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CN111416027B - 一种倒装高压发光二极管及发光装置 - Google Patents

一种倒装高压发光二极管及发光装置 Download PDF

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CN111416027B
CN111416027B CN202010343028.0A CN202010343028A CN111416027B CN 111416027 B CN111416027 B CN 111416027B CN 202010343028 A CN202010343028 A CN 202010343028A CN 111416027 B CN111416027 B CN 111416027B
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Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
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Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种倒装高压发光二极管以及发光装置，其中倒装高压发光二极管包括衬底和n颗子芯片，其中n大于等于3，n颗子芯片位于衬底上且彼此之间通过沟槽而相互独立，每一子芯片包括一半导体发光堆叠层，每一子芯片的半导体发光堆叠层上以及沟槽内都覆盖有反射层；反射层上具有位于至少一其它子芯片上的至少一第一其它开口和/或至少一第二其它开口，该第一焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，且填充反射层的第一其它开口，和/或第二焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，同时填充第二其它开口，以提升倒装高压发光二极管整体的固晶能力。

Description

一种倒装高压发光二极管及发光装置
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，具体是涉及一种倒装高压发光二极管及发光装置。
背景技术
倒装结构的芯片具有低热阻、免打线的优势，高压芯片具有高电压、可简化驱动电源的优势，因此一些研究机构希望开发出倒装结构的高压芯片，以将两者的优势相结合而发挥出来。高压倒装芯片凭借良好的散热性能可应用于照明、背光、RGB显屏、柔性灯丝等大功率领域，然而高压倒装芯片越发关注焊盘在基板上的固晶能力，特别的是柔性基板上的固晶能力。
现有倒装高压发光二极管，包括至少三个子芯片10，其结构如图1～图2所示，每一子芯片10包括半导体发光堆叠层，每一子芯片10之间具有沟槽，透明绝缘层105覆盖每一子芯片的半导体发光堆叠层上和沟槽内，第一电极106和第二电极107分别设置在首尾两个子芯片的半导体发光堆叠层上，互连电极108设置在沟槽上，并跨过沟槽连接相邻两个子芯片，反射层109覆盖在第一电极、第二电极、沟槽、互连电极以及每一子芯片的半导体发光序列上方和周围，反射层109为布拉格反射层，彼此电性相反的第一焊盘110和第二焊盘111分别覆盖在首尾子芯片上的反射层109上，并且覆盖在中间子芯片的表面上。
然而现有的倒装高压发光二极管存在如下技术问题，以包括三颗子芯片的结构为例，用于后续固定在封装基板上时固晶用的第一焊盘和第二焊盘(P、N焊盘)分别覆盖在首尾各一颗子芯片上的反射层上以及分别覆盖在一中间子芯片上的反射层上部分区域。在首尾两颗子芯片上覆盖的反射层109上各开设通孔，第一焊盘和第二焊盘(P、N焊盘)对应填充通孔以分别连接内部的第一电极和第二电极(P、N电极)。由于首尾各一颗子芯片的反射层109上设置有通孔，反射层的厚度至少2微米，使通孔的深度至少为2微米，第一焊盘和第二焊盘填充在反射层通孔内，可明显增加第一焊盘和第二焊盘在首尾两颗子芯片上的表面积，然而第一焊盘和第二焊盘分别仅覆盖在中间子芯片反射层109表面上。因此，焊盘在中间子芯片上的局部固晶能力还可以进行进一步改善，提升整体的固晶能力。
发明内容
本发明旨在提供一种倒装高压发光二极管，以提升倒装高压发光二极管整体的固晶能力，包括：
一衬底；
n颗子芯片，n大于等于3，分别为第1子芯片、第n子芯片和至少一其它子芯片，n颗子芯片位于所述一衬底上且彼此之间通过沟槽而隔离，每一子芯片都包括至少由第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层构成的半导体发光堆叠层；
反射层，由绝缘材料制成，其覆盖在所述每一子芯片上以及沟槽内，反射层具有第一焊盘通孔和第二焊盘通孔，第一焊盘通孔和第二焊盘通孔分别位于第1子芯片和第n子芯片上方；
彼此电性相反的第一焊盘和第二焊盘，分别位于第1子芯片和第n子芯片上覆盖的反射层表面上，并分别填充第一焊盘通孔和第二焊盘通孔，第一焊盘和第二焊盘通过分别填充在第一焊盘通孔和第二焊盘通孔内的部分以分别电连接至第1子芯片的第二导电类型半导体层以及第n子芯片的第一导电类型半导体层；
反射层具有至少一第一其它开口和/或至少一第二其它开口，第一其它开口和/或至少一第二其它开口在至少一其它子芯片上方；该第一焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，且填充反射层的第一其它开口，和/或第二焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，同时填充第二其它开口。
优选地，还包括透明绝缘层、第一电极和第二电极；透明绝缘层覆盖在所述每一子芯片上以及沟槽内，并且具有通孔；彼此电性相反的第一电极和第二电极，填充透明绝缘层的通孔以分别连接至第1和第n子芯片的第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层；所述反射层覆盖在透明绝缘层、第一电极和第二电极上；彼此电性相反的第一焊盘和第二焊盘，分别填充第一焊盘通孔和第二焊盘通孔以分别电连接至第一电极和第二电极。
优选地，所述第一其它开口和/或所述第二其它开口均为贯穿反射层的通孔。
优选地，所述透明绝缘层位于第一其它开口和/或第二其它开口的底部与其它子芯片的半导体发光堆叠层之间。
优选地，所述其它子芯片的每一个都具有第一其它开口和/或第二其它开口，第一焊盘同时延伸至至少一其它子芯片的上方，并填充反射层的第一其它开口，和/或该第二焊盘同时延伸至至少一其它子芯片的上方，且填充第二其它开口。
优选地，所述其它子芯片的每一个都具有多个第一其它开口和/或多个第二其它开口，多个第一其它开口之间和/或多个第二其它开口之间具有均匀间距。
优选地，所述其它子芯片的数量为偶数，反射层在一半的其它子芯片上方仅有第一其它开口，反射层在其余一半的其它子芯片上上方仅有第二其它开口。
优选地，所述其它子芯片的数量为奇数，反射层其中一个其它子芯片上方同时具有第一其它开口和第二其它开口。
优选地，每一子芯片的半导体发光序列堆叠层包括顶面和侧壁，顶面与透明绝缘层之间还具有透明导电层。
优选地，所述反射层为布拉格反射层。
优选地，所述反射层的厚度为2～6微米。
优选地，还包括互连电极，位于沟槽上的透明绝缘层上，并具有两端，两端分别延伸至相邻两子芯片并填充透明绝缘层的通孔以分别电性连接相邻两子芯片，互连电极同时位于透明绝缘层与反射层之间。
优选地，还包括位于其它子芯片上覆盖的透明绝缘层和反射层之间的其它金属层，所述的其它金属层的位置与第一开口和第二开口位置对应，与互连电极间隔一定距离。
更优选地，所述的其它金属层具有反射功能。
优选地，所述第一焊盘和第二焊盘具有底层，该底层为光反射层。
优选地，所述的第一其它开口和/或第二其它开口为非贯穿反射层的盲孔。
优选地，所述第一其它开口和/或第二其它开口为柱状或锥台形状的孔，且其水平孔径为2～40微米。
优选地，所述第一其它开口和/或第二其它开口的水平孔径为10～30微米。
优选地，每一其它子芯片的第一其它开口和第二其它开口的数量总和为2～40个。
优选地，每一个其它子芯片的第一其它开口和第二其它开口的总面积占该其它子芯片半导体发光堆叠层的水平投影面积的比例不超过20％。
优选地，所述其它子芯片上的第一其它开口和第二其它开口的总面积占该其它子芯片的半导体发光堆叠层的水平投影面积的比例为5～15％。
本发明提供的倒装高压发光二极管与现有技术相比较至少具有以下优点：本发明提供的倒装高压发光二极管在非首尾中间的子芯片的反射层上形成至少一第一其它开口和至少一第二其它开口，并且第二焊盘和第一焊盘分别填充对应的第一其它开口和第二其它开口，增加中间位置的子芯片的焊盘的面积，从而增加焊盘在中间子芯片上的局部固晶能力，最终增加整体芯片的推力值。
附图说明
图1示出了现有技术中的倒装高压发光二极管的俯视结构示意图。
图2示出了现有技术中的倒装高压发光二极管的剖视结构示意图。
图3示出了本发明的倒装高压发光二极管的俯视结构示意图。
图4示出了图3中沿线A的剖视结构示意图，其中图4中从左至右方向的剖视结构为图3中沿着线A箭头方向的剖视结构。
图5示出了图3中沿线B的剖视结构示意图，其中图5中从左至右方向的剖视结构为图3中沿着线A箭头方向的剖视结构。
图6示出了现有技术中的以及本发明的倒装高压发光二极管的推力值对比图。
附图标记说明：
100：衬底；101：第一导电类型半导体层；102：发光层，103：第二导电类型半导体层；104：透明导电层；105：透明绝缘层；106：第一电极；107：第二电极；108：互连电极；109：反射层；110：第一焊盘；111：第二焊盘；112：其它金属层。
具体实施方式
为进一步说明各实施例，本发明提供有附图。这些附图为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
现结合附图3～图5对本实施例的倒装高压发光二极管详细说明其结构。
首先，在衬底100上获得外延结构。
其中，衬底100可以是蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、砷化镓衬底、硅衬底等其中的一种。在本实施例中，衬底100选用蓝宝石衬底，外延结构形成于蓝宝石衬底的c-plane面上，并定义蓝宝石衬底的c-plane面为正面，相对的另一面为背面。所述的彼此之间隔离的至少三颗子芯片10位于衬底的正面上，所述的衬底为透明衬底，背面用于提供光主要输出面。
半导体发光堆叠层为多层，本实施例可称作外延结构，外延结构至少包括在衬底100正面上依次层叠的第一导电型半导体层101、有源层102以及第二导电型半导体层103。例如，本实施例中的第一导电型半导体层101为N型GaN层，有源层102为GaN基多量子阱层，第二导电型半导体层103为P型GaN层。其中N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层为LED芯片的外延结构的基本构成单元，在此基础上，外延结构还可以包括其它对发光二极管的性能具有优化作用的功能结构层。
外延结构可以通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、外延生长(Epitaxy Growth Technology)和原子束沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)等方式形成在衬底上。
然后对外延结构采用蚀刻工艺以在外延结构上形成孔洞或者台阶，孔洞的底部或者台阶上露出部分N型层。然后采用蚀刻工艺制作沟槽，沟槽的深度至衬底的表面，以露出衬底，沟槽使外延结构形成彼此隔离，从而形成多颗子芯片。由此每一颗子芯片具有一个外延结构，每一个外延结构提供一个发光区域。如本实施例中，为了便于描述，将图4中的三个外延结构从左至右依序定义为第1子芯片、第2子芯片和第3子芯片。
在上述每一子芯片的第二导电型半导体层103上形成一透明导电层104，透明导电层104的材料可以为氧化铟锡ITO、氧化锌ZnO、掺铝氧化锌AZO、掺氟氧化锡FTO、钼氧化铟IMO等，其可以采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术形成于第二导电型半导体层103上。透明导电层104具有欧姆接触作用和横向电流扩展作用。
在透明导电层104上、外延结构的侧面上以及沟槽底部覆盖一透明绝缘层(CBL)105，该透明绝缘层105可将三颗子芯片的外延结构以及三个子芯片之间沟槽结构的非电极设置区域进行绝缘保护。透明绝缘层105的材料可以为二氧化硅SiO2、Si3N4等，其可以采用诸如等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)等方法形成。透明绝缘层较佳的厚度为100～1000nm之间。
对透明绝缘层105覆盖在第1和第3子芯片上的部分进行局部蚀刻，蚀刻出第一电极通孔和第二电极通孔，第一电极通孔和第二电极通孔与后续在第1和第3子芯片的第一电极、第二电极的位置对应，其中第一电极通孔的底部为于第1子芯片透明导电层104表面，第二电极通孔的底部为第3子芯片第一导电型半导体层101的表面。同时对第1、第2和3子芯片上覆盖的透明绝缘层105蚀刻以形成多个互连电极通孔。透明绝缘层105的多个互连电极通孔底部在在第1和第2子芯片的第一导电类型半导体层表面、第2和第3子芯片的透明导电层表面。
对在第1子芯片上覆盖的透明绝缘层105第一电极通孔内填充导电金属而制成第一电极106，在第3子芯片上覆盖的绝缘层的第二电极通孔内填充导电金属而制成第二电极107。第一电极106与透明导电层接触，第二电极107与第一导电类型半导体层接触。形成第一电极的同时可形成电性连接相邻两个子芯片的互连电极108，互连电极108形成在沟槽内的绝缘层上，并且具有两端，两端延伸至相邻两子芯片上，通过填充相邻两个子芯片的互连电极通孔，一端与其中一个子芯片的第一导电类型半导体层以及另外一端与另外一个子芯片的透明导电层的表面接触。
如图4所示，其中一个互连电极连接第1子芯片的第一导电型半导体层101以及第2子芯片的透明导电层，另外一个互连电极连接第2子芯片的第一导电型半导体层101以及第3子芯片的透明导电层。并且较佳的，第一电极106、第二电极107和互连电极108从通孔内延伸至透明绝缘层通孔周围的局部绝缘层上表面临近区域。
第一电极106、第二电极107和互连电极108的导电金属材料都可以是诸如Al、Ni、Ti、Pt、Au等一种材料或者这些材料中的至少两种组成的合金，并可采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术形成。
在第一电极、第二电极以及互连电极制备完成后形成反射层。反射层覆盖在透明绝缘层、第一电极和第二电极上，包括覆盖在每一子芯片的上方、侧壁周围以及沟槽上。在衬底为透明衬底的情况下，反射层对每一子芯片的半导体发光堆叠层辐射的光进行反射，反射光至衬底的背面，提升衬底的背光出光。反射层109由多层绝缘材料制成，该反射层109可以采用诸如SiO2、TiO2、HfO2,ZnO2,ZrO2,Cu2O3等不同材料中的至少两种，例如可采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术使两种材料交替层叠成多层的方式制成布拉格反射层。较佳的，布拉格反射层的厚度为2～6微米。
在反射层109覆盖在对应第一电极上方的位置和第二电极上方的位置通过蚀刻工艺分别具有至少一第一焊盘通孔和至少一第二焊盘通孔，并在第一焊盘通孔和第二焊盘通孔填充导电金属而制成第一焊盘110和第二焊盘111。在本实施例中，第一焊盘110与第1子芯片的第一电极106导电连接，即第一焊盘通孔的底部接触第一电极106；而第二焊盘111则与第n子芯片的第二电极107导电连接，即第二焊盘通孔的底部接触第二电极107。第一焊盘110、第二焊盘111的导电金属材料可以是诸如Al、Cr、Ni、Ti、Pt、Au等材料或者这些材料中的至少两种组成的合金，并可采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术形成。由于第一焊盘通孔和第二焊盘通孔会导致反射层的反射面积损失，因此第一焊盘通孔或第二焊盘通孔的面积通常占据第1子芯片或第n子芯片的面积不会超过20％。
同时，第一焊盘110和第二焊盘111延伸至除第1、第n子芯片的至少一其它子芯片区域的上方。且在通过蚀刻工艺使绝缘层在第一电极上方的位置和第二电极上方的位置形成至少一第一焊盘通孔和至少一第二焊盘通孔的同时，使其它子芯片上方覆盖的反射层109上具有至少一第一其它开口和/或至少一第二其它开口。第二焊盘111和第一焊盘110分别填充在对应的第一其它开口和第二其它开口内。第一其它开口与第二其它开口用于填充第一焊盘和第二焊盘，增加两个焊盘的几何面积。
优选地，第一其它开口和第二其它开口为贯穿反射层的通孔，并且其中第一其它开口和第二其它开口的底部均位于覆盖在其它子芯片上的透明绝缘层105上，透明绝缘层绝缘隔离第一其它开口内填充的第一焊盘与半导体发光叠层，同时绝缘隔离第二其它开口内填充的第二焊盘与半导体发光叠层。由此子芯片之间仅通过互连电极连接，透明绝缘层可防止电流从第一其它开口和第二其它开口内填充的焊盘部分流入半导体发光叠层，避免出现短路问题。
在本实施例中，由于具有三个子芯片，因此第2子芯片上覆盖的反射层同时开设有第一其它开口和第二其它开口。
本发明提供的倒装高压发光二极管在非首尾的其它子芯片的反射层109形成至少一第一其它开口和至少一第二其它开口，第一焊盘110和第二焊盘111分别填充对应的第一其它开口和第二其它开口，增加中间位置的子芯片的焊盘的面积，从而增加中间子芯片的固晶能力，增加整体芯片的推力值；使得其它子芯片上的避免局部焊盘固晶不劳，发生局部剥离现象，导致倒装高压发光二极管整体可靠性降低。
在本实施例中，非首尾的每一子芯片上的第一其它开口或者第二其它开口的数量均为多个，并且每一其它子芯片上的这些第一其它开口之间和或者这些第二其它开口之间均匀间距的分布，开口为多个，开口内填充的结合电极也可一定程度的对光进行衍射或反射，可降低光损失，并且衍射或反射效果相对于相同水平面积的一个开口内填充的结合电极效果更佳，并且可使得结合电极在固晶后该其它子芯片表面受力均衡分布。较佳的，其中一其它子芯片上的第一其它开口和第二其它开口数量和或总面积与第一结合电极通孔的数量和或总面积相同。
优选地，所述其它子芯片的数量为偶数，反射层在一半的其它子芯片上方仅有第一其它开口，并且该一半的其它子芯片的每个子芯片上方的第一其它子芯片开口数量相等，反射层在其余一半的其它子芯片上上方仅有第二其它开口，并且该其余另一半的其它子芯片的每个子芯片上方的第二其它子芯片开口数量相等。
优选地，所述其它子芯片的数量为奇数，反射层其中一个其它子芯片上方同时具有第一其它开口和第二其它开口，其余的其它子芯片的数量为偶数，反射层在其余其它子芯片的一半数量的其它子芯片上方仅有第一其它开口，并且每个子芯片上方的第一其它子芯片开口数量相等；反射层在其余其它子芯片的另外一半数量的其它子芯片上方仅有第二其它开口，并且每个子芯片上方的第二其它子芯片开口数量相等。
由于用焊盘电极填充第一其它开口或者第二其它开口会造成反射层的面积降低，芯片整体反射率的降低，存在一定的光损失。因此，每一个子芯片的第一其它开口或者第二其它开口的面积占该其它子芯片的半导体发光堆叠层的水平投影面积的比例不超过20％，以使其兼具较佳整体推力值，以及较小的光损失。
更优的是，每一个子芯片的第一其它开口或者第二其它开口的面积占该其它子芯片的半导体发光堆叠层的水平投影面积的比例为5～15％，在此比例上，该倒装高压发光二极管具有相对优异的整体推力值，以及更小的光损失。
每一第一其它开口和每一第二其它开口的形状均为柱状或锥形台状的孔，水平截面为圆形或多边形，且其水平孔径优选为2～40微米，更优的为10～30微米。
非首尾的每一子芯片上的第一其它开口和第二其它开口的数量优选为2～40个。
另外，作为一个实施方式，还可包括其它金属层112，该其它金属层位于其它子芯片上覆盖的透明绝缘层和反射层之间，其它金属层与第一其它开口和第二其它开口位置对应，第一焊盘延伸至至少一其它子芯片的上方，填充透明绝缘层的第一其它开口并且与其它金属层接触，和/或该第二焊盘延伸至至少一其它子芯片的上方，填充透明绝缘层的第二其它开口并且与其它金属层接触。其它金属层可以与第一电极、第二电极和互连电极通过同一步骤形成。
图6反映的是背景技术的芯片和本实施例的芯片的推力相对值数据，背景技术的芯片和本实施例的芯片分别被命名为1号芯片和2号芯片，其中1号芯片为采用现有技术方案制成的倒装高压发光二极管，2号芯片为采用本实施例的方案制成的倒装高压发光二极管，分别包括3个子芯片，3个子芯片分别为第1子芯片、第2子芯片、第3子芯片，其中第1子芯片和第2子芯片上覆盖有第一焊盘，第2子芯片和第3子芯片覆盖有第二焊盘。与1号芯片的唯一差别在于，2号芯片的第2子芯片上覆盖的绝缘层上具有2个第一其它开口以及有2个第二其它开口。上述两个倒装高压发光二极管以相同的材料、工艺焊接在基板上，测试各倒装高压发光二极管的推力值，所测得的推力相对值数据参考图5，从图5中可以看出，以1号芯片的推力值作为基准，2号芯片的推力值是1号芯片的推力值的约1.16倍。可见，在中间的子芯片上增加第一其它开口和第二其它开口，并且第一焊盘110和第二焊盘111填充对应的第一其它开口和第二其它开口后，可以明显增加整体芯片的推力值。
另外，由于第二其它开口和第二其它开口导致反射层的反射面积有一定的降低，为一定程度的解决上述问题，提升光效，作为一个替代性的实施方式，所述的其它金属层也可以具有反射功能，为金属反射层。或者作为另外一种替代方式，第一焊盘和第二焊盘的底层具有光反射性，底层形成对该倒装高压发光二极管出射的光线具有反射能力的金属反射层，金属反射层例如镜面铝层、镜片银层等。
作为一个替代性的实施方式，所述反射层的第一其它开口和第二其开口也可以是非通孔，开口的底部位于反射层内，能够实现增加焊盘几何面积，提升固晶能力。
本发明通过在非首尾的其它子芯片上的反射层上设置多个其它开口，用于填充焊盘，增加焊盘在其它子芯片上的几何面积，提升焊盘在其它子芯片上固晶能力，从而提升焊盘整体的固晶能力；避免焊盘在其它的子芯片上的固晶能力差，固晶不劳发生焊盘局部剥离，芯片可靠性降低；另外当每个子芯片的半导体发光叠层提供的发光面积接近或相等时，反射层在首尾两芯片上的部分设置焊盘通孔，首尾芯片的反射面积已经有所减小，在其它的子芯片上的部分同时设置多个其它开口，可使每一个子芯片的反射面积的差异减小，并且尽量实现每个子芯片均匀出光。
本发明的高压倒装芯片可以应用于照明、背光、RGB显屏、柔性灯丝等大功率领域。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。

Claims (21)

1.一种倒装高压发光二极管，包括：
一衬底；
n颗子芯片，n大于等于3，分别为第1子芯片、第n子芯片和至少一其它子芯片，n颗子芯片位于衬底上且彼此之间通过沟槽而隔离，每一子芯片都包括至少由第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层构成的半导体发光堆叠层；
反射层，由绝缘材料制成，其覆盖在每一子芯片上以及沟槽内，反射层具有第一焊盘通孔和第二焊盘通孔，第一焊盘通孔和第二焊盘通孔分别位于第1子芯片和第n子芯片上方；
彼此电性相反的第一焊盘和第二焊盘，分别位于第1子芯片和第n子芯片上覆盖的反射层表面上，并分别填充第一焊盘通孔和第二焊盘通孔，第一焊盘和第二焊盘通过分别填充在第一焊盘通孔和第二焊盘通孔内的部分以分别电连接至第1子芯片的第二导电类型半导体层以及第n子芯片的第一导电类型半导体层；
反射层具有至少一第一其它开口和/或至少一第二其它开口，第一其它开口和/或至少一第二其它开口在至少一其它子芯片上方；该第一焊盘延伸至至少一其它子芯片上方，且填充反射层的第一其它开口，和/或第二焊盘延伸至至少一其它子芯片上方，同时填充反射层的第二其它开口；每一个其它子芯片的第一其它开口和第二其它开口的总面积占该其它子芯片半导体发光堆叠层的水平投影面积的比例不超过20%；
透明绝缘层，覆盖在每一子芯片上以及沟槽内，互连电极，其位于沟槽上的透明绝缘层上，并具有两端，两端分别延伸至相邻两子芯片以分别电性连接相邻两子芯片，互连电极同时位于透明绝缘层与反射层之间。
2.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：还包括第一电极和第二电极，透明导电层具有通孔；彼此电性相反的第一电极和第二电极，填充透明绝缘层的通孔以分别连接至第1子芯片的第二导电类型半导体层和第n子芯片的第一导电类型半导体层；所述反射层覆盖在透明绝缘层、第一电极和第二电极上；彼此电性相反的第一焊盘和第二焊盘，分别填充第一焊盘通孔和第二焊盘通孔以分别电连接至第一电极和第二电极。
3.根据权利要求1或2所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述第一其它开口和/或所述第二其它开口均为贯穿反射层的通孔。
4.根据权利要求2所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述透明绝缘层位于第一其它开口和/或第二其它开口的底部与其它子芯片的半导体发光堆叠层之间。
5.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述其它子芯片的每一个都具有第一其它开口和/或第二其它开口，第一焊盘同时延伸至至少一其它子芯片的上方，并填充反射层的第一其它开口，和/或该第二焊盘同时延伸至至少一其它子芯片的上方，且填充反射层的第二其它开口。
6.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述其它子芯片的每一个都具有多个第一其它开口和/或多个第二其它开口，多个第一其它开口之间和/或多个第二其它开口之间具有均匀间距。
7.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述其它子芯片的数量为偶数，反射层在一半的其它子芯片上方仅有第一其它开口，反射层在其余一半的其它子芯片上方仅有第二其它开口。
8.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述其它子芯片的数量为奇数，反射层在其中一其它子芯片上方同时具有第一其它开口和第二其它开口。
9.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述反射层为布拉格反射层。
10.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述反射层的厚度为2～6微米。
11.根据权利要求2所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：每一子芯片的半导体发光序列堆叠层包括顶面和侧壁，顶面与透明绝缘层之间还具有透明导电层。
12.根据权利要求2所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：还包括互连电极，其位于沟槽上的透明绝缘层上，并具有两端，两端分别延伸至相邻两子芯片并填充透明绝缘层的通孔以分别电性连接相邻两子芯片，互连电极同时位于透明绝缘层与反射层之间。
13.根据权利要求12所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：还包括位于其它子芯片上覆盖的透明绝缘层和反射层之间的其它金属层，所述的其它金属层的位置与第一开口和第二开口位置对应，与互连电极间隔一定距离。
14.根据权利要求13所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述的其它金属层具有反射功能。
15.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘和第二焊盘具有底层，该底层为光反射层。
16.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述的第一其它开口和/或第二其它开口为非贯穿反射层的盲孔。
17.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述第一其它开口和/或第二其它开口为柱状或锥台形状的孔，且第一其它开口和/或第二其它开口的孔径为2～40微米。
18.根据权利要求17所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述第一其它开口和/或第二其它开口的孔径为10～30微米。
19.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：每一其它子芯片的第一其它开口和第二其它开口的数量总和为2～40个。
20.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管，其特征在于：所述其它子芯片上的第一其它开口和第二其它开口的总面积占该其它子芯片的半导体发光堆叠层的水平投影面积的比例为5～15%。
21.一种发光装置，其包括权利要求1～20任一项所述的倒装高压发光二极管。
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