CN111326446B - 热处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供热处理装置。本发明的一个方式的热处理装置包括：纵长的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；温度传感器，其沿上述处理容器的长边方向设置在上述处理容器内或者上述处理容器与上述加热装置之间的空间；和一对分隔件，其在上述空间以隔着从上述处理容器的中心轴延伸而通过上述温度传感器的半直线的方式设置，并沿上述处理容器的长边方向延伸。本发明能够提高热处理时的温度再现性。

Description

热处理装置

技术领域

本发明涉及一种热处理装置。

背景技术

已知有热处理装置，其在处理容器和设置在其外周的加热装置之间的加热空间内沿处理容器的周向设置圆形的薄板环状的环状板，由此在加热空间内抑制对流产生(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-96453号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够提高热处理时的温度再现性的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的热处理装置包括：纵长的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；温度传感器，其沿上述处理容器的长边方向设置在上述处理容器内或者上述处理容器与上述加热装置之间的空间；和一对分隔件，其在上述空间以隔着从上述处理容器的中心轴延伸而通过上述温度传感器的半直线的方式设置，并沿上述处理容器的长边方向延伸。

发明效果

依照本发明，能够提高热处理时的温度再现性。

附图说明

图1是表示第1实施方式的热处理装置的构成例的纵截面图。

图2是表示第1实施方式的热处理装置的构成例的横截面图。

图3是说明在现有的热处理装置的处理容器与加热装置之间的空间产生的对流的图。

图4是说明在图1的热处理装置的处理容器与加热装置之间的空间产生的对流的图。

图5是表示第2实施方式的热处理装置的构成例的横截面图。

图6是说明在图5的热处理装置的处理容器与加热装置之间的空间产生的对流的图。

图7是表示第3实施方式的热处理装置的构成例的横截面图。

图8是说明在图7的热处理装置的处理容器与加热装置之间的空间产生的对流的图。

图9是表示在一定温度下执行的第1热处理的设定温度的时间变化的图。

图10是表示由现有的热处理装置进行的第1热处理的温度再现性的图。

图11是表示由具有第1分隔件的热处理装置进行的第1热处理的温度再现性的图。

图12是表示由具有第1分隔件和第2分隔件的热处理装置进行的第1热处理的温度再现性的图。

图13是表示伴随温度改变的第2热处理的设定温度的时间变化的图。

图14是表示由现有的热处理装置进行的第2热处理的温度再现性的图。

图15是表示由具有第1分隔件的热处理装置进行的第2热处理的温度再现性的图。

图16是表示由具有第1分隔件和第2分隔件的热处理装置进行的第2热处理的温度再现性的图。

附图标记说明

1 热处理装置

4 处理容器

48 加热装置

50 隔热部件

52 加热元件

53 保持部件

60 温度传感器

62 测温部

70、72 第1分隔件

80 第2分隔件

90 第3分隔件

S 空间。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。在全部附图中，对相同或相应的部件或零件，标注相同或相应的附图标记，省略重复的说明。

(第1实施方式)

(热处理装置)

对第1实施方式的热处理装置的构成例进行说明。热处理装置是对多个基片一并进行热处理的批次式的竖式热处理装置。图1是表示第1实施方式的热处理装置的构成例的纵截面图。图2是表示第1实施方式的热处理装置的构成例的横截面图。

如图1和图2所示，热处理装置1具有长边方向垂直的纵长的处理容器4。处理容器4由双重管结构构成，包括有顶的外管6和同心地配置于外管6的内侧的圆筒体状的内管8。

外管6和内管8由石英、碳化硅等耐热性材料形成。外管6和内管8例如用由不锈钢形成的歧管(manifold)10保持着下端。歧管10固定于基板12。不过，也可以不设置歧管10，而用例如石英形成处理容器4整体。

在歧管10的下端的开口，隔着密封部件16以能够气密密封的方式安装有例如由不锈钢形成的圆盘状的端部(cap)14。在端部14的大致中心部，插通有例如用磁性流体密封件18在气密状态下可旋转的旋转轴20。旋转轴20的下端与旋转机构22连接。在旋转轴20的上端固定有例如由不锈钢形成的工作台24。

在工作台24上设置例如由石英形成的保温筒26。在保温筒26上载置有例如由石英形成的晶舟(wafer boat)28。

多个(例如50～150个)的半导体晶片(以下称为“晶片W”。)以规定的间隔(例如10mm程度的间距)被收纳于晶舟28。晶舟28、保温筒26、工作台24和端部14例如用作为舟式电梯(boat elevator)的升降机构30，在处理容器4内以成为一体的方式被装载、卸载。

在歧管10的下部设置用于对处理容器4内导入处理气体的气体导入装置32。气体导入装置32具有以气密地贯通歧管10的方式设置的气体喷嘴34。此外，在图1中，示出设置有一个气体导入装置32的情况，不过也可以根据要使用的气体种类的数量等设置多个气体导入装置32。从气体喷嘴34向处理容器4导入的气体由流量控制装置(未图示)控制流量。

在歧管10的上部设置有气体出口36。气体出口36与排气系统38连结。排气系统38包括与气体出口36连接的排气通路40、以及设置于排气通路40的途中的压力调节阀42和真空泵44。利用排气系统38，能够一边调节处理容器4内的压力一边进行排气。

在处理容器4的周围包围处理容器4地设置有加热晶片W的加热装置48。加热装置48包括隔热部件50、保护罩51、加热元件52和保持部件53。

隔热部件50具有顶面，形成为下端开口的圆筒体状。隔热部件50的下端支承于基板12。隔热部件50例如由热传导性低、柔软的无定形的二氧化硅和氧化铝的混合物形成。隔热部件50以其内周与处理容器4的外表面离开规定的距离的方式配置。规定的距离例如为62～70mm。

保护罩51以覆盖隔热部件50的外周的整个面的方式安装。保护罩51例如由不锈钢形成。

加热元件52在隔热部件50的内周侧呈螺旋状卷绕地配置。加热元件52在与隔热部件50的内表面隔开规定的间隙的状态下，可热膨胀和热收缩地被保持部件53保持着。但是，加热元件52也可以不由保持部件53保持，而在隔热部件50的内周侧呈螺旋状形成槽部，嵌入而固定于槽部。作为加热元件52的材质，例如能够利用电阻发热体。加热元件52与电源连接，被供给电力而发热，对保持于晶舟28的晶片W进行加热。加热元件52在上下方向上被划分成多个加热区域(zone)。如上所述，在加热元件52在上下方向上被划分成多个加热区域的情况下，通过按加热区域控制加热元件52的发热量，能够调节处理容器4的上下方向的温度。在图1的例子中，多个加热区域包括从上方向下方设置的TOP区域、CT区域、CTR区域、CB区域和BTM区域。此外，加热元件52也可以不被划分成多个加热区域，而形成一个加热区域。

保持部件53以在隔热部件50的轴向延伸且在周向隔开规定的间隔的方式设置在隔热部件50的内表面。加热元件52以可热膨胀和热收缩的方式被保持部件53保持。

在处理容器4内沿处理容器4的长边方向设置有温度传感器60。温度传感器60是沿处理容器4的长边方向具有多个测温部62的、例如热电偶。在图1的例中，在CT区域、CTR区域、CB区域和BTM区域各自配置有测温部62a、62b、62c、62d。由此，能够单独地计量CT区域、CTR区域、CB区域和BTM区域的温度。但是，测温部62的配置不限于此。温度传感器60还可以设置于处理容器4与加热装置48之间的空间S。

如图2所示，在处理容器4与加热装置48之间的空间S，设置有一对第1分隔件70、72，该第1分隔件70、72隔着从处理容器4的中心轴C向外方延伸而通过温度传感器60的半直线L，且沿处理容器4的长边方向延伸。如图1所示，优选第1分隔件70其上端位于比温度传感器60的多个测温部62中最上部的测温部62a靠上方处。第1分隔件72也与第1分隔件70同样，优选上端位于比温度传感器60的多个测温部62中最上部的测温部62a靠上方处。

第1分隔件70、72可拆装地安装于例如加热元件52或者保持部件53。但是，第1分隔件70、72也可以安装于其他部件。此外，第1分隔件70、72以与处理容器4的外管6的外表面隔开规定的间隙L1的方式设置。规定的间隙L1例如为7～15mm。

第1分隔件70、72例如由氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)等陶瓷材料形成。第1分隔件70、72可以为各自成形为块状的陶瓷成形部件，也可以为氧化铝布(alumina cloth)等纤维状的部件。此外，也可以为将它们组合而成的部件。如上所述，第1分隔件70、72可以由单个部件形成，也可以由可分成多个的部件形成。

如图2所示，在处理容器4与加热装置48之间的空间S设置有半圆以上的圆弧板状的第2分隔件80，该第2分隔件80沿处理容器4的周向从一第1分隔件70延伸至另一第1分隔件72。即，第2分隔件80以不通过从处理容器4的中心轴C向外方延伸而通过温度传感器60的半直线L的方式设置。

第2分隔件80例如可拆装地安装于加热元件52或者保持部件53。但是，第2分隔件80也可以安装于其他部件，例如第1分隔件70、72。此外，第2分隔件80以与处理容器4的外管6的外表面隔开规定的间隙L2的方式设置。规定的间隙L2例如为7～15mm。

第2分隔件80例如如图1所示，设置于多个加热区域中最下部的加热区域即BTM区域与和BTM区域的上方相邻的CB区域的边界或者该边界的附近。此外，BTM区域与CB区域的边界的附近是指BTM区域的上下方向上的比中间位置靠CB区域侧的范围和CB区域的上下方向上的比中间位置靠BTM区域侧的范围。

另外，第2分隔件80可以与多个加热区域的各边界或者该边界的附近对应地设置多个。在该情况下，第2分隔件80可以设置于相邻的2个加热区域的边界或者该边界的附近的任意一处，也可以设置于多处。

第2分隔件80例如由氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)等陶瓷材料形成。第2分隔件80可以为各自形成为块状的陶瓷成形部件，可以为氧化铝布等纤维状的部件。此外，可以为将它们组合而成的部件。如上所述，第2分隔件80可以由单个部件形成，也可以由可分成多个的部件形成。此外，也可以不设置第2分隔件80。

(效果)

对由第1实施方式的热处理装置1起到的效果进行说明。

首先，对现有的热处理装置进行说明。现有的热处理装置是图1的热处理装置1中没有设置第1分隔件70、72和第2分隔件80的装置。此外，其他构成与热处理装置1相同。图3是说明在现有的热处理装置的处理容器4与加热装置48之间的空间S产生的对流的图，是在从处理容器4的中心轴C向空间S的方向观察时的概略图。此外，在图3中，用点划线的箭头表示对流。

如图3所示，在现有的热处理装置中，在空间S内产生有一边沿处理容器4的周向蛇行一边在上下方向流动的对流。因此，存在因该对流导致处理容器4的截面方向和高度方向的热均匀性恶化，热处理的面内均匀性和面间均匀性恶化的问题。此外，该对流表示每次(每次运转)对晶片进行热处理时变得不同的情况，每次运转的热处理的情况不同，热处理的再现性降低。

尤其是，存在支承晶舟28的下部的保温筒26附近的温度比较低的倾向，此外位于处理容器4的下方的作为晶片移载用的空间的装载区域的气氛温度比较低。因此，为了确保热均匀性，对位于处理容器4的下部的加热区域即BTM区域的加热器，与其他加热区域的加热器相比输入更多的电力。其结果，BTM区域的加热器自身变得比其他加热区域的加热器自身温度高，因此，在空间S的BTM区域中容易产生上述的对流。

接着，对热处理装置1进行说明。图4是说明在图1的热处理装置1的处理容器4与加热装置48之间的空间S产生的对流的图，是在从处理容器4的中心轴C向空间S的方向观察时的概略图。此外，在图4中，用点划线的箭头表示对流。

如上所述，在热处理装置1中，在空间S设置有一对第1分隔件70、72，该第1分隔件70、72以隔着从处理容器4的中心轴C延伸而通过温度传感器60的半直线L的方式设置，且沿处理容器4的长边方向延伸。由此，如图4所示，利用第1分隔件70、72，将空间S划分为与设置有温度传感器60的位置对应的第1空间S1和除了该第1空间S1之外的第2空间S2。因此，在第2空间S2中每次运转对流发生了变化的情况下，第1空间S1中难以受到对流的变化的影响。其结果，每次运转的热处理的方式变得大致相同，热处理的再现性提高。

另外，在热处理装置1中，在空间S中的BTM区域与CB区域的边界设置有半圆以上的圆弧板状的第2分隔件80，该第2分隔件80沿处理容器4的周向从一第1分隔件70延伸至另一第1分隔件72延伸。由此，如图4所示，能够抑制在BTM区域产生的对流传递到比BTM区域靠上方的区域即CB区域、CTR区域、CT区域和TOP区域。因此，在BTM区域中在运转间对流发生了变化的情况下，CB区域、CTR区域、CT区域和TOP区域中也难以受到对流的变化的影响。其结果，每次运转的热处理的方式变得大致相同，热处理的再现性提高。

(第2实施方式)

(热处理装置)

对第2实施方式的热处理装置的构成例进行说明。图5是表示第2实施方式的热处理装置的构成例的横截面图。

如图5所示，第2实施方式的热处理装置1A中，第2分隔件80包括第1部位80a和第2部位80b。

第1部位80a是沿处理容器4的周向从一第1分隔件70延伸至另一第1分隔件72的、半圆以上的圆弧板状的部位。即，第1部位80a以不通过从处理容器4的中心轴C向外方延伸而通过温度传感器60的半直线L的方式设置。

第2部位80b是沿处理容器4的周向从一第1分隔件70延伸至另一第1分隔件72的、不到半圆的圆弧板状的部位。即，第2部位80b以通过从处理容器4的中心轴C向外方延伸而通过温度传感器60的半直线L的方式设置。

此外，其他构成与第1实施方式的热处理装置1相同。

(效果)

对由第2实施方式的热处理装置1A起到的效果进行说明。图6是说明在图5的热处理装置1A的处理容器4与加热装置48之间的空间S产生的对流的图，是在从处理容器4的中心轴C向空间S的方向观察时的概略图。此外，在图6中，用点划线的箭头表示对流。

如上所述，在热处理装置1A中，在空间S设置有一对第1分隔件70、72，该第1分隔件70、72以隔着从处理容器4的中心轴C延伸而通过温度传感器60的半直线L的方式设置，且沿处理容器4的长边方向延伸。由此，如图6所示，利用第1分隔件70、72，将空间S划分为与设置有温度传感器60的位置对应的第1空间S1和除了该第1空间S1之外的第2空间S2。因此，在第2空间S2中每次运转对流发生了变化的情况下，第1空间S1中也难以受到对流的变化的影响。其结果，每次运转的热处理的方式变得大致相同，热处理的再现性提高。

另外，在热处理装置1A中，在空间S中的BTM区域与CB区域的边界设置有包括圆弧板状的第1部位80a、第2部位80b的第2分隔件80，该第2分隔件80沿处理容器4的周向从一第1分隔件70延伸至另一第1分隔件72。由此，如图6所示，能够抑制在BTM区域产生的对流传递到比BTM区域靠上方的区域即CB区域、CTR区域、CT区域和TOP区域。因此，在BTM区域中在运转间对流发生了变化的情况下，CB区域、CTR区域、CT区域和TOP区域中难以受到对流的变化的影响。其结果，每次运转的热处理的方式变得大致相同，热处理的再现性提高。

(第3实施方式)

(热处理装置)

对第3实施方式的热处理装置的构成例进行说明。图7是表示第3实施方式的热处理装置的构成例的横截面图。

如图7所示，第3实施方式的热处理装置1B具有一个或者多个第3分隔件90，该第3分隔件90在与一对第1分隔件70、72相同的圆周上与一对第1分隔件70、72隔开间隔地设置，且沿处理容器4的长边方向延伸。此外，在图7中，示出作为一例的设置有6个第3分隔件90的情况。

第2分隔件80包括以将一对第1分隔件70、72和多个第3分隔件90连接的方式沿处理容器4的周向延伸的多个圆弧板状的部位80c、80d、80e、80f、80g、80h、80i、80j。圆弧板状的部位80c以将第1分隔件70与和该第1分隔件70相邻的第3分隔件90连接的方式设置。圆弧板状的部位80d、80e、80f、80g、80h以将相邻的第3分隔件90连接的方式设置。圆弧板状的部位80i以将第1分隔件72与和该第1分隔件72相邻的第3分隔件90连接的方式设置。圆弧板状的部位80j以将第1分隔件70和第1分隔件72连接的方式设置。

此外，其他构成与第1实施方式的热处理装置1相同。

(效果)

对由第3实施方式的热处理装置1B起到的效果进行说明。图8是说明在图7的热处理装置1B的处理容器4与加热装置48之间的空间S产生的对流的图，是在从处理容器4的中心轴C向空间S的方向观察时的概略图。此外，在图8中，用点划线的箭头表示对流。

如上所述，在热处理装置1B中，在空间S设置有一对第1分隔件70、72，该第1分隔件70、72以隔着从处理容器4的中心轴C延伸而通过温度传感器60的半直线L的方式设置，且沿处理容器4的长边方向延伸。由此，如图8所示，利用第1分隔件70、72，将空间S划分为与设置有温度传感器60的位置对应的第1空间S1和除了该第1空间S1之外的第2空间S2。因此，在第2空间S2中在每次运转对流发生了变化的情况下，第1空间S1中难以受到对流的变化的影响。其结果，每次运转的热处理的方式变得大致相同，热处理的再现性提高。

另外，热处理装置1B包括一个或者多个第3分隔件90，该第3分隔件90在与一对第1分隔件70、72相同的圆周上与一对第1分隔件70、72隔开间隔地设置，且沿处理容器4的长边方向延伸。由此，能够选择性地划分空间S中的在处理容器4的周向产生的温度分布。因此，能够抑制因处理容器4的周向的温度分布的不同而产生的周向的对流。其结果，每次运转的热处理的方式变得大致相同，热处理的再现性提高。

另外，在热处理装置1B中，在空间S中的BTM区域与CB区域的边界设置有包含多个圆弧板状的部位80c～80j的第2分隔件80，该部位80c～80j将一对第1分隔件70、72和多个第3分隔件90连接。由此，如图8所示，能够抑制在BTM区域产生的对流传递到比BTM区域靠上方的区域即CB区域、CTR区域、CT区域和TOP区域。因此，在BTM区域中在运转间对流发生了变化的情况下，CB区域、CTR区域、CT区域和TOP区域中难以受到对流的变化的影响。其结果，每次运转的热处理的方式变得大致相同，热处理的再现性提高。

(实施例)

接着，对确认了由热处理装置1起到的效果的实施例进行说明。

(实施例1)

在实施例1中，评价了将在一定温度下执行的第1热处理反复执行了20次时的温度变动。在实施例1中，作为热处理装置，使用了不具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置、具有第1分隔件70、72的热处理装置、以及具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置。

图9是表示在一定温度下执行的第1热处理的设定温度的时间变化的图。在图9中，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。如图9所示，在实施例1中，在将晶片W送入处理容器4内的送入步骤、在晶片W进行成膜的第1成膜步骤、第2成膜步骤以及将晶片W从处理容器4内送出的送出步骤中，将设定温度设定为500℃。

图10是表示由现有的热处理装置进行的第1热处理的温度再现性的图。图10的(a)是表示空间S的CB区域中的测量温度的时间变化的图表，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。图10的(b)是表示图10的(a)的时刻tm1的测量温度的每次运转的变化的图表，横轴表示运转次数，纵轴表示时刻tm1的温度[℃]。另外，图10的(a)中的多个实线表示每次运转的结果。

如图10的(a)所示可知，在使用现有的热处理装置执行了第1热处理的情况下，送入步骤中的每次运转的温度发生变动。此外，如图10的(b)所示可知，在使用现有的热处理装置执行了第1热处理的情况下，时刻tm1的温度在每次运转中稍有变动，尤其第11次运转中的温度变动较大。

图11是表示由具有第1分隔件70、72的热处理装置进行的第1热处理的温度再现性的图。图11的(a)是表示空间S的CB区域的测量温度的时间变化的图表，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。图11的(b)是表示图11的(a)的时刻tm1的测量温度的每次运转的变化的图表，横轴表示运转次数，纵轴表示时刻tm1的温度[℃]。此外，图11的(a)中的多条实线表示每次运转的结果。

如图11的(a)和图11的(b)所示可知，在使用具有第1分隔件70、72的热处理装置执行第1热处理的情况下，送入步骤中的每次运转的温度几乎不发生变动。另一方面，如图11的(a)所示可知，在送入步骤后，每次运转的温度发生微小的变动(参照用虚线表示的圆标记)。

图12是表示由具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置进行的第1热处理的温度再现性的图。图12的(a)是表示空间S的CB区域的测量温度的时间变化的图表，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。图12的(b)是表示图12的(a)的时刻tm1的测量温度的每次运转的变化的图表，横轴表示运转次数，纵轴表示时刻tm1的温度[℃]。此外，图12的(a)中的多条实线表示每次运转的结果。

如图12的(a)和图12的(b)所示可知，在使用具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置执行了第1热处理的情况下，在所有的步骤中，每次运转的温度几乎不发生变动。

根据以上的结果，可以说通过在空间S设置第1分隔件70、72，在一定温度下执行的第1热处理中，能够提高送入步骤中的温度再现性。此外，可以说通过在空间S设置第1分隔件70、72以及第2分隔件80，在一定温度下执行的第1热处理中，能够提高所有的步骤中的温度再现性。

(实施例2)

在实施例2中，评价了将伴随温度改变的第2热处理反复执行了20次时的温度变动。在实施例2中，作为热处理装置，使用了不具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置、具有第1分隔件70、72的热处理装置、以及具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置。

图13是表示伴随温度改变的第2热处理的设定温度的时间变化的图。在图13中，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。如图13所示，在实施例2中，将把晶片W送入处理容器4内的送入步骤中的设定温度设定为400℃。此外，将在晶片W进行成膜的第1成膜步骤中的设定温度设定为500℃。此外，将在晶片W进行成膜的第2成膜步骤中的设定温度设定为630℃。此外，将把晶片W从处理容器4内送出的送出步骤中的设定温度设定为400℃。

图14是表示由现有的热处理装置进行的第2热处理的温度再现性的图。图14的(a)是表示空间S的CB区域的测量温度的时间变化的图表，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。图14的(b)是表示图14的(a)的时刻tm2的测量温度的每次运转的变化的图表，横轴表示运转次数，纵轴表示时刻tm2的温度[℃]。此外，图14的(a)中的多条实线表示每次运转的结果。

如图14的(a)所示可知，在使用现有的热处理装置执行了第2热处理的情况下，在包含第1成膜步骤、第2成膜步骤的所有的步骤中，每次运转的温度发生变动。此外，如图14的(b)所示可知，在使用现有的热处理装置执行了第2热处理的情况下，第1成膜步骤前的刚升温后的时刻tm2的温度在每次运转有较大变动，热处理的温度再现性差。

图15是表示由具有第1分隔件70、72的热处理装置进行的第2热处理的温度再现性的图。图15的(a)是表示空间S的CB区域的测量温度的时间变化的图表，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。图15的(b)是表示图15的(a)的时刻tm2的测量温度的每次运转的变化的图表，横轴表示运转次数，纵轴表示时刻tm2的温度[℃]。此外，图15的(a)中的多条实线表示每次运转的结果。

如图15的(a)和图15的(b)所示可知，在使用具有第1分隔件70、72的热处理装置执行了第2热处理的情况下，在所有的步骤中，每次运转的温度变动与使用现有的热处理装置的情况相比变小了。

图16是表示由具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置进行的第2热处理的温度再现性的图。图16的(a)是表示空间S的CB区域的测量温度的时间变化的图表，横轴表示时间，纵轴表示温度[℃]。图16的(b)是表示图16的(a)的时刻tm2的测量温度的每次运转的变化的图表，横轴表示运转次数，纵轴表示时刻tm2的温度[℃]。此外，图16的(a)中的多条实线表示每次运转的结果。

如图16的(a)和图16的(b)所示可知，在使用具有第1分隔件70、72和第2分隔件80的热处理装置执行了第2热处理的情况下变，在所有的步骤中，每次运转的温度几乎不发生变动。

根据以上的结果，可以说通过在空间S设置第1分隔件70、72，能够提高伴随温度改变的第2热处理时的温度再现性。此外，可以说通过在空间S设置第1分隔件70、72以及第2分隔件80，能够提高伴随温度改变的第2热处理时的温度再现性。

应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是示例，而非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求及其宗旨的情况下能够以各种方式省略、置换、变更。

Claims (15)

1.一种热处理装置，其特征在于，包括：

纵长的处理容器；

设置于所述处理容器的周围的加热装置；

温度传感器，其沿所述处理容器的长边方向设置在所述处理容器内或者所述处理容器与所述加热装置之间的空间；和

一对分隔件，其在所述空间以隔着从所述处理容器的中心轴延伸而通过所述温度传感器的半直线的方式设置，并沿所述处理容器的长边方向延伸，

所述加热装置包括：

覆盖所述处理容器的外周的隔热部件；

设置在所述隔热部件的内侧的加热元件；和

保持部件，其安装在所述隔热部件的内表面，保持所述加热元件；和

所述分隔件可拆装地安装于所述加热元件或者所述保持部件。

2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于：

所述温度传感器沿所述处理容器的长边方向具有多个测温部，

所述分隔件，其上端位于比所述多个测温部中最上部的测温部靠上方处。

3.如权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于：

所述分隔件能够分成多个。

4.如权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于：

所述分隔件与所述处理容器的外表面隔开间隙地设置。

5.如权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于：

所述分隔件由陶瓷材料形成。

6.如权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于：

包括第2分隔件，其设置在所述空间并沿所述处理容器的周向延伸。

7.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

所述第2分隔件包括半圆以上的圆弧板状的部位，所述部位沿所述处理容器的周向从所述分隔件的一者延伸至另一者。

8.如权利要求7所述的热处理装置，其特征在于：

所述第2分隔件包括不到半圆的圆弧板状的部位，所述部位沿所述处理容器的周向从所述分隔件的一者延伸至另一者。

9.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

包括一个或者多个第3分隔件，所述第3分隔件在与所述一对分隔件相同的圆周上与所述一对分隔件隔开间隔地设置，并沿所述处理容器的长边方向延伸，

所述第2分隔件包括多个圆弧板状的部位，所述部位以将所述一对分隔件和所述第3分隔件连接的方式沿所述处理容器的周向延伸。

10.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

所述加热装置在所述处理容器的长边方向被划分成能够单独地控制的多个加热区域，

所述第2分隔件设置于所述多个加热区域中最下部的加热区域与和所述最下部的加热区域的上方相邻的加热区域的边界或者该边界的附近。

11.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

所述加热装置在所述处理容器的长边方向被划分成能够单独地控制的多个加热区域，

所述第2分隔件与所述多个加热区域的各边界或者该边界的附近对应地设置有多个。

12.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

所述第2分隔件能够分成多个。

13.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

所述第2分隔件可拆装地安装于所述加热元件或者所述保持部件。

14.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

所述第2分隔件与所述处理容器的外表面隔开间隙地设置。

15.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于：

所述第2分隔件由陶瓷材料形成。