CN111384312A

CN111384312A - 沉积掩模和制造该沉积掩模的方法

Info

Publication number: CN111384312A
Application number: CN201911371916.7A
Authority: CN
Inventors: 金辉; 金仁培; 任星淳; 黄圭焕
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2018-12-27
Filing date: 2019-12-27
Publication date: 2020-07-07
Anticipated expiration: 2039-12-27
Also published as: US11345988B2; KR102881831B1; US12351898B2; US20220267888A1; CN111384312B; US20200208249A1; KR20200081609A

Abstract

提供了一种沉积掩模和制造该沉积掩模的方法。所述制造沉积掩模的方法包括：制备掩模目标基底，所述掩模目标基底具有其上形成有牺牲层图案的一个表面，并且包括被牺牲层图案覆盖的覆盖区域和被牺牲层图案暴露的多个暴露区域；通过朝向掩模目标基底发射激光在掩模目标基底的暴露区域中形成孔；以及去除牺牲层图案，其中，牺牲层图案具有针对激光的比掩模目标基底的反射率高的反射率。

Description

沉积掩模和制造该沉积掩模的方法

本申请要求于2018年12月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0170875号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

公开涉及一种沉积掩模和制造该沉积掩模的方法。

背景技术

作为下一代显示装置且作为具有诸如宽视角、高对比度和快响应速度的期望特性的自发光显示装置，有机发光显示(“OLED”)装置备受关注。

这样的OLED装置通常包括至少包含在对电极之间的发光层的中间层。电极和中间层可以使用各种方法(例如，沉积方法)形成。

发明内容

公开的实施例提供了一种具有改善的制造工艺效率的制造沉积掩模的方法。

公开的实施例还提供了一种使用具有改善的制造工艺效率的制造沉积掩模的方法制造的沉积掩模。

根据公开的实施例，一种制造沉积掩模的方法包括：制备掩模目标基底，所述掩模目标基底具有其上设置有牺牲层图案的表面，并且包括被牺牲层图案覆盖的覆盖区域和被牺牲层图案暴露的多个暴露区域；通过朝向掩模目标基底发射激光而在掩模目标基底的暴露区域中形成孔；以及将牺牲层图案去除，其中，牺牲层图案的针对激光的反射率比掩模目标基底的针对激光的反射率高。

在实施例中，制备掩模目标基底的步骤可以包括以掩模目标基底的覆盖区域完全围绕掩模目标基底的暴露区域中的每个的方式设置牺牲层图案。

在实施例中，通过朝向掩模目标基底发射激光而在掩模目标基底的暴露区域中形成孔的步骤可以包括朝向掩模目标基底的覆盖区域部分地发射激光。

在实施例中，牺牲层图案的针对激光的反射率可以是大约70％或更大。

在实施例中，激光可以具有从大约400纳米(nm)至大约600nm的波长范围内的单波长。

在实施例中，掩模目标基底可以包括包含镍和铁的因瓦合金。

在实施例中，牺牲层图案可以包括铝、银和铜中的至少一种。

在实施例中，可以使用第一蚀刻剂来执行将牺牲层图案去除的步骤。

在实施例中，第一蚀刻剂的针对牺牲层图案的蚀刻速率可以比第一蚀刻剂的针对掩模目标基底的蚀刻速率高。

在实施例中，在朝向掩模目标基底发射激光之后，会在覆盖区域的面向暴露区域的内表面和牺牲层图案的上表面和侧表面上形成粉尘氧化膜。

在实施例中，去除牺牲层图案的步骤可以包括去除形成在牺牲层图案的侧表面和上表面上的粉尘氧化膜。

在实施例中，可以在30分钟内执行将牺牲层图案去除的步骤，将牺牲层图案去除的步骤包括去除形成在牺牲层图案的侧表面和上表面上的粉尘氧化膜。

在实施例中，所述方法还可以包括在去除牺牲层图案之后，去除形成在覆盖区域的面向暴露区域的内表面上的粉尘氧化膜。

在实施例中，使用第二蚀刻剂来执行去除形成在覆盖区域的面向暴露区域的内表面上的粉尘氧化膜，第二蚀刻剂与用于去除牺牲层图案的第一蚀刻剂不同。

在实施例中，可以使用光刻工艺、电镀工艺和溅射工艺中的至少一种来执行在掩模目标基底的表面上设置牺牲层图案的步骤。

根据公开的另一实施例，一种沉积掩模包括：掩模主体，掩模主体包括彼此分隔开而设置的多个孔区域和围绕孔区域中的每个的唇区域；以及粉尘氧化膜，设置在唇区域的面向掩模主体的孔区域的内表面上。

在实施例中，粉尘氧化膜可以不设置在掩模主体的唇区域的上表面上。

在实施例中，掩模主体可以包括包含镍和铁的因瓦合金，并且粉尘氧化膜可以包括氧化镍和氧化铁。

在实施例中，沉积掩模还可以包括残留膜，所述残留膜设置在掩模主体的唇区域的上表面上并且包括与粉尘氧化膜的材料不同的材料。

在实施例中，残留膜可以包括铝、银和铜中的至少一种。

附图说明

通过参照附图详细描述发明的示例性实施例，发明的以上和其他特征将变得更明显，在附图中：

图1是根据公开的示例性实施例的沉积掩模组件的透视图；

图2是示出图1中区域A的放大平面图；

图3是沿图2中的线III-III′截取的剖视图；

图4是根据可选示例性实施例的沉积掩模的透视图；

图5是根据另一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图；

图6是根据又一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图；

图7是根据再一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图；

图8是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的流程图；

图9是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的平面图；

图10是沿着图9中的线X-X′截取的剖视图；

图11是示出金属的根据光的波长的反射率的曲线图；

图12是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图；

图13A是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图；

图13B是图13A的画圈部分的放大图；

图14是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作中的粉尘氧化膜的照片；

图15A至图16B是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图；

图17是示出激光的强度与未处理的孔的数量之间的相关性的曲线图；

图18是示出激光的强度与蚀刻效率之间的相关性的曲线图；

图19是示出根据示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图；

图20是示出图19中所示的操作的剖视图；

图21是示出根据示例性实施例的牺牲层的剖视图；

图22是示出根据可选示例性实施例的牺牲层的剖视图；

图23是示出根据可选示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图；

图24是示出图23中所示的操作的剖视图；

图25是示出根据另一可选示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图；以及

图26是示出图25中所示的操作的剖视图。

具体实施方式

现在将在下文中参照其中示出了各种实施例的附图更充分地描述发明。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得该公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达发明的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。

将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在该元件与所述另一元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，不存在中间元件。

将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等在这里可用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，以下讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以称为第二元件、组件、区域、层或部分。

这里使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，并且不意图成为限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地表示，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括包含“至少一个”的复数形式。“或”表示“和/或”。“A和B中的至少一个”表示“A和/或B”。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”及其变型时，说明存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，这里可使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所描绘的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了图中所示的方位之外，相对术语还意图包含装置的不同方位。例如，如果附图中的一个中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下”侧上的元件将被定位为在所述其他元件“上”侧上。因此，根据附图的具体方位，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。类似地，如果附图中的一个中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为在所述其他元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可包含上方和下方两种方位。

考虑到与特定量的测量相关的问题和误差的测量(即，测量系统的限制)，如这里所使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且表示在由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受范围内。

除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非这里明确如此定义，否则诸如在通用字典中定义的这些术语应该被解释为具有与相关领域和公开的上下文中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释。

这里参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。因此，将预料到由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被解释为局限于如这里所示的区域的具体形状，而将包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状且不意图限制权利要求的范围。

在下文中，将参照附图来详细描述发明的示例性实施例。

图1是根据公开的示例性实施例的沉积掩模组件的透视图，图2是图1中的区域A的放大平面图。

沉积掩模组件的示例性实施例可以用在沉积有机材料层或无机材料层的沉积工艺中，有机材料层或无机材料层不仅包括在诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“PC”)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航系统以及超移动PC等的便携式电子装置中，而且还包括在诸如电视、膝上型PC、监视器、广告面板、或物联网(“IoT”)等的显示装置中。在一个示例性实施例中，例如，沉积掩模组件可以用于在有机发光显示装置中沉积诸如空穴注入/传输层、电子注入/传输层等的有机发射层或有机薄膜，并且可以用于其他有机膜、无机膜、金属图案等的沉积。沉积掩模可以是精细金属掩模(“FMM”)，该精细金属掩模具有具备与要在目标基底上形成的薄膜的图案相同的图案的开口部分。

参照图1和图2，沉积掩模组件1的示例性实施例包括沉积掩模100和掩模框架500。

掩模框架500可以固定或支撑沉积掩模100，并且可以例如通过焊接与沉积掩模100结合。如图1中所示，掩模框架500可以具有在中心具有开口的四边形框架形状。掩模框架500可以包括具有预定宽度并沿第一方向DR1延伸的两个短边框架，并且可以包括具有预定宽度并在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的两个长边框架，但不限于此。

掩模框架500可以包括具有高硬度的材料，例如，诸如不锈钢等的金属。

沉积掩模100可以具有沿一个方向延伸的线性形状。例如，在一个示例性实施例中，如图1中所示，沉积掩模100可以沿第一方向DR1延伸，以与掩模框架500的两个长边框架和掩模框架500的中心部分中的开口交叉，并且可以设置在掩模框架500的两个长边框架和掩模框架500的中心部分中的开口上。沉积掩模100可以固定到掩模框架500的两个长边框架。

可以提供或限定多个沉积掩模100。沉积掩模100中的每个可以沿一个方向设置。例如，在一个示例性实施例中，沉积掩模100可以沿第二方向DR2设置，同时如图1中所示分隔开，但不限于此，并且可以沿第二方向DR2设置，同时彼此基本叠置。

在掩模框架500的两个短边框架和两个长边框架沿与上述方向相反的方向延伸的可选示例性实施例中，每个沉积掩模100的延伸方向和布置方向可以与上述方向不同。

沉积掩模100可以包括在中心部分中的掩模图案区域MPR(或掩模主体区域)和主唇区域(main lip region)MLR，并且可以包括在其沿延伸方向的两端部上的结合区域BR和夹紧区域CPR。

夹紧区域CPR可以设置在沉积掩模100的两端(沿第一方向DR1)上，并且可以在沉积掩模100的两端上具有凹形形状(例如，向内弯曲)。夹紧区域CPR是在通过焊接将沉积掩模100结合到掩模框架500之前朝向两端(沿第一方向DR1)延长的夹具(未示出)被结合到的部分，并且夹紧区域CPR可以在焊接工艺之后被去除或切掉。

结合区域BR可以设置在夹紧区域CPR附近，并且可以设置为在厚度方向或第三方向DR3上与掩模框架500叠置。在示例性实施例中，如图1中所示，结合区域BR可以被定位成在位于沉积掩模100的两端上的夹紧区域CPR附近。每个结合区域BR可以通过焊接附接到或结合到掩模框架500。在一个示例性实施例中，例如，结合区域BR可以焊接到掩模框架500的两个长边框架。

主唇区域MLR可以设置在沉积掩模100的中心部分中。主唇区域MLR可以设置在由掩模框架500暴露的中心开口中。主唇区域MLR可以物理连接到结合区域BR，并且可以围绕掩模图案区域MPR。主唇区域MLR可以设置在相邻的掩模图案区域MPR之间并沿第二方向DR2设置在掩模图案区域MPR的外围周围，以在同一平面中完全围绕掩模图案区域MPR。主唇区域MLR可以彼此一体地形成为单个整体的且不可分割的单元。

主唇区域MLR可以划分相邻的掩模图案区域MPR，并且可以用作沉积掩模100的模具。在一个示例性实施例中，例如，当沉积材料沉积在沉积目标基底上时，主唇区域MLR可形成在与除沉积在沉积目标基底上的材料的图案之外的区域对应的位置处。

与主唇区域MLR一样，掩模图案区域MPR可以设置在沉积掩模100的中心部分中，并且可以设置为与由掩模框架500暴露的中心开口叠置。掩模图案区域MPR可以在同一平面中被主唇区域MLR完全围绕。在这样的实施例中，掩模图案区域MPR可以在同一平面中被沉积掩模100的结构材料完全围绕。

可以在单个沉积掩模100中限定或设置多个这样的掩模图案区域MPR。如图1中所示，掩模图案区域MPR可以沿着一个方向(例如，第一方向DR1)设置，同时在所述一个方向上彼此分隔开。在示例性实施例中，掩模图案区域MPR如图1中所示以单行设置，但不限于此。可选择地，掩模图案区域MPR可以以两行或更多行设置或布置。

在示例性实施例中，多个掩模孔110被限定在掩模图案区域MPR中，并且掩模图案区域MPR可以包括设置在多个掩模孔110附近的多个子唇区域130。子唇区域130可以物理连接到主唇区域MLR。子唇区域130可以包括与主唇区域MLR的材料相同的材料或由与主唇区域MLR的材料相同的材料形成。

在一个示例性实施例中，例如，当沉积材料沉积在沉积目标基底上时，子唇区域130可以设置或形成在与除沉积在沉积目标基底上的材料的图案之外的区域对应的位置处。

子唇区域130可以在同一平面中围绕掩模孔110，从而限定掩模孔110。子唇区域130可以设置在相邻的掩模孔110之间并且沿第二方向DR2在掩模孔110附近，以在同一平面中完全围绕掩模孔110。子唇区域130可以与对应的掩模图案区域MPR一体地形成为单个整体的且不可分割的单元。子唇区域130可以限定相邻的掩模孔110。

掩模孔110可以在同一平面中完全被子唇区域130围绕。在这样的实施例中，子唇区域130可以由沉积掩模100的结构材料限定，所述结构材料在同一平面中完全围绕掩模孔110。

可以设置多个掩模孔110。如图2中所示，掩模孔110可以沿着行方向和列方向设置，同时被分隔开。

在示例性实施例中，每个掩模孔110具有如图2中所示的矩形点型平面形状，但不限于此。可选择地，掩模孔110可以具有正方形、圆形或其他多边形点型形状或沿一个方向延伸的狭缝型形状。

这里，除非另外定义，否则术语“上部”、“顶部”和“上表面”表示基于掩模框架500来观看沉积掩模100的一侧或方向，而术语“下部”、“底部”和“下表面”表示基于沉积掩模100来观看掩模框架500的一侧或方向。

多个掩模孔110可以与沉积掩模100的上表面(图1中的在第三方向DR3上的上表面)和沉积掩模100的下表面(图1中的在第三方向DR3上的下表面)交叉。在一个示例性实施例中，例如，当沉积材料沉积在沉积目标基底上时，掩模孔110可以设置在与要沉积在沉积目标基底上的材料的图案对应的位置处。

沉积掩模100可以包括掩模材料。在一个示例性实施例中，例如，可应用的掩模材料可以包括铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、镍合金、镍钴合金等中的至少一种。

在示例性实施例中，沉积掩模100可以包括因瓦(Invar)合金。因瓦合金可以包括钢镍合金。在一个示例性实施例中，例如，因瓦合金的镍含量可以是大约36％，而铁含量可以是大约64％。然而，镍含量和铁含量不限于所述数值，并且比例可以随需要而变化。除了镍和铁之外，因瓦合金还可以包括诸如碳、硫等的一些杂质。

沉积掩模100的因瓦合金可以使用轧制方法或电镀方法形成。

在示例性实施例中，沉积掩模100可以包括包含大约32％的镍含量、大约63％的铁含量和大约5％的钴含量的超级因瓦合金。

在下文中，将参照图3详细描述沉积掩模100的剖面形状。

图3是沿图2中线III-III′截取的剖视图。参照图3，子唇区域130设置在相邻的掩模孔110的外围周围。在图3中，子唇区域130的部分以掩模孔110置于其间来彼此分隔开而设置，但是子唇区域130可以如图2中所示彼此一体地形成为单个整体的且不可分割的单元。在图3中，另外示出了连接子唇区域130的分隔部分的虚线。

子唇区域130的剖面形状可以对应于掩模孔110的剖面形状。

参照图3，在示例性实施例中，子唇区域130的剖面形状可以具有从下表面朝向上表面逐渐减小的宽度。与子唇区域130的剖面形状对应的掩模孔110的剖面形状可以具有从下表面朝向上表面逐渐增大的宽度。在这样的实施例中，子唇区域130的剖面形状可以是锥形形状，并且掩模孔110的剖面形状可以是倒锥形形状。

在使用激光形成掩模孔110的示例性实施例中，子唇区域130和掩模孔110可以具有图3中所示的剖面形状。

子唇区域130和/或掩模孔110的剖面形状可以根据形成掩模孔110的工艺进行各种修改。

在可选示例性实施例中，子唇区域130和掩模孔110中的每个的剖面形状可以具有与图3中所示不同的从下表面到上表面基本相等的宽度。在另一可选示例性实施例中，子唇区域130的剖面形状可以是具有从下表面朝向上表面逐渐增大的宽度的倒锥形形状，并且掩模孔110的剖面形状可以是具有从下表面朝向上表面逐渐减小的宽度的锥形形状。

在示例性实施例中，如图1中所示，沉积掩模100包括彼此分离或分隔开的多个掩模，但不限于此。可选择地，沉积掩模100可以包括具有与图1中所示的多个分开的掩模的组合的尺寸基本相同的尺寸的单个掩模。图4是根据可选示例性实施例的沉积掩模的透视图。

参照图4，沉积掩模100_1可以是一体地形成为单个整体的且不可分割的单元的单个掩模。在这样的实施例中，与图1的沉积掩模100一样，沉积掩模100_1可以包括多个掩模图案区域MPR和主唇区域MLR，主唇区域MLR一体地形成为单个整体的且不可分割的单元，以在同一平面中围绕多个掩模图案区域MPR。

在这样的实施例中，多个孔被限定在每个掩模图案区域MPR中，并且每个掩模图案区域MPR包括在同一平面中围绕多个孔并在每个掩模图案区域MPR中一体地形成为单个整体的且不可分割的单元的子唇区域。为了便于描述，将省略以上参照图1和图2描述的相同或同样的组件的任何重复的详细描述。

图5是根据又一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图。

参照图5，在沉积掩模100_2的示例性实施例中，子唇区域130包括上表面130u和限定掩模孔110的侧表面130s(或内表面)，并且还包括设置在子唇区域130的侧表面130s上的粉尘氧化膜DRE。子唇区域130的侧表面130s可以是限定相邻的掩模孔110的内表面。

在这样的实施例中，粉尘氧化膜DRE不设置在子唇区域130的上表面130u上，而可以设置在子唇区域130的侧表面130s的至少一部分上。粉尘氧化膜DRE可以设置在子唇区域130的相对的侧表面130s上。粉尘氧化膜DRE可以直接设置在子唇区域130的相对的侧表面130s上并与子唇区域130的相对的侧表面130s接触。

在示例性实施例中，如图5中所示，粉尘氧化膜DRE可以部分地设置在子唇区域130的侧表面130s上以暴露子唇区域130的侧表面130s的一部分，但不限于此。可选择地，粉尘氧化膜DRE可以设置在子唇区域130的侧表面130s的整个表面上以覆盖侧表面130s。

粉尘氧化膜DRE可以包括沉积掩模100_2的结构材料和氧。在沉积掩模100_2包括包含镍和铁的因瓦合金的实施例中，粉尘氧化膜DRE可以包括氧化镍和氧化铁。

在沉积掩模100_2的因瓦合金包括例如硫和/或碳的一些杂质的示例性实施例中，除了氧化镍和氧化铁之外，粉尘氧化膜DRE还可以包括硫和氧的化合物和/或碳和氧的化合物。

图6是根据又一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图。

参照图6，沉积掩模100_3的示例性实施例还包括设置在子唇区域130的上表面130u上的残留膜SRE。

在这样的实施例中，残留膜SRE仅设置在子唇区域130的上表面130u上，而不设置在子唇区域130的侧表面130s上。残留膜SRE可以直接设置在子唇区域130的上表面130u上并与子唇区域130的上表面130u接触。

在示例性实施例中，如图6中所示，残留膜SRE部分地设置在子唇区域130的上表面130u上以暴露子唇区域130的上表面130u的一部分，但不限于此。可选择地，残留膜SRE可以设置在子唇区域130的上表面130u的整个表面上以覆盖上表面130u。

残留膜SRE可以是在制造工艺中被使用之后部分保留的牺牲层。牺牲层和残留膜SRE可以包括针对激光具有高反射率的材料或由针对激光具有高反射率的材料形成，并且稍后将更详细地描述其详细描述。

图7是根据再一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图。

参照图7，沉积掩模100_4的示例性实施例还包括图5的粉尘氧化膜DRE和图6的残留膜SRE。

在这样的实施例中，沉积掩模100_4的残留膜SRE可以仅设置在子唇区域130的上表面130u上，而可以不设置在子唇区域130的侧表面130s上，并且沉积掩模100_4的粉尘氧化膜SRE可以不设置在子唇区域130的上表面130u上，而可以设置在子唇区域130的侧表面130s的至少一部分上。

以下，将描述制造根据示例性实施例的沉积掩模100的方法。

图8是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的流程图。图9是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的平面图。图10是沿着图9中的线X-X′截取的剖视图。图11是示出金属的根据光的波长的反射率的曲线图。图12是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图。图13A是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图，图13B是图13A的画圈部分的放大图。图14是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作中的粉尘氧化膜的照片。图15A至图16B是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图。

参照图8、图9和图10，在示例性实施例中，制备具有其上设置有或形成有牺牲层200的表面的掩模目标基底101(S10)。

掩模目标基底101是用于制造沉积掩模100的目标基底。掩模目标基底101可以包括与上述沉积掩模100的材料相同的材料。

掩模目标基底101包括其中要形成沉积掩模100的掩模孔110的区域101b和其中要形成子唇区域130的区域101a。其中要形成掩模孔110的区域101b和其中要形成子唇区域130的区域101a可以具有与图2中所示的它们的形状和布置相同的形状和布置。在这样的实施例中，掩模目标基底101可以包括其中要形成沉积掩模100的主唇区域MLR、结合区域BR和夹紧区域CPR的区域。

在掩模目标基底101的一个表面(例如，上表面)上设置或形成牺牲层200(或牺牲层图案)。牺牲层200可以设置或形成为基本覆盖掩模目标基底101的一个表面。如图9中所示，牺牲层200可以设置或形成为覆盖除其中要形成掩模孔110的区域101b之外的其中要形成子唇区域130的区域101a。在这样的实施例中，牺牲层200可以形成为不与其中要形成掩模目标基底101的掩模孔110的区域101b叠置，而与其中要形成子唇区域130的区域101a叠置。其中要形成掩模目标基底101的子唇区域130的区域101a可以是由牺牲层200覆盖的覆盖区域101a，并且其中要形成掩模目标基底101的掩模孔110的区域101b可以是由牺牲层200暴露的暴露区域101b。

牺牲层200可以在同一平面中围绕暴露区域101b。牺牲层200可以在同一平面中一体地形成为单个整体的且不可分割的单元。尽管牺牲层200的部分区域在图10中沿一个方向分隔开，且暴露区域101b置于其间，但牺牲层200可以如上所述彼此一体地形成为单个整体的且不可分割的单元。为了示出这一点，在图10中另外示出了连接牺牲层200的分隔部分的虚线。

牺牲层200的结构材料不同于掩模目标基底101的结构材料，并且牺牲层200可以包括针对激光具有高反射率的材料。牺牲层200的针对激光的反射率可以比掩模目标基底101的针对激光的反射率高。在示例性实施例中，牺牲层200可以包括针对激光具有大约70％的反射率的高反射材料，并且激光可以是具有在大约400纳米(nm)至大约600nm范围内的波长的单波长光。在示例性实施例中，牺牲层200可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)或银(Ag)等的金属，或者由诸如铝(Al)、铜(Cu)或银(Ag)等的金属形成，但是牺牲层200的材料不限于此。在一个示例性实施例中，例如，牺牲层200可以包括铝。

将参照图11更详细地描述这样的材料的反射率。在图11中，水平轴表示光的波长(nm)，竖直轴表示反射率(％)。

参照图11，在整个光波长范围内，Ag(例如，抛光的Ag)、Cu和Al具有比镍、碳钢(或铁(Fe))的反射率高的反射率。具体地，针对具有在大于600nm范围内的波长的光，Ag、Cu和Al具有大约70％或更高的反射率。并且，针对具有在大约400nm至600nm范围内的波长的光，Ag(例如，抛光的Ag)和Cu具有大约70％或更大的反射率，并且镍、碳钢(或Fe)具有大约40％至大约60％的范围内的反射率。在施加了具有在大约400nm至大约600nm范围内的波长的激光的示例性实施例中，牺牲层200的针对激光的反射率可以高于掩模目标基底101的反射率。在这样的实施例中，因瓦合金可以用作掩模目标基底101的材料，并且Al、Cu和Ag中的至少一种可以用作牺牲层200的材料。牺牲层200的反射率可以是大约70％或更大，并且掩模目标基底101的反射率可以在大约40％至大约60％的范围内。

返回参照图10，牺牲层200的剖面形状可以具有从下表面朝向上表面逐渐减小的宽度。即，牺牲层200的剖面形状可以是锥形形状。

牺牲层200的剖面形状可以通过形成牺牲层200的工艺进行各种修改。将在下文中详细描述这样的工艺。

参照图8和图12，在牺牲层200和掩模目标基底101上设置激光装置，并且朝向由牺牲层200暴露的掩模目标基底101发射激光装置的激光(S20)。在一个示例性实施例中，例如，激光可以具有在大约400nm至大约600nm的范围内的波长。

激光去除掩模目标基底101的暴露区域101b。在图8的其中朝向由牺牲层200暴露的掩模目标基底101发射激光的操作S20中，由于激光装置中可能部分出现的对准误差，可能朝向掩模目标基底101的由牺牲层200覆盖的覆盖区域101a部分地发射激光。

在示例性实施例中，牺牲层200包括如上所述的针对激光具有高反射率的材料。因此，即使当朝向掩模目标基底101的覆盖区域101a发射激光时，大部分入射激光(例如，大约80％或更多)被反射，使得直接朝向掩模目标基底101的覆盖区域101a发射的激光的量不会大。

在这样的实施例中，入射到暴露区域101b上的激光穿过掩模目标基底101，该掩模目标基底101具有针对激光的比牺牲层200小的反射率，使得可以直接朝向掩模目标基底101的暴露区域101b发射足够量的激光。

在制造沉积掩模100的方法的示例性实施例中，阻挡激光的牺牲层200设置在除掩模目标基底101的暴露区域101b之外的区域中，以在激光图案化工艺中提高精密度。

在示例性实施例中，如图12的区域B中所示，可能不能通过其中部分出现对准误差的激光装置朝向掩模目标基底101的暴露区域101b充分地发射激光。在这种情况下，激光装置可以通过调节激光的发射范围和强度来朝向掩模目标基底101的整个暴露区域101b发射足够量的激光。

参照图8、图13A和图14，在这样的实施例中，去除掩模目标基底101的激光朝向其发射的暴露区域101b(S30)。

去除掩模目标基底101的激光朝向其发射的暴露区域101b的操作(S30)包括使掩模目标基底101的覆盖区域102保留。掩模目标基底101的覆盖区域102是沉积掩模100的如图2中所示的在执行以下操作之后保留的子唇区域130。在去除掩模目标基底101的暴露区域101b的操作(S30)之后，如13A中所示可以在覆盖区域102之间形成孔区域103。孔区域103是沉积掩模100的如图2中所示的保留的掩模孔110。

在示例性实施例中，如图13A、图13B和图14中所示，在形成沉积掩模100的最终掩模孔110的工艺中，可以在掩模目标基底101的覆盖区域102的内表面102s以及牺牲层200的上表面200u和相对的侧表面200s上形成粉尘氧化膜70、粉尘氧化膜71和粉尘氧化膜72。

粉尘氧化膜70可以部分地覆盖并部分地暴露掩模目标基底101的覆盖区域102的内表面102s。在这样的实施例中，粉尘氧化膜72和粉尘氧化膜71可以分别部分地覆盖并部分地暴露牺牲层200的上表面200u和相对的侧表面200s。在这样的实施例中，牺牲层200的上表面200u和相对的侧表面200s可以分别包括由粉尘氧化膜72和粉尘氧化膜71覆盖的上表面覆盖区域200uc和侧表面覆盖区域200sc，并且可以分别包括由粉尘氧化膜72和粉尘氧化膜71暴露的上表面暴露区域200ue和侧表面暴露区域200se。

在这样的实施例中，掩模目标基底101的覆盖区域102的内表面102s可以包括由粉尘氧化膜70覆盖的区域和由粉尘氧化膜70暴露的区域。

可选择地，粉尘氧化膜70可以覆盖掩模目标基底101的覆盖区域102的所有内表面102s，粉尘氧化膜71和粉尘氧化膜72可以覆盖牺牲层200的所有上表面200u和所有相对的侧表面200s。

参照图8、图15A、图15B、图16A和图16B，从掩模目标基底101的覆盖区域102的表面去除牺牲层200(S40)。

从掩模目标基底101的覆盖区域102的表面去除牺牲层200的操作S40可以包括使用第一蚀刻剂对牺牲层200进行蚀刻。

第一蚀刻剂可以包括酸蚀刻溶液或碱蚀刻溶液。可应用于酸蚀刻溶液的材料可以是诸如盐酸、硫酸、硝酸和氟化氢等的无机酸、甲酸、草酸、柠檬酸、乙酸和苯甲酸等，但材料不限于此。可应用于碱蚀刻溶液的材料可以是诸如氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化锂等的碱金属的氢氧化物、诸如氢氧化钙等的碱土金属的氢氧化物、诸如碳酸钠等的无机碱金属盐、诸如乙酸钠等的有机碱金属盐和氨溶液等，但材料不限于此。在示例性实施例中，第一蚀刻剂可以包括钠的氢氧化物。在其他实施例中，第一蚀刻剂可以包括盐酸。

在使用第一蚀刻剂蚀刻牺牲层200的操作中，牺牲层200和掩模目标基底101的覆盖区域102的蚀刻速率彼此不同。在这样的实施例中，所选择的第一蚀刻剂可以主要蚀刻牺牲层200，并且可以几乎不蚀刻掩模目标基底101的覆盖区域102。例如，在一个示例性实施例中，牺牲层200的蚀刻速率可以是掩模目标基底101的覆盖区域102的蚀刻速率的5倍或更大，或者是掩模目标基底101的覆盖区域102的蚀刻速率的20倍或更大。

在使用第一蚀刻剂蚀刻牺牲层200的操作中，可以通过将牺牲层200浸渍在第一蚀刻剂中来蚀刻牺牲层200，但是该操作不限于此。可选择地，可以通过将第一蚀刻剂散布在牺牲层200上来蚀刻牺牲层200。

第一蚀刻剂可以渗透牺牲层200以从覆盖区域102的表面去除牺牲层200。第一蚀刻剂渗透牺牲层200的路径可以是直接渗透穿过如图15B中所示的牺牲层200的上表面暴露区域200ue和侧表面暴露区域200se的路径，图15B是图15A的画圈部分的放大图。由于设置在对应的区域中的粉尘氧化膜71和粉尘氧化膜72，第一蚀刻剂不能通过上表面覆盖区域200uc和侧表面覆盖区域200sc直接渗透牺牲层200。在示例性实施例中，第一蚀刻剂可以通过直接穿过粉尘氧化膜71和粉尘氧化膜72渗透牺牲层200的上表面覆盖区域200uc和侧表面覆盖区域200sc，但公开不限于此。

可以在大约30分钟的工艺时间期间执行使用第一蚀刻剂蚀刻牺牲层200的操作。使用第一蚀刻剂蚀刻牺牲层200的操作所消耗的工艺时间可以等于或小于通过使用第二蚀刻剂蚀刻来去除粉尘氧化膜70的操作(将在下面描述)所消耗的时间。

从掩模目标基底101的覆盖区域102的表面去除牺牲层200的操作S40包括去除设置在牺牲层200的侧表面覆盖区域200sc和上表面覆盖区域200uc上的粉尘氧化膜71和粉尘氧化膜72的操作。

在执行从掩模目标基底101的覆盖区域102的表面去除牺牲层200的操作S40之后，部分牺牲层200的残留膜SRE可以如图16B中所示保留在覆盖区域102的上表面102u上，图16B是图16A的画圈部分的放大图。残留膜SRE是在去除牺牲层200的工艺期间未被完全去除的而部分保留的牺牲层200的残留物，并且可以包括与牺牲层200的材料相同的材料。

在示例性实施例中，可以以使得残留膜SRE不保留在覆盖区域102的上表面102u上的方式来调节第一蚀刻剂的蚀刻时间和密度。

在示例性实施例中，去除形成在掩模目标基底101的覆盖区域102的内表面102s上的粉尘氧化膜70(S50)。

去除形成在掩模目标基底101的覆盖区域102的内表面102s上的粉尘氧化膜70的操作S50可以包括使用第二蚀刻剂蚀刻粉尘氧化膜70的操作。

第二蚀刻剂可以包括酸蚀刻溶液或碱蚀刻溶液。第二蚀刻剂可以从上述第一蚀刻剂的材料中选择。在示例性实施例中，第二蚀刻剂可以包括草酸溶液。

在使用第二蚀刻剂蚀刻粉尘氧化膜70的操作中，可以在不蚀刻覆盖区域102的同时蚀刻粉尘氧化膜70。

在这样的实施例中，第二蚀刻剂针对粉尘氧化膜70具有蚀刻性质，但针对覆盖区域102可以不具有蚀刻性质。在第二蚀刻剂不仅针对粉尘氧化膜70而且针对覆盖区域102具有蚀刻性质的可选示例性实施例中，可以使用诸如蚀刻时间等的工艺条件来有效地防止覆盖区域102被第二蚀刻剂蚀刻。

可以在大约30小时至47小时的工艺时间期间执行使用第二蚀刻剂蚀刻粉尘氧化膜70的操作。使用第二蚀刻剂蚀刻粉尘氧化膜70的操作所消耗的工艺时间会显著地大于通过使用第一蚀刻剂蚀刻而去除牺牲层200的操作所消耗的工艺时间。

在这样的实施例中，虽然去除了形成在掩模目标基底101的覆盖区域102的内表面102s上的粉尘氧化膜70，但是作为残留物的粉尘氧化膜DRE可以保留在如图5中所示的子唇区域130的内表面(或图16A和图16B的覆盖区域102)上。

当未在掩模目标基底101上设置牺牲层200时，在使用激光去除掩模目标基底101的暴露区域101b的操作中，会在掩模目标基底101的覆盖区域101a的所有上表面和所有侧表面上形成粉尘氧化膜。会消耗大约65小时至大约80小时的工艺时间，以去除形成在掩模目标基底101的覆盖区域101a的上表面和侧表面上的所有粉尘氧化膜。然而，在牺牲层200形成在掩模目标基底101上的示例性实施例中，粉尘氧化膜形成在牺牲层200的上表面和侧表面以及覆盖区域101a的内表面中的全部上。然而，如上所述，由于形成在牺牲层200的上表面和侧表面上的粉尘氧化膜最多可在大约30分钟内与牺牲层200一起被去除，因此工艺时间可比上述的大约65小时至80小时的工艺时间显著地减少。

在示例性实施例中，当增大被发射以去除掩模目标基底101的暴露区域101b的激光的强度时，可以增大去除掩模目标基底101的暴露区域101b的操作的效率。将参照图17和图18描述这样的操作。

图17是示出激光的强度与未处理的孔的数量之间的相关性的曲线图，图18是示出激光的强度与蚀刻效率之间的相关性的曲线图。在图17中，水平轴表示激光的强度(％)，竖直轴表示每单位面积未处理的掩模孔的数量。在图18中，水平轴表示激光的强度(％)，竖直轴表示形成掩模孔的效率。

参照图17，随着激光的强度增大，从掩模目标基底101未去除的暴露区域101b(即，每单位面积的未处理的孔的数量(PPM(#6480ea))逐渐减少。换言之，可以看出，从掩模目标基底101去除的暴露区域101b的数量随着激光的强度增大而增大。参照图18，其示出了形成掩模孔的效率随着激光的强度(％)增大而增大。

随着激光的强度增大，在掩模目标基底101中形成掩模孔时出现的粉尘氧化膜的量会增大。

然而，在牺牲层200设置在掩模目标基底101上的示例性实施例中，即使当激光的强度增大使得形成在牺牲层200的上表面和侧表面以及覆盖区域101a的侧表面上的粉尘氧化膜70、粉尘氧化膜71和粉尘氧化膜72的量增大时，也可以如上所述在最多大约30分钟内将形成在牺牲层200的上表面和侧表面上的粉尘氧化膜与牺牲层200一起去除。在这样的实施例中，由于即使当充分地增大激光的强度以有效地形成掩模孔时，也显著减少了用于去除粉尘氧化膜的工艺时间，因此减少了沉积掩模100的整个工艺时间，以提高处理效率。

在下文中，下面将详细描述制备具有其上形成有牺牲层的表面的掩模目标基底的操作S10的示例性实施例。

图19是示出根据示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图，图20是示出图19中所示的操作的剖视图。

参照图10、图19和图20，在制备具有其上形成有牺牲层的表面的掩模目标基底的操作S10中，可以使用光刻在掩模目标基底上设置或形成牺牲层201。

在制备具有其上形成有牺牲层的表面的掩模目标基底的操作S10中，首先，在掩模目标基底101的表面上设置或形成牺牲层201(S21)。在掩模目标基底101的表面上设置或形成牺牲层201的操作S21可以包括在整个掩模目标基底101上一体地形成牺牲层201的操作。

在这样的实施例中，在牺牲层201的表面上形成抗蚀剂层300(S22)。形成抗蚀剂层300的操作S22可以包括形成抗蚀剂层300以与其中要形成图10的牺牲层200的区域叠置的操作。抗蚀剂层300可以暴露牺牲层201的一部分，并且可以覆盖牺牲层201的另一部分。

在示例性实施例中，抗蚀剂层300可以是光固化树脂。在一个示例性实施例中，例如，抗蚀剂层300可以包括丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、烯烃树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂和硅树脂等中的至少一种。在示例性实施例中，抗蚀剂层300可以是热塑性树脂。

抗蚀剂层300的剖面形状可以是如图20中所示的具有从下表面朝向上表面逐渐减小的宽度的锥形形状。当抗蚀剂层300包括负光敏材料时，可以形成这样的形状。在可选示例性实施例中，抗蚀剂层300的剖面形状可以是具有从下表面朝向上表面逐渐增大的宽度的倒锥形形状。当抗蚀剂层300包括正光敏材料时，可以形成这样的形状。

在这样的实施例中，去除由抗蚀剂层300暴露的牺牲层201(S23)。

去除由抗蚀剂层300暴露的牺牲层201的操作S23可以包括通过蚀刻去除牺牲层201的由抗蚀剂层300暴露的部分的操作。

在去除牺牲层201的由抗蚀剂层300暴露的部分的操作S23之后，去除抗蚀剂层300(S24)。在去除抗蚀剂层300之后，可以形成图10中所示的牺牲层200。在示例性实施例中，牺牲层200的剖面形状可以通过形成牺牲层200的工艺而被各种修改，以不同于图10中所示的牺牲层200的剖面形状。将参照图21和图22描述这样的工艺。

图21是示出根据可选示例性实施例的牺牲层的剖视图，图22是示出根据另一可选示例性实施例的牺牲层的剖视图。

当通过湿蚀刻执行通过蚀刻去除牺牲层201的由抗蚀剂层300暴露的部分的操作时，如图21中所示，牺牲层200_1的剖面形状可以包括其中牺牲层200_1的内表面向内弯曲的弯曲表面，并且可以是其中牺牲层200_1的宽度从下表面朝向上表面逐渐增大的基本倒锥形形状。

可选择地，当通过干蚀刻执行通过蚀刻去除由抗蚀剂层300暴露的牺牲层201的操作时，如图22中所示，牺牲层200_2的平面形状可以是其中下表面的宽度基本等于上表面的宽度的矩形形状。

在下文中，以下将详细描述制备具有其上形成有牺牲层的表面的掩模目标基底的操作S10的可选示例性实施例。将省略对与在图19和图20中示出的实施例的组件相同或同样的组件的任何重复的详细描述。

图23是示出根据可选示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图，图24是示出图23中所示的操作的剖视图。

参照图10、图23和图24，除了首先在掩模目标基底101的表面上形成抗蚀剂层301之外，制备其上形成有牺牲层202的掩模目标基底101的操作(S11)的这样的实施例与图19的实施例基本相同。

在这样的实施例中，在掩模目标基底101的一个表面上形成抗蚀剂层301(S31)。

随后，使用电镀方法在掩模目标基底101的由抗蚀剂层301暴露的表面上形成牺牲层202(S32)。

抗蚀剂层301的第一厚度t1可以比通过上述工艺形成的牺牲层202的第二厚度t2大。

可选择地，形成在抗蚀剂层301的上表面和侧表面上的牺牲层202可以部分连接。在这样的实施例中，第一厚度t1与第二厚度t2之间的差未大到保持阶梯覆盖率的特定水平。将参照图25和图26中示出的实施例更详细地描述这样的实施例。

然后，去除抗蚀剂层301(S33)。

图25是示出根据另一可选示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图，图26是示出图25中所示的操作的剖视图。

参照图10、图25和图26，形成牺牲层202_1的操作S12包括在掩模目标基底101的表面上形成抗蚀剂层301_1(S31_1)，通过溅射在掩模目标基底101的由抗蚀剂层301_1暴露的表面上形成牺牲层202_1(S32_1)，以及将抗蚀剂层301_1去除(S33_1)。

在这样的实施例中，通过上述工艺，不仅可以在同一平面中相邻的抗蚀剂层301_1之间的空间中形成牺牲层202_1，而且可以在抗蚀剂层301_1的上表面上形成牺牲层202_1。在这样的实施例中，去除抗蚀剂层301_1的操作可以包括去除设置在抗蚀剂层301_1的上表面上的牺牲层202_1的操作。

抗蚀剂层301_1的第一厚度t1_1可以比通过上述工艺形成的牺牲层202_1的第二厚度t2_1大。当抗蚀剂层301_1的第一厚度t1_1显著大于牺牲层202_1的第二厚度t2_1时，形成在抗蚀剂层301_1的上表面和侧表面上的牺牲层202_1可以不连接，并且可以由于如图26中所示的低阶梯覆盖率而分离。

在这样的实施例中，去除抗蚀剂层301_1的蚀刻溶液可以通过抗蚀剂层301_1的由牺牲层202_1暴露的内表面渗透抗蚀剂层301_1，并且可以不渗透穿过抗蚀剂层301_1的由牺牲层202_1覆盖的内表面。

在示例性实施例中，蚀刻溶液可以根据蚀刻溶液的类型和浓度渗透抗蚀剂层301_1的由牺牲层202_1覆盖的内表面。

可选择地，形成在抗蚀剂层301_1的上表面和侧表面上的牺牲层202_1可以部分连接。在这样的实施例中，第一厚度t1_1与第二厚度t2_1之间的差可以不会太大以保持阶梯覆盖率的特定水平。去除抗蚀剂层301_1的蚀刻溶液可以通过未被牺牲层202_1覆盖的区域渗透抗蚀剂层301_1。然而，与上述实施例相比，抗蚀剂层301_1的蚀刻效率可能不高。

另外，当形成在抗蚀剂层301_1的上表面和侧表面上的牺牲层202_1部分连接时，由于形成在上表面和侧表面上的牺牲层202_1连接，因此花费更多的时间以去除抗蚀剂层301_1。因此，抗蚀剂层301_1的第一厚度t1_1被形成为比牺牲层202_1的第二厚度t2_1大，以在形成牺牲层202_1的工艺中整体提高效率，使得形成在抗蚀剂层301_1的上表面和侧表面上的牺牲层202_1可以不连接并且可以分离。

根据公开的示例性实施例，可以提供改善了沉积掩模的工艺效率的制造沉积掩模的方法。

根据公开的其他示例性实施例，可以提供具有改善的工艺效率的沉积掩模。

发明不应被解释为局限于在这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分地传达发明的构思。

虽然已经参照发明的实施例具体地示出并描述了发明，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离发明的如由权利要求所限定的精神或范围的情况下，在此可以进行形式上和细节上的各种改变。

Claims

1.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：

制备掩模目标基底，所述掩模目标基底具有其上设置有牺牲层图案的表面，并且包括被所述牺牲层图案覆盖的覆盖区域和被所述牺牲层图案暴露的多个暴露区域；

通过朝向所述掩模目标基底发射激光在所述掩模目标基底的所述多个暴露区域中形成孔；以及

将所述牺牲层图案去除，

其中，所述牺牲层图案的针对所述激光的反射率比所述掩模目标基底的针对所述激光的反射率高。

2.如权利要求1所述的方法，其中，制备所述掩模目标基底的步骤包括设置所述牺牲层图案，使得所述掩模目标基底的所述覆盖区域完全围绕所述掩模目标基底的所述多个暴露区域中的每个。

3.如权利要求2所述的方法，其中，通过朝向所述掩模目标基底发射所述激光在所述掩模目标基底的所述多个暴露区域中形成所述孔的所述步骤包括朝向所述掩模目标基底的所述覆盖区域部分地发射所述激光。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述牺牲层图案的针对所述激光的所述反射率是70％或更大。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述激光具有从400纳米至600纳米的波长范围内的单波长。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述掩模目标基底包括包含镍和铁的因瓦合金。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述牺牲层图案包括铝、银和铜中的至少一种。

8.如权利要求1所述的方法，其中，使用第一蚀刻剂来执行将所述牺牲层图案去除的步骤。

9.一种沉积掩模，所述沉积掩模包括：

掩模主体，所述掩模主体包括彼此分隔开而设置的多个孔区域和围绕所述多个孔区域中的每个的唇区域；以及

粉尘氧化膜，设置在所述唇区域的面向所述掩模主体的所述孔区域的内表面上。

10.如权利要求9所述的沉积掩模，其中，所述粉尘氧化膜不设置在所述掩模主体的所述唇区域的上表面上。