CN111356938B - 放射线检测器和放射线检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供放射线检测器和放射线检测系统。放射线检测器(1a)用于适当地分离放射线的低能量成分信息和高能量成分信息，并包括：传感器面板(2)，其包括二维布置的多个第一光电转换元件部(23)和第二光电转换元件部(24)；第一闪烁体(31)，其被布置为与传感器面板(2)的一面重叠；第二闪烁体(32)，其被布置为与传感器面板(2)的一面相对的一侧上的面重叠；以及遮光部(26)，其被布置在有效像素区域(22)中布置了多个第一光电转换元件部(23)和第二光电转换元件部(24)的区域的外部,并且在第一闪烁体(31)和第二闪烁体(32)之间。

Description

放射线检测器和放射线检测系统

技术领域

本发明涉及一种放射线检测器和放射线检测系统。

背景技术

在放射线图像拍摄中，已知一种能量减法，即：使用不同的能量成分拍摄多个放射线图像，并对所拍摄的多个放射线图像进行差分运算，以使得能够例如辨别放射线图像中成像的被摄体。作为通过一次放射线照射获得不同能量成分的放射线图像而不会引起位置偏移的配置，专利文献1公开了如下配置：在基板的一面和另一面上布置用于在放射线入射时发射光的波长转换部，通过第一光电二极管检测通过基板的一面上布置的波长转换部发射的光，通过第二光电二极管检测通过另一面上布置的波长转换部发射的光。专利文献1还公开了如下配置：允许放射线从基板的一面侧进入，以便通过第一光电二极管检测低能量成分，通过第二光电二极管检测高能量成分。

在专利文献1中描述的X射线检测元件中，还将波长转换部布置在布置有第一光电二极管和第二光电二极管的区域的外部。通过这种配置，通过基板的一面上布置的波长转换部发射的光可以透过基板进入另一面上布置的波长转换部，并且可以由基板和波长转换部之间的界面反射，从而进入第二光电二极管。结果是，在由第二光电二极管检测的高能量成分所生成的放射线图像中可能会混入低能量成分的信息。因此，存在辨别被摄体的精度可能降低的担忧。

引用列表

专利文献

PTL 1：日本专利特开No.2010-56396

发明内容

技术问题

鉴于上述情况，本发明要解决的问题是，在用于拍摄不同能量成分的放射线图像的放射线检测器中，针对各个能量成分的放射线图像合适地分离不同能量成分的信息。

问题的解决方案

为了解决上述问题，本发明的一个实施例提供了一种放射线检测器，所述放射线检测器包括：传感器面板，其包括二维布置的多个光电转换元件部；第一闪烁体，其被布置为与所述传感器面板的一面重叠；第二闪烁体，其被布置为与所述传感器面板的一面相对的一侧上的面重叠；以及遮光部，其被布置在布置了所述多个光电转换元件部的区域的外部，并且在所述第一闪烁体和所述第二闪烁体之间。

发明的有益效果

根据本发明，在用于拍摄不同能量成分的放射线图像的放射线检测器中，能够针对各个能量成分的放射线图像适当分离不同能量成分的信息。

通过下文将要参照附图描述的实施例，本发明的其他特征将变得更加显而易见。

附图说明

图1是根据本发明的第一实施例的放射线检测器的剖面图。

图2是根据第一实施例的放射线检测器的平面图。

图3A是光电转换元件部的剖面图。

图3B是光电转换元件部的剖面图。

图4A是根据本发明的第二实施例的放射线检测器的剖面图和平面图。

图4B是根据第二实施例的放射线检测器的剖面图和平面图。

图5是根据本发明的第三实施例的放射线检测器的剖面图。

图6是根据本发明的第四实施例的放射线检测器的剖面图。

图7是根据本发明的第五实施例的放射线检测器的剖面图。

图8是放射线检测系统的示意图。

具体实施方式

现在将参照附图详细描述本发明的实施例。

<放射线检测器>

首先描述根据本发明的第一实施例的放射线检测器。图1是示意地例示根据本发明的第一实施例的放射线检测器1a的配置示例的剖面图。在图1中，图1的上侧是在将要拍摄放射线图像时放射线的进入侧(放射线的上游侧)。图1的箭头X表示允许进入放射线检测器1a的放射线。图2是示意地例示根据第一实施例的放射线检测器1a的配置示例的平面图。在图2中，省略保护片材4的描述。

根据第一实施例的放射线检测器1a包括传感器面板2、第一闪烁体31、第二闪烁体32、保护片材4和基台5。如图1所示，与传感器面板2的一面(允许放射线X进入的上游侧上)重叠地布置第一闪烁体31，并进一步布置用于覆盖第一闪烁体31的保护片材4。此外，在与传感器面板2的一面相对的面上(允许放射线X进入的下游侧上的面)布置第二闪烁体32。通过基台5支撑第二闪烁体32。

传感器面板2包括例如非碱性玻璃制作的玻璃基板21和玻璃基板21上二维布置的多个光电转换元件部23和24。多个光电转换元件部23和24包括第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24。第一光电转换元件部23均用于接收第一闪烁体31发射的光，并将接收的光转换为电信号(生成与接收的光对应的电信号)。第二光电转换元件部24均用于接收第二闪烁体32发射的光，并将接收的光转换为电信号。下文将描述第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24的配置示例。此外，在传感器面板2上，将二维地布置了多个光电转换元件部(第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24)的区域称为“有效像素区域22”。有效像素区域22是能够将入射的放射线X转换为电信号的区域。

还在传感器面板2中布置配线25。传感器面板2的有效像素区域22的外部布置的配线25包括例如驱动线和信号线，驱动线用于发送第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24的驱动信号，信号线用于读出通过第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24的转换所获得(生成)的电信号。在本发明的实施例中，在第一闪烁体31的侧面上的玻璃基板21的一面上布置用于第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24的上述配线25。传感器面板2中布置的配线25的类型和具体配置不受特别限制。此外，在传感器面板2的外围部中接合用于向/从放射线检测器1a的外部发送/接收信号的连接部6。将FPC等应用为连接部，并将其配置为使传感器面板2中布置的配线25电气地连接到外部设备和电路板等。连接部6的配置不受特别限制。

将第一闪烁体31和第二闪烁体32均配置为在放射线X进入时发射光(可见光)。从垂直于传感器面板2的表面的方向看(以下称作“平面图”)，第一闪烁体31和第二闪烁体32被布置为与至少整个有效像素区域22重叠。换言之，如图2所例示，在平面图中，第一闪烁体31外围(轮廓)位于有效像素区域22外围之外。同样适用于第二闪烁体32。第一闪烁体31和第二闪烁体32的具体配置(例如材质和形成方法)不受特别限制，可以应用各种已知配置。

保护片材4具有保护第一闪烁体31的功能，并被布置为与第一闪烁体31重叠，以便覆盖第一闪烁体31。保护片材4的配置不受特别限制。在第一闪烁体31由通过水分分解的材料形成时，保护片材4最好具有防渗性，以免第一闪烁体31受潮。基台5是用于支撑第二闪烁体32的部件。基台5的配置不受特别限制。

在传感器面板2的有效像素区域22的外部布置遮光部26。遮光部26用于在传感器面板2的有效像素区域22的外部防止第一闪烁体31发射的光进入第二闪烁体32。如图2所例示，在平面图中，在有效像素区域22的外部围绕有效像素区域22布置遮光部26。在第一实施例中，在平面图中，在从有效像素区域22外围(轮廓)到第一闪烁体31外围的范围中布置遮光部26。因此，第一闪烁体31被配置为在有效像素区域22的外部与遮光部26重叠。尤其是，最好将位于有效像素区域22的外部的第一闪烁体31的整体配置为与遮光部26重叠。遮光部26最好无间隙地覆盖整个范围，并具有无缝隙或开口的配置。

此外，在传感器面板2、第一闪烁体31和第二闪烁体32的层压方向上，在第一闪烁体31和第二闪烁体32之间配置遮光部26。在第一实施例中，如图1所例示，将遮光部26布置为与传感器面板2中布置的配线25重叠。换言之，在配线25和第一闪烁体31之间布置遮光部26。可以应用如下配置：配线25和遮光部26互相不是直接重叠(直接接触)，而是有由树脂等制作的绝缘层(例如，平坦化膜；未图示)插入其间。

可以应用由金属、炭黑或树脂材料等制作的膜作为遮光部26。应当注意，只要遮光部26具有遮光性能，则其材质不受限制。此外，还可以应用如下配置：遮光部26由与后述的光电转换元件部24的遮光层243相同的材料制作。在这种情况中，可以应用如下配置：在光电转换元件部24的遮光层243的形成步骤中同时形成遮光部26。

接下来描述形成有效像素区域22的第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24的配置示例。例如，有效像素区域22由相同数量或大体相同数量的第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24构成。在有效像素区域22中，例如，交替布置多个第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24。图3A是示意地例示第一光电转换元件部23的配置示例的剖面图，图3B是示意地例示第二光电转换元件部24的配置示例的剖面图。在图3A和图3B中，图的上侧是布置第一闪烁体31的一侧(允许放射线X进入的上游侧)，图的下侧是布置玻璃基板21和第二闪烁体32的一侧。此外，箭头X表示摄像期间允许进入的放射线。如图3A和图3B所例示，第一光电转换元件部23和第二光电转换元件部24均包括透光层231、241，光电转换层232、242和遮光层233、243。

透光层231、241是用于透过第一闪烁体31和第二闪烁体32发射的光的层。针对透光层231、241，例如可以应用铟锡氧化物(ITO)或者其他透明金属化合物或者透明树脂材料。然而，应当注意，只要求透光层231、241具有透光性能，其具体材质和配置不受特别限制。遮光层233、243是用于遮蔽第一闪烁体31和第二闪烁体32发射的光的层。可以应用金属、炭黑或树脂材料等作为遮光层233、243。

第一光电转换元件部23的光电转换层232是布置了用于将第一闪烁体31发射的光转换为电信号(生成与光对应的电信号)的光电转换元件(未示出)的层。第二光电转换元件部24的光电转换层242是布置了用于将第二闪烁体32发射的光转换为电信号(生成电信号)的光电转换元件的层。第一光电转换元件部23的光电转换层232和第二光电转换元件部24的光电转换层242具有相同的配置。光电转换层232、242包括例如在光进入时用于生成电信号(电荷)的光电二极管或其他光电转换元件以及用于从光电转换元件提取电信号的薄膜晶体管(TFT)或其他开关元件。光电转换层232、242还包括用于发送开关元件的驱动信号的驱动线，用于发送从光电转换元件提取的电信号的信号线，用于向光电转换元件应用偏压的偏压线和其他预定层(栅极绝缘膜和平坦化膜)。通过重复光刻处理形成光电转换元件、开关元件、配线等，从而形成光电转换层232、242。光电转换层232、242的具体配置不受特别限制，可以应用与各种已知放射线检测面板相同的配置。

如图3A所例示，第一光电转换元件部23具有如下配置：从靠近第二闪烁体32的一侧(图3A的下侧)顺序地相互重叠地布置遮光层233、光电转换层232和透光层231。同时，如图3B所例示，第二光电转换元件部24具有如下配置：从靠近第二闪烁体32的一侧(图3B的下侧)顺序地相互重叠地布置透光层241、光电转换层242和遮光层243。换言之，在第一光电转换元件部23中，在靠近第一闪烁体31的一侧布置透光层231，在靠近第二闪烁体32的一侧布置遮光层233，在其间布置光电转换层232。同时，在第二光电转换元件部24中，在靠近第一闪烁体31的一侧布置遮光层243，在靠近第二闪烁体32的一侧布置透光层241，在其间布置光电转换层242。

通过上述配置，第一闪烁体31发射的光透过第一光电转换元件部23的透光层231进入第一光电转换元件部23的光电转换层232。同时，第二闪烁体32发射的光被第一光电转换元件部23的遮光层233遮蔽，从而不会进入第一光电转换元件部23的光电转换层232。因此，第一光电转换元件部23用于接收(检测)第一闪烁体31发射的光，然后将光转换为电信号。

此外，第二闪烁体31发射的光被第二光电转换元件部24的遮光层243遮蔽，从而不会进入第二光电转换元件部24的光电转换层242。同时，第二闪烁体32发射的光透过第二光电转换元件部24的透光层241进入第二光电转换元件部24的光电转换层242。因此，第二光电转换元件部24用于接收(检测)第二闪烁体32发射的光，然后将光转换为电信号。

在使用放射线检测器1a拍摄放射线图像时，允许放射线X从第一闪烁体31侧进入。放射线X中包括的低频率的低能量成分(软放射线)难以透过被摄体，而高频率的高能量成分(硬放射线)容易透过被摄体。因此，在放射线X从第一闪烁体31侧进入时，放射线X的低能量成分在第一闪烁体31中转换为光。然后，作为转换结果获得的光在第一光电转换元件部23的光电转换层232中转换为电信号。放射线X的高能量成分透过第一闪烁体31和传感器面板2进入第二闪烁体32。然后，放射线X的高能量成分在第二闪烁体32中转换为光，而后在第二光电转换元件部24的光电转换层232中转换为电信号。然而，应当注意，低能量成分被第一闪烁体31和传感器面板2吸收，不会到达第二闪烁体32。因此，放射线X的低能量成分的信息不会混入通过第二光电转换元件部24的转换获得的电信号中。

如上所述，在使用放射线检测器1a拍摄放射线图像时，允许放射线X从第一闪烁体31侧进入。由此，可以通过第一光电转换元件部23检测放射线X的低能量成分以生成低能量成分的放射线图像，并且可以通过第二光电转换元件部24检测放射线X的高能量成分以生成高能量成分的放射线图像。换言之，放射线检测器1a能够在一次放射线照射中生成两个不同能量成分的放射线图像。

此外，通过遮光部26防止了低能量成分的信息混入高能量成分的放射线图像中。换言之，在没有布置遮光部26的配置中，在有效像素区域22的外部，第一闪烁体31发射的光进入第二闪烁体32，并由例如第二闪烁体32和基台5之间的界面反射，而后进入第二光电转换元件部24的光电转换层242。结果，特别是在靠近有效像素区域22的外围的区域中，低能量成分的信息混入了高能量成分的放射线图像中。混入的低能量成分信息可能会变为噪声，从而会降低被摄体的辨别精度。

相比之下，根据本发明的第一实施例，在有效像素区域22的外部，通过遮光部26防止第一闪烁体31发射的光进入第二闪烁体32。因此，能够防止低能量成分的信息混入高能量成分的放射线图像中，并由此防止噪声混入高能量成分的放射线图像中。

接下来，描述传感器面板2的制造方法和遮光部26的形成方法。首先，在玻璃基板21的一面上，形成第一光电转换元件部23的遮光层233，并且形成第二光电转换元件部24的透光层241。遮光层233的形成方法和透光层241的形成方法不受特别限制，可以应用各种已知的膜形成方法。同理，第一光电转换元件部23的遮光层233和第二光电转换元件部24的透光层241的形成顺序不受特别限制。

在第一光电转换元件部23的遮光层233和第二光电转换元件部24的透光层241的形成后，分别在其上形成光电转换层232和242。通过重复光刻处理形成光电转换元件、开关元件、绝缘膜等来形成光电转换层232和242。此外，在光电转换层232和242的形成步骤中，同时在有效像素区域22外形成上文提及的配线25(信号线和驱动线)。光电转换层232和242以及配线25的形成方法不受特别限制，可以应用已知的方法。

然后，透光层231形成为与第一光电转换元件部23的光电转换层232的表面重叠，遮光层243形成为与第二光电转换元件部24的光电转换层242的表面重叠。遮光层243的形成方法和透光层231的形成方法不受特别限制，并且可以应用各种已知的薄膜形成方法。同理，第一光电转换元件部23的透光层231和第二光电转换元件部24的遮光层243的形成顺序不受特别限制。然后，在与第二光电转换元件部24的光电转换层242的表面重叠地形成遮光层243的步骤中，同时在有效像素区域22的外部形成遮光部26。由此，在有效像素区域22的外部，以与第二光电转换元件部24的遮光层243相同的材料和相同的步骤形成遮光部26。此外，通过这种配置，遮光部26可以被布置为与有效像素区域22外部布置的配线25重叠。因此，可以将遮光部26布置在传感器面板2的配线25和第一闪烁体31之间。

接下来描述根据本发明的第二实施例的放射线检测器1b。在上述第一实施例中，描述了在有效像素区域22的外部和与第一闪烁体31重叠的范围中布置遮光部26的配置，但遮光部26的配置不限于第一实施例中描述的配置。图4A是示意地例示根据第二实施例的放射线检测器1b的配置示例的剖面图。图4B是示意地例示根据第二实施例的放射线检测器1b的配置示例的平面图。在图4B中，省略了保护片材4。此外，通过与第一实施例相同的附图标记表示与第一实施例的部件相同的部件，并省略其的描述。如图4A和图4B所例示，在根据第二实施例的放射线检测器1b中，将遮光部26一直布置到传感器面板2外围边缘，以便围绕有效像素区域22。换言之，在平面图中，将遮光部26布置在有效像素区域22外围(轮廓)和玻璃基板21外围边缘之间的范围内。然而，应当注意，避开连接部6来布置遮光部26。通过这种配置，也能够取得与第一实施例相似的效果。遮光部26的形成方法与第一实施例中相同。

图5是示意地例示根据本发明的第三实施例的放射线检测器1c的配置示例的剖面图。如图5所例示，在有效像素区域22的外部，与传感器面板2的配线25重叠地布置遮光部26，并进一步与遮光部26重叠地布置第一光反射防止部271。第一光反射防止部271是光反射率低的层。第一光反射防止部271的光透射率也低。换言之，第一光反射防止部271最好具有吸收第一闪烁体31发射的光而不反射或透过光的配置。通过这种配置，防止从第一闪烁体31发射的光到达并由遮光部26反射。因此能够阻止由遮光部26反射的光引起的噪声。尤其是在遮光部26由金属等制作并且具有高的光反射率时，最好采用布置第一光反射防止部271的配置。第一光反射防止部271的材料不受特别限制，可以应用炭黑或以黑色着色的树脂等。第一光反射防止部271的具体材料不受特别限制，但第一光反射防止部271最好由光反射率比遮光部26低的材料制作。

图5例示了在与第一实施例的遮光部26相同的布置范围内布置遮光部26和第一光反射防止部271的配置，但可以采用在与第二实施例的遮光部26相同的布置范围内布置遮光部26和第一光反射防止部271的配置。

接下来描述根据本发明的第四实施例的放射线检测器1d的配置示例。图6是示意地例示根据本发明的第四实施例的放射线检测器1d的配置示例的剖面图。在根据第四实施例的放射线检测器1d中，在有效像素区域22外部以及第一闪烁体31和保护片材4之间布置第二光反射防止部272。第二光反射防止部272是光反射率低的层。特别是应用具有光反射率比保护片材4低的配置。通过这种配置，在有效像素区域22外部防止第一闪烁体31发射的光由保护片材4反射并进入第一光电转换元件部23的光电转换层232。因此，能够防止由保护片材4进行的光反射引起的噪声。第二光反射防止部272的材料不受特别限制，正如第一光反射防止部271那样，可以应用炭黑或以黑色着色的树脂等。此外，在平面图中，最好将第二光反射防止部272配置成无间隙地布置在有效像素区域22外部的整个范围内。

接下来描述本发明的第五实施例的放射线检测器1e的配置示例。图7是示意地例示根据本发明的第五实施例的放射线检测器1e的配置示例的剖面图。在根据本发明的第五实施例的放射线检测器1e中，在有效像素区域22外部布置多个第三光电转换元件部273。第三光电转换元件部273不用于在拍摄放射线图像时获取图像信息。可以对第三光电转换元件部273应用与第二光电转换元件部24相同的配置。换言之，在第三光电转换元件部273的光电转换层242的第一闪烁体31侧上布置遮光层243。或者，可以采用如下配置：在第三光电转换元件部273的第一闪烁体31侧和第二闪烁体32侧上均布置遮光层，并在遮光层之间布置光电转换层。通过这种配置，第三光电转换元件部273的功能与第一实施例的遮光部26相似。因此，可以取得与第一实施例相似的效果。

在平面图中，第三光电转换元件部273的配置可以不是被布置在从有效像素区域22外围到第一闪烁体31外围的整个范围内，但可以是被布置在范围的一部分内。在这种情况下，可以采用如下配置：在除布置了第三光电转换元件部273的区域外的区域中，布置具有与第一实施例相似的配置的遮光部26。通过这种方式，仅需要第三光电转换元件部273形成至少是遮光部26的一部分。例如，可以采用如下配置：在平面图中，围绕有效像素区域22的外部布置多个第三光电转换元件部273，并且在多个第三光电转换元件部273的外部布置与第一实施例和第二实施例相同的遮光部26。通过这种配置，也可以取得与第一实施例相似的效果。

此外，根据第五实施例，可以如第三实施例那样与第三光电转换元件部273的遮光层243重叠地布置第一光反射防止部271。此外，如第四实施例那样，可以将第二光反射防止部272布置在有效像素区域22外部以及第一闪烁体31和保护片材4之间。

<放射线检测系统>

接下来描述根据本发明的实施例的放射线检测系统9。图8是示意地例示根据本发明的实施例的放射线检测系统9的配置示例的图。如图8所例示，放射线检测系统9包括放射线生成装置91、放射线检测装置92和控制/算法处理单元93。将放射线生成装置91配置成在控制/算法处理单元93的控制下执行放射线照射。放射线生成装置91的配置不受特别限制，并且可以应用各种已知的放射线生成装置。将放射线检测装置92配置成在控制/算法处理单元93的控制下检测通过放射线生成装置91照射作为被摄体的被检体P并已经透过被检体P的放射线，并生成要输出到控制/算法处理单元93的放射线图像。控制/算法处理单元93对从放射线检测装置92获得的放射线图像执行预定的算法处理。由此，放射线检测系统9的用户等能够诊断被检体P。

作为放射线检测装置92，应用上述根据本发明的实施例的放射线检测器1a、1b、1c、1d、1e。例如，放射线检测装置92包括壳体内包含的放射线检测器1a、1b、1c、1d、1e和用作放射线检测器1a、1b、1c、1d、1e的驱动电力的电源的电池。作为控制/算法处理单元93，可以应用例如包括CPU、ROM和RAM的计算机。在这种情况下，在ROM中预先存储用于控制放射线生成装置91和放射线检测装置92的计算机程序。然后，CPU读出ROM中存储的计算机程序，并将计算机程序加载到RAM上以执行计算机程序。由此，控制/算法处理单元93用作用于控制放射线生成装置91和放射线检测装置92的控制单元。控制/算法处理单元93还用作用于对从放射线检测装置92获得的放射线图像(图像信号)执行预定的算法处理的信号处理单元。

此外，根据本发明的实施例的放射线检测系统9能够通过一次放射线照射获得两个不同能量成分的放射线图像(单次能量减法)。具体地说，控制/算法处理单元93控制放射线生产装置91对被检体P(被摄体)进行一次放射线照射。然后，放射线检测装置92使用第一转换元件部23检测放射线X的低能量成分以生成低能量成分的图像，并使用第二转换元件部24检测放射线X的高能量成分以生成高能量成分的图像。控制/算法处理单元93用作信号处理单元来获取由放射线检测装置92生成的高能量成分的放射线图像和低能量成分的放射线图像，并执行用于取得已经获得的高能量成分的放射线图像和低能量成分的放射线图像之间的差分的算法处理。因此，控制/算法处理单元93可以获得例如强调硬组织和软组织中的一者而去除另一者的图像(称作“能量减去图像”)。通过这种方式，根据本发明的实施例的放射线检测系统9能够基于通过一次放射线照射获得的多个放射线图像(低能量成分的放射线图像和高能量成分的放射线图像)生成新的放射线图像(能量减去图像)。

可以通过放射线检测装置92执行能量减去图像的生成处理。例如，在放射线检测装置92中，通过连接部6将包括CPU、ROM和RAM的计算机与放射线检测器1a、1b、1c、1d、1e连接。在计算机的ROM中，提前存储用于对放射线检测器1a、1b、1c、1d、1e执行控制和能量减去图像的生成处理的计算机程序。然后，CPU读出ROM中存储的计算机程序，并将计算机程序加载到RAM上以执行计算机程序。由此，计算机用作用于控制放射线检测器1a、1b、1c、1d、1e的控制单元，并根据来自控制/算法处理单元93的指令控制放射线检测器1a、1b、1c、1d、1e。此外，计算机用作用于基于在一次放射线照射中获得的多个放射线图像执行新的放射线图像的生成处理的算法处理单元。由此，在放射线检测装置92中生成能量减去图像。

尽管参照示例性实施例对本发明进行了描述，但应当理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释，以涵盖所有此类变型例以及等同的结构和功能。

(其它实施例)

本发明还可以通过如下处理来实现，即通过网络或存储介质将实现上述实施例的一个或多个功能的程序提供给系统或装置，然后使系统或装置的计算机的一个或多个处理器读出并执行该程序。本发明还可以通过实现一个或多个功能的电路(例如，ASIC)来实现。

工业实用性

本发明涉及适用于放射线检测装置和放射线检测系统的技术。此外，根据本发明，在用于拍摄不同能量成分的放射线图像的放射线检测器中，能够针对各个能量成分的放射线图像适当地分离不同能量成分信息。

上文参照实施例描述了本发明。然而，本发明并不限于上述实施例。本发明还包括在不脱离本发明的主旨的范围内修改的发明，以及等同于本发明的发明。此外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内适当对上述实施例和变型例进行相互组合。

本申请要求2017年9月14日提交的日本专利申请第2017-176573号的优先权，该申请的全部内容通过引用合并于此。

Claims (11)

1.一种放射线检测器，所述放射线检测器包括：

传感器面板，其包括二维布置的多个光电转换元件部；

第一闪烁体，其被布置为与所述传感器面板的一面重叠；

第二闪烁体，其被布置为与所述传感器面板的一面相对的一侧上的面重叠；以及

遮光部，其被布置为：从垂直于所述传感器面板的表面的方向看，在从布置了所述多个光电转换元件部的区域外围到所述第一闪烁体外围的范围内且不与布置了所述多个光电转换元件部的区域重叠，或者，从垂直于所述传感器面板的表面的方向看，在从布置了所述多个光电转换元件部的区域外围到所述传感器面板外围的范围内且不与布置了所述多个光电转换元件部的区域重叠，并且在所述第一闪烁体和所述第二闪烁体之间。

2.根据权利要求1所述的放射线检测器，所述放射线检测器还包括多个其他光电转换元件部，在布置了所述多个光电转换元件部的区域的外部与所述多个光电转换元件部分离地布置所述多个其他光电转换元件部，

其中，所述多个其他光电转换元件部的各个均包括遮光层，以及

其中，所述多个其他光电转换元件部的各个的所述遮光层至少形成所述遮光部的一部分。

3.根据权利要求1所述的放射线检测器，

其中，所述多个光电转换元件部的各个均包括用于将入射光转换为电信号的光电转换层和与所述光电转换层重叠布置的遮光层，以及

其中，所述遮光部由与所述遮光层的材料相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的放射线检测器，

其中，将所述多个光电转换元件部布置在所述传感器面板的基板的一面上，

其中，将所述第一闪烁体布置为与所述传感器面板上布置了所述多个光电转换元件部的一侧重叠，以及

其中，将所述遮光部布置在所述传感器面板和所述第一闪烁体之间。

5.根据权利要求4所述的放射线检测器，所述放射线检测器还包括用于从所述多个光电转换元件部提取电信号的信号线，将所述信号线布置在所述传感器面板中布置了所述多个光电转换元件部的区域的外部，并且在与布置了所述多个光电转换元件部的一侧相同的一侧上的面上，

其中，将所述遮光部布置为与所述信号线的第一闪烁体侧重叠。

6.根据权利要求4所述的放射线检测器，所述放射线检测器还包括用于防止通过所述第一闪烁体发射的光的反射的第一反射防止部，将所述第一反射防止部布置在所述遮光部和所述第一闪烁体之间。

7.根据权利要求5所述的放射线检测器，所述放射线检测器还包括用于防止通过所述第一闪烁体发射的光的反射的第二反射防止部，从垂直于所述传感器面板的表面的方向看，所述第二反射防止部被布置在所述第一闪烁体与所述传感器面板相对的一侧上，并且在布置了所述多个光电转换元件部的区域的外部。

8.根据权利要求6所述的放射线检测器，所述放射线检测器还包括用于防止通过所述第一闪烁体发射的光的反射的第二反射防止部，从垂直于所述传感器面板的表面的方向看，所述第二反射防止部被布置在所述第一闪烁体与所述传感器面板相对的一侧上，并且在布置了所述多个光电转换元件部的区域的外部。

9.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述多个光电转换元件部包括第一光电转换元件部和第二光电转换元件部，所述第一光电转换元件部用于接收通过所述第一闪烁体发射的光，并将所接收的光转换为电信号，所述第二光电转换元件部用于接收通过所述第二闪烁体发射的光，并将所接收的光转换为电信号。

10.根据权利要求9所述的放射线检测器，

其中，所述第一光电转换元件部包括光电转换层和遮光层，所述光电转换层用于将通过所述第一闪烁体发射的光转换为电信号，所述遮光层被布置为与所述光电转换层的第二闪烁体侧重叠，并遮蔽通过所述第二闪烁体发射的光，以及

其中，所述第二光电转换元件部包括光电转换层和遮光层，所述光电转换层用于将通过所述第二闪烁体发射的光转换为电信号，所述遮光层被布置为与所述光电转换层的第一闪烁体侧重叠，并遮蔽通过所述第一闪烁体发射的光。

11.一种放射线检测系统，所述放射线检测系统包括：

根据权利要求1所述的放射线检测器；以及

信号处理单元，其用于处理通过所述放射线检测器获得的电信号。