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CN111316513A - 二极管激光器 - Google Patents

二极管激光器 Download PDF

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CN111316513A
CN111316513A CN201880071233.7A CN201880071233A CN111316513A CN 111316513 A CN111316513 A CN 111316513A CN 201880071233 A CN201880071233 A CN 201880071233A CN 111316513 A CN111316513 A CN 111316513A
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CN
China
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nanowires
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metal layer
nanotubes
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Pending
Application number
CN201880071233.7A
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English (en)
Inventor
尼古拉斯·冯·弗莱霍尔德
于尔根·沃尔夫
佩尼·亨尼格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jenoptik Optical Systems GmbH
Original Assignee
Jenoptik Optical Systems GmbH
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Publication date
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Abstract

本发明涉及一种激光器组件(1)，包括二极管激光条(2)、散热器(4)和至少一个盖(7)。该激光条位于该散热器与该盖之间。该散热器和/或该盖覆盖有纳米线(16)或纳米管，经由这些纳米线或纳米管在该激光条与该散热器和/或该盖之间建立接触。

Description

二极管激光器
技术领域
本发明涉及一种具有高功率密度的激光辐射源。这种激光辐射源可以基于二极管激光器元件、特别是激光条而生产的。
背景技术
一段时间以来，例如从US 5105429 A和US 4716568 A中已知用于生产二极管激光器的方法，其中，激光条在p侧上焊接到散热器上，并且在n侧上通过键合线实现接触。键合线的有限的载流能力是不利的。n侧电流连接的更高载流能力可以通过使用实心盖来实现，该实心盖可以被实施为第二导热体。WO 2009143835和WO 2009146683公开了将激光条焊接在两个导热体之间。焊接过程可能在激光条上产生应力，这可能会对电光特性产生不利影响。WO 2011029846公开了一种不包括焊接过程的二极管激光器生产方法，该方法利用了激光条的第一接触表面与第一导热体之间的第一金属层以及激光条的第二接触表面与第二导热体之间的第二金属层。这些层可以由例如铟构成，在夹紧时产生内聚接合。不利地是，在激光条的平坦度方面和在两个导热体的连接表面的平坦度方面以及在安装期间保持表面的平行度方面，必须提出非常严格的要求。μm范围内的偏差可能容易导致大面积的空腔，而在这些空腔处不存在内聚接合。特别地，在激光条的p侧接触表面处形成的内聚接合不足可能会导致激光条过热和甚至腐蚀。此外，铟层的材料可能发生迁移。结果，可能会发生激光器故障。
DE 102015013511 B3公开了一种具有高功率密度的激光辐射源，其中，将具有中间导热体的激光条焊接到陶瓷基底上。不利地是，由于部件的热膨胀系数不同，机械应力可能会影响激光条。特别是在激光器的脉冲操作期间，可能发生交替的机械负载，这可能会限制二极管激光器的寿命。
EP 1518271公开了一种包括用于冷却半导体芯片的纳米管的壳体。US 6891724B2公开了在半导体芯片上生产碳纳米管的阵列，以便改善芯片与散热器之间的热界面处的热传递。US 7784531 B1公开了用填充材料来填充碳纳米管之间的间隙。WO 2008036571公开了用导热填充材料来填充碳纳米管之间的间隙。US 8093715 B2公开了一种用于生产碳纳米管作为热界面的方法。WO 2007137097和WO 2008121970公开了在铜基底上生产碳纳米管的方法。US 20120299175 A1公开了一种在晶圆上生产碳纳米管的方法。
发明内容
本发明提供一种以简单方式构造的高功率二极管激光器。
该问题通过下述二极管激光器组件及其生产方法的技术方案来解决。
根据本发明的激光束源可以以简单的方式来生产，具有高功率并且适合于脉冲操作。
根据本发明的二极管激光器包括二极管激光条。二极管激光条又可以称为激光条。激光条可以以已知的方式实施为边缘发射部件，并且包括一个或优选地多个发射器，发射器可以分别在x方向上相对于彼此偏移布置。激光条可以优选地在x方向上具有在3mm与12mm之间的宽度。激光条可以包括在x方向上相对于彼此偏移布置的多个发射器，每个发射器具有光出射小面。这些发射器可以在主射线方向z上发射激光辐射。激光条可以优选地包括3到100个之间的发射器；特别地，具有5、7、19或49个发射器的激光条是可购买到的。相邻发射器之间的中心间距离优选可以在0.1mm与1mm之间。激光条的厚度在y方向上可以优选在0.05mm与0.2mm之间。激光条的发射器在z方向上的谐振器长度可以优选地在0.5mm与6mm之间。所发射的激光辐射的中心射线的方向可以是z方向。方向x、y和z可以彼此成直角。激光条可以包括作为具有量子沟槽的p-n结的外延产生的已知层序列。各个发射器例如可以被实施为宽条状发射器或被实施为脊形波导。也可以存在多个层序列，每个层序列具有至少一个量子沟槽，即多个电串联的p-n结。这种棒又称为纳米堆叠。然后将多个发射器在y方向上彼此上下堆叠。
激光条可以通过电流泵送。为了注入电流，可以在激光条处设置N型触点和P型触点，这些触点可以分别被实施为激光条的上侧和下侧的平行表面，并且可以布置在xz平面中。
可以相对于上述坐标系将激光条布置在xz平面中。
根据本发明的激光器组件包括至少一个二极管激光条、至少一个具有第一连接表面的散热器、以及至少一个具有第二连接表面的盖，其中，二极管激光条包括一个或多个发射器、至少一个P型触点和至少一个N型触点，P型触点包括第一金属层并且N型触点包括第二金属层，
并且，散热器在第一连接表面处电热连接至P型触点，并且N型触点在第二连接表面处电连接至盖；
并且，第一和/或第二连接表面覆盖有纳米线或纳米管。
散热器可以由金属制成，例如由铜、银、铝、钼铜或钨铜制成、或由复合材料(比如金刚石-铜或金刚石-银)制成。
盖可以由金属制成，例如由铜、银、铝、钼铜或钨铜制成、或由复合材料(比如金刚石-铜或金刚石-银)制成。
P型触点可以是激光条的阳极连接，而N型触点可以是激光条的阴极连接。
在一个有利的实施例中，盖可以通过电绝缘层与散热器结合在一起。
散热器可以被设置用于消散二极管激光条的废热。盖同样可以具有(第二)散热器的功能并且被设置用于消散激光条的废热。在该情况下，第二连接表面上的N型触点也可以此外热连接到盖上。
散热器还可以包括用于冷却剂的冷却通道。
“电连接”可以理解为是指激光器的工作电流可以经由此连接传送。“热连接”可以理解为是指可以经由此连接从激光条消散废热。
电绝缘层可以例如是粘合剂层，有利地是导热粘合剂，通过该粘合剂层将盖固定到散热器。
第一金属层可以具有1μm至10μm的厚度。举例来说，第一金属层可以被实施为厚金层或包括这种层。第一金属层例如可以包括电解生产的层。第一金属层可以用于散热。
第二金属层可以具有小于500nm的厚度。这种层例如可以通过溅镀来产生。可能会涉及薄金层。
纳米线又称为纳米棒。术语“纳米线”也旨在包括晶须。纳米线可以由金属或半金属构成。纳米管可以由碳构成。纳米管又称为CNT(碳纳米管)。有利地可以涉及单壁管。
纳米线可以通过电解工艺来生产。可以通过使用纳米多孔过滤膜来生产结构，该过滤膜可以首先应用于要覆盖的表面。之后，可以通过电解工艺来沉积纳米线，然后可以通过剥离来从表面去除纳米多孔膜和所有不需要的结构。
纳米线可以由可以电解沉积的金属生产，例如铜、银、金。纳米线的直径可以在30nm与2μm之间，长度可以达到大约20μm。
纳米线或纳米管在表面上的占据密度可以在5与大约80之间。占据密度可以理解为是指纳米线的横截面积之和与有线底部面积之比。对于纳米管，横截面积的计算可以基于这些管的外直径，而可以忽略中空内部。过低或过高的占据密度可能不利于有利效果。
在http://www.nanowired.de/technologie/中描述了用于纳米线的合适的生产方法。
碳纳米管的生产同样是已知的。对于电极，特别是垂直于底部区域而形成的碳纳米管是从例如以下文件已知的：Ryu，J.-H.；Lee，G.-J.；Kim，W.-S.；Lim，H.-E.；Mativenga，M.；Park，K.-C.；Park，H.-K，All-Carbon Electrode Consisting of Carbon Nanotubeson Graphite Foil for Flexible Electrochemical Applications[用于柔性电化学应用的石墨箔上的由碳纳米管构成的全碳电极]，材料2014，7，1975-1983和US 7710709。
纳米线和/或纳米管可以分别定向成朝着垂直于第一和/或第二连接表面的优选方向。它们可以有利地固定地连接到相应的表面。
特别有利地，第一连接表面可以覆盖有纳米管和/或纳米线，并且第一金属层可以具有1μm至10μm的厚度，并且纳米管和/或纳米线可以具有比第一金属层更大的硬度。在该情况下，纳米管和/或纳米线可以至少部分地粘到第一金属层中。结果，可以产生展现出很小的机械应力以及良好的电导率和导热率的激光条与散热器的连接。
有利地，第二连接表面可以覆盖有纳米管和/或纳米线，并且纳米管和/或纳米线可以具有比第二金属层更大的硬度并且至少部分地粘到第二金属层中。
有利地，第二连接表面可以覆盖有纳米管和/或纳米线，并且纳米管和/或纳米线可以弹性或塑性地变形。在此情况下，纳米管和/或纳米线可以被压缩、弯折或弯曲。这能够具有如下优点：在脉冲操作期间的负载变化的情况下以及在周期性热负载的情况下，例如关于部件的老化，可以保持激光条对散热器的压力。
第一连接表面可以包括铟层或金层。以下组合可能是有利的：第一连接表面可以包括铟层，激光条的P型触点可以包括第一金属层，第一金属层包括厚度在1μm与10μm之间的厚金层，并且盖的第二连接表面可以覆盖有纳米线或纳米管。扩散阻挡层，例如钯、镍或铂层，可以设置在厚金层与铟层之间。所述扩散阻挡层可以被实施为第一金属层的一部分。作为提及的铟层的替代方案，第一连接表面可以包括锡层或铟锡层。在铟锡层的情况下，铟锡层可以具有共晶成分。
以下组合可能是特别有利的：第一连接表面可以包括金层，激光条的P型触点可以包括第一金属层，第一金属层包括厚度在1μm与10μm之间的厚金层，并且盖的第二连接表面可以覆盖有纳米线或纳米管。第一连接表面的金层可以直接与激光条的P型触点上的厚金层接触。在此情况下，可以但不需要进行所述两个金层的冷焊。
在另一有利的实施例中，第二连接表面可以覆盖有纳米管和/或纳米线，并且第二金属层可以具有小于500nm的厚度。在该情况下，纳米管和/或纳米线不能显着地粘到第二金属层中。结果，纳米管和/或纳米线的变形会更有效。有利地，变形可以是如此之大，以致于具有纳米管和/或纳米线的盖被压缩至少2倍。在此情况下，在变形之前和之后盖的体积可以用作度量。
有利地，纳米管和/或纳米线的外直径可以小于5μm，特别有利地小于2μm，非常特别有利地小于1μm，并且长度可以大于2μm、特别有利地大于10μm。纳米管和/或纳米线的长度可以超过其外直径的两倍、有利地五倍、特别有利地十倍。因此可以补偿在μm范围内的激光条和/或散热器和/或盖的不均匀性。
有利地，第一金属层可以在外侧上覆盖有纳米管和/或纳米线。在该情况下，可以在将激光条切单之前直接在晶圆上生产纳米管和/或纳米线。
纳米线可以由金构成。然后可以产生激光条与散热器和/或盖的特别良好的电连接。
纳米线可以由银、镍、铬、铂、锡、硅、锗或铜构成。这种纳米线可以适合于粘到厚金层中。
有利地，第一连接表面可以覆盖有第一纳米管或纳米线，并且第一金属层覆盖有第三纳米管或纳米线。在该情况下，这些第一和第三纳米线或纳米管可以分别彼此接合并产生特别良好的电热连接。
有利地，第三纳米管或纳米线可以分别由与第一纳米管或纳米线不同的材料构成。然后在材料的界面处发生扩散，这可以产生甚至更好的连接。
一个有利的激光器组件可以包括载体、至少一个二极管激光条、至少一个具有第一连接表面的散热器、以及至少一个具有第二连接表面的盖，其中，二极管激光条包括一个或多个发射器、至少一个P型触点和至少一个N型触点，并且P型触点包括第一金属层，并且N型触点包括第二金属层，并且，散热器在第一连接表面处电热连接至P型触点，并且N型触点在第二连接表面处电连接至盖；
并且，第一和/或第二连接表面覆盖有纳米线或纳米管，并且
散热器包括第三连接表面，该第三连接表面覆盖有第四纳米线，并且该载体覆盖有第五纳米线，并且这些第四纳米线接合到这些第五纳米线中，并且散热器通过此接合而连接到载体。
如果存在多个二极管激光条，则每个二极管激光条可以分别包括P型触点和N型触点，并且每个P型触点可以包括第一金属层，并且每个N型触点包括第二金属层。可以以与第二金属层相同的方式来构造第一金属层。多个二极管激光条可以是相同类型的。
第四和第五纳米线可以形成钩环扣，这确保散热器与载体的永久性连接。为此目的，例如可以使用在http://www.nanowired.de/中描述的被称为克莱特焊接(KlettWelding)[钩环焊]的方法。另外，可以存在冷焊效果，例如在如下文献中所描述的：Lu，Yang；Huang，Jian Yu；Wang，Chao；Sun，Shouheng；Lou，Jun(2010)，″Cold welding ofultrathin gold nanowires[超薄金纳米线的冷焊]″，自然纳米技术[NatureNanotechnology]，5(3)：218-24。
有利地，盖可以包括第四连接表面，第四连接表面覆盖有第六纳米线，并且载体覆盖有第七纳米线，其中，该载体上的第七纳米线与第五纳米线电绝缘，并且第六纳米线接合到第七纳米线中，并且盖通过此接合而连接到载体。
载体可以包括例如以板状形式实施的陶瓷。在所述陶瓷上可以存在第一金属层区域和第二金属层区域，这些层区域彼此电绝缘。第五纳米线可以施加在第一层区域上，并且第七纳米线可以施加在第二层区域上。结果，可以提供电绝缘。
盖可以同时设置用于导热。盖可以同时设置为用于第二激光条的第二散热器。第二激光条的盖可以同时是用于第三激光条等的散热器。以这种方式，多个激光条可以在y方向上彼此上下平行地堆叠，分别具有同时是盖和散热器的介于中间的元件。
有利地，第三和第四连接表面可以垂直于第一连接表面设置。它们可以位于xy平面上。它们可以分别位于这些散热器和盖处。
第四和第五纳米线、以及(如果设置了的话)第六和第七纳米线可以有利地由金构成。在该情况下，冷焊效果可能会特别明显。
一种用于生产激光器组件的方法，包括：
·提供至少一个二极管激光条、至少一个具有第一连接表面的散热器以及至少一个具有第二连接表面的盖，其中，二极管激光条包括一个或多个发射器、至少一个P型触点和至少一个N型触点，并且P型触点包括第一金属层，并且N型触点包括第二金属层，
·用纳米线或纳米管覆盖第一和/或第二连接表面，
·在第一连接表面处产生P型触点与散热器的电热连接，
·在第二连接面处产生N型触点与盖的电连接。
产生可以包括固化连接介质，该连接介质此后形成将盖连接至散热器的电绝缘层。结果，可以产生夹紧力，该夹紧力将激光条保持夹紧在第一连接表面与第二连接表面之间。有利地，通过所述夹紧力，纳米线和/或纳米管也可以粘到第一金属层和/或第二金属层中和/或变形。
有利地，可以提供后固化。后固化可以是热处理，其包括在特定的时间段内一次或重复地使激光器组件经受相对于室温升高的温度。结果，可以改善P型触点和/或N型触点与纳米线或纳米管的连接。结果，可以改善所述连接的电导率和/或导热率。
另一种用于生产激光器组件的方法包括：
·提供载体，
·提供至少一个二极管激光条、至少一个具有第一连接表面和第三连接表面的散热器、以及至少一个具有第二连接表面的盖，其中，该二极管激光条包括一个或多个发射器、至少一个P型触点和至少一个N型触点，并且P型触点包括第一金属层，并且N型触点包括第二金属层，
·用纳米线或纳米管覆盖第一和/或第二连接表面，
·用第四根纳米线或纳米管覆盖第三连接表面，
·用第五纳米线或纳米管覆盖载体，
·通过y力在第一连接表面处产生P型触点与散热器的电热连接、以及在第二连接表面处产生N型触点与盖的电连接，
·通过y力在第一连接表面处产生P型触点与散热器的电热连接、以及在第二连接表面处产生N型触点与盖的电连接，
·通过z力，将第四纳米线压到第五纳米线上来将散热器连接到载体。
(多个)激光条和一个或多个散热器和(多个)盖可以形成堆叠体，该堆叠体可以具有堆叠方向y。y力可以是将堆叠体保持在一起的夹紧力。y力可以是基本上以力锁定方式将堆叠体保持在一起的外力。它可以在y方向上起作用。替代地，通过纳米管和/或纳米线的变形和/或穿透到第一和第二金属层中，可以实现强制锁定或内聚接合，这样即使在夹紧力已经被取消后也能够将堆叠体保持在一起。
z力可以是将堆叠体压在载体上的外力。它可以在z方向上起作用。它可以以这种方式作用在散热器和/或盖上，即散热器和/或盖以均匀的压力压在载体上。结果，可以使激光条的机械负载最小化。通过z力，可以将第四纳米线与第五纳米线压在一起，使得它们产生即使在挤压后z力被取消时也可以保持的永久性连接。此连接可以以类似于钩环扣的方式起作用，其中，纳米线可以在挤压期间发生塑性变形。同时，第六纳米线可以与第七纳米线以相同的方式压在一起。散热器和盖与载体的这些连接使得可以保持堆叠体中的夹紧力，结果是在挤压后，y力也可以被取消。
由于第一纳米线和/或纳米管，堆叠体中的复合物可能具有一定的顺应性。结果，可以避免在挤压期间和/或之后在激光器操作期间激光条上的剪切应力过高。
附图说明
附图示出以下内容：
图1以前视图示出了第一示例性实施例。
图2以侧视图示出了第一示例性实施例。
图3示出了第二示例性实施例。
图4以侧视图示出了第二示例性实施例。
图5示出了第三示例性实施例。
图6以侧视图示出了第三示例性实施例。
图7示出了第四示例性实施例。
图8以侧视图示出了第四示例性实施例。
图9以侧视图示出了第五示例性实施例。
图10示出了第六示例性实施例。
图11示出了第六示例性实施例的生产。
图12示出了第七示例性实施例。
附图标记
1.激光器组件 14.第二金属层
2.二极管激光条；第一二极 15.电绝缘层
管激光条； 16.纳米线纳米管
3.第二二极管激光条； 17.第二纳米线；第二纳米管
4.散热器第一散热器 18.第三纳米线；第三纳米管
5.第二散热器 19.第四纳米线
6.第一连接表面 20.第五纳米线
7.盖 21.第六纳米线
8.第二连接表面 22.第七纳米线
9.发射器 23.载体
10.激光辐射 24.第一层区域
11.P型触点 25.第二层区域
12.N型触点 26.y力
13.第一金属层 27.z力。
具体实施方式
下面基于示例性实施例来说明本发明。
图1以前视图示出了第一示例性实施例。第一示例性实施例的激光器组件1包括二极管激光条2、具有第一连接表面6的散热器4和具有第二连接表面8的盖7，其中，二极管激光条包括多个发射器9、P型触点11和N型触点12，并且P型触点包括比第二金属层14厚的第一金属层13，并且N型触点包括第二金属层14，
并且，散热器4在第一连接面6处电热连接至P型触点11，并且N型触点12在第二连接表面8处电连接至盖7，
并且，第二连接面8覆盖有纳米线或纳米管16。
盖7通过电绝缘层15与散热器4结合在一起。在此情况下，可以经由第一连接表面6和第二连接表面8消散激光条2的废热。可以经由电绝缘层15将废热从盖7传导至散热器4。N型触点12此外还在第二连接表面8处热连接至盖7。
电绝缘层15是粘合剂层，有利地是导热粘合剂，通过该粘合剂层将盖固定到散热器。
第一金属层13的厚度为1μm至10μm。举例来说，第一金属层可以被实施为或包括厚金层。第一金属层可以包括例如电解生产的层。第一金属层可以用于散热。在示例性实施例的变型中，第一金属层可以被制作得更薄。
第二金属层的厚度小于500nm。这种层例如可以通过溅镀来产生。涉及薄金层。
图2以侧视图示出了第一示例性实施例。在z方向上发射激光辐射10。这里图示了中心光线的方向，其中，光线束可以是发散的。
图3示出了第二示例性实施例。这里，与第一示例性实施例相反，纳米线和/或纳米管16布置在第一连接表面6上。图4以侧视图示出了第二示例性实施例。
图5示出了第三示例性实施例。这里，与第二实施例相比之下，第二纳米线和/或纳米管17此外设置在第二连接面上。图6以侧视图示出了第三示例性实施例。
图7示出了第四示例性实施例。这里，与第三示例性实施例相比之下，第三纳米线和/或纳米管18此外设置在第一金属层13上并且接合到第一纳米线和/或纳米管16中。图8以侧视图示出了第四示例性实施例。
图9以侧视图示出了第五示例性实施例。这里，与第四实施例相比之下，第一金属层被实施为厚度小于500nm的薄层。
一个用于生产激光器组件1的方法的示例性实施例(未图示)包括：
·提供至少一个二极管激光条2、至少一个具有第一连接表面6的散热器4、以及至少一个具有第二连接表面8的盖7，其中，二极管激光条包括一个或多个发射器9、至少一个P型触点11和至少一个N型触点12，并且P型触点包括第一金属层13，并且N型触点包括第二金属层14，
·用纳米线或纳米管16覆盖第一和/或第二连接表面，
·在第一连接表面处产生P型触点与散热器的电热连接，
·在第二连接表面处产生N型触点与盖的电连接。
产生可以包括固化连接介质，该连接介质此后形成将盖连接至散热器的电绝缘层15。结果，可以产生夹紧力，该夹紧力将激光条保持夹紧在第一连接表面与第二连接表面之间。有利地，通过此夹紧力，纳米线和/或纳米管也可以粘到第一和/或第二金属层中。尽管未图示该方法，但是可以从图1至图9的图中收集附图标记，这些图示出了激光器组件的示例性实施例。
图10示出了第六示例性实施例。图11示出了第六示例性实施例的生产。第六示例性实施例的有利的激光器组件1包括载体23、至少多个二极管激光条2、3、具有第一连接表面6的多个散热器4、5以及至少一个具有第二连接表面8的盖7。二极管激光条包括一个或多个发射器9(在此未图示，类似于图1中的图示)、至少一个P型触点11和至少一个N型触点12。P型触点包括第一金属层13，而N型触点包括第二金属层14。散热器在第一连接表面处电热连接至P型触点，并且N型触点在第二连接表面处电连接至盖。第一和/或第二连接表面覆盖有纳米线或纳米管16。散热器包括覆盖有第四纳米线19的第三连接表面。载体覆盖有第五纳米线20。第四纳米线接合到第五纳米线中，由于此接合，散热器连接到载体。
在此，第一激光条的盖7同时是第二激光条3的第二散热器5。
第四和第五纳米线形成钩环扣，该钩环扣确保散热器与载体的永久性连接。
有利地，盖可以包括第四连接表面，第四连接表面覆盖有第六纳米线21，并且载体覆盖有第七纳米线22，其中，载体上的第七纳米线与第五纳米线电绝缘，并且第六纳米线接合到第七纳米线中，并且盖通过此接合而连接到载体。
载体23包括例如以板状方式实施的陶瓷。在所述陶瓷上存在第一金属层区域24和第二金属层区域25，这些层区域彼此电绝缘。第五纳米线被施加在第一层区域上，并且第七纳米线被施加在第二层区域上。结果，产生了电绝缘。
同时提供盖用于导热。盖7同时设置为用于第二激光条3的第二散热器5。这同样适用于另外的激光条。这样，多个激光条在y方向上彼此上下平行地堆叠，分别具有介于中间的散热器。
第三和第四连接表面垂直于第一连接表面设置。它们位于xy平面上。
第四和第五纳米线、以及(如果设置了的话)第六和第七纳米线可以有利地由金构成。在该情况下，冷焊效果可能会特别明显。在示例性实施例的变型中，所述纳米线由其他金属制成。
根据图11的用于生产第六示例性实施例并且类似于第七示例性实施例的激光器组件1的另一方法包括：
·提供载体23，
·提供至少一个二极管激光条2、至少一个具有第一连接表面6和第三连接表面的散热器4、以及至少一个具有第二连接表面8的盖7，其中，二极管激光条包括一个或多个发射器9、至少一个P型触点11和至少一个N型触点12，并且P型触点包括第一金属层13，并且N型触点包括第二金属层14，
·用纳米线或纳米管16、17覆盖第一和/或第二连接表面，
·用第四纳米线或纳米管19覆盖第三连接表面，
·用第五纳米线或纳米管20覆盖载体，
·通过y力26在第一连接表面处产生P型触点与散热器的电热连接、以及在第二连接表面处产生N型触点与盖的电连接，
·通过y力26在第一连接表面处产生P型触点与散热器的电热连接、以及在第二连接表面处产生N型触点与盖的电连接，
·通过z力27，将第四纳米线压到第五纳米线上来将散热器连接到载体。
(多个)激光条与一个或多个散热器和(多个)盖形成堆叠体，该堆叠体具有堆叠方向y。y力是将堆叠体保持在一起的夹紧力。y力是基本上以力锁定方式将堆叠体保持在一起的外力。它在y方向上起作用。在示例性实施例的变型中，通过纳米管和/或纳米线的变形和/或穿透到金属层中，实现了强制锁定或内聚接合，这样即使在夹紧力已经被取消后也能够将堆叠体保持在一起。
z力是将堆叠体压在载体上外力。它在z方向上起作用。它可以以这种方式作用在散热器和/或盖上，即散热器和/或盖以均匀的压力压在载体上。结果，使激光条的机械负载最小化。通过z力，将第四纳米线与第五纳米线压在一起，使得它们产生即使在挤压后z力被取消时也可以保持的永久性连接。此连接可以以类似于钩环扣的方式起作用，其中，纳米线可以在挤压期间发生塑性变形。同时，第六纳米线可以与第七纳米线以相同的方式压在一起。散热器和盖与载体的这些连接保持堆叠体中的夹紧力，结果是在挤压后，y力也可以被取消。
由于第一纳米线和/或纳米管，堆叠体中的复合物具有一定的顺应性。结果，可以避免在挤压期间和/或之后在激光器操作期间激光条上的剪切应力过高。
图12示出了第七示例性实施例。这里，在共用载体23上布置多个堆叠体，每个堆叠体包括散热器4、二极管激光条2和盖7。从第一堆叠体的盖7流向第二堆叠体的第二散热器4的电流这里经由第二层区域25被发送。
作为预防措施，应该指出的是，这些图未按比例绘制。

Claims (20)

1.一种激光器组件(1)，包括至少一个二极管激光条(2)、至少一个具有第一连接表面(6)的散热器(4)和至少一个具有第二连接表面(8)的盖(7)，其中，该二极管激光条包括一个或多个发射器(9)、至少一个P型触点(11)和至少一个N型触点(12)，并且该P型触点包括第一金属层(13)，并且该N型触点包括第二金属层(14)，
并且该散热器(4)在该第一连接表面(6)处电热连接至该P型触点(11)，并且该N型触点(12)在该第二连接表面(8)处电连接至该盖(7)，
并且该第一和/或该第二连接表面(6，8)覆盖有纳米线或纳米管(16，17)。
2.如权利要求1所述的激光器组件(1)，其特征在于，该盖(7)通过电绝缘层(15)与该散热器(4)结合在一起。
3.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第一金属层(13)的厚度为1μm至10μm。
4.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第二金属层(14)的厚度小于500nm。
5.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，这些纳米线(16)由金属构成和/或这些纳米管由碳构成。
6.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，这些纳米线和/或这些纳米管(16，17)被定向成朝着垂直于该第一和/或第二连接表面(6，8)的优选方向。
7.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第一连接表面(6)覆盖有纳米管和/或纳米线(16)，并且该第一金属层(13)具有1μm至10μm的厚度，并且这些纳米管和/或纳米线(16)具有比该第一金属层(13)更大的硬度并且至少部分地粘到该第一金属层中。
8.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第二连接表面(8)覆盖有纳米管和/或纳米线(16，17)，并且这些纳米管和/或纳米线(16，17)具有比该第二金属层(14)更大的硬度并且至少部分地粘到该第二金属层中。
9.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第二连接表面(8)覆盖有纳米管和/或纳米线(16)，并且这些纳米管和/或纳米线(16)是弹性地或塑性地变形的。
10.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第二连接表面(8)覆盖有纳米管和/或纳米线(16)，并且该第二金属层具有小于500nm的厚度。
11.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，这些纳米管和/或纳米线(16)的外直径小于1μm，并且长度大于2μm。
12.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第一金属层(13)在外侧上覆盖有纳米管和/或纳米线(16，18)。
13.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，这些纳米线(16)由金、银、镍、铬或铜构成。
14.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第一连接表面(6)覆盖有第一纳米管或纳米线(16)，并且该第一金属层(13)覆盖有第三纳米管或纳米线(18)。
15.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，这些第三纳米管或纳米线(18)分别由与这些第一纳米管或纳米线(16)不同的材料构成。
16.一种激光器组件(1)，包括载体(23)、至少一个二极管激光条(2)、至少一个具有第一连接表面(6)的散热器(4)、以及至少一个具有第二连接表面(8)的盖(7)，其中，该二极管激光条包括一个或多个发射器(9)、至少一个P型触点(11)和至少一个N型触点(12)，并且该P型触点包括第一金属层(13)，并且该N型触点包括第二金属层(14)，
并且该散热器(4)在该第一连接表面(6)处电热连接至该P型触点(11)，并且该N型触点(12)在该第二连接表面(8)处电连接至该盖(7)，
并且该第一和/或该第二连接表面(6，8)覆盖有纳米线或纳米管(16，17)，并且
该散热器(4)包括第三连接表面，该第三连接表面覆盖有第四纳米线(19)，并且该载体(23)覆盖有第五纳米线(20)，并且这些第四纳米线(19)接合到这些第五纳米线(20)中，并且该散热器(4)通过此接合而连接到该载体(23)。
17.如权利要求16所述的激光器组件(1)，其特征在于，该盖(7)包括第四连接表面，该第四连接表面覆盖有第六纳米线(21)，并且该载体覆盖有第七纳米线(22)，其中，该载体上的这些第七纳米线(22)与这些第五纳米线(20)电绝缘，并且这些第六纳米线(21)接合到这些第七纳米线(22)中，并且该盖(7)通过此结合而连接到该载体(23)。
18.如前述权利要求中任一项所述的激光器组件(1)，其特征在于，该第三和第四连接表面垂直于该第一连接表面(6)设置。
19.一种用于生产激光器组件(1)的方法，包括：
提供至少一个二极管激光条(2)、至少一个具有第一连接表面(6)的散热器(4)、以及至少一个具有第二连接表面(8)的盖(7)，其中，该二极管激光条包括一个或多个发射极(9)、至少一个P型触点(11)和至少一个N型触点(12)，并且该P型触点(11)包括第一金属层(13)，并且该N型触点包括第二金属层(14)，
用纳米线或纳米管(16，17)覆盖该第一和/或该第二连接表面，
在该第一连接表面(6)处产生该P型触点(11)与该散热器(4)的电热连接，
在该第二连接表面(8)处产生该N型触点(12)与该盖(7)的电连接。
20.一种用于生产激光器组件(1)的方法，包括：
提供载体(23)，
提供至少一个二极管激光条(2)、至少一个具有第一连接表面(6)和第三连接表面的散热器(4)、以及至少一个具有第二连接表面(8)的盖(7)，其中，该二极管激光条包括一个或多个发射极(9)、至少一个P型触点(11)和至少一个N型触点(12)，并且该P型触点包括第一金属层(13)，并且该N型触点包括第二金属层(14)，
用纳米线或纳米管(16，17)覆盖该第一和/或该第二连接表面，
用第四纳米线或纳米管(19)覆盖该第三连接表面，
用第五纳米线或纳米管(20)覆盖该载体，
通过y力(26)在该第一连接表面处产生该P型触点与该散热器的电热连接、以及在该第二连接表面处产生该N型触点与该盖的电连接，
通过该y力(26)在该第一连接表面处产生该P型触点与该散热器的电热连接、以及在该第二连接表面处产生该N型触点与该盖的电连接，
通过z力(27)将这些第四纳米线压到这些第五纳米线上来将该散热器连接到该载体。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018106959A1 (de) * 2018-03-23 2019-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
WO2019205165A1 (en) 2018-04-28 2019-10-31 SZ DJI Technology Co., Ltd. Light detection and ranging sensors with multiple emitters and multiple receivers, and associated systems and methods
CN110663147A (zh) * 2018-04-28 2020-01-07 深圳市大疆创新科技有限公司 激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备
DE102018210134A1 (de) * 2018-06-21 2019-12-24 Trumpf Photonics, Inc. Diodenlaseranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Diodenlaseranordnung
DE102018210142B4 (de) * 2018-06-21 2024-12-24 Trumpf Photonics, Inc. Diodenlaseranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Diodenlaseranordnung
DE102019128900B4 (de) * 2019-10-25 2025-05-22 Endress+Hauser SE+Co. KG Verfahren zum Herstellen eines SMD-lötbaren Bauelements, SMD-lötbares Bauelement, Elektronikeinheit und Feldgerät
DE102020130221A1 (de) * 2020-11-16 2022-05-19 Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy Verfahren und Vorrichtung zur Kühlung eines optischen Elements
US11876343B2 (en) 2021-05-18 2024-01-16 Trumpf Photonics, Inc. Laser diode packaging platforms
US11557874B2 (en) * 2021-05-18 2023-01-17 Trumpf Photonics, Inc. Double-sided cooling of laser diodes
DE102022102089A1 (de) 2022-01-28 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserpackage und verfahren zur herstellung eines laserpackage
DE102022119151A1 (de) * 2022-07-29 2024-02-01 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206422383U (zh) * 2016-12-29 2017-08-18 西安炬光科技股份有限公司 一种无焊安装的半导体激光器叠阵

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4716568A (en) 1985-05-07 1987-12-29 Spectra Diode Laboratories, Inc. Stacked diode laser array assembly
US5105429A (en) 1990-07-06 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Modular package for cooling a laser diode array
DE4122297A1 (de) * 1991-07-05 1993-01-07 Messerschmitt Boelkow Blohm Elektronische oder optronische anordnung, insbesondere halbleiter-anordnuung
JPH0537089A (ja) * 1991-07-25 1993-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
US6615024B1 (en) 1998-05-01 2003-09-02 Arraycomm, Inc. Method and apparatus for determining signatures for calibrating a communication station having an antenna array
US6636538B1 (en) * 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6891724B2 (en) 2002-06-12 2005-05-10 Intel Corporation Increasing thermal conductivity of thermal interface using carbon nanotubes and CVD
US6856016B2 (en) 2002-07-02 2005-02-15 Intel Corp Method and apparatus using nanotubes for cooling and grounding die
US7273095B2 (en) * 2003-03-11 2007-09-25 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Nanoengineered thermal materials based on carbon nanotube array composites
US20070114658A1 (en) * 2004-08-24 2007-05-24 Carlos Dangelo Integrated Circuit Micro-Cooler with Double-Sided Tubes of a CNT Array
US7109581B2 (en) * 2003-08-25 2006-09-19 Nanoconduction, Inc. System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler
US8039961B2 (en) 2003-08-25 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite carbon nanotube-based structures and methods for removing heat from solid-state devices
US20080131722A1 (en) 2006-03-21 2008-06-05 Ephraim Suhir Single Layer Carbon Nanotube-Based Structures and Methods for Removing Heat from Solid-State Devices
US7612370B2 (en) * 2003-12-31 2009-11-03 Intel Corporation Thermal interface
US7215690B2 (en) * 2004-08-04 2007-05-08 Monocrom, S.L. Laser module
US7671398B2 (en) 2005-02-23 2010-03-02 Tran Bao Q Nano memory, light, energy, antenna and strand-based systems and methods
US8093715B2 (en) 2005-08-05 2012-01-10 Purdue Research Foundation Enhancement of thermal interface conductivities with carbon nanotube arrays
US8389119B2 (en) * 2006-07-31 2013-03-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Composite thermal interface material including aligned nanofiber with low melting temperature binder
EP1906496B1 (de) * 2006-09-29 2010-01-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007001743A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines solchen
GB0620955D0 (en) * 2006-10-20 2006-11-29 Speakman Stuart P Methods and apparatus for the manufacture of microstructures
WO2008105065A1 (ja) * 2007-02-27 2008-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体レーザモジュール及び半導体レーザスタック
US7710709B2 (en) 2007-03-30 2010-05-04 Intel Corporation Carbon nanotube coated capacitor electrodes
DE102008026229B4 (de) 2008-05-29 2012-12-27 Jenoptik Laser Gmbh Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes
DE102008026801B4 (de) 2008-06-02 2012-05-31 Jenoptik Laser Gmbh Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes und Verfahren zu seiner Montage
JP2010114120A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 放熱方法
DE102009040835A1 (de) * 2009-09-09 2011-03-10 Jenoptik Laserdiode Gmbh Verfahren zum thermischen Kontaktieren einander gegenüberliegender elektrischer Anschlüsse einer Halbleiterbauelement-Anordnung
US8753924B2 (en) * 2012-03-08 2014-06-17 Texas Instruments Incorporated Grown carbon nanotube die attach structures, articles, devices, and processes for making them
DE102015002176A1 (de) * 2015-02-24 2016-08-25 Jenoptik Laser Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Diodenlasers und Diodenlaser
DE102015013511B3 (de) 2015-10-15 2017-03-16 Jenoptik Laser Gmbh Laserstrahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Laserstrahlungsquelle und Verwendung eines Lötprozesses
CN109643880A (zh) * 2016-08-30 2019-04-16 特拉迪欧德公司 利用碳纳米管的高功率激光封装

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206422383U (zh) * 2016-12-29 2017-08-18 西安炬光科技股份有限公司 一种无焊安装的半导体激光器叠阵

Also Published As

Publication number Publication date
US11557881B2 (en) 2023-01-17
EP3704770A1 (de) 2020-09-09
WO2019086619A1 (de) 2019-05-09
US20200395738A1 (en) 2020-12-17
JP2021501997A (ja) 2021-01-21

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