CN111276485A - Mtp器件的制造方法及mtp器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种MTP器件的制造方法，包括：首先形成一包括编程区衬底和擦除区衬底的衬底；在所述编程区衬底中形成阱区；在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；在所述衬底上依次形成栅氧化层及浮栅层；对所述离子漂移区进行轻掺杂漏注入以形成浅结。进一步的，本发明还提供一种MTP器件，包括：衬底、栅氧化层以及浮栅层，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底，所述编程区衬底中形成有阱区，所述擦除区衬底中形成有离子漂移区，所述擦除区衬底中形成有浅结。其中，在所述擦除区衬底中形成离子漂移区并在其上形成浅结，这样形成的浅结的电荷容量能够进一步增加，从而提高了所述浅结的耐压性能，从而在MTP器件面积缩减的情况下提高MTP器件的擦除电压。

Description

MTP器件的制造方法及MTP器件

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种MTP器件的制造方法及MTP器件。

背景技术

MTP器件(可多次编程非易失性存储器件)是一种可重复使用的器件，允许用户对其进行多次编程、擦除、修改或设计。

参考图1，图1是现有技术中的MTP器件示意图，从图1可以看出，MTP通常分为编程区1以及擦除区2，MTP器件通常包括：衬底10、位于所述衬底上的栅氧化层20以及位于所述栅氧化层20上的浮栅层30，所述衬底10中形成有浅沟槽隔离结构11，所述衬底10通常包括编程区衬底101和擦除区衬底102。所述编程区衬底101中通常形成有第一阱区12(例如N阱)；所述擦除区衬底102中从下至上一般依次形成有第二阱区13(例如P阱)、缓冲区14以及轻掺杂漏注入区15，其中，所述轻掺杂漏注入区15与所述第二阱区13的界面位置形成一PN结。利用福勒-诺德海姆隧穿(FN)机制对所述MTP器件进行擦除是经由在MTP器件的所述擦除区2中通过所述栅氧化层20的FN来实现的，向MTP器件的所述擦除区2施加电压，同时维持编程区1接地，此时所述浮栅层30的电势被维持为接近地电压，因此电子在所述擦除区2能够从所述浮栅层30中穿过所述栅氧化层20进入所述轻掺杂漏注入区15以实现FN，完成擦除。

在所述栅氧化层20的厚度一定的前提下，所述栅氧化层20两个表面的电压差(一面为擦除电压，另一面为所述浮栅层30的接近地电压)越大，则对应的隧穿场强越大，从而FN电流也越大，擦除速度更快。为了取得更快的擦除速度，则需要擦除电压更大，但是增大擦除电压会导致器件击穿，所以目前如果需要提高MTP器件的擦除电压，则需要增大第一阱区12和第二阱区13之间的浅沟槽隔离结构11的宽度，目前第一阱区12和第二阱区13之间的浅沟槽隔离结构11的宽度通常大于2.2μm，这就导致MTP器件的面积增大，不符合芯片尺寸不断缩小的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MTP器件的制造方法及MTP器件，以解决在提高MTP器件的擦除电压的同时，MTP器件的面积也得到缩减的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种MTP器件的制造方法，所述MTP器件包括编程区和擦除区，MTP器件的制造方法包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有牺牲氧化层，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底；

形成第一光刻胶图案层，并以所述第一光刻胶图案层为掩膜对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区；

形成第二光刻胶图案层，并以所述第二光刻胶图案层为掩膜对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；

去除所述牺牲氧化层，并形成栅氧化层，其中，所述栅氧化层覆盖所述编程区衬底和所述擦除区衬底；

形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述编程区衬底上的部分所述栅氧化层以及所述擦除区衬底上的部分所述栅氧化层；以及，

对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以在靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成浅结，其中，与编程区衬底相邻的并且位于所述擦除区衬底中的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，在对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区中，所述第二离子的导电类型为P型。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，对所述擦除区衬底进行硼离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区，其中，硼离子注入剂量介于3E12ions/cm^-2～8E12ions/cm^-2；注入能量介于70kev～80kev。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，在对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区以及对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以在所述擦除区衬底中形成浅结中，所述第一离子的导电类型为N型。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，对所述编程区衬底进行磷离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区，其中，磷离子注入剂量介于1E13 ions/cm^-2～5E13 ions/cm^-2；注入能量介于15kev～25kev。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，对所述离子漂移区进行轻掺杂漏磷离子注入以在所述擦除区衬底中形成浅结，其中，磷离子注入剂量介于1E13ions/cm^-2～5E13ions/cm^-2；注入能量介于15kev～25kev。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，所述浅结为PN结。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，去除所述牺牲氧化层之后，形成所述栅氧化层的步骤包括：

形成氧化材料层，所述氧化材料层覆盖所述衬底；

在所述氧化材料层上形成第三光刻胶图案层；

干法刻蚀位于所述浅结上的部分厚度的所述氧化材料层以形成所述栅氧化层。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，位于所述浅结上的所述栅氧化层的厚度介于

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，在所述编程区衬底中形成阱区之后、形成第二光刻胶图案层之前，所述MTP器件的制造方法包括：

去除所述第一光刻胶图案层。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，在所述擦除区衬底中形成离子漂移区之后、去除所述牺牲氧化层之前，所述MTP器件的制造方法包括：

去除所述第二光刻胶图案层。

基于同一发明构思，本发明还提供一种MTP器件，所述MTP器件包括编程区和擦除区，所述MTP器件包括：

衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底，所述编程区衬底中形成有阱区，所述擦除区衬底中形成有离子漂移区；

栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述编程区衬底和所述擦除区衬底；以及，

浮栅层，所述浮栅层覆盖所述编程区衬底上的部分所述栅氧化层以及所述擦除区衬底上的部分所述栅氧化层；

其中，靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成有浅结，与编程区衬底相邻的并且位于所述擦除区衬底中的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。

综上，本发明提供一种MTP器件的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底；对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区；对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；在所述衬底上依次形成栅氧化层及浮栅层；对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以形成浅结。进一步的，本发明还提供一种MTP器件，包括：衬底、栅氧化层以及浮栅层，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底，所述编程区衬底中形成有阱区，所述擦除区衬底中形成有离子漂移区，靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成有浅结。其中，在所述擦除区衬底中形成离子漂移区并在其上形成浅结，所述浅结的电荷容量能够进一步增加，提高了浅结的耐压，使得在编程区衬底与所述擦除区衬底之间的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸能够缩减的情况下提高了MTP器件的擦除电压，提高了擦除速度，同时也变相地缩减了所述MTP器件的面积。

附图说明

图1是现有技术中的MTP器件示意图；

图2是本发明实施例的MTP器件的制造方法流程示意图；

图3-图8是本发明实施例的制造MTP器件的各步骤中的半导体结构示意图；

其中，附图标记说明如下：

1-编程区，2-擦除区，10-衬底，101-编程区衬底，102-擦除区衬底，11-浅沟槽隔离结构，12-第一阱区，13-第二阱区，14-缓冲区，15-轻掺杂漏注入区，20-栅氧化层，30-浮栅层；

100-衬底，1001-编程区衬底，1002-擦除区衬底，101-浅沟槽隔离结构，102-阱区，103-离子漂移区，104-浅结，200-牺牲氧化层，300-第一光刻胶图案层，400-第二光刻胶图案层，500-栅氧化层，600-浮栅层。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的MTP器件的制造方法及MTP器件作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。

本发明提供一种MTP器件的制造方法，参考图2，图2本发明实施例的MTP器件的制造方法流程示意图，所述MTP器件具有编程区和擦除区，MTP器件的制造方法包括：

S10：提供一衬底，所述衬底上形成有牺牲氧化层，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底；

S20：形成第一光刻胶图案层，并以所述第一光刻胶图案层为掩膜对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区；

S30：形成第二光刻胶图案层，并以所述第二光刻胶图案层为掩膜对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；

S40：去除所述牺牲氧化层，并形成栅氧化层，其中，所述栅氧化层覆盖所述编程区衬底和所述擦除区衬底；

S50：形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述编程区衬底上的部分所述栅氧化层以及所述擦除区衬底上的部分所述栅氧化层；

S60：对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以在靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成浅结，其中，与编程区衬底相邻的并且位于所述擦除区衬底中的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。

具体的，参考图3-图8，图3-图8是本发明实施例的制造MTP器件时各步骤中的半导体结构示意图。

首先，如图3所示，提供一衬底100，所述衬底100上形成有牺牲氧化层200，所述衬底100中形成有至少两个浅沟槽隔离结构101，其中，所述衬底100包括编程区衬底1001和擦除区衬底1002。具体的，所述MTP器件具有编程区1和擦除区2，所述牺牲氧化层200的厚度介于

所述擦除区2用于MTP器件中的存储数据信息的擦除。

然后，如图4所示，形成第一光刻胶图案层300，并以所述第一光刻胶图案层300为掩膜对所述编程区衬底1001进行第一离子注入以在所述编程区衬底1001中形成阱区102。具体的，所述第一光刻胶图案层300由光刻胶曝光、显影后得到，在所述第一光刻胶图案层300上打开第一开口以使所述第一离子能够从该第一开口位置注入，从而穿过所述牺牲氧化层200并在所述编程区衬底1001中形成阱区102，所述牺牲氧化层200相当于是第二层掩膜，也就是说，对所述编程区衬底1001进行第一离子注入时所述第一光刻胶图案层300和所述牺牲氧化层200相当于双重掩膜。在本实施例中，所述第一离子的导电类型为N型，本实施例以对所述编程区衬底进行磷离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区(N阱)为例，其中，磷离子注入剂量介于1E13 ions/cm^-2～5E13 ions/cm^-2；注入能量介于15kev～25kev。

进一步的，在形成所述阱区102之后，制造所述MTP器件的步骤通常还包括去除所述第一光刻胶图案层300，一般可以通过灰化工艺去除所述第一光刻胶图案层300。

进一步的，如图5所示，形成第二光刻胶图案层400，并以所述第二光刻胶图案层400为掩膜对所述擦除区衬底1002进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底1002中形成离子漂移区103。具体的，所述第二光刻胶图案层400由光刻胶曝光、显影后得到，在所述第二光刻胶图案层400上打开第二开口以使所述第二离子能够从该第二开口位置掺杂注入，从而穿过所述牺牲氧化层200并在所述擦除区衬底1002中形成离子漂移区103。所述牺牲氧化层200的作用与上述形成所述阱区102时的作用一样，所述牺牲氧化层200相当于是第二层掩膜，也就是说，对所述擦除区衬底1002进行第二离子掺杂注入时所述第二光刻胶图案层400和所述牺牲氧化层200相当于双重掩膜。在本实施例中，所述第二离子的导电类型为P型。本实施例以对所述擦除区衬底1002进行硼离子掺杂注入以在所述擦除区衬底1002中形成离子漂移区103为例，其中，硼离子注入剂量介于3E12 ions/cm^-2～8E12 ions/cm^-2；注入能量介于70kev～80kev。特别地，对所述擦除区衬底1002进行P型离子(硼离子)掺杂注入时，硼离子注入剂量介于3E12 ions/cm^-2～8E12 ions/cm^-2，可以看出，注入的硼离子的剂量的量级在10的12次方左右，与现有技术中在所述擦除区衬底中形成P阱相比，P型离子(硼离子)注入的剂量明显减少，所以本发明中对所述擦除区衬底1002进行第二离子掺杂注入之后，所述擦除区衬底1002中形成的是P型离子漂移区(扩散区)，后续通过轻掺杂漏注入N型离子在靠近所述衬底100表面的所述擦除区衬底1002中形成浅结104时，使得所述浅结104的电荷容量能够进一步增加，也就是提高了浅结104的耐压，从而提高了MTP器件的擦除电压，提高了擦除速度。同时，发明人通过实验研究发现，现有技术中，编程区衬底1001与所述擦除区衬底1002之间的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸大于或者等于1.2μm，MTP器件在宽度上的尺寸大于或者等于4.44μm，而通过本发明的在形成的所述离子漂移区103上形成的浅结能够承受的击穿电压进一步增加，所以本发明的编程区衬底1001与所述擦除区衬底1002之间的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm时，所述浅结104能够承载的电压达到14.5V，完全可以满足擦除电压需求。正因为所述浅结104的电荷容量进一步增加，浅结104的击穿电压进一步提高，才使得所述编程区衬底1001与所述擦除区衬底1002之间的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸能够缩减，从而使得所述MTP器件的面积能够缩减，本实施例中，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于等于3.24μm，相较于现有技术，所述MTP器件在宽度上的尺寸能够缩减27％，这符合芯片尺寸不断缩小的要求。

进一步的，如图6所示，在形成所述离子漂移区103之后，制造所述MTP器件的步骤通常还包括去除所述第二光刻胶图案层400，一般可以通过灰化工艺去除所述第二光刻胶图案层400。

接着，如图6所示，去除所述牺牲氧化层200，并形成栅氧化层500，其中，所述栅氧化层500覆盖所述编程区衬底1001和所述擦除区衬底1002。具体的，形成所述栅氧化层500的步骤包括：首先利用化学气相沉积工艺形成氧化材料层，所述氧化材料层覆盖所述衬底100；然后在所述氧化材料层上形成第三光刻胶图案层；接着干法刻蚀位于所述浅结104上的部分厚度的所述氧化材料层以形成所述栅氧化层500，最后去除所述第三光刻胶图案层。其中，位于所述浅结104上的所述栅氧化层500的厚度介于

进一步的，如图7所示，形成浮栅层600，所述浮栅层600覆盖所述编程区衬底1001上的部分所述栅氧化层500以及所述擦除区衬底1002上的部分所述栅氧化层500。具体的，可以利用化学气相沉积工艺形成所述浮栅层600，所述浮栅层600的厚度介于

最后，如图8所示，对所述离子漂移区103进行轻掺杂漏第一离子注入以在靠近所述栅氧化层500的所述擦除区衬底1002中形成浅结104，其中，与编程区衬底1001相邻的并且位于所述擦除区衬底1002中的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。具体的，在本实施例中，所述第一离子的导电类型为N型，因为所述离子漂移区103中的离子类型为P型，所以形成的所述浅结104为PN结。本实施例以对所述离子漂移区进行轻掺杂漏磷离子注入以在所述擦除区衬底1002中形成浅结104为例，其中，磷离子注入剂量介于1E13 ions/cm^-2～5E13 ions/cm^-2；注入能量介于15kev～25kev。其中，在所述擦除区衬底1002中形成离子漂移区103并在其上形成浅结104(PN结)，使得在编程区衬底1001与所述擦除区衬底1002之间的浅沟槽隔离结构101在宽度上的尺寸能够缩减的情况下，所述浅结104的电荷容量能够进一步增加，提高了浅结104的耐压性能，从而提高了MTP器件的擦除电压，提高了擦除速度，同时也变相地缩减了所述MTP器件的面积。

基于同一发明构思，本发明还提供一种MTP器件，如图8所示，所述MTP器件包括编程区1和擦除区2，所述MTP器件包括：衬底100、栅氧化层500以及浮栅层600，所述衬底100中形成有至少两个浅沟槽隔离结构101，其中，所述衬底100包括编程区衬底1001和擦除区衬底1002，所述编程区衬底1001中形成有阱区102，所述擦除区衬底1002中形成有离子漂移区103；所述栅氧化层500覆盖所述编程区衬底1001和所述擦除区衬底1002；所述浮栅层600覆盖所述编程区衬底1001上的部分所述栅氧化层500以及所述擦除区衬底1002上的部分所述栅氧化层500。其中，靠近所述栅氧化层500的所述擦除区衬底1002中形成有浅结104，与编程区衬底1001相邻的并且位于所述擦除区衬底1002中的浅沟槽隔离结构101在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。所述擦除区衬底中的离子漂移区103中的离子掺杂浓度低于现有技术中的P阱(或N阱)，所以在离子掺杂浓度较低的离子漂移区103上形成的PN结的电荷容量较大、耐压性能较好，使得在编程区衬底与所述擦除区衬底之间的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸能够缩减的情况下提高了MTP器件的擦除电压以及提高了擦除速度，同时也变相地缩减了所述MTP器件的面积。

综上，本发明提供一种MTP器件的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底；对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区；对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；在所述衬底上依次形成栅氧化层及浮栅层；对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以形成浅结。进一步的，本发明还提供一种MTP器件，包括：衬底、栅氧化层以及浮栅层，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底，所述编程区衬底中形成有阱区，所述擦除区衬底中形成有离子漂移区，靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成有浅结。其中，在所述擦除区衬底中形成离子漂移区并在其上形成浅结，使得在编程区衬底与所述擦除区衬底之间的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸能够缩减的情况下，所述浅结的电荷容量能够进一步增加，提高了浅结的耐压，从而提高了MTP器件的擦除电压，提高了擦除速度，同时也变相地缩减了所述MTP器件的面积。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (12)

1.一种MTP器件的制造方法，所述MTP器件具有编程区和擦除区，其特征在于，MTP器件的制造方法包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有牺牲氧化层，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底；

形成第一光刻胶图案层，并以所述第一光刻胶图案层为掩膜对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区；

形成第二光刻胶图案层，并以所述第二光刻胶图案层为掩膜对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；

去除所述牺牲氧化层，并形成栅氧化层，其中，所述栅氧化层覆盖所述编程区衬底和所述擦除区衬底；

形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述编程区衬底上的部分所述栅氧化层以及所述擦除区衬底上的部分所述栅氧化层；以及，

对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以在靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成浅结，其中，与编程区衬底相邻的并且位于所述擦除区衬底中的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。

2.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，在对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区中，所述第二离子的导电类型为P型。

3.根据权利要求2所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，对所述擦除区衬底进行硼离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区，其中，硼离子注入剂量介于3E12ions/cm^-2～8E12 ions/cm^-2；注入能量介于70kev～80kev。

4.根据权利要求3所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，在对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区以及对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以在所述擦除区衬底中形成浅结中，所述第一离子的导电类型为N型。

5.根据权利要求4所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，对所述编程区衬底进行磷离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区，其中，磷离子注入剂量介于1E13 ions/cm^-2～5E13 ions/cm^-2；注入能量介于15kev～25kev。

6.根据权利要求4所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，对所述离子漂移区进行轻掺杂漏磷离子注入以在所述擦除区衬底中形成浅结，其中，磷离子注入剂量介于1E13ions/cm^-2～5E13 ions/cm^-2；注入能量介于15kev～25kev。

7.根据权利要求6所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，所述浅结为PN结。

8.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，去除所述牺牲氧化层之后，形成所述栅氧化层的步骤包括：

形成氧化材料层，所述氧化材料层覆盖所述衬底；

在所述氧化材料层上形成第三光刻胶图案层；

干法刻蚀位于所述浅结上的部分厚度的所述氧化材料层以形成所述栅氧化层。

9.根据权利要求8所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，位于所述浅结上的所述栅氧化层的厚度介于

10.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，在所述编程区衬底中形成阱区之后、形成第二光刻胶图案层之前，所述MTP器件的制造方法包括：

去除所述第一光刻胶图案层。

11.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，在所述擦除区衬底中形成离子漂移区之后、去除所述牺牲氧化层之前，所述MTP器件的制造方法包括：

去除所述第二光刻胶图案层。

12.一种MTP器件，所述MTP器件具有编程区和擦除区，其特征在于，所述MTP器件包括：

衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底，所述编程区衬底中形成有阱区，所述擦除区衬底中形成有离子漂移区；

栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述编程区衬底和所述擦除区衬底；以及，

浮栅层，所述浮栅层覆盖所述编程区衬底上的部分所述栅氧化层以及所述擦除区衬底上的部分所述栅氧化层；

其中，靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成有浅结，与编程区衬底相邻的并且位于所述擦除区衬底中的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。

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