[go: up one dir, main page]

CN111446160B - 一种晶粒间粘合剂的去除方法 - Google Patents

一种晶粒间粘合剂的去除方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111446160B
CN111446160B CN202010166325.2A CN202010166325A CN111446160B CN 111446160 B CN111446160 B CN 111446160B CN 202010166325 A CN202010166325 A CN 202010166325A CN 111446160 B CN111446160 B CN 111446160B
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive
wafer
cutting
thinning
glass carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010166325.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111446160A (zh
Inventor
严立巍
李景贤
陈政勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd
Original Assignee
Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd filed Critical Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd
Priority to CN202010166325.2A priority Critical patent/CN111446160B/zh
Publication of CN111446160A publication Critical patent/CN111446160A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111446160B publication Critical patent/CN111446160B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H10P52/00—
    • H10P54/00—
    • H10P70/20—

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明公开一种晶粒间粘合剂的去除方法，去除方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行正面切割背面减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本，在金属沉积工艺前去除晶粒之间的粘合剂，避免沉积后的金属使相邻的晶粒重新粘连。

Description

一种晶粒间粘合剂的去除方法
技术领域
本发明涉及晶粒的生产领域，具体是一种晶粒间粘合剂的去除方法。
背景技术
一个超薄晶圆，一般厚度为20-250微米，用于MOSFET and IGBT的功率器件及3-D器件。目前是将晶圆与玻璃载板键合，利用玻璃载板，传送晶圆进行晶圆薄化，及背面黄光，离子注入，金属金属沉积等工艺，最后于晶粒UV膜框架上进行晶粒切割及后续测试和封装。传统的一次切割过程中，粘合剂不会进入晶粒之间，但是在正面切割背面较薄的过程中，晶圆的切割面通过粘合剂粘附在玻璃载板上，导致粘合剂进入晶粒之间的间隙内，如果不对晶粒之间的粘合剂进行清理会影响后续的晶粒的生产工序，例如晶粒从UV膜框上脱离时任然粘附在一起，减薄后进行金属沉积工艺，晶粒之间的金属会是晶粒重新粘连在一起。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶粒间粘合剂的去除方法，通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行正面切割背面减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，有利于控制晶粒的生产成本，在金属沉积工艺前去除晶粒之间的粘合剂，避免沉积后的金属使相邻的晶粒重新粘连。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种晶粒间粘合剂的去除方法，去除方法包括以下步骤：
S1：正面切割
对晶圆进行切割。
S2：一次固定
采用粘合剂将晶圆切割的正面键合在玻璃载板上。
S3：减薄
对切割后的背面进行减薄。
S4：中间工艺
背面黄光，离子注入,光阻去除，退火工艺。
S5：粘合剂去除
采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒之间的粘合剂，通过侧蚀刻在晶粒与玻璃载板之间的粘合剂上形成凹槽。
S6：金属沉积工艺
通过溅镀/蒸镀/化镀/电镀对晶粒的减薄面进行金属沉积工艺。
S7:二次固定
将减薄面固定在UV膜框上，UV膜框上设有UV型胶膜。
S8：脱离玻璃载板
采用镭射/热分解的方式进行解键合，将晶圆与玻璃载板上脱离，此时晶粒粘合在UV膜框上。
S9：溶剂清洗
清洗晶粒上残留的粘合剂。
进一步的，所述切割的方法为金刚石切割/激光切割/等离子切割。
进一步的，所述晶圆切割时从晶圆的正面进行切割，切割至X处,X为预计最后晶圆减薄完成后的厚度。
进一步的，所述减薄后相邻的晶粒之间完全分离。
进一步的，所述一次固定的粘合剂通过UV键合将晶圆和玻璃载板粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。
进一步的，所述一次固定的粘合剂通过加热键合将晶圆和玻璃载板粘合在一起,温度要求为150-300℃，使用的时间为30分钟以下。
进一步的，所述一次减薄采用的方法为蚀刻/研磨。
本发明的有益效果：
1、本发明通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行正面切割背面减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏；
2、本发明通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗，在金属沉积工艺前去除晶粒之间的粘合剂，避免沉积后的金属使相邻的晶粒重新粘连。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明一次固定结构示意图；
图2是本发明减薄结构示意图；
图3是本发明粘合剂去除结构示意图；
图4是本发明二次固定结构示意图；
图5是本发明脱离玻璃载板结构示意图；
图6是本发明溶剂清洗结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
一种晶粒间粘合剂的去除方法，去除方法包括以下步骤：
S1：正面切割
采用金刚石切割/激光切割/等离子切割对晶圆1进行切割；切割至(1.05X～1.3X)处,X为预计最后晶圆1减薄完成后的厚度。
S2：一次固定
采用粘合剂3将晶圆1切割的正面键合在玻璃载板2上，粘合剂3通过UV键合/加热键合将晶圆1和玻璃载板2粘合在一起，温度要求为50-200℃/150-300℃，使用的时间为30分钟以下。
S3：减薄
采用蚀刻/研磨对切割后的背面进行减薄，减薄后相邻的晶粒之间完全分离。
S4：中间工艺
背面黄光，离子注入,光阻去除，退火工艺。
S5：粘合剂3去除
采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒4之间的粘合剂3，通过侧蚀刻在晶粒4与玻璃载板2之间的粘合剂3上形成凹槽6。
S6：金属沉积工艺
通过溅镀/蒸镀/化镀/电镀对晶粒4的减薄面进行金属沉积工艺。
S7:二次固定
将减薄面固定在UV膜框5上，UV膜框5上设有UV型胶膜。
S8：脱离玻璃载板2
采用镭射/热分解的方式进行解键合，将晶圆1与玻璃载板2上脱离，此时晶粒4粘合在UV膜框5上。
S9：溶剂清洗
清洗晶粒4上残留的粘合剂3。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (7)

1.一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，去除方法包括以下步骤：
S1：正面切割
对晶圆(1)进行切割；
S2：一次固定
采用粘合剂(3)将晶圆(1)切割的正面键合在玻璃载板(2)上；
S3：减薄
对切割后的晶圆(1)背面进行减薄；
S4：中间工艺
背面黄光，离子注入 ,光阻去除，退火工艺；
S5：粘合剂(3)去除
采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒(4)之间的粘合剂(3)，通过侧蚀刻在晶粒(4)与玻璃载板(2)之间的粘合剂(3)上形成凹槽(6)；
S6：金属沉积工艺
通过溅镀、蒸镀、化镀或电镀对晶粒(4)的减薄面进行金属沉积工艺；
S7:二次固定
将减薄面固定在UV膜框(5)上，UV膜框(5)上设有UV型胶膜；
S8：脱离玻璃载板(2)
采用镭射或热分解的方式进行解键合，将晶圆(1)与玻璃载板(2)脱离，此时晶粒(4)粘合在UV膜框(5)上；
S9：溶剂清洗
清洗晶粒(4)上残留的粘合剂(3)。
2.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述切割的方法为金刚石切割、激光切割或等离子切割。
3.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述晶圆(1)切割时从晶圆(1)的正面进行切割，切割至(1.05X~1.3X)处 ,X为预计最后晶圆(1)减薄完成后的厚度。
4.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述减薄后相邻的晶粒之间完全分离。
5.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过UV键合将晶圆(1)和玻璃载板(2)粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。
6.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过加热键合将晶圆(1)和玻璃载板(2)粘合在一起 ,温度要求为150-300℃，使用的时间为30分钟以下。
7.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述一次减薄采用的方法为蚀刻或研磨。
CN202010166325.2A 2020-03-11 2020-03-11 一种晶粒间粘合剂的去除方法 Active CN111446160B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010166325.2A CN111446160B (zh) 2020-03-11 2020-03-11 一种晶粒间粘合剂的去除方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010166325.2A CN111446160B (zh) 2020-03-11 2020-03-11 一种晶粒间粘合剂的去除方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111446160A CN111446160A (zh) 2020-07-24
CN111446160B true CN111446160B (zh) 2023-02-03

Family

ID=71653200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010166325.2A Active CN111446160B (zh) 2020-03-11 2020-03-11 一种晶粒间粘合剂的去除方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111446160B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6013534A (en) * 1997-07-25 2000-01-11 The United States Of America As Represented By The National Security Agency Method of thinning integrated circuits received in die form
JP2002270676A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
CN103066026A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 稳懋半导体股份有限公司 高抗折强度半导体晶元改良结构及其制造方法
CN104668782A (zh) * 2013-12-02 2015-06-03 光环科技股份有限公司 半导体晶片的激光切割方法
CN105810590A (zh) * 2016-03-18 2016-07-27 中国电子科技集团公司第二十六研究所 声表面波滤波器晶圆键合封装工艺
CN108231567A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 和舰科技(苏州)有限公司 一种晶背减薄方法及所使用的圆形治具

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7535100B2 (en) * 2002-07-12 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6013534A (en) * 1997-07-25 2000-01-11 The United States Of America As Represented By The National Security Agency Method of thinning integrated circuits received in die form
JP2002270676A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
CN103066026A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 稳懋半导体股份有限公司 高抗折强度半导体晶元改良结构及其制造方法
CN104668782A (zh) * 2013-12-02 2015-06-03 光环科技股份有限公司 半导体晶片的激光切割方法
CN105810590A (zh) * 2016-03-18 2016-07-27 中国电子科技集团公司第二十六研究所 声表面波滤波器晶圆键合封装工艺
CN108231567A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 和舰科技(苏州)有限公司 一种晶背减薄方法及所使用的圆形治具

Also Published As

Publication number Publication date
CN111446160A (zh) 2020-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111446162B (zh) 一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法
EP0603514A2 (en) Method for thinning a semiconductor wafer
TWI605953B (zh) 層積體之分離方法
TW201104732A (en) Thin wafer structure and method
JPS61112345A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013201251A (ja) 基板の分離方法及び分離装置
TW201009920A (en) Method of thinning a semiconductor wafer
TW201232654A (en) Semiconductor device, and manufacturing method and manufacturing apparatus of the same
CN111446159B (zh) 一种正面切割背面减薄的生产方法
CN106663640A (zh) 提供电子器件的方法及其电子器件
US10083850B2 (en) Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier
TW200410304A (en) Process for manufacturing thin semiconductor chip
WO2016090636A1 (zh) 一种晶圆临时键合及分离的方法
CN111446151A (zh) 一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法
CN111446158A (zh) 一种晶圆背面切割后金属沉积工艺
CN111446160B (zh) 一种晶粒间粘合剂的去除方法
CN108511384B (zh) 临时键合/解键合的材料及其制备方法和应用
CN115424918A (zh) 一种碳化硅与氮化镓键合的超薄晶圆制作工艺
CN111446161B (zh) 一种晶圆的切割方法
CN111441072B (zh) 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法
WO2019122162A1 (en) Method of producing a thin film functional layer
TW202501566A (zh) 用於製造包含片體之複合結構的方法
CN106449505A (zh) 一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
CN115472493B (zh) 一种碳化硅晶圆加工方法
TWI819492B (zh) 晶圓的背面處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant