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CN111330059A - 一种usb接口低压香薰加热器 - Google Patents

一种usb接口低压香薰加热器 Download PDF

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CN111330059A CN202010241859.7A CN202010241859A CN111330059A CN 111330059 A CN111330059 A CN 111330059A CN 202010241859 A CN202010241859 A CN 202010241859A CN 111330059 A CN111330059 A CN 111330059A
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张秀光
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Huizhou Shunxinhong Electronic Technology Co ltd
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Huizhou Shunxinhong Electronic Technology Co ltd
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Abstract

本发明涉及香薰机加热器技术领域，尤其是一种USB接口低压香薰加热器，包括有源半导体器件Q1、控制电压CURRENT REF、运算放大器U1‑A以及温控单元，控制电压CURRENT REF的电流经过分压后输入运算放大器U1‑A的正极，有源半导体器件Q1连接设有电流采样电阻R3，电流采样电阻R3电信号通过负反馈输入电阻R6输入到运算放大器U1‑A的负极，运算放大器U1‑A与有源半导体器件Q1间连接设有电阻R2,电阻R2与负反馈输入电阻R6间并联设有负反馈输入电阻R10。本发明通过控制有源半导体器件Q1控制极的电流或电压使有源半导体器件Q1呈现不同的阻抗，从而调整工作电流，实现低压恒温控制的目的。

Description

一种USB接口低压香薰加热器
技术领域
本发明涉及香薰机加热器技术领域，尤其涉及一种USB接口低压香薰加热器。
背景技术
目前，常用的香薰加热器的加热部份使用普通贴片电阻、陶瓷薄膜电阻、PTC等加热元件。普通贴片电阻热传导效率比较低，功耗大；陶瓷薄膜电阻虽然热效比较高，但是温控检测电路因未能与陶瓷薄膜电阻集成，存在温度检测、控制可靠性差，温控精度低的情况；采用PTC发热器件的，虽然PTC可以自动恒温，但是PTC的导通电阻随温度增加而增加，低温下电流大，温度升高时由于电阻增大电流变小发热功率变得越来越小，加热速度慢，在低电压而且电流有限制的条件下很难实现，为此我们提出一种USB接口低压香薰加热器来解决以上问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在现有的香薰温控检测电路温度检测、控制可靠性差，温控精度低、发热器件加热速度慢，在低电压而且电流有限制的条件下很难实现恒温控制的缺点，而提出的一种USB接口低压香薰加热器。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
设计一种USB接口低压香薰加热器，包括贴片设置在铝基板上的有源半导体器件Q1、用于控制电流大小的控制电压CURRENT REF、运算放大器U1-A以及温控单元，所述有源半导体器件Q1通过导线外接供电电压VCC，所述控制电压CURRENT REF的电流经过电阻R4和电阻R5分压后输入所述运算放大器U1-A的正极，所述有源半导体器件Q1连接设有电流采样电阻R3，所述电流采样电阻R3接地设置，所述电流采样电阻R3的二端连接设有负反馈输入电阻R6,所述电流采样电阻R3电信号通过负反馈输入电阻R6输入到运算放大器U1-A的负极，所述运算放大器U1-A与有源半导体器件Q1间连接设有电阻R2,所述电阻R2与负反馈输入电阻R6间并联设有负反馈输入电阻R10。
优选的，所述温控单元包括温度检测单元TEMP CHECK以及并联在温度检测单元TEMP CHECK上的电阻R9和负温度系数热敏电阻(NTC)R1,所述电阻R9通过导线外接供电电压VCC，所述负温度系数热敏电阻(NTC)R1接地设置，当有源半导体器件Q1温度升高时，负温度系数热敏电阻(NTC)R1受热导致内部电流变化，温度检测单元TEMP CHECK的电压下降，结合单片机读取温度检测单元TEMP CHECK端的电压，实时控制控制电压CURRENT REF端的电压高低来实现恒温控制。
优选的，所述温度检测单元TEMP CHECK的输出端也可连接运算放大器U1-B的正极输入端,所述运算放大器U1-B的负极输入端连接利用电阻R7和电阻R8分压后的参考电压TEMP REF，当有源半导体器件Q1温度升高时，负温度系数热敏电阻(NTC)R1的电阻降低，温度检测单元TEMP CHECK的电压降低，导致运算放大器U1-B的正极电压降低，当运算放大器U1-B的负极输入电压高于正极输入电压，运算放大器U1-B的输出端连接的控制电压CURRENT REF的电压降低，此时有源半导体器件Q1的工作电流降低，发热功率降低，温度降低；反之，当温度降低时，有源半导体器件Q1的工作电流增大，发热功率增大，发热功率增大从而温度升高从而实现恒温控制，通过调整TEMP REF端的电压高低，可实现温度的恒定值调整。
优选的，所述供电电压VCC由电脑、手机充电器、移动电源等的USB接口供电或其他电源适配器供电。
优选的，所述有源半导体器件Q1为三极管或场效应管等半导体元件。
优选的，所述运算放大器U1-A也可通过比较器进行替代。
本发明提出的一种USB接口低压香薰加热器，有益效果在于：本发明通过贴片在铝基板上的有源半导体器件Q1，利用铝基板热传导快的优点，控制有源半导体器件Q1控制极的电流或电压使有源半导体器件Q1呈现不同的阻抗，从而调整工作电流，无电流时有源半导体器件Q1不发热，电流增大时发热增加，通过单片机或者运算放大器、比较器调整半导体控制极的电流电压实现电路的恒定电流、恒定功率、恒定温度，加热速度快，温控精度高，自动限制最大取电功率从而适应各种不同的供电环境，不会损坏用户的供电设备，由于使用用户现有的供电器件，无需另行采购电源适配器或在产品内置电源模块，从而降低用户采购成本。
附图说明
图1为本发明提出的一种USB接口低压香薰加热器的电路图；
图2为本发明中提出的运算放大器U1-B的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例一：
参照图1，一种USB接口低压香薰加热器，包括贴片设置在铝基板上的有源半导体器件Q1、用于控制电流大小的控制电压CURRENT REF、运算放大器U1-A以及温控单元，运算放大器U1-A也可通过比较器进行替代，有源半导体器件Q1通过导线外接供电电压VCC，供电电压VCC由电脑、手机充电器、移动电源等的USB接口供电或其他电源适配器供电，有源半导体器件Q1为三极管或场效应管等半导体元件。
控制电压CURRENT REF的电流经过电阻R4和电阻R5分压后输入运算放大器U1-A的正极，有源半导体器件Q1连接设有电流采样电阻R3，电流采样电阻R3接地设置，电流采样电阻R3的二端连接设有负反馈输入电阻R6,电流采样电阻R3电信号通过负反馈输入电阻R6输入到运算放大器U1-A的负极，运算放大器U1-A与有源半导体器件Q1间连接设有电阻R2,电阻R2与负反馈输入电阻R6间并联设有负反馈输入电阻R10，当工作电流升高时，流经电流采样电阻R3的电流增大，R3二端的电压升高，经过R6输入到比较器或者运算放大器U1-A的负极，U1-A输出电压下降，Q1的工作电流降低；当Q1工作电流下降时，比较器或者运算放大器U1-A的负极电压下降，U1-A输出电压升高，Q1的工作电流增大，从而实现恒流或恒功率控制。当CURRENT_REF端的电压为0V时，U1-A输出为0V，流经Q1的电流被关闭，电路停止发热，当CURRENT REF的控制电压来自可调的单片机DA输出时，可以实现功率及电流动态调制。
温控单元包括温度检测单元TEMP CHECK以及并联在温度检测单元TEMP CHECK上的电阻R9和负温度系数热敏电阻(NTC)R1,电阻R9通过导线外接供电电压VCC，负温度系数热敏电阻(NTC)R1接地设置，当有源半导体器件Q1温度升高时，负温度系数热敏电阻(NTC)R1受热导致内部电流变化，温度检测单元TEMP CHECK的电压下降，结合单片机读取温度检测单元TEMP CHECK端的电压，实时控制控制电压CURRENT REF端的电压高低来实现恒温控制。
实施例二：
参照图1-2，一种USB接口低压香薰加热器，包括贴片设置在铝基板上的有源半导体器件Q1、用于控制电流大小的控制电压CURRENT REF、运算放大器U1-A以及温控单元，运算放大器U1-A也可通过比较器进行替代，有源半导体器件Q1通过导线外接供电电压VCC，供电电压VCC由电脑、手机充电器、移动电源等的USB接口供电或其他电源适配器供电，有源半导体器件Q1为三极管或场效应管等半导体元件。
控制电压CURRENT REF的电流经过电阻R4和电阻R5分压后输入运算放大器U1-A的正极，有源半导体器件Q1连接设有电流采样电阻R3，电流采样电阻R3接地设置，电流采样电阻R3的二端连接设有负反馈输入电阻R6,电流采样电阻R3电信号通过负反馈输入电阻R6输入到运算放大器U1-A的负极，运算放大器U1-A与有源半导体器件Q1间连接设有电阻R2,电阻R2与负反馈输入电阻R6间并联设有负反馈输入电阻R10，当工作电流升高时，流经电流采样电阻R3的电流增大，R3二端的电压升高，经过R6输入到比较器或者运算放大器U1-A的负极，U1-A输出电压下降，Q1的工作电流降低；当Q1工作电流下降时，比较器或者运算放大器U1-A的负极电压下降，U1-A输出电压升高，Q1的工作电流增大，从而实现恒流或恒功率控制。当CURRENT_REF端的电压为0V时，U1-A输出为0V，流经Q1的电流被关闭，电路停止发热，当CURRENT REF的控制电压来自可调的单片机DA输出时，可以实现功率及电流动态调制。
温控单元包括温度检测单元TEMP CHECK以及并联在温度检测单元TEMP CHECK上的电阻R9和负温度系数热敏电阻(NTC)R1,电阻R9通过导线外接供电电压VCC，负温度系数热敏电阻(NTC)R1接地设置，温度检测单元TEMP CHECK的输出端连接运算放大器U1-B的正极输入端,运算放大器U1-B的负极输入端连接利用电阻R7和电阻R8分压后的参考电压TEMPREF，当有源半导体器件Q1温度升高时，负温度系数热敏电阻(NTC)R1的电阻降低，温度检测单元TEMP CHECK的电压降低，导致运算放大器U1-B的正极电压降低，当运算放大器U1-B的负极输入电压高于正极输入电压，运算放大器U1-B的输出端连接的控制电压CURRENT REF的电压降低，此时有源半导体器件Q1的工作电流降低，发热功率降低，温度降低；反之，当温度降低时，有源半导体器件Q1的工作电流增大，发热功率增大，发热功率增大从而温度升高从而实现恒温控制，通过调整TEMP REF端的电压高低，可实现温度的恒定值调整。
本发明通过贴片在铝基板上的有源半导体器件Q1，利用铝基板热传导快的优点，控制有源半导体器件Q1控制极的电流或电压使有源半导体器件Q1呈现不同的阻抗，从而调整工作电流，无电流时有源半导体器件Q1不发热，电流增大时发热增加，通过单片机或者运算放大器、比较器调整半导体控制极的电流电压实现电路的恒定电流、恒定功率、恒定温度，加热速度快，温控精度高，自动限制最大取电功率从而适应各种不同的供电环境，不会损坏用户的供电设备，由于使用用户现有的供电器件，无需另行采购电源适配器或在产品内置电源模块，从而降低用户采购成本。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种USB接口低压香薰加热器，包括贴片设置在铝基板上的有源半导体器件Q1、用于控制电流大小的控制电压CURRENTREF、运算放大器U1-A以及温控单元，所述有源半导体器件Q1通过导线外接供电电压VCC,其特征在于，所述控制电压CURRENTREF的电流经过电阻R4和电阻R5分压后输入所述运算放大器U1-A的正极，所述有源半导体器件Q1连接设有电流采样电阻R3，所述电流采样电阻R3接地设置，所述电流采样电阻R3的二端连接设有负反馈输入电阻R6,所述电流采样电阻R3电信号通过负反馈输入电阻R6输入到运算放大器U1-A的负极，所述运算放大器U1-A与有源半导体器件Q1间连接设有电阻R2,所述电阻R2与负反馈输入电阻R6间并联设有负反馈输入电阻R10。
2.根据权利要求1所述的一种USB接口低压香薰加热器，其特征在于，所述温控单元包括温度检测单元TEMP CHECK以及并联在温度检测单元TEMP CHECK上的电阻R9和负温度系数热敏电阻(NTC)R1,所述电阻R9通过导线外接供电电压VCC，所述负温度系数热敏电阻(NTC)R1接地设置，当有源半导体器件Q1温度升高时，负温度系数热敏电阻(NTC)R1受热导致内部电流变化，温度检测单元TEMP CHECK的电压下降，结合单片机读取温度检测单元TEMP CHECK端的电压，实时控制控制电压CURRENT REF端的电压高低来实现恒温控制。
3.根据权利要求2所述的一种USB接口低压香薰加热器，其特征在于，所述温度检测单元TEMP CHECK的输出端也可连接运算放大器U1-B的正极输入端,所述运算放大器U1-B的负极输入端连接利用电阻R7和电阻R8分压后的参考电压TEMP REF，当有源半导体器件Q1温度升高时，负温度系数热敏电阻(NTC)R1的电阻降低，温度检测单元TEMP CHECK的电压降低，导致运算放大器U1-B的正极电压降低，当运算放大器U1-B的负极输入电压高于正极输入电压，运算放大器U1-B的输出端连接的控制电压CURRENT REF的电压降低，此时有源半导体器件Q1的工作电流降低，发热功率降低，温度降低；反之，当温度降低时，有源半导体器件Q1的工作电流增大，发热功率增大，发热功率增大从而温度升高从而实现恒温控制，通过调整TEMP REF端的电压高低，可实现温度的恒定值调整。
4.根据权利要求1或2所述的一种USB接口低压香薰加热器，其特征在于，所述供电电压VCC由电脑、手机充电器、移动电源等的USB接口供电或其他电源适配器供电。
5.根据权利要求1所述的一种USB接口低压香薰加热器，其特征在于，所述有源半导体器件Q1为三极管或场效应管等半导体元件。
6.根据权利要求1所述的一种USB接口低压香薰加热器，其特征在于，所述运算放大器U1-A也可通过比较器进行替代。
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200626

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