限公司的费氏粒度为3.2μm，纯度为3N7，氧含量为780ppm的FMo-1；铌粉选用株洲硬质合金集团有限公司牌号FNb-1的产品，铌粉的费氏粒度10μm，氧含量为2000ppm，经过研磨后铌粉的费氏粒度为5微米(μm)；碳黑选自天津市金大地化工有限公司，化学纯，费氏粒度500nm。
一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，碳黑全部加入后研磨24h，得到混合均匀的初级混合粉末；
步骤2，将步骤1的粉末再与钼粉余料在三维混料机混合8h，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；其中，压制压力为180MPa；
步骤4，将步骤3所得的压制坯直接进行真空烧结，升温速度控制在7℃/min；升温过程中真空度为6×10－3Pa Pa，升温至1950℃进行保温，保温阶段真空度为1×10－3Pa，保温6小时后随炉冷却，冷却过程中真空度为1×10－3Pa，冷却至80℃后出炉，得到烧结坯；
步骤5，将步骤4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得客户要求规格的钼铌合金棒或板。
作为比较，采用与实施例2中上述相同的钼粉、铌粉及制备工艺来制备钼铌合金靶材；其中，钼粉与铌粉的质量比为92：8，不添加碳黑。
采用排水法分别测定上述钼铌合金靶材的密度、相对密度和含氧量，如表1所示。
实施例3
一种低氧钼铌合金靶材，按重量百分比计量的以下组分组成：铌粉10％，碳黑0.2％，余量为钼粉。
其中，钼粉、铌粉均为普通市售产品，钼粉选择金堆城钼业股份有限公司的费氏粒度为3.5μm，纯度为3N7，氧含量为720ppm的FMo-1；铌粉选用株洲硬质合金集团有限公司牌号FNb-1的产品，铌粉的费氏粒度12μm，氧含量为1800ppm，经过研磨后铌粉的费氏粒度为5微米(μm)；碳黑选自天津市金大地化工有限公司，化学纯，费氏粒度500nm。
本发明一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，碳黑全部加入后研磨24h，得到混合均匀的初级混合粉末；
步骤2，将步骤1的粉末再与钼粉余料在三维混料机混合8h，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；其中，压制压力为200MPa；
步骤4，将步骤3所得的压制坯在氢气预烧结炉中预烧结，升温速度控制在5℃/分钟，然后进行真空烧结，升温速度控制在8℃/min；升温过程中真空度为4×10－3Pa Pa，升温至1980℃进行保温，保温阶段真空度为1×10－3Pa，保温6小时后随炉冷却，冷却过程中真空度为1×10－3Pa，冷却至80℃后出炉，得到烧结坯；
步骤5，将步骤4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得客户要求规格的钼铌合金棒或板。
作为比较，采用与实施例3中上述相同的钼粉、铌粉及制备工艺来制备钼铌合金靶材；其中，钼粉与铌粉的质量比为90：10，不添加碳黑。
采用排水法分别测定上述钼铌合金靶材的密度、相对密度和含氧量，如表1所示。
实施例4
一种低氧钼铌合金靶材，按重量百分比计量的以下组分组成：铌粉12％，碳黑0.24％，余量为钼粉。
其中，钼粉、铌粉均为普通市售产品，钼粉选择金堆城钼业股份有限公司的费氏粒度为3.8μm，纯度为3N7，氧含量为680ppm的FMo-1；铌粉选用株洲硬质合金集团有限公司牌号FNb-1的产品，铌粉的费氏粒度15μm，氧含量为1500ppm，经过研磨后铌粉的费氏粒度为5微米(μm)；碳黑选自天津市金大地化工有限公司，化学纯，费氏粒度500nm。
一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，碳黑全部加入后研磨24h，得到混合均匀的初级混合粉末；
步骤2，将步骤1的粉末再与钼粉余料在三维混料机混合8h，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；其中，压制压力为220MPa；
步骤4，将步骤3所得的压制坯在氢气预烧结炉中预烧结，升温速度控制在5℃/分钟，然后进行真空烧结，升温速度控制在8℃/min；升温过程中真空度为5×10－3Pa，升温至2000℃进行保温，保温阶段真空度为1×10－3Pa，保温8小时后随炉冷却，冷却过程中真空度为1×10－3Pa，冷却至80℃后出炉，得到烧结坯；
步骤5，将步骤4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得客户要求规格的钼铌合金棒或板。
作为比较，采用与实施例4中上述相同的钼粉、铌粉及制备工艺来制备钼铌合金靶材；其中，钼粉与铌粉的质量比为88：12，不添加碳黑。
采用排水法分别测定上述钼铌合金靶材的密度、相对密度和含氧量，如表1所示。
实施例5
一种低氧钼铌合金靶材，按重量百分比计量的以下组分组成：铌粉15％，碳黑0.3％，余量为钼粉。
其中，钼粉、铌粉均为普通市售产品，钼粉选择金堆城钼业股份有限公司的费氏粒度为4.5μm，纯度为3N7，氧含量为650ppm的FMo-1；铌粉选用株洲硬质合金集团有限公司牌号FNb-1的产品，铌粉的费氏粒度15μm，氧含量为2500ppm，经过研磨后铌粉的费氏粒度为5微米(μm)；碳黑选自天津市金大地化工有限公司，化学纯，费氏粒度500nm。
一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，碳黑全部加入后研磨24h，得到混合均匀的初级混合粉末；
步骤2，将步骤1的粉末再与钼粉余料在三维混料机混合8h，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；其中，压制压力为250MPa；
步骤4，将步骤3所得的压制坯在氢气预烧结炉中预烧结，升温速度控制在5℃/分钟，然后进行真空烧结，升温速度控制在8℃/min；升温过程中真空度为5×10－3Pa，升温至2050℃进行保温，保温阶段真空度为1×10－3Pa，保温10小时后随炉冷却，冷却过程中真空度为1×10－3Pa，冷却至80℃后出炉，得到烧结坯；
步骤5，将步骤4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得客户要求规格的钼铌合金棒或板。
作为比较，采用与实施例5中上述相同的钼粉、铌粉及制备工艺来制备钼铌合金靶材；其中，钼粉与铌粉的质量比为85：15，不添加碳黑。
采用排水法分别测定上述钼铌合金靶材的密度、相对密度和含氧量，如表1所示。
表1各实施例中钼铌合金靶材的密度和相对密度
Claims (8)
1.一种低氧钼铌合金靶材，其特征在于，包括按重量百分比计量的以下组分：铌粉5％～15％、碳黑0.1％～0.3％、余量为钼粉，以上组分质量百分比之和为100％。
2.一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
步骤1，首先按照1:1重量百分比称量钼粉和铌粉，然后加入碳黑研磨、混匀，得到初级混合粉末；
步骤2，将步骤1制得的初级混合粉末再与钼粉余料进行三维混合，得到均匀的混合粉末；
步骤3，将步骤2所得的混合粉末压制成型，得到压制坯；
步骤4，将步骤3所得的压制坯直接进行真空烧结，或者在氢气气氛中预烧结后再进行真空烧结，得到烧结坯；
步骤5，将步骤,4所得的烧结坯进行外加包套，抽气封装后进行锻造或轧制压力加工，最后制得钼铌合金棒或钼铌合金板。
3.根据权利要求2所述的一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤3中压制压力为160～250Mpa。
4.根据权利要求2所述的一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤4中氢气预烧结最高温度为1200℃，真空烧结的保温温度为1950℃～2050℃，保温时间为5～10小时，保温结束后随炉冷却至100℃以下，再出炉冷却至室温。
5.根据权利要求2所述的一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤1中钼粉的费氏粒度为3.0～4.5μm，钼粉的纯度为3N7，氧含量为800ppm以下。
6.根据权利要求5所述的一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤1研磨后铌粉的费氏粒度为2～5微米，铌粉的氧含量为1500～2500ppm。
7.根据权利要求2所述的一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤1研磨后铌粉的费氏粒度为2～5微米，铌粉的氧含量为1500～2500ppm。
8.根据权利要求2所述的一种低氧钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤4中真空烧结的升温速度不大于10℃/分钟，升温过程中真空度保持在1×10－2Pa以下。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113584366A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-02 | 洛阳高新四丰电子材料有限公司 | 一种铌合金溅射靶材及其制备方法 |
| CN114457248A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-05-10 | 重庆材料研究院有限公司 | 用于高温钎焊的钼钌合金丝制备方法 |
| CN114799163A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-07-29 | 山东格美钨钼材料股份有限公司 | 一种低氧钼铌合金靶材生产线及其工艺流程 |
| CN115572877A (zh) * | 2022-10-08 | 2023-01-06 | 郑州大学 | 一种钼铌或钼钽合金的制备方法 |
| CN116288187A (zh) * | 2023-03-23 | 2023-06-23 | 郑州大学 | 低氧含量钼铌合金靶材及其制备方法 |
| CN119932492A (zh) * | 2025-02-05 | 2025-05-06 | 东莞市塔基特靶材科技有限公司 | 一种高强高韧钼铌合金靶材及其制备方法和应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102041402A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 西安格美金属材料有限公司 | 一种低氧钼合金的制备方法及其应用 |
| CN103146974A (zh) * | 2013-03-27 | 2013-06-12 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 靶材用钼铌合金板的制备方法 |
| CN104550979A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种钼铌合金靶材板的制备方法 |
| CN105648407A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-06-08 | 郑州大学 | 一种高致密度钼铌合金靶材及其制备工艺 |
| CN105683407A (zh) * | 2013-10-29 | 2016-06-15 | 攀时奥地利公司 | 溅镀靶及其制造方法 |
| CN110257784A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-09-20 | 洛阳高新四丰电子材料有限公司 | 一种高致密度钼铌合金溅射靶材的制备工艺 |
-
2020
- 2020-04-24 CN CN202010332099.0A patent/CN111471970A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102041402A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 西安格美金属材料有限公司 | 一种低氧钼合金的制备方法及其应用 |
| CN103146974A (zh) * | 2013-03-27 | 2013-06-12 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 靶材用钼铌合金板的制备方法 |
| CN105683407A (zh) * | 2013-10-29 | 2016-06-15 | 攀时奥地利公司 | 溅镀靶及其制造方法 |
| CN104550979A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种钼铌合金靶材板的制备方法 |
| CN105648407A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-06-08 | 郑州大学 | 一种高致密度钼铌合金靶材及其制备工艺 |
| CN110257784A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-09-20 | 洛阳高新四丰电子材料有限公司 | 一种高致密度钼铌合金溅射靶材的制备工艺 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113584366A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-02 | 洛阳高新四丰电子材料有限公司 | 一种铌合金溅射靶材及其制备方法 |
| CN113584366B (zh) * | 2021-07-16 | 2022-07-12 | 洛阳高新四丰电子材料有限公司 | 一种铌合金溅射靶材及其制备方法 |
| CN114457248A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-05-10 | 重庆材料研究院有限公司 | 用于高温钎焊的钼钌合金丝制备方法 |
| CN114799163A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-07-29 | 山东格美钨钼材料股份有限公司 | 一种低氧钼铌合金靶材生产线及其工艺流程 |
| CN115572877A (zh) * | 2022-10-08 | 2023-01-06 | 郑州大学 | 一种钼铌或钼钽合金的制备方法 |
| CN115572877B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-06-09 | 郑州大学 | 一种钼铌或钼钽合金的制备方法 |
| CN116288187A (zh) * | 2023-03-23 | 2023-06-23 | 郑州大学 | 低氧含量钼铌合金靶材及其制备方法 |
| CN119932492A (zh) * | 2025-02-05 | 2025-05-06 | 东莞市塔基特靶材科技有限公司 | 一种高强高韧钼铌合金靶材及其制备方法和应用 |
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