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CN111327344A - 射频系统及电子设备 - Google Patents

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CN111327344A
CN111327344A CN202010115934.5A CN202010115934A CN111327344A CN 111327344 A CN111327344 A CN 111327344A CN 202010115934 A CN202010115934 A CN 202010115934A CN 111327344 A CN111327344 A CN 111327344A
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CN
China
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port
module
switch
antenna
low
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陈宪龙
杨金胜
唐龙
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Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp Ltd
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Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp Ltd
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Abstract

本申请提出了一种射频系统及电子设备，包括射频收发器、射频处理电路、切换开关模组、第一天线和第二天线；所述射频处理电路包括第一发射模组、分集接收模组、第一三工器、定向耦合器、第二发射模组、主集接收模组和第二三工器；当所述射频系统处于非独立组网工作模式时，所述第一天线用于第一低频频段的发射、所述第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收，所述第二天线用于所述第二低频频段的发射、所述第一低频频段和所述第二低频频段合路的主集接收。可以采用两个三工器及组合射频电路设计，并用特殊的器件进行合天线设计，使得两根天线就能完成双低频段非独立组网，大大提升了双低频段非独立组网在电子设备上的泛用性。

Description

射频系统及电子设备
技术领域
本申请涉及射频技术领域，特别是一种射频系统及电子设备。
背景技术
随着智能手机等电子设备的大量普及应用，智能手机能够支持的应用越来越多，功能越来越强大，智能手机向着多样化、个性化的方向发展，成为用户生活中不可缺少的电子用品。第四代(The 4th Generation，4G)移动通信系统中电子装置一般采用单天线或双天线射频系统架构。4G方案的射频框架比较简单，包括发射器件、接收器件、切换开关和天线。其中，发射器件可以包括低频(Low Band，LB)发射模块和中高频(Middle High Band，MHB)发射模块，接收器件可以包括主集接收(Primary Receive，PRX)模块和分集接收(Diversity Receive，DRX)模块。
双低频段非独立组网指的是4G低频段与5G低频段共同工作，需要两个功率放大器同时工作发射信号，而且4G低频段与5G低频段都分别需要两个天线，因此需要4根天线。但是低频段天线尺寸太大，小型的电子设备无法容纳4根天线。
发明内容
基于上述问题，本申请提出了一种射频系统及电子设备，可以采用两个三工器及组合射频电路设计，并用特殊的器件进行合天线设计，使得两根天线就能完成双低频段非独立组网，大大提升了双低频段非独立组网在电子设备上的泛用性。
第一方面，本申请实施例提供了一种射频系统，所述射频系统包括射频收发器、射频处理电路、切换开关模组、第一天线和第二天线，所述射频收发器与所述射频处理电路连接；
所述射频处理电路包括第一发射模组、分集接收模组、第一三工器、定向耦合器、第二发射模组、主集接收模组和第二三工器；
所述射频收发器的第一端口连接所述第一发射模组的第一端口，所述第一发射模组的第二端口连接所述第一三工器的第一端口，所述第一三工器的第二端口通过所述定向耦合器连接所述切换开关模组，所述第一三工器的第三端口连接所述分集接收模组的第三端口，所述分集接收模组的第一端口连接所述射频收发器的第三端口，所述分集接收模组的第二端口连接所述切换开关模组，所述射频收发器的第二端口连接所述第二发射模组的第一端口，所述第二发射模组的第二端口连接所述第二三工器的第三端口，所述第二发射模组的第三端口连接所述第二三工器的第二端口，所述第二发射模组的第四端口连接所述切换开关模组，所述第二发射模组的第五端口连接所述主集接收模组的第三端口，所述第二三工器的第一端口连接所述主集接收模组的第二端口，所述主集接收模组的第一端口连接所述射频收发器的第四端口，所述切换开关模组连接所述第一天线和所述第二天线；
当所述射频系统处于非独立组网工作模式时，所述第一天线用于第一低频频段的发射、所述第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收，所述第二天线用于所述第二低频频段的发射、所述第一低频频段和所述第二低频频段合路的主集接收。
第二方面，本申请实施例提供给了一种电子设备，所述电子设备包括本申请实施例第一方面任一项所描述的射频系统，当所述射频系统处于非独立组网工作模式时，所述射频系统用于实现所述第一低频频段的发射和接收以及所述第二低频频段的发射和接收。
可以看出，在本申请实施例中，可以采用两个三工器及组合射频电路设计，并用特殊的器件进行合天线设计，使得两根天线就能完成双低频段非独立组网，大大提升了双低频段非独立组网在电子设备上的泛用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种射频系统的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种三工器的结构示意图；
图3a为本申请实施例提供的一种切换开关模组为3P3T开关的射频系统的结构示意图；
图3b为本申请实施例提供的一种切换开关模组为SP2T与DPDT组合开关的射频系统的结构示意图；
图3c为本申请实施例提供的一种切换开关模组为DP4T开关的射频系统的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、产品或设备固有的其他步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本申请实施例所涉及到的电子设备可以包括各种具有无线通信功能的手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其他处理设备，以及各种形式的用户设备(User Equipment，UE)(例如，手机)，移动台(Mobile Station，MS)，终端设备(Terminal Device)等等。为方便描述，上面提到的设备统称为电子设备。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种射频系统的结构示意图，该射频系统100包括射频收发器11、射频处理电路12、切换开关模组13、第一天线141和第二天线142，上述射频收发器11连接上述射频处理电路12；
具体的，上述射频处理电路包括第一发射模组121、分集接收模组122、第一三工器123、定向耦合器124、第二发射模组125、主集接收模组126和第二三工器127；
上述射频收发器的第一端口111连接上述第一发射模组121的第一端口1211，上述第一发射模组121的第二端口1212连接上述第一三工器123的第一端口1231，上述第一三工器123的第二端口1232通过上述定向耦合器124连接上述切换开关模组13，上述第一三工器123的第三端口1233连接上述分集接收模组122的第三端口1223，上述分集接收模组122的第一端口1221连接上述射频收发器11的第三端口113，上述分集接收模组122的第二端口1222连接上述切换开关模组13，上述射频收发器11的第二端口112连接上述第二发射模组125的第一端口1251，上述第二发射模组125的第二端口1252连接上述第二三工器127的第三端口1273，上述第二发射模组125的第三端口1253连接上述第二三工器127的第二端口1272，上述第二发射模组125的第四端口1254连接上述切换开关模组13，上述第二发射模组125的第五端口1255连接上述主集接收模组126的第三端口1263，上述第二三工器127的第一端口1271连接上述主集接收模组126的第二端口1262，上述主集接收模组126的第一端口1261连接上述射频收发器11的第四端口114，上述切换开关模组13连接上述第一天线141和上述第二天线142。
当上述射频系统100处于非独立组网(Non-Standalone，NSA)工作模式时，上述第一天线141用于第一低频频段的发射、上述第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收，上述第二天线142用于上述第二低频频段的发射、上述第一低频频段和上述第二低频频段合路的主集接收。
本申请实施例中，NSA工作模式包括EN-DC、NE-DC和NGEN-DC构架中的任一种。
在EN-DC构架下，电子设备连接4G核心网，4G基站为主站，5G基站为辅站；
在NE-DC构架下，引入5G核心网，5G基站为主站，4G基站为辅站；
在NGEN-DC构架下，引入5G核心网，4G基站为主站，5G基站为辅站。
其中，DC代表Dual Connectivity，即双连接(Dual Connectivity，DC)；E代表进化的通用移动通信系统(Universal Mobile Telecommunications System，UMTS)陆地无线接入(Evolved-UMTS Terrestrial Radio Access，E-UTRA或EUTRA)，即4G无线接入网；N代表(New Radio，NR)，即5G新无线；NG代表(Next Generation，NG)下一代核心网，即5G核心网。
EN-DC就是指4G无线接入网与5G NR的双连接，NE-DC指5G NR与4G无线接入网的双连接，而NGEN-DC指在5G核心网下的4G无线接入网与5G NR的双连接。
为了方便说明，下面的非独立组网模式以EN-DC构架为例进行说明。
在EN-DC构架下，本申请实施例的射频系统支持双低频(Low Band，LB)非独立组网，即LB+LB NSA，LB+LB NSA指的是LB长期演进(Long Term Evolution，LTE)+LB NR共同工作，需要两个功率放大器(Power Amplifier，PA)同时工作发射信号，而且LB LTE和NR都分别需要两根天线，一根天线做发射(Transmit，TX)或主集接收(Primary Receive，PRX)，另外一根天线做分集接收(Diversity Receive，DRX)。因此，要实现LB+LBNSA，需要4根天线。由于LB天线尺寸太大，对于小尺寸电子设备(比如，手机)来说，留给LB天线的净空区较小，难以同时满足4根LB天线的净空区的要求，因此，做4根天线效率都很好的LB天线比较困难，为了保证上行信号的可靠性。可以将4根天线中天线效率较好的两根天线用于LB LTE信号和LB NR信号的发射。
本申请实施例中，第一低频频段可以包括B20频段(上行：832-862MHz，下行：791-821MHz)，第二低频频段可以包括B28频段(上行：703-748MHz，下行：758-803MHz)，该B28频段可以包括B28A频段(上行：703-733MHz，下行：758-788MHz)，第二低频频段还可以包括N28A频段(上行：703-733MHz，下行：758-788MHz)。需要说明的是，4G频段的B28A与5G频段的N28A的频段范围相同，本领域一般技术人员可以认定上述两个频段为在不同网络制式下存在不同的命名的同一频段。
在EN-DC构架下，第一天线141用于B20频段的发射、B20频段和N28A频段合路的分集接收，第二天线142用于N28A频段的发射、B20频段和N28A频段合路的主集接收。
本申请实施例中，当射频系统处于NSA工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第一发射模组121→第一三工器123→定向耦合器124→切换开关模组13→第一天线141；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第一天线141→切换开关模组13→定向耦合器124→第一三工器123→分集接收模组122→射频收发器11；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→切换开关模组13→第二天线142；
第一低频频段和第二低频频段合路的主集接收(PRX)通路包括：第二天线142→切换开关模组13→第二发射模组125→第二三工器127→主集接收模组126→射频收发器11。
可选的，当上述射频系统100只处于长期演进网络LTE工作模式时，上述第一天线141用于上述第一低频频段的发射和上述第二低频频段的发射，以及，上述第一低频频段的主集接收和上述第二低频频段的主集接收，上述第二天线142用于上述第一低频频段和上述第二低频频段合路的分集接收。
当射频系统只处于LTE工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→切换开关模组13→第一天线141；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→切换开关模组13→第一天线141；
第一低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→切换开关模组13→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第二低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→切换开关模组13→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第二天线142→切换开关模组13→分集接收模组122→射频收发器11。
本申请实施例的第一三工器123和第二三工器127，如图2所示，图2为本申请实施例提供的一种三工器的结构示意图，该三工器包括天线ANT端口、接收RX端口、接地Ground端口以及两个发射TX端口，即第一低频频段(B20)的第一TX端口和第二低频频段(B28A)的第二发射端口。其中，可以理解的是，上述第一三工器123和第二三工器127本质为结构相同的三工器，上述第一三工器123需要使用图示三工器的第一TX端口、天线ANT端口和接收RX端口，上述第二三工器需要使用图示三工器的第二TX端口、天线ANT端口和接收RX端口，为便于区分，可以将上述第一三工器123使用的端口命名为第一发射端口、第一接收端口和第一天线端口，将上述第二三工器127使用的端口命名为第二发射端口、第二接收端口和第二天线端口。具体的，上述第一发射端口可以对应图1中第一三工器123的第一端口1231，上述第一天线端口可以对应图1中第一三工器123的第二端口1232，上述第一接收端口可以对应图1中第一三工器123的第三端口1233；上述第二发射端口可以对应图1中第二三工器127的第三端口1273，上述第二天线端口可以对应图1中第二三工器127的第二端口1272，上述第二接收端口对应图1中第二三工器127的第一端口1271。
其中，上述第一发射端口用于流通上述第一低频频段B20的发射信号，上述第一接收端口用于流通上述第一低频频段和上述第二低频频段合路的接收信号，上述第一天线端口用于同时流通上述第一低频频段的发射信号和上述接收信号，上述第二发射端口用于流通上述第二低频频段的发射信号，上述第二接收端口用于流通上述第一低频频段和上述第二低频频段合路的接收信号，上述第二天线端口用于同时流通上述第二低频频段的发射信号和上述接收信号。
通过上述三工器，可以实现第一低频频段和第二低频频段的合路同时工作。
本申请实施例的第一发射模组121可以包括多模多频功率放大器(Multi-modeMulti-band Power Amplifier，MMPA)，MMPA内部可以集成PA和开关等。
本申请实施例的第二发射模组125可以包括PAMID，PAMID是集成PA、双工器、滤波器和发射开关的射频集成模组。
本申请实施例的分集接收模组122可以包括L-DRX，L-DRX是集成声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave，SAW)和LNA的接收模组，其组成器件可以包括Phase7 lite器件，用于实现RX信号的过滤和放大。
本申请实施例的主集接收模组126可以包括微低噪声放大器(Micro Low NoiseAmplifier，MLNA)，MLNA内部可以集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)，可以实现RX信号的放大。
本申请实施例中的定向耦合器124可以将两路射频信号进行混合后输出。可选的，定向耦合器124还可以具有功率分配的功能，用于将输入的信号的功率分为几路反馈到射频收发器11对应的接收端口，以便于射频收发器11调整其发射的射频信号的功率。
本申请实施例的切换开关模组13可以为三刀三掷3P3T开关、双刀双掷DPDT与单刀双掷SP2T组合开关或双刀四掷DP4T开关中的任意一种。
如图3a所示，图3a为本申请实施例提供的一种切换开关模组为3P3T开关的射频系统的结构示意图，该射频系统100包括射频收发器11、射频处理电路12、3P3T开关13、第一天线141和第二天线142，上述射频收发器11连接上述射频处理电路12；
具体的，上述射频处理电路包括第一发射模组121、分集接收模组122、第一三工器123、定向耦合器124、第二发射模组125、主集接收模组126和第二三工器127；
上述射频收发器的第一端口111连接上述第一发射模组121的第一端口1211，上述第一发射模组121的第二端口1212连接上述第一三工器123的第一端口1231，上述第一三工器123的第二端口1232通过上述定向耦合器124连接上述3P3T开关13的第一T端口T1，上述第一三工器123的第三端口1233连接上述分集接收模组122的第三端口1223，上述分集接收模组122的第一端口1221连接上述射频收发器11的第三端口113，上述分集接收模组122的第二端口1222连接上述3P3T开关13的第三T端口T3，上述射频收发器11的第二端口112连接上述第二发射模组125的第一端口1251，上述第二发射模组125的第二端口1252连接上述第二三工器127的第三端口1273，上述第二发射模组125的第三端口1253连接上述第二三工器127的第二端口1272，上述第二发射模组125的第四端口1254连接上述3P3T开关13的第二T端口T2，上述第二发射模组125的第五端口1255连接上述主集接收模组126的第三端口1263，上述第二三工器127的第一端口1271连接上述主集接收模组126的第二端口1262，上述主集接收模组126的第一端口1261连接上述射频收发器11的第四端口114，上述3P3T开关13的第一P端口P1连接上述第一天线141，上述3P3T开关13的第二P端口P2连接上述第二天线142。
当射频系统只处于NSA工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第一发射模组121→第一三工器123→定向耦合器124→3P3T开关13→第一天线141；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第一天线141→3P3T开关13→定向耦合器124→第一三工器123→分集接收模组122→射频收发器11；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→3P3T开关13→第二天线142；
第一低频频段和第二低频频段合路的主集接收(PRX)通路包括：第二天线142→3P3T开关13→第二发射模组125→第二三工器127→主集接收模组126→射频收发器11。
当射频系统只处于LTE工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→3P3T开关13→第一天线141；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→3P3T开关13→第一天线141；
第一低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→3P3T开关13→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第二低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→3P3T开关13→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第二天线142→3P3T开关13→分集接收模组122→射频收发器11。
可选的，请参阅图3b，图3b为本申请实施例提供的一种切换开关模组为SP2T与DPDT组合开关的射频系统的结构示意图，该射频系统100包括射频收发器11、射频处理电路12、SP2T开关131和DPDT开关132、第一天线141和第二天线142，上述射频收发器11连接上述射频处理电路12；
具体的，上述射频处理电路包括第一发射模组121、分集接收模组122、第一三工器123、定向耦合器124、第二发射模组125、主集接收模组126和第二三工器127；
上述射频收发器的第一端口111连接上述第一发射模组121的第一端口1211，上述第一发射模组121的第二端口1212连接上述第一三工器123的第一端口1231，上述第一三工器123的第二端口1232通过上述定向耦合器124连接上述SP2T开关131的第一T端口T11，上述第一三工器123的第三端口1233连接上述分集接收模组122的第三端口1223，上述分集接收模组122的第一端口1221连接上述射频收发器11的第三端口113，上述分集接收模组122的第二端口1222连接上述SP2T开关131的第二T端口T12，上述SP2T开关131的P端口P11连接上述DPDT开关132的第二T端口T22，上述射频收发器11的第二端口112连接上述第二发射模组125的第一端口1251，上述第二发射模组125的第二端口1252连接上述第二三工器127的第三端口1273，上述第二发射模组125的第三端口1253连接上述第二三工器127的第二端口1272，上述第二发射模组125的第四端口1254连接上述DPDT开关132的第一T端口T21，上述第二发射模组125的第五端口1255连接上述主集接收模组126的第三端口1263，上述第二三工器127的第一端口1271连接上述主集接收模组126的第二端口1262，上述主集接收模组126的第一端口1261连接上述射频收发器11的第四端口114，上述DPDT开关132的第一P端口P21连接上述第一天线141，上述DPDT开关132的第二P端口P22连接上述第二天线142。
当射频系统只处于NSA工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第一发射模组121→第一三工器123→定向耦合器124→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→第一天线141；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第一天线141→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→定向耦合器124→第一三工器123→分集接收模组122→射频收发器11；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→第二天线142；
第一低频频段和第二低频频段合路的主集接收(PRX)通路包括：第二天线142→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→第二发射模组125→第二三工器127→主集接收模组126→射频收发器11。
当射频系统只处于LTE工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→第一天线141；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→第一天线141；
第一低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第二低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第二天线142→SP2T(131)与DPDT(132)组合开关→分集接收模组122→射频收发器11。
可选的，如图3c所示，图3c为本申请实施例提供的一种切换开关模组为DP4T开关的射频系统的结构示意图，该射频系统100包括射频收发器11、射频处理电路12、DP4T开关13、第一天线141和第二天线142，上述射频收发器11连接上述射频处理电路12；
具体的，上述射频处理电路包括第一发射模组121、分集接收模组122、第一三工器123、定向耦合器124、第二发射模组125、主集接收模组126和第二三工器127；
上述射频收发器的第一端口111连接上述第一发射模组121的第一端口1211，上述第一发射模组121的第二端口1212连接上述第一三工器123的第一端口1231，上述第一三工器123的第二端口1232通过上述定向耦合器124连接上述DP4T开关13的第一T端口T1，上述第一三工器123的第三端口1233连接上述分集接收模组122的第三端口1223，上述分集接收模组122的第一端口1221连接上述射频收发器11的第三端口113，上述分集接收模组122的第二端口1222连接上述DP4T开关13的第三T端口T3，上述射频收发器11的第二端口112连接上述第二发射模组125的第一端口1251，上述第二发射模组125的第二端口1252连接上述第二三工器127的第三端口1273，上述第二发射模组125的第三端口1253连接上述第二三工器127的第二端口1272，上述第二发射模组125的第四端口1254连接上述DP4T开关13的第二T端口T2，上述第二发射模组125的第五端口1255连接上述主集接收模组126的第三端口1263，上述第二三工器127的第一端口1271连接上述主集接收模组126的第二端口1262，上述主集接收模组126的第一端口1261连接上述射频收发器11的第四端口114，上述DP4T开关13的第一P端口P1连接上述第一天线141，上述DP4T开关13的第二P端口P2连接上述第二天线142。
当射频系统只处于NSA工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第一发射模组121→第一三工器123→定向耦合器124→DP4T开关13→第一天线141；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第一天线141→DP4T开关13→定向耦合器124→第一三工器123→分集接收模组122→射频收发器11；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→DP4T开关13→第二天线142；
第一低频频段和第二低频频段合路的主集接收(PRX)通路包括：第二天线142→DP4T开关13→第二发射模组125→第二三工器127→主集接收模组126→射频收发器11。
当射频系统只处于LTE工作模式时，
第一低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→DP4T开关13→第一天线141；
第二低频频段的发射(TX)通路包括：射频收发器11→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→DP4T开关13→第一天线141；
第一低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→DP4T开关13→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第二低频频段的主集接收(PRX)通路包括：第一天线141→DP4T开关13→第二发射模组125→第二三工器127→第二发射模组125→主集接收模组126→射频收发器11；
第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收(DRX)通路包括：第二天线142→DP4T开关13→分集接收模组122→射频收发器11。
其中，3P3T开关可以包括3个In端口和3个OUT端口，可以In-OUT实现3-3任意连接切换；SP2T开关可以包括1个In端口和2个OUT端口，可以智能In-OUT连接1个口，DPDT开关可以包括2个In端口和2个OUT端口，可以In-OUT实现2-2交叉连接切换；DP4T开关可以包括4个In端口和2个OUT端口，可以In-OUT实现2-2间线连接切换。
上述射频系统，可以采用两个三工器及组合射频电路设计，并用特殊的器件进行合天线设计，使得两根天线就能完成双低频段非独立组网，大大提升了双低频段非独立组网在电子设备上的泛用性。
请参阅图4，图4是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，如图4所示，该电子设备10可以包括射频系统100，其中，该射频系统100包括射频收发器11、射频处理电路12、切换开关模组13、第一天线141和第二天线142，上述射频收发器11连接上述射频处理电路12；
具体的，上述射频处理电路包括第一发射模组121、分集接收模组122、第一三工器123、定向耦合器124、第二发射模组125、主集接收模组126和第二三工器127；
上述射频收发器的第一端口111连接上述第一发射模组121的第一端口1211，上述第一发射模组121的第二端口1212连接上述第一三工器123的第一端口1231，上述第一三工器123的第二端口1232通过上述定向耦合器124连接上述切换开关模组13，上述第一三工器123的第三端口1233连接上述分集接收模组122的第三端口1223，上述分集接收模组122的第一端口1221连接上述射频收发器11的第三端口113，上述分集接收模组122的第二端口1222连接上述切换开关模组13，上述射频收发器11的第二端口112连接上述第二发射模组125的第一端口1251，上述第二发射模组125的第二端口1252连接上述第二三工器127的第三端口1273，上述第二发射模组125的第三端口1253连接上述第二三工器127的第二端口1272，上述第二发射模组125的第四端口1254连接上述切换开关模组13，上述第二发射模组125的第五端口1255连接上述主集接收模组126的第三端口1263，上述第二三工器127的第一端口1271连接上述主集接收模组126的第二端口1262，上述主集接收模组126的第一端口1261连接上述射频收发器11的第四端口114，上述切换开关模组13连接上述第一天线141和上述第二天线142。
当上述射频系统100处于非独立组网(Non-Standalone，NSA)工作模式时，上述第一天线141用于第一低频频段的发射、上述第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收，上述第二天线142用于上述第二低频频段的发射、上述第一低频频段和上述第二低频频段合路的主集接收。
以上是本申请实施例的实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种射频系统，其特征在于，所述射频系统包括射频收发器、射频处理电路、切换开关模组、第一天线和第二天线，所述射频收发器与所述射频处理电路连接；
所述射频处理电路包括第一发射模组、分集接收模组、第一三工器、定向耦合器、第二发射模组、主集接收模组和第二三工器；
所述射频收发器的第一端口连接所述第一发射模组的第一端口，所述第一发射模组的第二端口连接所述第一三工器的第一端口，所述第一三工器的第二端口通过所述定向耦合器连接所述切换开关模组，所述第一三工器的第三端口连接所述分集接收模组的第三端口，所述分集接收模组的第一端口连接所述射频收发器的第三端口，所述分集接收模组的第二端口连接所述切换开关模组，所述射频收发器的第二端口连接所述第二发射模组的第一端口，所述第二发射模组的第二端口连接所述第二三工器的第三端口，所述第二发射模组的第三端口连接所述第二三工器的第二端口，所述第二发射模组的第四端口连接所述切换开关模组，所述第二发射模组的第五端口连接所述主集接收模组的第三端口，所述第二三工器的第一端口连接所述主集接收模组的第二端口，所述主集接收模组的第一端口连接所述射频收发器的第四端口，所述切换开关模组连接所述第一天线和所述第二天线；
当所述射频系统处于非独立组网工作模式时，所述第一天线用于第一低频频段的发射、所述第一低频频段和第二低频频段合路的分集接收，所述第二天线用于所述第二低频频段的发射、所述第一低频频段和所述第二低频频段合路的主集接收。
2.根据权利要求1所述的射频系统，其特征在于，
当所述射频系统处于长期演进网络工作模式时，所述第一天线用于所述第一低频频段的发射和所述第二低频频段的发射，以及，所述第一低频频段的主集接收和所述第二低频频段的主集接收，所述第二天线用于所述第一低频频段和所述第二低频频段合路的分集接收。
3.根据权利要求1或2所述的射频系统，其特征在于，所述第一三工器包括第一发射端口、第一接收端口和第一天线端口，所述第二三工器包括第二发射端口、第二接收端口和第二天线端口；
所述第一发射端口用于流通所述第一低频频段的发射信号，所述第一接收端口用于流通所述第一低频频段和所述第二低频频段合路的接收信号，所述第一天线端口用于同时流通所述第一低频频段的发射信号和所述接收信号，所述第二发射端口用于流通所述第二低频频段的发射信号，所述第二接收端口用于流通所述第一低频频段和所述第二低频频段合路的接收信号，所述第二天线端口用于同时流通所述第二低频频段的发射信号和所述接收信号。
4.根据权利要求3所述的射频系统，其特征在于，所述切换开关模组包括三刀三掷3P3T开关、双刀双掷DPDT与单刀双掷SP2T组合开关或双刀四掷DP4T开关中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的射频系统，其特征在于，
所述切换开关模组为所述3P3T开关时，所述第一三工器的所述第一天线端口通过所述定向耦合器连接所述3P3T开关的第一T端口，所述第二发射模组的第四端口连接所述3P3T开关的第二T端口，所述分集接收模组的第二端口连接所述3P3T开关的第三T端口，所述3P3T的第一P端口连接所述第一天线，所述3P3T开关的第二P端口连接所述第二天线；
所述切换开关模组为所述DPDT与SP2T组合开关时，所述第一三工器的所述第一天线端口通过所述定向耦合器连接所述SP2T开关的第一T端口，所述分集接收模组的第二端口连接所述SP2T开关的第二T端口，所述第二发射模组的第四端口连接所述DPDT开关的第一T端口，所述SP2T开关的P端口连接所述DPDT开关的第二T端口，所述DPDT开关的第一P端口连接所述第一天线，所述DPDT开关的第二P端口连接所述第二天线；
所述切换开关模组为所述DT4T开关时，所述第一三工器的所述第一天线端口通过所述定向耦合器连接所述DP4T开关的第一T端口，所述第二发射模组的第四端口连接所述DP4T开关的第二T端口，所述分集接收模组的第二端口连接所述DP4T开关的第三T端口，所述DP4T开关的第一P端口连接所述第一天线，所述DP4T开关的第二P端口连接所述第二天线。
6.根据权利要求3所述的射频系统，其特征在于，所述第一发射模组包括多模多频功率放大器，所述第二发射模组包括功率放大器、双工器、滤波器和发射开关，所述分集接收模组包括声表面波滤波器和底噪放大器，所述主集接收模组包括底噪放大器。
7.根据权利要求3所述的射频系统，其特征在于，所述分集接收模组的组成器件包括Phase7 lite器件。
8.根据权利要求3所述的射频系统，其特征在于，所述第一天线和所述第二天线为低频天线。
9.根据权利要求1～8任一项所述的射频系统，其特征在于，所述第一低频频段包括B20频段，所述第二低频频段包括N28A频段。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1～9任一项所述的射频系统，当所述射频系统处于非独立组网工作模式时，所述射频系统用于实现所述第一低频频段的发射和接收以及所述第二低频频段的发射和接收。
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