CN111421394A - 一种半导体芯片生产工艺 - Google Patents

Abstract

本发明属于半导体芯片生产技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺，该生产工艺中所使用的研磨设备，包括支架、磨头和探杆；所述支架的水平结构上表面设有安装板；所述支架顶部位置设有动力箱；所述动力箱的内部固连有电机；所述电机的下方位置设有磨头和探杆；通过本发明有效的解决了小批量生产企业设备投入资金不足的问题，且无需人工进行芯片表面水平状态的调节，解决了部分企业大量使用人工进行研磨，生产效率较低，且产品质量不稳定情况。

Description

一种半导体芯片生产工艺

技术领域

本发明属于半导体芯片生产技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺。

背景技术

半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件；不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，(砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它)锗等半导体材料，半导体也像汽车有潮流；二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存(D-RAM)市场占上风；但由于大型计算机的出现，需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代，日本企业名列前茅。

根据CN201810603894.1一种半导体芯片生产工艺，现有技术的研磨设备通过三坐标高精度打点，实现对晶圆表面平面度，水平状态的前期自动检测，因此在接下来的研磨抛光过程中，可以自动根据打点的检测结果进行自动调节，但是该设备的自动化以及精度较高，因此设备成本较高，适合于大批量生产，对于小批量生产企业，目前还存在人工进行设备简易调整，并进行研磨处理，因此调节的精度较低，研磨出来的成品表面质量较低，甚至部分企业还会通过手工研磨，因此产品的质量难以保证等问题。

鉴于此，为了克服上述技术问题，本公司设计研发了一种半导体芯片生产工艺，采用了特殊的研磨设备，解决了上述技术问题。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，解决现有技术的研磨设备通过三坐标高精度打点，实现对晶圆表面平面度，水平状态的前期自动检测，因此在接下来的研磨抛光过程中，可以自动根据打点的检测结果进行自动调节，但是该设备的自动化以及精度较高，因此设备成本较高，适合于大批量生产，对于小批量生产企业，目前还存在人工进行设备简易调整，并进行研磨处理，因此调节的精度较低，研磨出来的成品表面质量较低，甚至部分企业还会通过手工研磨，因此产品的质量难以保证等问题，本发明提出一种半导体芯片生产工艺。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该生产工艺包括以下步骤：

S1：首先将块状的复晶硅置于石英坩埚内，高温加热，使得块状的复晶硅完全融化成硅熔浆；通过石英坩埚对复晶硅进行高温加热，可以快速的使复晶硅完全融化成硅熔浆，且受热较为均匀。

S2：将S1中高温加热的熔浆硅进行晶体成长，得到晶棒，然后将晶棒放入到切片机中进行切片，并得到晶圆，然后将晶圆置于研磨设备上研磨成镜面；通过设置研磨设备可以对晶圆进行快速的研磨，使的研磨后的晶圆表面呈现镜面状，平面度更高。

S3：将S2中得到的镜面晶圆放入到高温扩散炉内进行氧化处理，然后对晶圆表面涂抹光刻胶，并放入到光刻机中进行曝光和显影，最后将晶圆送入到刻蚀机中进行等离子刻蚀；通过设置对晶圆表面进行等离子刻蚀，实现对光刻胶的光刻曝光处理，然后再通过其他方式实现对所需除去部分的腐蚀处理。

S4：将等离子刻蚀后的晶圆进行电镀处理，使得晶圆表面电镀一层硫酸铜，并且铜离子沉淀到晶体管上，形成铜层，然后将多余的铜抛光处理，得到磨光晶圆，经过后续处理最终可以得到所需的半导体芯片；通过电镀处理可以使得晶圆表面形成一层薄薄的铜层，最后再通过研磨设备进行研磨处理，保证晶圆表面多余的铜被抛光掉。

其中S2和S4中所使用的研磨设备，包括支架、安装板和磨头；所述支架截面为“L”形结构设计；所述的水平结构上表面开设有四个调节孔；四个所述调节孔的内部均安装有调节旋钮；四个所述调节旋钮共同连有同一个安装板；所述安装板的上表面固连有固定限位板；所述安装板的上表面于固定限位板右侧位置开设有调节槽；所述调节槽的内部转动连接有调节杆；所述调节杆的左侧端面固连有活动限位板，且活动限位板左右滑动连接于调节槽的内部；所述固定限位板和活动限位板之间共同夹有同一个半导体芯片；所述支架的竖直结构上表面左右滑动连接有第一滑块；所述第一滑块的右侧侧面固连有第一槽板；所述第一槽板的右侧侧面前后滑动连接有第二滑块；所述第二滑块的右侧侧面固连有第二槽板；所述第二槽板的右侧侧面上下滑动连接有第三滑块；所述第三滑块的右侧侧面固连有动力箱；所述动力箱的内部固连有电机，且电机的输出轴穿过动力箱并延伸至动力箱的下方；所述电机的输出轴固连有传动柱；所述传动柱的下表面开设有螺纹孔，且螺纹孔的内部螺纹连接有螺柱；所述螺柱的下表面固连有第一伸缩杆；所述第一伸缩杆的活塞杆固连有磨头；所述动力箱的下表面于传动柱的外部位置固连有固定环；所述固定环的下表面位置设有连块；所述连块的下表面固连有第二伸缩杆；所述第二伸缩杆的活塞杆固连有探杆；所述螺柱和固定环之间靠近固定环的下表面位置设有进气环，且进气环实现将第一伸缩杆和第二伸缩杆之间连通；工作时，当需要对晶圆进行研磨或抛光处理时，由于现有技术的研磨设备通过三坐标高精度打点，实现对晶圆表面平面度，水平状态的前期自动检测，因此在接下来的研磨抛光过程中，可以自动根据打点的检测结果进行自动调节，但是该设备的自动化以及精度较高，因此设备成本较高，适合于大批量生产，对于小批量生产企业，目前还存在人工进行设备简易调整，并进行研磨处理，因此调节的精度较低，研磨出来的成品表面质量较低，甚至部分企业还会通过手工研磨，因此产品的质量难以保证等问题，鉴于此，通过本发明所使用的研磨设备，当需要进行晶圆或半导体芯片研磨时，首先工人将芯片置于安装板的上表面，并使得芯片左侧侧面紧贴于固定限位板，然后转动调节杆，使得调节杆在调节槽内向左运动，调节杆进而带动活动限位板向左运动，活动限位板进而会对芯片的右侧侧面进行固定，通过固定限位板和活动限位板可以实现对芯片的限位固定，然后通过调节第一滑块、第二滑块和第三滑块，使得磨头位于芯片的正上方位置，且调节磨头和探杆的高度差，要求调节后的探杆下表面刚好与芯片的上表面相接触，同时启动电机，使得磨头转动到芯片的内部，调节完成后，再次启动开关，电机转动，同时第一滑块、第二滑块和第三滑块会按照控制程序进行自动的移动，实现对芯片表面进行固定轨迹的去除材料打磨，最终实现对芯片表面的完全打磨，通过设置第一伸缩杆和第二伸缩杆，当芯片设置非完全水平状态时，磨头会出现打磨深度不一致情况，甚至部分位置未进行打磨，因此通过第二伸缩杆可以使得探杆与芯片的表面保持接触，当动力箱带动探杆和磨头同时移动时，探杆出现与芯片表面接触力增大或分离，此时第二伸缩杆会进行自动伸缩进行自动调整，且调整过程中由于第二伸缩杆和第一伸缩杆之间连通，因此可以实现第一伸缩杆的同步伸缩，通过将探杆保持在磨头的前方位置，且探杆和磨头之间距离较近，因此可以实现磨头高度自动调节，通过一种半导体芯片生产工艺，通过该生产工艺中使用的研磨设备，有效的解决了小批量生产企业设备投入资金不足的问题，且无需人工进行芯片表面水平状态的调节，解决了部分企业大量使用人工进行研磨，生产效率较低，且产品质量不稳定情况。

优选的，所述探杆的下表面开设有球槽；所述球槽的内部滚动连接有球珠；工作时，由于探杆需要和芯片的表面保持接触，以实现对磨头高度的自动调节，但是探杆在打磨移动过程中会与芯片的表面进行摩擦，一方面会影响芯片表面的质量，另一方面探杆与芯片较大的摩擦力也会影响设备打磨的进给，因此通过在探杆的下表面设置球珠，可以在不影响调节的情况下，实现探杆与芯片表面的滚动连接，极大的减少了摩擦力的产生。

优选的，所述第二伸缩杆的外弧面开设有泄压孔，且泄压孔将第二伸缩杆的内部和外部之间连通；所述泄压孔的内部设有泄压阀；工作时，由于芯片局部平面度存在较的波动问题，特别是芯片表面存在异物现象时，会使得探杆进行自动调节，此时磨头也会不断的进行调整，因此当芯片表面的平面质量较差时，打磨后的表面质量也会较差，因此通过在第二伸缩杆的表面设置泄压阀，通过泄压阀的泄压作用，当遇到平面快速波动问题时，第二伸缩杆内压会快速的变化，此时第二伸缩杆可以直接通过泄压阀进行快速的泄压，保证第二伸缩杆独自调整，避免快速波动对第一伸缩杆和磨头的影响。

优选的，所述固定环的下表面固连有挡环；所述挡环的外弧面靠近固定环的下表面位置开设有排孔；所述排孔的内部固连有吸管，且吸管的另一端接负压；工作时，由于探杆需要与芯片表面之间接触，因此如果磨头打磨出来的大量磨屑残留在芯片表面时，会严重的影响探杆正常的工作，因此通过设置挡环，通过在挡环的表面开设排孔，通过排孔表面内的负压吸管，可以及时的将磨屑吸出，且挡环可以避免磨屑甩出问题，减少磨屑在芯片表面残留问题。

优选的，所述挡环的外弧面靠近挡环的下表面位置开设有转动槽；所述转动槽的内部转动连接有转环；所述转环的外弧面设有连块；工作时，由于探杆需要进行自动调节，且探杆与磨头之间的距离较近，因此为了避免探杆与打磨后的芯片表面之间接触，因此通过设置转环，通过转环在挡板表面的转动槽内转动，可以带动探杆在磨头周圈的位置调节，以适应不同的打磨方位要求。

优选的，所述转环的外弧面和连块之间固连有第三伸缩杆，且第三伸缩杆和第二伸缩杆之间相连通；工作时，当芯片表面出现较大的阻碍物时，会直接阻挡探杆的进给运动，由于探杆的直径较小，因此强度较低，较大的阻力容易导致探杆断裂问题，因此通过设置第三伸缩杆，当探杆受到较大的运动阻力时，会压缩第三伸缩杆，第三伸缩杆内部的气体会直接进入到第二伸缩杆内，实现第二伸缩杆自动上移，避免了探杆的损坏甚至断裂问题。

本发明的有益效果如下：

1.本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该生产工艺中所使用的研磨设备，通过设置安装板、磨头和探杆；通过探杆与芯片的表面保持接触，且通过第一伸缩杆和第二伸缩杆的同步伸缩，因此可以实现磨头高度自动调节，通过一种半导体芯片生产工艺，通过该生产工艺中使用的研磨设备，有效的解决了小批量生产企业设备投入资金不足的问题，且无需人工进行芯片表面水平状态的调节，解决了部分企业大量使用人工进行研磨，生产效率较低，且产品质量不稳定情况。

2.本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该生产工艺中所使用的研磨设备，通过设置挡环、吸管和转环；通过设置挡环，通过在挡环的表面开设排孔，通过排孔表面内的负压吸管，可以及时的将磨屑吸出，且挡环可以避免磨屑甩出问题，减少磨屑在芯片表面残留问题；设置转环，通过转环在挡板表面的转动槽内转动，可以带动探杆在磨头周圈的位置调节，以适应不同的打磨方位要求。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明。

图1是本发明的工艺流程图

图2是本发明所使用的研磨设备的立体图；

图3是本发明使用的研磨设备的主视图；

图4是图3中A处局部放大视图；

图中：支架1、第一滑块11、第二滑块12、第三滑块13、动力箱14、电机15、安装板2、固定限位板21、活动限位板22、磨头3、第一伸缩杆31、固定环32、第二伸缩杆33、探杆34、球珠35、泄压阀36、挡环37、吸管38、转环39、第三伸缩杆310。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

如图1至图4所示，本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该生产工艺包括以下步骤：

S1：首先将块状的复晶硅置于石英坩埚内，高温加热，使得块状的复晶硅完全融化成硅熔浆；通过石英坩埚对复晶硅进行高温加热，可以快速的使复晶硅完全融化成硅熔浆，且受热较为均匀。

S2：将S1中高温加热的熔浆硅进行晶体成长，得到晶棒，然后将晶棒放入到切片机中进行切片，并得到晶圆，然后将晶圆置于研磨设备上研磨成镜面；通过设置研磨设备可以对晶圆进行快速的研磨，使的研磨后的晶圆表面呈现镜面状，平面度更高。

S3：将S2中得到的镜面晶圆放入到高温扩散炉内进行氧化处理，然后对晶圆表面涂抹光刻胶，并放入到光刻机中进行曝光和显影，最后将晶圆送入到刻蚀机中进行等离子刻蚀；通过设置对晶圆表面进行等离子刻蚀，实现对光刻胶的光刻曝光处理，然后再通过其他方式实现对所需除去部分的腐蚀处理。

S4：将等离子刻蚀后的晶圆进行电镀处理，使得晶圆表面电镀一层硫酸铜，并且铜离子沉淀到晶体管上，形成铜层，然后将多余的铜抛光处理，得到磨光晶圆，经过后续处理最终可以得到所需的半导体芯片；通过电镀处理可以使得晶圆表面形成一层薄薄的铜层，最后再通过研磨设备进行研磨处理，保证晶圆表面多余的铜被抛光掉。

其中S2和S4中所使用的研磨设备，包括支架1、安装板2和磨头3；所述支架1截面为“L”形结构设计；所述的水平结构上表面开设有四个调节孔；四个所述调节孔的内部均安装有调节旋钮；四个所述调节旋钮共同连有同一个安装板2；所述安装板2的上表面固连有固定限位板21；所述安装板2的上表面于固定限位板21右侧位置开设有调节槽；所述调节槽的内部转动连接有调节杆；所述调节杆的左侧端面固连有活动限位板22，且活动限位板22左右滑动连接于调节槽的内部；所述固定限位板21和活动限位板22之间共同夹有同一个半导体芯片；所述支架1的竖直结构上表面左右滑动连接有第一滑块11；所述第一滑块11的右侧侧面固连有第一槽板；所述第一槽板的右侧侧面前后滑动连接有第二滑块12；所述第二滑块12的右侧侧面固连有第二槽板；所述第二槽板的右侧侧面上下滑动连接有第三滑块13；所述第三滑块13的右侧侧面固连有动力箱14；所述动力箱14的内部固连有电机15，且电机15的输出轴穿过动力箱14并延伸至动力箱14的下方；所述电机15的输出轴固连有传动柱；所述传动柱的下表面开设有螺纹孔，且螺纹孔的内部螺纹连接有螺柱；所述螺柱的下表面固连有第一伸缩杆31；所述第一伸缩杆31的活塞杆固连有磨头3；所述动力箱14的下表面于传动柱的外部位置固连有固定环32；所述固定环32的下表面位置设有连块；所述连块的下表面固连有第二伸缩杆33；所述第二伸缩杆33的活塞杆固连有探杆34；所述螺柱和固定环32之间靠近固定环32的下表面位置设有进气环，且进气环实现将第一伸缩杆31和第二伸缩杆33之间连通；工作时，当需要对晶圆进行研磨或抛光处理时，由于现有技术的研磨设备通过三坐标高精度打点，实现对晶圆表面平面度，水平状态的前期自动检测，因此在接下来的研磨抛光过程中，可以自动根据打点的检测结果进行自动调节，但是该设备的自动化以及精度较高，因此设备成本较高，适合于大批量生产，对于小批量生产企业，目前还存在人工进行设备简易调整，并进行研磨处理，因此调节的精度较低，研磨出来的成品表面质量较低，甚至部分企业还会通过手工研磨，因此产品的质量难以保证等问题，鉴于此，通过本发明所使用的研磨设备，当需要进行晶圆或半导体芯片研磨时，首先工人将芯片置于安装板2的上表面，并使得芯片左侧侧面紧贴于固定限位板21，然后转动调节杆，使得调节杆在调节槽内向左运动，调节杆进而带动活动限位板22向左运动，活动限位板22进而会对芯片的右侧侧面进行固定，通过固定限位板21和活动限位板22可以实现对芯片的限位固定，然后通过调节第一滑块11、第二滑块12和第三滑块13，使得磨头3位于芯片的正上方位置，且调节磨头3和探杆34的高度差，要求调节后的探杆34下表面刚好与芯片的上表面相接触，同时启动电机15，使得磨头3转动到芯片的内部，调节完成后，再次启动开关，电机15转动，同时第一滑块11、第二滑块12和第三滑块13会按照控制程序进行自动的移动，实现对芯片表面进行固定轨迹的去除材料打磨，最终实现对芯片表面的完全打磨，通过设置第一伸缩杆31和第二伸缩杆33，当芯片设置非完全水平状态时，磨头3会出现打磨深度不一致情况，甚至部分位置未进行打磨，因此通过第二伸缩杆33可以使得探杆34与芯片的表面保持接触，当动力箱14带动探杆34和磨头3同时移动时，探杆34出现与芯片表面接触力增大或分离，此时第二伸缩杆33会进行自动伸缩进行自动调整，且调整过程中由于第二伸缩杆33和第一伸缩杆31之间连通，因此可以实现第一伸缩杆31的同步伸缩，通过将探杆34保持在磨头3的前方位置，且探杆34和磨头3之间距离较近，因此可以实现磨头3高度自动调节，通过一种半导体芯片生产工艺，通过该生产工艺中使用的研磨设备，有效的解决了小批量生产企业设备投入资金不足的问题，且无需人工进行芯片表面水平状态的调节，解决了部分企业大量使用人工进行研磨，生产效率较低，且产品质量不稳定情况。

作为本发明的一种实施方式，所述探杆34的下表面开设有球槽；所述球槽的内部滚动连接有球珠35；工作时，由于探杆34需要和芯片的表面保持接触，以实现对磨头3高度的自动调节，但是探杆34在打磨移动过程中会与芯片的表面进行摩擦，一方面会影响芯片表面的质量，另一方面探杆34与芯片较大的摩擦力也会影响设备打磨的进给，因此通过在探杆34的下表面设置球珠35，可以在不影响调节的情况下，实现探杆34与芯片表面的滚动连接，极大的减少了摩擦力的产生。

作为本发明的一种实施方式，所述第二伸缩杆33的外弧面开设有泄压孔，且泄压孔将第二伸缩杆33的内部和外部之间连通；所述泄压孔的内部设有泄压阀36；工作时，由于芯片局部平面度存在较的波动问题，特别是芯片表面存在异物现象时，会使得探杆34进行自动调节，此时磨头3也会不断的进行调整，因此当芯片表面的平面质量较差时，打磨后的表面质量也会较差，因此通过在第二伸缩杆33的表面设置泄压阀36，通过泄压阀36的泄压作用，当遇到平面快速波动问题时，第二伸缩杆33内压会快速的变化，此时第二伸缩杆33可以直接通过泄压阀36进行快速的泄压，保证第二伸缩杆33独自调整，避免快速波动对第一伸缩杆31和磨头3的影响。

作为本发明的一种实施方式，所述固定环32的下表面固连有挡环37；所述挡环37的外弧面靠近固定环32的下表面位置开设有排孔；所述排孔的内部固连有吸管38，且吸管38的另一端接负压；工作时，由于探杆34需要与芯片表面之间接触，因此如果磨头3打磨出来的大量磨屑残留在芯片表面时，会严重的影响探杆34正常的工作，因此通过设置挡环37，通过在挡环37的表面开设排孔，通过排孔表面内的负压吸管38，可以及时的将磨屑吸出，且挡环37可以避免磨屑甩出问题，减少磨屑在芯片表面残留问题。

作为本发明的一种实施方式，所述挡环37的外弧面靠近挡环37的下表面位置开设有转动槽；所述转动槽的内部转动连接有转环39；所述转环39的外弧面设有连块；工作时，由于探杆34需要进行自动调节，且探杆34与磨头3之间的距离较近，因此为了避免探杆34与打磨后的芯片表面之间接触，因此通过设置转环39，通过转环39在挡板表面的转动槽内转动，可以带动探杆34在磨头3周圈的位置调节，以适应不同的打磨方位要求。

作为本发明的一种实施方式，所述转环39的外弧面和连块之间固连有第三伸缩杆310，且第三伸缩杆310和第二伸缩杆33之间相连通；工作时，当芯片表面出现较大的阻碍物时，会直接阻挡探杆34的进给运动，由于探杆34的直径较小，因此强度较低，较大的阻力容易导致探杆34断裂问题，因此通过设置第三伸缩杆310，当探杆34受到较大的运动阻力时，会压缩第三伸缩杆310，第三伸缩杆310内部的气体会直接进入到第二伸缩杆33内，实现第二伸缩杆33自动上移，避免了探杆34的损坏甚至断裂问题。

具体工作流程如下：

工作时，当需要进行晶圆或半导体芯片研磨时，首先工人将芯片置于安装板2的上表面，并使得芯片左侧侧面紧贴于固定限位板21，然后转动调节杆，使得调节杆在调节槽内向左运动，调节杆进而带动活动限位板22向左运动，活动限位板22进而会对芯片的右侧侧面进行固定，通过固定限位板21和活动限位板22可以实现对芯片的限位固定，然后通过调节第一滑块11、第二滑块12和第三滑块13，使得磨头3位于芯片的正上方位置，且调节磨头3和探杆34的高度差，要求调节后的探杆34下表面刚好与芯片的上表面相接触，同时启动电机15，使得磨头3转动到芯片的内部，调节完成后，再次启动开关，电机15转动，同时第一滑块11、第二滑块12和第三滑块13会按照控制程序进行自动的移动，实现对芯片表面进行固定轨迹的去除材料打磨，最终实现对芯片表面的完全打磨，通过设置第一伸缩杆31和第二伸缩杆33，当芯片设置非完全水平状态时，磨头3会出现打磨深度不一致情况，甚至部分位置未进行打磨，因此通过第二伸缩杆33可以使得探杆34与芯片的表面保持接触，当动力箱14带动探杆34和磨头3同时移动时，探杆34出现与芯片表面接触力增大或分离，此时第二伸缩杆33会进行自动伸缩进行自动调整，且调整过程中由于第二伸缩杆33和第一伸缩杆31之间连通，因此可以实现第一伸缩杆31的同步伸缩，通过将探杆34保持在磨头3的前方位置，且探杆34和磨头3之间距离较近，因此可以实现磨头3高度自动调节；通过在探杆34的下表面设置球珠35，可以在不影响调节的情况下，实现探杆34与芯片表面的滚动连接；通过在第二伸缩杆33的表面设置泄压阀36，通过泄压阀36的泄压作用，当遇到平面快速波动问题时，第二伸缩杆33内压会快速的变化，此时第二伸缩杆33可以直接通过泄压阀36进行快速的泄压，保证第二伸缩杆33独自调整，避免快速波动对第一伸缩杆31和磨头3的影响；通过在挡环37的表面开设排孔，通过排孔表面内的负压吸管38，可以及时的将磨屑吸出，且挡环37可以避免磨屑甩出问题；通过设置第三伸缩杆310，当探杆34受到较大的运动阻力时，会压缩第三伸缩杆310，第三伸缩杆310内部的气体会直接进入到第二伸缩杆33内，实现第二伸缩杆33自动上移。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (6)

1.一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：该生产工艺包括以下步骤：

S1：首先将块状的复晶硅置于石英坩埚内，高温加热，使得块状的复晶硅完全融化成硅熔浆；

S2：将S1中高温加热的熔浆硅进行晶体成长，得到晶棒，然后将晶棒放入到切片机中进行切片，并得到晶圆，然后将晶圆置于研磨机上研磨成镜面；

S3：将S2中得到的镜面晶圆放入到高温扩散炉内进行氧化处理，然后对晶圆表面涂抹光刻胶，并放入到光刻机中进行曝光和显影，最后将晶圆送入到刻蚀机中进行等离子刻蚀；

S4：将等离子刻蚀后的晶圆进行电镀处理，使得晶圆表面电镀一层硫酸铜，并且铜离子沉淀到晶体管上，形成铜层，然后将多余的铜抛光处理，得到磨光晶圆，经过后续处理最终可以得到所需的半导体芯片；

其中S2和S4中所使用的研磨设备，包括支架(1)、安装板(2)和磨头(3)；所述支架(1)截面为“L”形结构设计；所述的水平结构上表面开设有四个调节孔；四个所述调节孔的内部均安装有调节旋钮；四个所述调节旋钮共同连有同一个安装板(2)；所述安装板(2)的上表面固连有固定限位板(21)；所述安装板(2)的上表面于固定限位板(21)右侧位置开设有调节槽；所述调节槽的内部转动连接有调节杆；所述调节杆的左侧端面固连有活动限位板(22)，且活动限位板(22)左右滑动连接于调节槽的内部；所述固定限位板(21)和活动限位板(22)之间共同夹有同一个半导体芯片；所述支架(1)的竖直结构上表面左右滑动连接有第一滑块(11)；所述第一滑块(11)的右侧侧面固连有第一槽板；所述第一槽板的右侧侧面前后滑动连接有第二滑块(12)；所述第二滑块(12)的右侧侧面固连有第二槽板；所述第二槽板的右侧侧面上下滑动连接有第三滑块(13)；所述第三滑块(13)的右侧侧面固连有动力箱(14)；所述动力箱(14)的内部固连有电机(15)，且电机(15)的输出轴穿过动力箱(14)并延伸至动力箱(14)的下方；所述电机(15)的输出轴固连有传动柱；所述传动柱的下表面开设有螺纹孔，且螺纹孔的内部螺纹连接有螺柱；所述螺柱的下表面固连有第一伸缩杆(31)；所述第一伸缩杆(31)的活塞杆固连有磨头(3)；所述动力箱(14)的下表面于传动柱的外部位置固连有固定环(32)；所述固定环(32)的下表面位置设有连块；所述连块的下表面固连有第二伸缩杆(33)；所述第二伸缩杆(33)的活塞杆固连有探杆(34)；所述螺柱和固定环(32)之间靠近固定环(32)的下表面位置设有进气环，且进气环实现将第一伸缩杆(31)和第二伸缩杆(33)之间连通。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述探杆(34)的下表面开设有球槽；所述球槽的内部滚动连接有球珠(35)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述第二伸缩杆(33)的外弧面开设有泄压孔，且泄压孔将第二伸缩杆(33)的内部和外部之间连通；所述泄压孔的内部设有泄压阀(36)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述固定环(32)的下表面固连有挡环(37)；所述挡环(37)的外弧面靠近固定环(32)的下表面位置开设有排孔；所述排孔的内部固连有吸管(38)，且吸管(38)的另一端接负压。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述挡环(37)的外弧面靠近挡环(37)的下表面位置开设有转动槽；所述转动槽的内部转动连接有转环(39)；所述转环(39)的外弧面设有连块。

6.根据权利要求5所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述转环(39)的外弧面和连块之间固连有第三伸缩杆(310)，且第三伸缩杆(310)和第二伸缩杆(33)之间相连通。

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