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CN111261084A - 显示面板和包括该显示面板的电子装置 - Google Patents

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CN111261084A
CN111261084A CN201911163756.7A CN201911163756A CN111261084A CN 111261084 A CN111261084 A CN 111261084A CN 201911163756 A CN201911163756 A CN 201911163756A CN 111261084 A CN111261084 A CN 111261084A
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CN201911163756.7A
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朴贤爱
金才源
成承祐
安俊勇
严努力
李知恩
印闰京
张东玄
赵乘汉
赵准永
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Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Publication date
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Abstract

提供了一种显示面板和包括该显示面板的电子装置，所述显示面板包括：第一面板区域和第二面板区域，第一面板区域包括第n‑1像素行和第n像素行，第二面板区域划分第n像素行以传播光信号。显示面板包括电路元件层和显示元件层。电路元件层包括信号线和像素驱动电路并且被划分为第一区域至第三区域。信号线和像素驱动电路位于第一区域中。第二区域对应于第二面板区域。信号线和像素驱动电路不位于第二区域中。第三区域对应于第二面板区域并且沿着第二区域的外围。信号线位于第三区域中，并且包括连接到第n‑1像素行的第n‑1扫描线、连接到第n像素行的第n复位线以及位于第三区域中并且连接第n‑1扫描线和第n复位线的第一行连接线。

Description

显示面板和包括该显示面板的电子装置
技术领域
示例性实施例总体上涉及一种显示面板和一种包括该显示面板的电子装置，更具体地，涉及一种包括信号通过区域的显示面板和一种包括该显示面板的电子装置，其中，光信号在信号通过区域中转化。
背景技术
便携式电子装置已经变得广泛，并且这些便携式电子装置的功能正在变得越来越多样化。一些用户通常更喜欢具有较大的显示区域和较小的非显示区域的电子装置。如此，正在开发各种形状的电子装置以减小非显示区域的面积。
在本部分中公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，上述信息可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一些示例性实施例能够提供一种具有相对大的显示区域和相对小的非显示区域的显示面板。
一些示例性实施例能够提供一种包括显示面板的电子装置，所述显示面板具有相对大的显示区域和相对小的非显示区域。
另外的方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地通过公开将是明显的，或者可以通过发明构思的实践来获知。
根据一些示例性实施例，电子装置包括显示面板。所述显示面板包括第一面板区域和第二面板区域。第n-1像素行和第n像素行设置在第一面板区域中，“n”是自然数。第二面板区域至少将第n像素行划分为至少两个部分。第二面板区域被构造为允许光信号的传播。显示面板包括基体层、电路元件层和显示元件层。电路元件层设置在基体层上。电路元件层包括信号线和像素驱动电路。显示元件层设置在电路元件层上。显示元件层包括显示元件。电路元件层包括第一区域、第二区域和第三区域。信号线和像素驱动电路设置在第一区域中。第二区域对应于第二面板区域。信号线和像素驱动电路不设置在第二区域中。第三区域对应于第二面板区域并且沿着第二区域的外围设置。信号线设置在第三区域中。信号线包括连接到第n-1像素行的第n-1扫描线、连接到第n像素行的第n复位线，以及连接第n-1扫描线和第n复位线的第一行连接线。第一行连接线设置在第三区域中。
根据一些示例性实施例，电子装置包括显示面板和光学膜。显示面板包括第一面板区域和第二面板区域。第一面板区域包括第一像素、设置在与第一像素的像素行相同的像素行的第二像素、设置在与第一像素和第二像素的像素行不同的像素行中的第三像素以及设置在与第三像素的像素行相同的像素行中的第四像素。第二面板区域具有比第一面板区域的透光率大的透光率。第一像素、第二像素、第三像素和第四像素设置在第二面板区域外部。光学膜设置在显示面板上。显示面板还包括包含信号线以及被构造为分别驱动第一像素、第二像素、第三像素和第四像素的像素驱动电路的电路元件层。电路元件层包括第一区域至第三区域。信号线和像素驱动电路设置在第一区域中。第二区域对应于第二面板区域。信号线和像素驱动电路设置在第二区域外部。第三区域沿着第二区域的外围设置。信号线设置在第三区域中。信号线包括在第三区域中设置的连接线。连接线电连接到第一像素、第二像素、第三像素和第四像素。
根据一些示例性实施例，电子装置包括显示面板。显示面板包括第一面板区域、第二面板区域和第三面板区域。第n-1像素行和第n像素行设置在第一面板区域中，“n”是自然数。第二面板区域至少将第n像素行划分为至少两个部分。第二面板区域被构造为允许光信号的传播。第三面板区域设置在第一面板区域和第二面板区域外部。显示面板包括基体层、电路元件层和显示元件层。电路元件层设置在基体层上。电路元件层包括行信号线、列信号线、像素驱动电路、第一扫描驱动电路和第二扫描驱动电路。显示元件层设置在电路元件层上。显示元件层包括显示元件。电路元件层包括第一区域至第五区域。行信号线、列信号线和像素驱动电路设置在第一区域中。第二区域对应于第二面板区域。行信号线、列信号线和像素驱动电路设置在第二区域外部。第三区域设置在第二区域的外围上。至少列信号线设置在第三区域中。第四区域对应于第三面板区域。第一扫描驱动电路设置在第四区域中。第五区域对应于第三面板区域。第二扫描驱动电路设置在第五区域中。第一区域设置在第四区域与第五区域之间。第n-1像素行和第n像素行中的每个包括与第二面板区域的一侧相邻的一侧像素和与第二面板区域的另一侧相邻的另一侧像素。行信号线包括连接到第n-1像素行的一侧像素和第一扫描驱动电路的第n-1一侧扫描线、连接到第n-1像素行的另一侧像素和第二扫描驱动电路的第n-1另一侧扫描线、连接到第n像素行的一侧像素和第一扫描驱动电路的第n一侧复位线、以及连接到第n像素行的另一侧像素和第二扫描驱动电路的第n另一侧复位线。
根据一些示例性实施例，显示面板包括第一面板区域和第二面板区域。第n-1像素行(“n”为自然数)、第n像素行、连接到第n-1像素行的第n-1扫描线、连接到第n-1像素行的第n-1复位线、连接到第n像素行的第n扫描线以及连接到第n像素行的第n复位线设置在第一面板区域中。第二面板区域至少将第n像素行划分为至少两个部分。第二面板区域包括开口和周围区域。周围区域沿着开口的外围设置。连接第n-1扫描线和第n复位线的连接线设置在周围区域中。
前面的总体描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对发明构思的进一步理解，被并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是示出根据一些示例性实施例的电子装置的透视图；
图2是示出根据一些示例性实施例的图1的电子装置的分解透视图；
图3是示出根据一些示例性实施例的图1的电子装置的框图；
图4A和图4B是示出根据一些示例性实施例的显示装置的剖视图；
图5A是示出根据一些示例性实施例的显示面板的剖视图；
图5B是示出根据一些示例性实施例的图5A的显示面板的平面图；
图5C是根据一些示例性实施例的像素的等效电路图；
图5D是示出根据一些示例性实施例的施加到图5C的像素的信号的时序图；
图6A是示出根据一些示例性实施例的图5B的显示面板的一部分的放大平面图；
图6B和图6C是示出根据一些示例性实施例的图6A的显示面板的部分的剖视图；
图6D是示出根据一些示例性实施例的图6A的显示面板的一部分的放大平面图；
图7A是示出根据一些示例性实施例的输入传感器的剖视图；
图7B是示出根据一些示例性实施例的图7A的输入传感器的平面图；
图7C是示出根据一些示例性实施例的图7B的输入传感器的一部分的局部平面图；
图8A是示出根据一些示例性实施例的电子装置的分解透视图；
图8B是示出根据一些示例性实施例的显示面板的一部分的放大平面图；
图8C是示出根据一些示例性实施例的图8B的显示面板的一部分的放大剖视图；
图9A是示出根据一些示例性实施例的显示面板的剖视图；
图9B是示出根据一些示例性实施例的图9A的显示面板的一部分的放大剖视图；
图10A是示出根据一些示例性实施例的显示面板的平面图；
图10B是示出根据一些示例性实施例的图10A的显示面板的一部分的放大平面图；以及
图10C是示出根据一些示例性实施例的显示面板的一部分的放大平面图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种示例性实施例的透彻理解。如在此使用的，术语“实施例”和“实施方式”可互换地使用并且是采用在此公开的一个或更多个发明构思的非限制性示例。然而，明显的是，在没有这些具体细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下可以实践各种示例性实施例。在其它示例中，以框图形式示出公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排它的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的特定形状、构造和特性。
除非另有说明，否则所示的示例性实施例将被理解为提供一些示例性实施例的各种细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，可以对各种图示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中，单独地或统称为“元件”)进行另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。如此，各个元件的尺寸和相对尺寸没有必要限制为附图中所示的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续地描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其它术语和/或短语应该以类似的方式解释，例如，“在……之间”对“直接在……之间”、“相邻”对“直接相邻”、“在……上”对“直接在……上”等。另外，术语“连接”可以指物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(者/种)或更多个(者/种)的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
尽管可以在此使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语限制。这些术语被用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
为了描述的目的，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等空间相对术语，并且通过所述空间相对属于来描述如在附图中所示的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语旨在包含除了在附图中描绘的方位之外的设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并如此相应地解释在此使用的空间相对描述语。
在此使用的术语是为了描述具体实施例的目的，并且不旨在成为限制。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和其它类似术语被用作近似术语而不用作程度术语，并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图、等距视图、透视图、平面图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预期到由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状变化。因此，在此公开的示例性实施例不应该被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。为此，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并如此不旨在成为限制。
除非另有限定，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为一部分的领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。除非在此明确地如此定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释。
如本领域惯例，按照功能块、功能单元和/或功能模块在附图中描述和示出一些示例性实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块由诸如逻辑电路、离散组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件和布线连接等的电子(或光学)电路被物理实现，电子(或光学)电路可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成。在块、单元和/或模块由微处理器或其它相似硬件实现的情况下，可以使用软件(例如，微码)对它们进行编程和控制，以执行在此所讨论的各种功能，并且可以可选择地由固件和/或软件驱动。还可以预期的是，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件来实现或实现为用来执行一些功能的专用硬件和用来执行其它功能的处理器(例如，一个或更多个编程微处理器和相关联的电路)的组合。另外，在不脱离发明构思的情况下，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以物理地分离成两个或更多个交互的且离散的块、单元和/或模块。此外，在不脱离发明构思的情况下，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
在下文中，将参照附图详细解释各个示例性实施例。
图1是示出根据一些示例性实施例的电子装置的透视图。图2是示出根据一些示例性实施例的图1的电子装置的分解透视图。图3是示出根据一些示例性实施例的图1的电子装置的框图。
如图1中所示，电子装置ED可以在显示表面ED-IS上显示图像IM。显示表面ED-IS平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。显示表面ED-IS的法线方向(即，电子装置ED的厚度方向)由第三方向轴DR3指示。电子装置ED的显示表面ED-IS对应于电子装置ED的前表面，并且可以对应于窗WM的顶表面。
通过第三方向轴DR3区分在下文中描述的构件、层和单元中的每个的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。然而，第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3仅是说明性的。在下文中，第一方向至第三方向分别被定义为由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3所指示的方向，并且由与第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3相同的附图标记表示。
显示表面ED-IS包括显示区域DA和与显示区域DA相邻(例如，在显示区域DA外部)的非显示区域NDA。非显示区域NDA是其中不显示图像的区域。非显示区域NDA可以包括边框区域BZA和信号通过区域TA。信号通过区域TA是其中可以传输光信号的区域。以示例的方式示出了一个信号通过区域TA，但是示例性实施例不限于此。光信号可以是外部自然光，或者可以是例如从发光元件产生的红外线。
边框区域BZA是用于阻挡光信号的区域，并且可以是设置在显示区域DA外部以围绕显示区域DA的区域。在一些示例性实施例中，边框区域BZA可以设置在电子装置ED的侧表面上而不是在电子装置ED的前表面上。在一些示例性实施例中，可以省略边框区域BZA。
在一些示例性实施例中，边框区域BZA以示例的方式示出为围绕显示区域DA，但示例性实施例不限于此。边框区域BZA设置在显示区域DA的一侧上就足够了。边框区域BZA也可以仅设置在在第一方向DR1上彼此面对的区域中。
示例性地示出了平坦的显示表面ED-IS，但是，根据一些示例性实施例，也可以在诸如显示表面ED-IS的在例如第二方向DR2上彼此面对的相对侧上包括弯曲区域。
尽管移动电话被示例性地示出为电子装置ED，但电子装置ED的示例性实施例不限于此。例如，电子装置ED可以被修改以实现为诸如电视、导航装置、计算机显示器、游戏机等的各种信息提供装置。
如图2和图3中所示，电子装置ED可以包括显示装置DD、电子模块EM、电光模块ELM、电源模块PSM和外壳HM。
显示装置DD产生图像IM。显示装置DD包括显示面板DP、可选构件FM和窗WM。
显示面板DP没有特别地限制，并且可以是诸如有机发光显示面板和量子点发光显示面板的发光显示面板。
根据可选构件FM的构造，显示装置DD还可以感测外部输入和/或外部压力。如此，可选构件FM可以包括各种构件。
在一些示例性实施例中，可选构件FM可以包括光学膜和输入传感器。光学膜降低外部光的反射率。输入传感器感测用户的外部输入。可选构件FM还可以包括用于将光学膜和输入传感器结合的粘合剂层。
光学膜可以包括偏振器和相位延迟器。偏振器和相位延迟器可以是拉伸型或涂覆型。输入传感器可以通过电容法、压力感测法和电磁感应法中的至少一种来感测外部输入。
窗WM提供电子装置ED的外表面。窗WM包括基体层，并且还可以包括诸如抗反射层和抗指纹层的一个或更多个功能层。
尽管未单独地示出，但是显示装置DD还可以包括至少一个粘合剂层。粘合剂层可以使窗WM和可选构件FM结合，或者使可选构件FM和显示面板DP结合。粘合剂层可以是光学透明粘合剂层或压敏粘合剂层。
电子模块EM可以包括控制模块10、无线通信模块20、图像输入模块30、声音输入模块40、声音输出模块50、存储器60、外部接口模块70等。上述的模块可以安装在电路板上，或者可以通过柔性电路板电互连。电子模块EM电连接到电源模块PSM。
控制模块10控制电子装置ED的总体操作。例如，控制模块10根据例如用户输入来激活或停用显示装置DD。控制模块10可以根据例如用户输入来控制图像输入模块30、声音输入模块40和声音输出模块50等。控制模块10可以包括至少一个微处理器。
无线通信模块20可以使用BluetoothTM或Wi-Fi信道向其它终端发送无线电信号/从其它终端接收无线电信号；然而，示例性实施例不限于此。无线通信模块20可以使用通用通信信道来发送/接收语音信号。无线通信模块20包括用于调制和发送待发送信号的发送电路22，以及用于解调接收到的信号的接收电路24。
图像输入模块30处理图像信号以将处理后的图像信号转换为可以显示在显示装置DD上(或由显示装置DD显示)的图像数据。声音输入模块40在录音模式或语音识别模式等中使用例如麦克风接收外部声音信号，以便将接收到的外部声音信号转换为电子语音数据。声音输出模块50转换从无线通信模块20接收的声音数据或存储在存储器60中的声音数据，以便将转换后的声音数据输出到外部。
外部接口模块70用作外部充电器、有线/无线数据端口、卡(例如，存储器卡和/或订户身份模块(SIM)卡/用户身份模块(UIM)卡)插座等连接到其的接口。
电源模块PSM为电子装置ED的整体操作供应电力。电源模块PSM可以包括典型的电池装置。
外壳HM与显示装置DD(诸如与窗WM)结合(或以其它方式支撑显示装置DD)，以便容纳其它模块。如图2中所示，构成一个构件的外壳HM以示例的方式示出。然而，外壳HM可以包括组装在一起的两个或更多个组件。
电光模块ELM可以是用于输出或接收光信号的电子组件。电光模块ELM通过显示装置DD的对应于信号通过区域TA的部分区域发送或接收光信号。在一些示例性实施例中，电光模块ELM可以包括相机模块CM。相机模块CM通过信号通过区域TA接收自然光信号NL(见例如，图2)以便拍摄外部图像。
根据一些示例性实施例，电光模块ELM设置在显示装置DD下方。电光模块ELM与显示装置DD的部分区域叠置。显示装置DD的所述部分区域相对于显示装置DD的另一区域具有更高的透光率。在下文中，将给出显示装置DD的更详细的描述。
图4A和图4B是示出根据一些示例性实施例的显示装置的剖视图。在下文中，将不给出与参照图1至图3描述的组件相同的组件的详细描述。
如图4A和图4B中所示，显示装置DD包括显示面板DP、输入传感器FM-1、光学膜FM-2和窗WM。如图4A和图4B中所示，窗WM和光学膜FM-2可以通过粘合剂层OCA结合。
尽管没有给出光学膜FM-2的详细图示，但是光学膜FM-2可以具有多层结构，并且多层结构可以包括粘合剂层。通过粘合剂层，光学膜FM-2可以粘附到输入传感器FM-1的顶表面。
在光学膜FM-2中，可以形成开口以便对应于图2中所示的信号通过区域TA。开口可以提高自然光信号NL的透射率。
如图4A和图4B中所示，窗WM可以包括基体基底WM-BS和边框图案WM-BZ。基体基底WM-BS包括诸如玻璃基底的透明基底。基体基底WM-BS不限于此，并且可以包括(附加地或可选地包括)塑料。示出了单层的基体基底WM-BS，但是基体基底WM-BS不限于此。基体基底WM-BS可以包括玻璃基底或塑料基底，以及通过粘合剂层结合到其的合成树脂膜。
边框图案WM-BZ可以直接地设置在基体基底WM-BS的底表面上。边框图案WM-BZ可以具有多层结构。多层结构可以包括着色的颜色层和黑色阴影(或屏蔽)层。着色的颜色层和黑色阴影层可以通过沉积工艺、印刷工艺和涂覆工艺中的至少一种工艺来形成。
图4A中所示的输入传感器FM-1可以直接地设置在显示面板DP提供的基体表面上。为了本公开的目的，“组件B直接设置在组件A上”的描述指在组件A与组件B之间不设置单独的粘合剂层。以这种方式，在组件A已经形成之后，在由组件A提供的基体表面上通过连续工艺来形成组件B。
如图4B中所示，输入传感器FM-1可以单独地制造，然后结合到显示面板DP。如此，粘合剂层OCA可以设置在输入传感器FM-1与显示面板DP之间。
图5A是示出根据一些示例性实施例的显示面板的剖视图。图5B是示出根据一些示例性实施例的图5A的显示面板的平面图。图5C是根据一些示例性实施例的像素的等效电路图。图5D是示出根据一些示例性实施例的施加到图5C的像素的信号的时序图。
如图5A中所示，显示面板DP包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL。分别对应于图1中所示的显示区域DA和非显示区域NDA的有效区域DP-DA和非有效区域DP-NDA可以由显示面板DP限定。在一些示例性实施例中，不同构件的区域的对应指区域彼此叠置，并且区域不受具有相同面积/形状的对应限制。在一些示例性实施例中，有效区域DP-DA可以被定义为第一面板区域。非有效区域DP-NDA可以包括分别对应于信号通过区域TA和边框区域BZA的第二面板区域和第三面板区域。
基体层BL可以包括至少一个塑料膜。基体层BL可以包括塑料基底、玻璃基底、金属基底和有机/无机复合基底等中的至少一种。
电路元件层DP-CL包括至少一个绝缘层、半导体图案和导电图案。绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。半导体图案和导电图案可以构成信号线、像素驱动电路和扫描驱动电路。稍后将给出更详细的描述。
显示元件层DP-OLED包括显示元件，例如，有机发光二极管。显示元件层DP-OLED还可以包括诸如像素限定膜(或层)的有机层。
上绝缘层TFL包括多个薄膜。所述薄膜中的一些薄膜被设置为提高光学效率，而所述薄膜中的另一些薄膜被设置为保护诸如有机发光二极管的显示元件。稍后将给出上绝缘层TFL的更详细描述。
如图5B中所示，显示面板DP可以包括多条信号线SGL(在下文中，信号线)、多个像素PX(在下文中，像素)和驱动电路GDC。显示面板DP可以包括第一面板区域DP-DA、第二面板区域DP-TA和第三面板区域DP-BA。
像素PX布置在第一面板区域DP-DA中。像素PX中的每个包括例如有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。信号线SGL和像素驱动电路可以包括在图5A中所示的电路元件层DP-CL中。
像素PX不布置在第二面板区域DP-TA中。光信号移动(或以其它方式传播)穿过第二面板区域DP-TA。第二面板区域DP-TA具有比第一面板区域DP-DA高的透光率。
驱动电路GDC设置在第三面板区域DP-BA中。在一些示例性实施例中，驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路产生多个扫描信号(在下文中，扫描信号)，并将扫描信号顺序地输出到稍后将描述的多条扫描线GL(在下文中，扫描线)。扫描驱动电路还可以向像素PX的驱动电路输出另一控制信号。
扫描驱动电路可以包括通过用于形成像素PX的驱动电路中的至少一些的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)形成的多个薄膜晶体管。因此，扫描驱动电路可以包括在图5A中所示的电路元件层DP-CL中。
信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。信号线SGL还可以包括复位线和发光线，但是复位线和发光线未在图5B中示出。多条信号线SGL之中的沿第二方向DR2延伸的信号线可以被定义为行信号线，沿第一方向DR1延伸的信号线可以被定义为列信号线。扫描线GL可以是行信号线，数据线DL可以是列信号线。
在一些示例性实施例中，扫描线GL分别连接到像素PX中的对应像素PX，并且数据线DL分别连接到像素PX中的对应像素PX。电力线PL连接到像素PX。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路提供控制信号。
信号线SGL可以连接到电路板(未示出)。信号线SGL可以连接到呈安装在电路板上的集成芯片的形式的时序控制电路(未示出)。在一些示例性实施例中，集成芯片还可以设置在第三面板区域DP-BA中，并且连接到至少一些信号线SGL。
在图5C中示出设置在第n像素行中的一个像素PX。像素PX可以包括有机发光二极管OLED和像素驱动电路CC。第n扫描线GLn和第n复位线RLn设置为对应于所述一个像素PX。
像素驱动电路CC可以包括多个晶体管T1至T7和电容器CP。像素驱动电路CC响应于经由数据线DL传输的数据信号来控制在有机发光二极管OLED中流动的电流的量。
有机发光二极管OLED可以响应于从像素驱动电路CC提供的电流的量来发射具有预定亮度的光。为此，第一电源ELVDD的电平可以被设定为高于第二电源ELVSS的电平。
多个晶体管T1至T7可以均包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。
第一晶体管T1(或者被称为驱动晶体管T1)的输入电极经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD，并且第一晶体管T1的输出电极经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的第一电极。第一晶体管T1响应于施加到第一晶体管T1的连接到参考节点ND的控制电极的电压来控制在有机发光二极管OLED中流动的电流的量。第一晶体管T1可以被定义为驱动晶体管。
第二晶体管T2连接在数据线DL与第一晶体管T1的输入电极之间。第二晶体管T2的控制电极连接到第n扫描线GLn。第二晶体管T2通过施加到第n扫描线GLn的第n扫描信号Sn导通，以便电连接数据线DL和第一晶体管T1的输入电极。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的输出电极与控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极连接到第n扫描线GLn。第三晶体管T3通过第n扫描信号Sn导通，以便电连接第一晶体管T1的输出电极和控制电极。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管的形式被连接。
第四晶体管T4连接在参考节点ND与初始化电力产生单元(未示出)之间。第四晶体管T4的控制电极连接到第n复位线RLn。第四晶体管T4通过施加到第n复位线RLn的第n-1扫描信号Sn-1导通，以便向参考节点ND提供初始化电压Vint。
第五晶体管T5连接在电力线PL与第一晶体管T1的输入电极之间。第五晶体管T5的控制电极连接到第n光发射控制线ECLn。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的输出电极与有机发光二极管OLED的第一电极之间。第六晶体管T6的控制电极连接到第n光发射控制线ECLn。
第七晶体管T7连接在初始化电力产生单元与有机发光二极管OLED的第一电极之间。第七晶体管T7的控制电极接收第n+1扫描信号Sn+1。第七晶体管T7的控制电极可以连接到第n+1扫描线GLn+1。第七晶体管T7响应于第n+1扫描信号Sn+1向有机发光二极管OLED的第一电极提供初始化电压Vint。
第七晶体管T7可以提高像素PX的黑色显示能力。例如，当第七晶体管T7导通时，有机发光二极管OLED的寄生电容器(未示出)被放电。如此，当实现黑色亮度时，有机发光二极管OLED将不因来自第一晶体管T1的漏电流而发光，因此，可以提高黑色显示能力。
基于图5C中的p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管示出像素PX，但是示例性实施例不限于此。在一些示例性实施例中，像素PX可以由n沟道MOS(NMOS)晶体管构成。在一些示例性实施例中，像素PX可以由NMOS晶体管和PMOS晶体管的组合构成。
电容器CP设置在电力线PL与参考节点ND之间。电容器CP储存与经由数据线DL传输的数据信号对应的电压。当第五晶体管T5和第六晶体管T6导通时，可以根据储存在电容器CP中的电压来确定在第一晶体管T1中流动的电流的量。
然而，注意的是，像素驱动电路CC的构造不限于图5C中所示的电路图。在一些示例性实施例中，像素驱动电路CC可以以用于经由有机发光二极管OLED发射光的各种构造来实现。
参照图5D，当第n光发射控制信号En具有高电平E-HIGH时，第五晶体管T5和第六晶体管T6截止。当第五晶体管T5截止时，电力线PL与第一晶体管T1的输入电极电断开。当第六晶体管T6截止时，第一晶体管T1的输出电极与有机发光二极管OLED的第一电极电断开。因此，在经由第n光发射控制线ECLn提供具有高电平E-HIGH的第n光发射控制信号En的同时，有机发光二极管OLED不发光。
此后，当第n-1扫描信号Sn-1具有低电平S-LOW时，第四晶体管T4导通。当第四晶体管T4导通时，初始化电压Vint被提供给参考节点ND。
当第n扫描信号Sn具有低电平S-LOW时，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。当第二晶体管T2导通时，数据信号被提供给第一晶体管T1的输入电极。在这种情况下，第一晶体管T1因为参考节点ND在初始化电压Vint下被初始化而导通。当第一晶体管T1导通时，对应于数据信号的电压被提供给参考节点ND。此时，电容器CP储存与数据信号对应的电压。
当第n+1扫描信号Sn+1具有低电平S-LOW时，第七晶体管T7导通。当第七晶体管T7导通时，初始化电压Vint被提供给有机发光二极管OLED的第一电极，使得有机发光二极管OLED的寄生电容器(或电容)被放电。
当第n光发射控制信号En具有低电平E-LOW时，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通。当第五晶体管T5导通时，第一电源ELVDD被提供给第一晶体管T1的输入电极。当第六晶体管T6导通时，第一晶体管T1的输出电极和有机发光二极管OLED的第一电极电连接。如此，有机发光二极管OLED响应于所供应的电流的量而产生预定亮度的光。
图6A是示出根据一些示例性实施例的图5B的显示面板的一部分的放大平面图。图6B和图6C是示出根据一些示例性实施例的图6A的显示面板的部分的剖视图。图6D是示出根据一些示例性实施例的图6A的显示面板的一部分的放大平面图。
图6A示出了第二面板区域DP-TA和在第二面板区域DP-TA的外围上的第一面板区域DP-DA。在图6A中示出了多个像素行中的一些像素行。在多个像素行之中指示第n-1像素行PXLn-1、第n像素行PXLn和第n+1像素行PXLn+1。多个像素PX可以划分为像素列，并且第m像素列PXCm被指示。
因为像素PX不布置在第二面板区域DP-TA中，所以第n-1像素行PXLn-1、第n像素行PXLn和第n+1像素行PXLn+1被第二面板区域DP-TA划分。除了第n-1像素行PXLn-1、第n像素行PXLn和第n+1像素行PXLn+1之外，更多像素行被示出并被第二面板区域DP-TA划分。
第一像素PX-1、设置在与第一像素PX-1相同的像素行中的第二像素PX-2、设置在与第一像素PX-1的像素行不同的像素行中的第三像素PX-3以及设置在与第三像素PX-3相同的像素行中的第四像素PX-4围绕第二面板区域DP-TA设置。第一像素PX-1、第二像素PX-2、第三像素PX-3和第四像素PX-4设置在第二面板区域DP-TA外部。
在第n-1像素行PXLn-1中的第一像素PX-1与第二像素PX-2之间的间隔大于在第n-1像素行PXLn-1中的其它像素PX之间的间隔。在第n像素行PXLn中的第三像素PX-3与第四像素PX-4之间的间隔大于在第n像素行PXLn中的其它像素PX之间的间隔。
第n-1像素行PXLn-1可以包括交替地设置在第二方向DR2上的红色像素和蓝色像素。第n像素行PXLn可以包括绿色像素。奇数像素行和偶数像素行中的一个像素行可以具有与第n-1像素行PXLn-1的像素布置相同的像素布置，而奇数像素行和偶数像素行中的另一个像素行可以具有与第n像素行PXLn的像素布置相同的像素布置。红色像素、蓝色像素和绿色像素的发光区域PXA(见图6B)的面积可以彼此不同。
像素列的像素PX被示出为在第一方向DR1上对齐成一条线，但是示例性实施例不限于此。像素列的像素PX可以在第一方向DR1上以之字形方式布置。奇数像素行的像素PX可以布置在偶数像素行的像素PX之间。包括在一个像素列中的像素连接到相同的数据线就足够了。
图6B示出了包括驱动晶体管T1和有机发光二极管OLED的像素PX的剖面。
基体层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层形成在在制造显示面板DP时使用的支撑基底上。此后，导电层和绝缘层等形成在合成树脂层上。当去除支撑基底时，合成树脂层对应于基体层BL。
在一些示例性实施例中，电路元件层DP-CL可以包括作为无机层的缓冲膜BFL、第一中间无机层L10、第二中间无机层L20和第三中间无机层L30以及作为有机层的第一中间有机层L40和第二中间有机层L50。示例性地示出构成驱动晶体管T1的半导体图案SCP、控制电极GE、输入电极SE和输出电极DE的设置关系。第一通孔CH1、第二通孔CH2、第三通孔CH3和第四通孔CH4也以示例的方式示出。输入电极SE和输出电极DE通过第一通孔CH1和第二通孔CH2连接到半导体图案SCP。
如控制电极GE的情况，电容器CP的第一电容器电极CPE1设置在第一中间无机层L10上。电容器CP的第二电容器电极CPE2设置在第二中间无机层L20上。与控制电极GE叠置的上电极UE设置在第二中间无机层L20上。第二电容器电极CPE2和上电极UE可以电连接。第二电容器电极CPE2和上电极UE可以是一个导电图案的不同部分。
设置在第一中间有机层L40上的连接电极CNE通过第三通孔CH3连接到输出电极DE。设置在第二中间有机层L50上的第一电极AE通过第四通孔CH4连接到连接电极CNE。
显示元件层DP-OLED可以包括有机发光二极管OLED和像素限定膜(或层)PDL。像素限定膜PDL可以是有机层。
第一电极AE设置在第二中间有机层L50上。发光开口OP被限定在像素限定膜PDL中。像素限定膜PDL的发光开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。
第一面板区域DP-DA可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在一些示例性实施例中，发光区域PXA被限定为对应于第一电极AE的由发光开口OP暴露的部分。
空穴控制层HCL可以设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA两者中。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与发光开口OP对应的区域中。在一些示例性实施例中，发光层EML可以在像素PX的每个中单独地形成，但是示例性实施例不限于此。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可以产生一种或更多种预定颜色的光。
电子控制层ECL设置在发光层EML上。电子控制层ECL可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。可以在多个像素PX的全部中使用开口掩模来形成空穴控制层HCL和电子控制层ECL。第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE设置在多个像素PX的全部上。
上绝缘层TFL设置在第二电极CE上。上绝缘层TFL可以包括诸如至少一个无机膜和至少一个有机膜的多个薄膜。
图6C示出了根据一些示例性实施例的沿着图6A的剖面线I-I'截取的剖面。在图6C中，示意性地示出了有机发光二极管OLED，并且为了方便，未示出图6B的驱动晶体管T1和电容器CP。
具体地示出了上绝缘层TFL。在一些示例性实施例中，上绝缘层TFL可包括盖层CPL和薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可以包括第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2。
盖层CPL设置在第二电极CE上并与第二电极CE接触。盖层CPL可以包括有机材料。第一无机层IOL1设置在盖层CPL上并与盖层CPL接触。有机层OL设置在第一无机层IOL1上并与第一无机层IOL1接触。第二无机层IOL2设置在有机层OL上并与有机层OL接触。
盖层CPL保护第二电极CE免受后续工艺(例如，溅射工艺)的影响，并且提高有机发光二极管OLED的光发射效率。盖层CPL可以具有比第一无机层IOL1大的折射率。
第一无机层IOL1和第二无机层IOL2保护显示元件层DP-OLED免受污染物(例如，水、氧等(在下文中，被称为水/氧))的影响，并且有机层OL保护显示元件层DP-OLED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。第一无机层IOL1和第二无机层IOL2可以是氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层中的至少一种。在一些示例性实施例中，第一无机层IOL1和第二无机层IOL2可以包括氧化钛层和/或氧化铝层等。有机层OL可以包括但不限于丙烯酸有机层。
根据一些示例性实施例，无机层(例如，氟化锂(LiF)层(未示出))还可以设置在盖层CPL与第一无机层IOL1之间。LiF层可以提高有机发光二极管OLED的光发射效率。
在一些示例性实施例中，参照图6C，模块孔MH可以限定在第二面板区域DP-TA内部。换言之，从显示面板DP的底表面到显示面板DP的顶表面限定的开口对应于模块孔MH。在一些示例性实施例中，基体层BL的底表面对应于显示面板DP的底表面，第二无机层IOL2的顶表面对应于显示面板DP的顶表面。
凹进图案GV可以围绕模块孔MH设置。与模块孔MH不同，凹进图案GV不完全穿透显示面板DP。凹进图案GV可以沿着模块孔MH的边缘限定。在一些示例性实施例中，凹进图案GV被示出为围绕模块孔MH的闭合线，并且被示出为与模块孔MH的圆形形状相似的圆形形状。然而，这通过示例的方式来示出。凹进图案GV可以具有与模块孔MH的形状不同的形状，可以具有多边形、椭圆形、或至少部分包括曲线的闭合线的形状，或者还可以以包括多个部分断开的图案的形状设置，但是示例性实施例不限于此。
凹进图案GV穿透电路元件层DP-CL以延伸到形成在基体层BL中的凹槽。沉积图案EL-P可以设置在凹进图案GV内部。通过在有机发光二极管OLED的沉积工艺中在基体层BL的凹槽上沉积沉积材料来形成沉积图案EL-P。
沉积图案EL-P可以包括具有与发光层EML的材料相同的材料的层，以及具有与第二电极CE的材料相同的材料的层。沉积图案EL-P还可以包括具有与空穴控制层HCL的材料相同的材料的层，以及具有与电子控制层ECL的材料相同的材料的层。
覆盖沉积图案EL-P的第一无机层IOL1和第二无机层IOL2中的每个的一部分可以设置在凹进图案GV内部。第一无机层IOL1和第二无机层IOL2可以覆盖凹进图案GV的内表面。
凹进图案GV可以具有底切形状。当在剖视图中观察时，凹进图案GV在入口处比在内部处窄。第一中间有机层L40和第二中间有机层L50被凹进图案GV密封(或由凹进图案GV密封)。凹进图案GV可以阻挡可能流入有机发光二极管OLED、第一中间有机层L40和/或第二中间有机层L50中的湿气或空气。
基体层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL中的每个可以包括多个区域。例如，基体层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL中的每个可以包括第一区域至第四区域。在图6C中示出了电路元件层DP-CL的第一区域CLA1、第二区域CLA2和第三区域CLA3。
第一区域CLA1是其中设置有信号线(稍后将描述)和像素驱动电路CC的区域，并且可以对应于第一面板区域DP-DA。第二区域CLA2对应于第二面板区域DP-TA，并且可以是其中未设置信号线和像素驱动电路CC的区域。根据一些示例性实施例，第二区域CLA2可以是对应于模块孔MH的开口。
第三区域CLA3对应于第二面板区域DP-TA，并且围绕第二区域CLA2设置。信号线可以设置在第三区域CLA3中。信号线可以包括稍后将描述的第一连接线DML1和第二连接线DML2。像素驱动电路CC可以不设置在第三区域CLA3中。在一些示例性实施例中，凹进图案GV形成在第三区域CLA3中。
尽管在图6C中未示出，但是电路元件层DP-CL的第四区域可以是与图5B中所示的第三面板区域DP-BA对应的区域。扫描驱动电路GDC设置在电路元件层DP-CL的第四区域中。
图6D仅示出了图6A的第n-1像素行PXLn-1、第n像素行PXLn、第n+1像素行PXLn+1和第m像素列PXCm。另外示出了分别对应于第n-1像素行PXLn-1、第n像素行PXLn和第n+1像素行PXLn+1的扫描线GLn-1、GLn和GLn+1，以及分别对应于第n-1像素行PXLn-1、第n像素行PXLn、第n+1像素行PXLn+1的复位线RLn-1、RLn和RLn+1。另外，示出了连接到第m像素列PXCm的第m数据线DLm。
为了本公开的目的，像素行/列连接到信号线的描述具有与包括在像素行/列中的像素的像素驱动电路连接到信号线的描述相同的含义。这里，“n”和“m”是大于或等于2的自然数。至少因为参照图5C描述了像素与对应于像素的扫描线、复位线和数据线之间的连接关系，所以将不结合图6D给出详细描述。
给出的像素行的复位线可以接收与紧接在前的像素行的扫描线的信号相同的信号。给出的像素行的复位线可以在第三面板区域DP-BA中连接到紧接在前的像素行的扫描线。例如，第n复位线RLn可以接收与第n-1扫描线GLn-1的信号相同的信号，例如，第n-1扫描信号Sn-1。
给出的像素行的像素PX可以从紧接在后的像素行的扫描线接收扫描信号。在图6D中示意性地示出了图5C中所示的第七晶体管T7与第n+1扫描线GLn+1之间的连接关系。
参照图6D，连接线设置在第三区域CLA3中。第一连接线DML1连接给出的像素行的复位线和紧接在前的像素行的扫描线。第一连接线DML1可以被定义为行连接线。图6D中示出了多条第一连接线之中的用于将第n-1扫描线GLn-1连接到第n复位线RLn的第一连接线DML1以及用于将第n扫描线GLn连接到第n+1复位线RLn+1的第一连接线DML1。
扫描线GLn-1、GLn和GLn+1以及复位线RLn-1、RLn和RLn+1可以设置在与图6B中所示的控制电极GE的层相同的层上。第一连接线DML1可以设置在与扫描线GLn-1、GLn和GLn+1以及复位线RLn-1、RLn和RLn+1的层不同的层上。在一些示例性实施例中，第一连接线DML1可以设置在与图6B中所示的上电极UE的层的相同的层上。对应的复位线或扫描线通过穿透第二中间无机层L20的第一接触孔CTH1连接到第一连接线DML1。
扫描线GLn-1、GLn和GLn+1以及复位线RLn-1、RLn和RLn+1中的每个可以包括由第二面板区域DP-TA的相对侧间隔开的一侧线部分LPL和另一侧线部分LPR。一侧线部分LPL连接到给出的像素行的一侧像素PX，而另一侧线部分LPR连接到给出的像素行的另一侧像素PX。
第一连接线DML1连接给出的像素行的复位线的一侧线部分LPL和另一侧线部分LPR。另外，第一连接线DML1连接紧接在前的像素行的扫描线的一侧线部分LPL和另一侧线部分LPR。
第一连接线DML1可以减少布置在第三区域CLA3中的信号线的数目。随着第三区域CLA3的面积减小，非显示区域NDA的面积可以减小。另外，通过将第一连接线DML1设置在与扫描线GLn-1、GLn和GLn+1以及复位线RLn-1、RLn和RLn+1的层不同的层上，可以防止或至少减少由于静电引起的信号线开路故障。
在一些示例性实施例中，复位线和扫描线被描述为连接到第一连接线DML1的信号线，但信号线不限于此。如在图6A中所示的第一像素PX-1、第二像素PX-2、第三像素PX-3和第四像素PX-4的情况下，可以应用第一连接线DML1以将相同的信号传输到多个像素行。第一连接线DML1连接连接到第一像素PX-1的第一信号线、连接到第二像素PX-2的第二信号线、连接到第三像素PX-3的第三信号线和连接到第四像素PX-4的第四信号线。
对于同一像素行的诸如第一像素PX-1和第二像素PX-2的像素，经由第一连接线DML1传输的信号被施加到像素驱动电路CC(见例如，图5C)的彼此对应的晶体管。对于彼此不同的像素行的诸如第一像素PX-1和第三像素PX-3的像素，经由第一连接线DML1传输的信号可以被施加到像素驱动电路CC的彼此不同的晶体管。
第m数据线DLm可以设置在与图6B中所示的输入电极SE和输出电极DE的层的相同的层上。第二连接线DML2可以设置在与图6B中所示的连接电极CNE的层的相同的层上。对应的第m数据线DLm经由穿透第一中间有机层L40的第二接触孔CTH2连接到第二连接线DML2。第二连接线DML2可以被定义为列连接线。第二连接线DML2也可以被认为是第m数据线DLm的一部分。
第m数据线DLm可以包括由第二面板区域DP-TA的相对侧间隔开的一侧线部分LPU和另一侧线部分LPD。一侧线部分LPU连接到给出的像素列的一侧像素PX，而另一侧线部分LPD连接到给出的像素列的另一侧像素PX。
第二连接线DML2可以连接第m数据线DLm的一侧线部分LPU和另一侧线部分LPD。通过将第二连接线DML2设置在与第m数据线DLm的层不同的层上，可以防止或至少减少由于静电引起的信号线开路故障。
尽管未单独示出，但在一些示例性实施例中可以不形成模块孔MH。例如，模块孔MH可以不形成在基体层BL中。电路元件层DP-CL的绝缘层中的一个或更多个可以设置在第二区域CLA2中。然而，通过不将电路元件层DP-CL的导电图案设置在第二区域CLA2中，或通过不将显示元件层DP-OLED的一部分或全部设置在第二区域CLA2中，显示面板DP的对应于第二区域CLA2的一部分可以具有比显示面板DP的对应于第一区域CLA1和第三区域CLA3的其它部分大的透光率。
图7A是示出根据一些示例性实施例的输入传感器的剖视图。图7B是示出根据一些示例性实施例的图7A的输入传感器的平面图。图7C是示出根据一些示例性实施例的图7B的输入传感器的一部分的局部平面图。提供基体表面的上绝缘层TFL在图7A中示意性地示出。
如图7A中所示，输入传感器FM-1可以包括第一绝缘层IS-IL1、第一导电层IS-CL1、第二绝缘层IS-IL2、第二导电层IS-CL2和第三绝缘层IS-IL3。第一绝缘层IS-IL1可以直接设置在上绝缘层TFL上。在一些示例性实施例中可以省略第一绝缘层IS-IL1。
第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可以具有单层结构或在第三方向DR3上层叠的多层结构。多层结构的导电层可以包括透明导电层和/或金属层的至少两层。多层结构的导电层可以包括具有彼此不同的金属的金属层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)、金属纳米线和石墨烯中的至少一种。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝及它们的合金中的至少一种。例如，第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2可以均具有三层的金属层结构，例如，钛/铝/钛的三层结构。
第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个包括多个导电图案。在下文中，第一导电层IS-CL1被描述为包括第一导电图案，并且第二导电层IS-CL2被描述为包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括感测电极和连接到感测电极的信号线。感测电极可以是具有网格形状的不透明电极，其与诸如图6B中所示的非发光区域NPXA叠置并且不与诸如图6B中所示的发光区域PXA叠置。感测电极还可以是与发光区域PXA和非发光区域NPXA叠置的透明电极。
第一绝缘层IS-IL1、第二绝缘层IS-IL2和第三绝缘层IS-IL3中的每个可以包括无机材料或有机材料。在一些示例性实施例中，第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2可以是具有无机材料的无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。第三绝缘层IS-IL3可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯树脂、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和二萘嵌苯树脂中的至少一种。
如图7B中所示，输入传感器FM-1可以包括分别与图5B的第一面板区域DP-DA、第二面板区域DP-TA和第三面板区域DP-BA对应的感测区域IS-DA、第一非感测区域IS-TA和第二非感测区域IS-BA。
如图7B中所示，输入传感器FM-1可以包括第一电极组EG1、第二电极组EG2、连接到第一电极组EG1的一部分的第一信号线组SG1、连接到第一电极组EG1的另一部分的第二信号线组SG2以及连接到第二电极组EG2的第三信号线组SG3。
第一电极组EG1和第二电极组EG2彼此交叉。通过示例的方式示出了包括十个第一感测电极IE1-1至IE1-10的第一电极组EG1和包括八个第二感测电极IE2-1至IE2-8的第二电极组EG2。可以以互电容法和/或自电容法来感测外部输入。在第一时间段期间，以互电容方法计算(或以其它方式确定)外部输入的坐标，然后在第二时间段期间，可以以自电容方法重新计算(或以其它方式确定)外部输入的坐标。
第一电极组EG1的第一感测电极中的每个包括多个第一传感器SP1和多个第一连接器CP1。第二电极组EG2的第二感测电极中的每个包括多个第二传感器SP2和多个第二连接器CP2。第一电极组EG1和第二电极组EG2的电极的形状没有特别地限制。
第一连接器CP1可以由第一导电层IS-CL1形成。第一传感器SP1、第二传感器SP2和第二连接器CP2可以由第二导电层IS-CL2形成。第一连接器CP1可以经由穿透第二绝缘层IS-IL2的连接接触孔电连接到第一传感器SP1。
设置在同一层上的导电图案可以通过相同的工艺形成，可以包括相同的材料，并且可以具有相同的层叠结构。在此描述的输入传感器FM-1的元件的层叠顺序可以改变。在一些示例性实施例中，第一传感器SP1和第二连接器CP2可以直接设置在第一绝缘层IS-IL1上。覆盖第一传感器SP1和第二连接器CP2的第二绝缘层IS-IL2可以设置在第一绝缘层IS-IL1上。设置在第二绝缘层IS-IL2上的第一连接器CP1可以经由穿透第二绝缘层IS-IL2的连接接触孔电连接到第一传感器SP1。两层结构的输入传感器FM-1将被描述为示例，但输入传感器FM-1可以被改变为以自电容方法驱动的单层结构。
如图7C中所示，第一传感器SP1和第二传感器SP2可以具有网格形状。第一感测电极IE1-1至IE1-10中的一些和第二感测电极IE2-1至IE2-8中的一些可以关于第一非感测区域IS-TA被划分。
第一传感器SP1的两个被划分的组可以经由第一桥接线BL1连接。第一桥接线BL1可以由图7A的第二导电层IS-CL2形成。在一些示例性实施例中，第一桥接线BL1也可以通过添加单独的工艺来形成。第二传感器SP2的两个被划分的组可以经由第二桥接线BL2连接。第二桥接线BL2可以由图7A的第一导电层IS-CL1形成。在一些示例性实施例中，第二桥接线BL2也可以通过添加单独的工艺来形成。
第一桥接线BL1和第二桥接线BL2可以形成在与图6C的第三区域CLA3对应的区域中。第一非感测区域IS-TA的一部分可以对应于输入传感器FM-1的开口IS-OP。如图7C中所示，输入传感器FM-1的开口IS-OP可以具有比模块孔MH的面积大的面积。
图8A是示出根据一些示例性实施例的电子装置的分解透视图。图8B是示出根据一些示例性实施例的显示面板的一部分的放大平面图。图8C是示出根据一些示例性实施例的图8B的显示面板的一部分的放大剖视图。
参照图8A，电子装置ED包括至少两个信号通过区域TA1和TA2。电光模块ELM可以包括发光元件LS和光传感器PS。发光元件LS可以通过第一信号通过区域TA1发射红外线，并且光传感器PS可以通过第二信号通过区域TA2接收由外部物体反射的红外线。发光元件LS和光传感器PS可以执行近距离传感器的功能。发光元件LS和光传感器PS可以安装在电路板PCB上，或者可以通过柔性电路板电连接。在一些示例性实施例中，电光模块ELM还可以包括设置为与两个信号通过区域TA1和TA2对应的两个相机模块。
图8B仅示意性地示出了第n像素行PXLn。如图8B中所示，显示面板DP可以包括分别与两个信号通过区域TA1和TA2对应的两个第二面板区域DP-TA1和DP-TA2。电路元件层DP-CL(见例如，图6C)可以包括两个第二区域CLA2以便对应于两个第二面板区域DP-TA1和DP-TA2，以及四个第三区域CLA3以便对应于两个第二面板区域DP-TA1和DP-TA2。
电路元件层DP-CL还可以包括设置在两个相邻的第三区域CLA3之间的虚设区域CLA-D。虚设像素PX-D可以设置在虚设区域CLA-D中。信号线和虚设像素驱动电路可以设置在虚设区域CLA-D中。
虚设像素PX-D可以具有与像素PX的有机发光二极管OLED(见例如，图6B)的层叠结构不同的有机发光二极管OLED的层叠结构。如图8C中所示，虚设像素PX-D的有机发光二极管OLED可以不包括第一电极AE。在一些示例性实施例中，虚设像素PX-D的有机发光二极管OLED可以不包括第二电极CE，或者可以不包括发光层EML。
在一些示例性实施例中，虚设像素PX-D可以具有与像素PX的像素驱动电路CC的设计相同的像素驱动电路CC的设计。虚设像素PX-D的多个晶体管的等效电路可以与像素PX的多个晶体管的等效电路相同。在一些示例性实施例中，虚设像素PX-D还可以具有与像素PX的像素驱动电路CC不同的像素驱动电路CC。构成像素驱动电路CC的晶体管的数目可以不同，或者晶体管和信号线(例如，扫描线)可以断开。
图9A是示出根据一些示例性实施例的显示面板的剖视图。图9B是示出根据一些示例性实施例的图9A的显示面板的一部分的放大剖视图。
如图9A和图9B中所示，当与图5A中所示的显示面板DP相比时，显示面板DP不包括薄膜封装层TFE(见例如，图6C)。图9A和图9B的显示面板DP包括封装基底EC和密封构件SM。基体层BL可以包括玻璃基底。另外，基体层BL可以包括在可见光波长范围内具有基本恒定的折射率的基底。
封装基底EC可以是透明基底。封装基底EC可以包括玻璃基底。另外，封装基底EC可以包括在可见光波长范围内具有基本恒定的折射率的基底。密封构件SM可以将下显示基底(例如，基体层BL)结合到封装基底EC。密封构件SM可以沿着封装基底EC的边缘延伸。
限定在显示面板DP内部的间隙GP可以用空气或者一种或更多种惰性气体(在下文中，外部气体)填充。封装基底EC和密封构件SM可以防止(或至少减少)湿气渗透下显示基底。
密封构件SM可以包括诸如玻璃料的无机材料的粘合剂层。密封构件SM不限于此，并且可以包括有机材料的粘合剂层。至少因为在一些示例性实施例中显示面板DP可以被完全密封以免受外部影响，所以可以提高显示面板DP的强度，并且可以防止或至少减少发光元件的缺陷。
与图6C中所示的显示面板DP不同，图9A和图9B中的显示面板DP不具有限定在其中的模块孔MH。至少未沉积区域限定在图9A和图9B的显示面板DP中，所述未沉积区域与模块孔MH对应。未沉积区域可以对应于图6C的第二区域CLA2。
通过在未沉积区域中不设置电路元件层DP-CL的一部分或全部，或显示元件层DP-OLED的一部分或全部，未沉积区域可以具有比其它区域大的透光率。在一些示例性实施例中，示出了未沉积区域，使得电路元件层DP-CL的导电图案不设置在未沉积区域中，并且显示元件层DP-OLED的全部不设置在未沉积区域中。
图10A是示出根据一些示例性实施例的显示面板的平面图。图10B是示出根据一些示例性实施例的图10A的显示面板的一部分的放大平面图。图10C是示出根据一些示例性实施例的显示面板的一部分的放大平面图。在下文中，将不给出与图1至图9B中的至少一个图中描述的组件相同的组件的详细描述。
如图10A中所示，显示面板DP包括第一扫描驱动电路GDC1和第二扫描驱动电路GDC2，并且第一面板区域DP-DA设置在第一扫描驱动电路GDC1与第二扫描驱动电路GDC2之间。
第一扫描驱动电路GDC1可以与参照图1至图9B描述的扫描驱动电路GDC相同。第二扫描驱动电路GDC2电连接到被第二面板区域DP-TA划分的像素行。第二扫描驱动电路GDC2连接到与被第二面板区域DP-TA划分的像素行连接的行信号线。
如图10B中所示，行信号线可以包括一侧扫描线S-LPL，该一侧扫描线S-LPL连接到被划分的像素行PXLn-1、PXLn和PXLn+1中的每个的一侧像素，并且连接到第一扫描驱动电路GDC1。行信号线可以包括另一侧扫描线S-LPR，该另一侧扫描线S-LPR连接到被划分的像素行PXLn-1、PXLn和PXLn+1中的每个的另一侧像素，并且连接到第二扫描驱动电路GDC2。连接到第n像素行PXLn的一侧扫描线S-LPL和另一侧扫描线S-LPR构成第n扫描线GLn(见例如，图6D)。行信号线还可以包括一侧复位线R-LPL和另一侧复位线R-LPR。
行信号线S-LPL、S-LPR、R-LPL和R-LPR的端部被示出为与第三区域CLA3叠置，但是示例性实施例不限于此。例如，行信号线S-LPL、S-LPR、R-LPL和R-LPR的端部可以不与第三区域CLA3叠置。
第一扫描驱动电路GDC1和第二扫描驱动电路GDC2将彼此同步的扫描信号分别输出到彼此对应的一侧扫描线S-LPL和另一侧扫描线S-LPR。第一扫描驱动电路GDC1和第二扫描驱动电路GDC2将彼此同步的复位信号分别输出到彼此对应的一侧复位线R-LPL和另一侧复位线R-LPR。
如图10C中所示，行信号线还可以包括设置在第三区域CLA3中的多条第一连接线DML1。第一连接线DML1可以将连接到第n-1像素行PXLn-1的一侧扫描线S-LPL连接到与第n像素行PXLn连接的一侧复位线R-LPL。第一连接线DML1可以将连接到第n-1像素行PXLn-1的另一侧扫描线S-LPR连接到与第n像素行PXLn连接的另一侧复位线R-LPR。图10C中所示的两条第一连接线DML1可以与图6D中所示的一条第一连接线DML1相同，但被划分为两部分。根据关于图10C描述的一些示例性实施例，信号线的电阻可以减小，并且因此可以减少信号延迟现象(例如，电阻-电容(RC)延迟)。
根据各种示例性实施例，电子装置可以提供大的显示区域和小的非显示区域。例如，可以减小作为非显示区域的第二面板区域的面积。通过减少设置在电路元件层的第三区域中的信号线的数目，第三区域的面积可以变得更小。此外，通过在与扫描线和复位线的层不同的层上设置连接线，可以防止由于静电引起的信号线开路故障。
尽管在此已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其它实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求和对本领域普通技术人员来说将明显的各种明显的修改和等同布置的更广泛的范围。

Claims (29)

1.一种电子装置，所述电子装置包括：
显示面板，所述显示面板包括：第一面板区域，在所述第一面板区域中设置有第n-1像素行和第n像素行，“n”是自然数；以及第二面板区域，至少将所述第n像素行划分为至少两个部分，所述第二面板区域被构造为允许光信号的传播，
其中，所述显示面板包括：基体层；电路元件层，设置在所述基体层上，所述电路元件层包括信号线和像素驱动电路；以及显示元件层，设置在所述电路元件层上，所述显示元件层包括显示元件，
其中，所述电路元件层包括：第一区域，在所述第一区域中设置有所述信号线和所述像素驱动电路；第二区域，对应于所述第二面板区域，其中，所述信号线和所述像素驱动电路不设置在所述第二区域中；以及第三区域，对应于所述第二面板区域并且沿着所述第二区域的外围设置，所述信号线设置在所述第三区域中，并且
其中，所述信号线包括：第n-1扫描线，连接到所述第n-1像素行；第n复位线，连接到所述第n像素行；以及第一行连接线，连接所述第n-1扫描线和所述第n复位线，所述第一行连接线设置在所述第三区域中。
2.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括：
电光模块，被构造为发送或接收所述光信号，
其中，所述电光模块与所述第二区域叠置。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
所述第n-1扫描线和所述第n复位线设置在同一层中；以及
所述第n-1扫描线和所述第一行连接线设置在彼此不同的层中。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
所述像素驱动电路包括：驱动晶体管，电连接到所述显示元件；以及
电容器，电连接到所述驱动晶体管；
所述驱动晶体管包括：半导体图案；控制电极，与所述半导体图案叠置；输入电极，连接到所述半导体图案；以及输出电极，连接到所述半导体图案；并且
所述电容器包括：第一电容器电极，设置在与所述控制电极的层相同的层中；以及第二电容器电极，与所述第一电容器电极相对，所述第二电容器电极设置在与所述控制电极的层不同的层中。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第n-1扫描线和所述第n复位线设置在与所述控制电极的层相同的层中。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第一行连接线设置在与所述第二电容器电极的层相同的层中。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
所述第n像素行包括：一侧像素，与所述第二面板区域的一侧相邻；以及另一侧像素，与所述第二面板区域的另一侧相邻；
所述第n复位线包括：一侧线部分，连接到所述一侧像素，所述一侧线部分与所述第二面板区域的所述一侧相邻；以及另一侧线部分，连接到所述另一侧像素，所述另一侧线部分与所述一侧线部分间隔开；并且
所述第一行连接线连接所述一侧线部分和所述另一侧线部分。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
所述显示面板还包括第n+1像素行；并且
所述信号线还包括：第n扫描线，连接到所述第n像素行；第n+1复位线，连接到所述第n+1像素行；以及第二行连接线，连接所述第n扫描线和所述第n+1复位线，所述第二行连接线设置在所述第三区域中。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述第n扫描线电连接到所述第n-1像素行。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二面板区域包括从所述显示面板的底表面到所述显示面板的顶表面限定的开口。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二区域包括延伸穿过所述电路元件层的开口。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述像素驱动电路不设置在所述第三区域中。
13.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括：
窗，设置在所述显示面板上；以及
光学膜，设置在所述窗和所述显示面板之间，
其中，所述光学膜包括对应于所述第二面板区域的开口。
14.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
所述第二面板区域是多个第二面板区域中的一个，所述多个第二面板区域的数目是至少两个；
所述第二区域是所述电路元件层中的多个第二区域中的一个，所述多个第二区域的数目是至少两个，使得所述至少两个第二区域对应于所述至少两个第二面板区域；并且
所述第三区域是所述电路元件层中的多个第三区域中的一个，所述多个第三区域的数目是至少两个，使得所述至少两个第三区域对应于所述至少两个第二面板区域。
15.根据权利要求14所述的电子装置，其中，所述电路元件层还包括设置在所述至少两个第三区域之间的虚设区域。
16.根据权利要求15所述的电子装置，其中：
所述电路元件层还包括在所述虚设区域中设置的虚设像素驱动电路；并且
所述像素驱动电路和所述虚设像素驱动电路包括具有相同构造的多个晶体管。
17.根据权利要求15所述的电子装置，其中：
所述显示元件层还包括虚设显示元件；
所述虚设显示元件设置在所述虚设区域中；并且
所述显示元件的层叠结构和所述虚设显示元件的层叠结构彼此不同。
18.一种电子装置，所述电子装置包括：
显示面板，所述显示面板包括第一面板区域和具有比所述第一面板区域的透光率大的透光率的第二面板区域，其中，所述第一面板区域包括：第一像素；第二像素，设置在与所述第一像素的像素行相同的像素行中；第三像素，设置在与所述第一像素和所述第二像素的所述像素行不同的像素行中；以及第四像素，设置在与所述第三像素的所述像素行相同的像素行中，并且其中，所述第一像素、所述第二像素，所述第三像素和所述第四像素设置在所述第二面板区域外部；以及
光学膜，设置在所述显示面板上，
其中，所述显示面板包括：电路元件层，包括信号线；以及像素驱动电路，被构造为分别驱动所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素，
其中，所述电路元件层包括：第一区域，在所述第一区域中设置有所述信号线和所述像素驱动电路；第二区域，对应于所述第二面板区域，所述信号线和所述像素驱动电路设置在所述第二区域外部；以及第三区域，沿着所述第二区域的外围设置，所述信号线设置在所述第三区域中，并且
其中，所述信号线包括设置在所述第三区域中的连接线，所述连接线电连接到所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素。
19.根据权利要求18所述的电子装置，其中：
所述像素驱动电路包括相同构造的晶体管；
所述晶体管包括：第一晶体管；以及第二晶体管，与所述第一晶体管不同；并且
所述连接线被构造为向所述第一像素和所述第二像素的所述第一晶体管并且向所述第三像素和所述第四像素的所述第二晶体管提供信号。
20.根据权利要求18所述的电子装置，其中：
所述电路元件层还包括：绝缘层；以及第一信号线、第二信号线、第三信号线和第四信号线，设置在与所述连接线的层不同的层上，所述绝缘层设置在所述连接线与所述第一信号线、所述第二信号线、所述第三信号线与所述第四信号线中的每个之间；
所述第一信号线连接到所述第一像素；
所述第二信号线连接到所述第二像素；
所述第三信号线连接到所述第三像素；并且
所述第四信号线连接到所述第四像素。
21.根据权利要求18所述的电子装置，其中，所述光学膜包括与所述第二面板区域对应的开口。
22.一种电子装置，所述电子装置包括：
显示面板，所述显示面板包括：第一面板区域，在所述第一面板区域中设置有第n-1像素行和第n像素行，“n”是自然数；第二面板区域，至少将所述第n像素行划分为至少两个部分，所述第二面板区域被构造为允许光信号的传播；以及第三面板区域，设置在所述第一面板区域和所述第二面板区域外部，
其中，所述显示面板包括：基体层；电路元件层，设置在所述基体层上，所述电路元件层包括行信号线、列信号线、像素驱动电路、第一扫描驱动电路和第二扫描驱动电路；以及显示元件层，设置在所述电路元件层上，所述显示元件层包括显示元件，
其中，所述电路元件层包括：第一区域，在所述第一区域中设置有所述行信号线、所述列信号线和所述像素驱动电路；第二区域，对应于所述第二面板区域，所述行信号线、所述列信号线和所述像素驱动电路设置在所述第二区域外部；第三区域，设置在所述第二区域的外围上，至少所述列信号线设置在所述第三区域中；第四区域，对应于所述第三面板区域，所述第一扫描驱动电路设置在所述第四区域中；以及第五区域，对应于所述第三面板区域，所述第二扫描驱动电路设置在所述第五区域中，
其中，所述第一区域设置在所述第四区域与所述第五区域之间，
其中，所述第n-1像素行和所述第n像素行中的每个包括：一侧像素，与所述第二面板区域的一侧相邻；以及另一侧像素，与所述第二面板区域的另一侧相邻，并且
其中，所述行信号线包括：第n-1一侧扫描线，连接到所述第n-1像素行的所述一侧像素和所述第一扫描驱动电路；第n-1另一侧扫描线，连接到所述第n-1像素行的所述另一侧像素和所述第二扫描驱动电路；第n一侧复位线，连接到所述第n像素行的所述一侧像素和所述第一扫描驱动电路；以及第n另一侧复位线，连接到所述第n像素行的所述另一侧像素和所述第二扫描驱动电路。
23.根据权利要求22所述的电子装置，所述电子装置还包括：
电光模块，被构造为发送或接收所述光信号，
其中，所述电光模块与所述第二区域叠置。
24.根据权利要求22所述的电子装置，其中，所述行信号线还包括在所述第三区域中设置的连接线，所述连接线连接所述第n-1一侧扫描线和所述第n一侧复位线。
25.根据权利要求24所述的电子装置，其中：
所述第n-1一侧扫描线和所述第n一侧复位线设置在同一层中；并且
所述第n-1一侧扫描线和所述连接线设置在彼此不同的层中。
26.根据权利要求24所述的电子装置，其中：
所述像素驱动电路包括：驱动晶体管，电连接到所述显示元件；以及电容器，电连接到所述驱动晶体管；
所述驱动晶体管包括：半导体图案；控制电极，与所述半导体图案叠置；输入电极，连接到所述半导体图案；以及输出电极，连接到所述半导体图案；并且
所述电容器包括：第一电容器电极，设置在与所述控制电极的层相同的层中；以及第二电容器电极，与所述第一电容器电极相对，所述第二电容器电极设置在与所述控制电极的层不同的层中。
27.根据权利要求26所述的电子装置，其中：
所述第n-1一侧扫描线和所述第n一侧复位线设置在与所述控制电极的层相同的层中；并且
所述连接线设置在与所述第二电容器电极的层相同的层中。
28.根据权利要求22所述的电子装置，其中：
所述显示面板还包括第n+1像素行；
所述第n+1像素行包括：一侧像素，与所述第二面板区域的所述一侧相邻；以及另一侧像素，与所述第二面板区域的所述另一侧相邻；并且
所述行信号线还包括：第n一侧扫描线，连接到所述第n像素行的所述一侧像素和所述第一扫描驱动电路；第n另一侧扫描线，连接到所述第n像素行的所述另一侧像素和所述第二扫描驱动电路；第n+1一侧复位线，连接到所述第n+1像素行的所述一侧像素和所述第一扫描驱动电路；第n+1另一侧复位线，连接到所述第n+1像素行的所述另一侧像素和所述第二扫描驱动电路；以及连接线，设置在所述第三区域中，所述连接线连接所述第n一侧扫描线和所述第n+1一侧复位线。
29.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一面板区域，在所述第一面板区域中设置有第n-1像素行、第n像素行、连接到所述第n-1像素行的第n-1扫描线、连接到所述第n-1像素行的第n-1复位线、连接到所述第n像素行的第n扫描线以及连接到所述第n像素行的第n复位线，“n”是自然数；以及
第二面板区域，至少将所述第n像素行划分为至少两个部分，
其中，所述第二面板区域包括：开口；以及周围区域，沿着所述开口的外围设置，连接线连接设置在所述周围区域中的所述第n-1扫描线和所述第n复位线。
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