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CN111221188A - 一种显示面板 - Google Patents

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CN111221188A
CN111221188A CN202010065315.XA CN202010065315A CN111221188A CN 111221188 A CN111221188 A CN 111221188A CN 202010065315 A CN202010065315 A CN 202010065315A CN 111221188 A CN111221188 A CN 111221188A
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orthogonal projection
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李利霞
易宁波
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种显示面板，其包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括第一基板和阵列分布于所述第一基板上的多个像素单元；其中，所述像素单元包括设置于所述第一基板上的栅极以及位于所述栅极上方的像素电极，所述栅极包括靠近所述像素电极设置的第一边缘部，所述像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一边缘部在所述第一基板上的正投影。利用像素电极对栅极的边缘部位进行遮挡，并利用像素电极有效屏蔽栅极的边缘部位与共通电极之间的电场，从而防止栅极与共通电极之间的压差导致液晶发生偏转而导致漏光，提高显示品质，同时可以减小黑色矩阵的面积，以提升像素开口率和穿透率。

Description

一种显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
目前，液晶显示面板一般包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，阵列基板上设置有栅极，彩膜基板上设置有彩膜电极，彩膜基板与阵列基板之间设置液晶层。
在传统像素设计中，由于栅极与共通电极之间存在压差，栅极与共通电极之间的压差容易导致液晶发生偏转而产生漏光，影响显示品质。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板，以解决由于栅极与共通电极之间存在压差，栅极与共通电极之间的压差容易导致液晶发生偏转而产生漏光，影响显示品质的技术问题。
一种显示面板，其包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层；所述阵列基板包括第一基板和阵列分布于所述第一基板上的多个像素单元；
其中，所述像素单元包括设置于所述第一基板上的栅极以及位于所述栅极上方的像素电极，所述栅极包括靠近所述像素电极设置的第一边缘部，所述像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一边缘部在所述第一基板上的正投影。
在一些实施例中，所述彩膜基板包括第二基板和设置于所述第二基板靠近所述阵列基板的一侧上的黑色矩阵，所述黑色矩阵在所述第一基板上的正投影与所述第一边缘部在所述第一基板上的正投影不重合。
在一些实施例中，所述像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述栅极在所述第一基板上的正投影。
在一些实施例中，所述像素电极包括相互独立的主像素电极和次像素电极，所述主像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一边缘部在所述第一基板上的正投影。
在一些实施例中，所述栅极包括与所述第一边缘部背向设置的第二边缘部，所述次像素电极在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影不重合。
在一些实施例中，所述黑色矩阵在所述第一基板上的正投影覆盖所述第二边缘部在所述第一基板上的正投影。
在一些实施例中，所述栅极包括与所述第一边缘部背向设置的第二边缘部，所述次像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述第二边缘部在所述第一基板上的正投影。
在一些实施例中，所述主像素电极在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影的重叠面积大于所述次像素电极在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影的重叠面积。
在一些实施例中，所述主像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述栅极在所述第一基板上的正投影。
在一些实施例中，所述黑色矩阵在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影不重合。
有益效果：利用像素电极对栅极的边缘部位进行遮挡，并利用像素电极有效屏蔽栅极的边缘部位与共通电极之间的电场，从而防止栅极与共通电极之间的压差导致液晶发生偏转而导致漏光，提高显示品质，同时可以减小黑色矩阵的面积，以提升像素开口率和穿透率，而将主像素电极与栅极重叠设置时，还可以均衡主区的最佳公共电压与次区的最佳公共电压，防止产生串扰及图像残留等问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请第一种实施方式中显示面板的结构示意图；
图2为本申请第二种实施方式中显示面板的结构示意图；
图3为本申请第三种实施方式中显示面板的结构示意图；
图4为本申请一实施方式中显示面板的像素架构的示意图；
图5为本申请第四种实施方式中显示面板的结构示意图；
图6为本申请第五种实施方式中显示面板的结构示意图。
附图标记：
10、阵列基板；11、第一基板；12、栅极；121、第一边缘部；122、第二边缘部；13、栅极绝缘层；14、像素电极；141、主像素电极；142、次像素电极；15、主区；16、次区；
20、彩膜基板；21、第二基板；22、黑色矩阵；23、共通电极；
30、液晶层；41、第一连接线；42、第二连接线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的液晶显示面板中，由于栅极与共通电极之间存在压差，栅极与共通电极之间的压差容易导致液晶发生偏转而产生漏光，影响显示品质的技术问题。本发明可以解决上述问题。
一种显示面板，如图1所示，所述显示面板包括相对设置的阵列基板10和彩膜基板20，所述阵列基板10和所述彩膜基板20之间设置有液晶层30。
具体的，所述阵列基板10包括第一基板11和阵列分布于所述第一基板11上的多个像素单元；所述彩膜基板20包括第二基板21以及设置于所述第二基板21靠近所述阵列基板10的一侧上的共通电极23。
具体的，所述像素单元包括设置于所述第一基板11上的栅极12以及位于所述栅极12上方的像素电极14，所述第一基板11上还设置有覆盖栅极12的栅极绝缘层13，像素电极14位于栅极绝缘层13上方。
其中，所述栅极12包括靠近所述像素电极14设置的第一边缘部121，所述像素电极14在所述第一基板11上的正投影覆盖所述第一边缘部121在所述第一基板11上的正投影。
需要说明的是，对于本领域技术人员可知，栅极12由不透明的金属材料形成，利用像素电极14可以有效屏蔽栅极12的第一边缘部121与共通电极23之间的电场，同时结合栅极12本身的不透光性，从而防止栅极12与彩膜基板20上的共通电极23之间的压差导致液晶发生偏转而导致漏光。
具体的，所述彩膜基板20还包括设置于所述第二基板21靠近所述阵列基板10的一侧上的黑色矩阵22，所述黑色矩阵22位于所述共通电极23与所述第二基板21之间。
在第一种实施方式中，所述黑色矩阵22在所述第一基板11上的正投影与所述第一边缘部121在所述第一基板11上的正投影不重合。
利用像素电极14对栅极12的边缘部位进行遮光，从而无需在栅极12的边缘部位的正上方设置黑色矩阵22，减少黑色矩阵22的面积，提高像素开口率和穿透率。
在第二种实施方式中，如图2所示，所述像素电极14在所述第一基板11上的正投影覆盖所述栅极12在所述第一基板11上的正投影。
进一步的，所述黑色矩阵22在所述第一基板11上的正投影与所述栅极12在所述第一基板11上的正投影不重合。进一步减小黑色矩阵22的面积，以提高像素开口率和穿透率。
如图3所示，所述像素电极14包括相互独立的主像素电极141和次像素电极142，所述像素单元具有主区15和次区16，所述主像素电极141位于所述主区15，所述次像素电极142位于所述次区16。
其中，所述主区15和次区16均可以包括至少4个畴区，一个所述显示单元内所述主区15的4个畴区与所述次区16的4个畴区中液晶分子的转动角度不一样，从而可以改善色偏，能够满足更多的视角需求。
具体的，所述第一边缘部121位于所述栅极12靠近所述主像素电极141的一侧；所述主像素电极141在所述第一基板11上的正投影覆盖所述第一边缘部121在所述第一基板11上的正投影。
对于本领域技术人员可知，采用多畴区像素架构的显示面板中，像素单元所需要的公共电极电压为最佳公共电压，而主区15的最佳公共电压与次区16的最佳公共电压不一样时，会存在串扰及图像残留等问题。
如图4所示，所述显示面板还包括沿横向设置的多条扫描线gate以及沿纵向设置的多条数据线data，多条扫描线gate沿纵向间隔排布，多条数据线data沿横向间隔排布，每一所述扫描线gate与一行所述像素单元对应，每一所述数据线data与一列扫描线gate对应。
以每个像素单元包括8个畴区和3个薄膜晶体管为例，所述显示单元包括位于主区15的第一连接线41和第一晶体管T1，第一晶体管T1的栅极与扫描线gate电连接，源极与数据线data电连接，漏极与第一连接线41电连接；第一连接线41与共通电极23之间串联主区液晶电容Clc1，第一连接线41与公共电极Acom之间串联主区存储电容Cst1，第一连接线41与扫描线gate之间串联有第一寄生电容C1和第二寄生电容C2，第一寄生电容C1和第二寄生电容C2并联设置。
所述显示单元还包括位于所述次区16的第二连接线42、第二晶体管T2和共享晶体管T3，所述第二晶体管T2的栅极与扫描线gate电连接，源极与数据线data电连接，漏极通过第二连接线42与共享晶体管T3的源极电连接，共享晶体管T3的漏极与共享电极Sharecom电连接；第二连接线42与共通电极23之间串联次区液晶电容Clc2，第二连接线42与公共电极Acom之间串联次区存储电容Cst2，第二连接线42与扫描线gate之间串联第三寄生电容C3和第四寄生电容C4，第三寄生电容C3和第四寄生电容C4并联设置。
需要说明的是，主区液晶电容Clc1、主区存储电容Cst1、次区液晶电容Clc2和次区存储电容Cst2的两极通常分别对应像素电极14(或与像素电极14电位相同的存储电极)和公共电极Acom。
主像素电极141与栅极12未重叠设置时，此时主区15仅存在第一寄生电容C1，而第一寄生电容C1的电容值小于第三寄生电容C3的电容值和第四寄生电容C4的电容值之和，因此会导致主区15的寄生电容的电容值小于次区16的寄生电容的电容值，从而导致主区15的馈通电压小于次区16的馈通电压，进一步导致主区15的最佳公共电压与次区16的最佳公共电压不一样，从而会存在串扰及图像残留等问题。
而通过将主像素电极141与栅极12的第一边缘部121重叠设置，利用主像素电极141对栅极12的边缘部位进行遮光，同时主像素电极141与栅极12的第一边缘部121之间形成的第二寄生电容C2可以增大主区15的寄生电容的电容值，从而均衡主区15的最佳公共电压与次区16的最佳公共电压，防止产生串扰及图像残留等问题。
具体的，所述栅极12还包括与所述第一边缘部121背向设置的第二边缘部122。
在第三种实施方式中，所述次像素电极142在所述第一基板11上的正投影与所述栅极12在所述第一基板11上的正投影不重合。
进一步的，所述黑色矩阵22在所述第一基板11上的正投影覆盖所述第二边缘部122在所述第一基板11上的正投影。
防止次像素电极142与栅极12之间形成的电容使得次区16的寄生电容增大导致主区15的最佳公共电压和次区16的最佳公共电压不一样，同时利用主像素电极141和黑色矩阵22分别对栅极12的两侧进行挡光，避免产生漏光。
在第四种实施方式中，如图5所示，所述次像素电极142在所述第一基板11上的正投影覆盖所述第二边缘部122在所述第一基板11上的正投影。
进一步的，所述黑色矩阵22在所述第一基板11上的正投影与所述栅极12在所述第一基板11上的正投影不重合。
利用次像素电极142对栅极12的第二边缘部122进行遮光，从而无需在栅极12正上方设置黑色矩阵22，减小黑色矩阵22的面积，提供像素开口率和穿透率。
进一步的，所述主像素电极141在所述第一基板11上的正投影与所述栅极12在所述第一基板11上的正投影的重叠面积为S1，所述次像素电极142在所述第一基板11上的正投影与所述栅极12在所述第一基板11上的正投影的重叠面积为S2，S1大于S2。
利用主像素电极141和次像素电极142对栅极12的边缘部位进行遮光，同时通过将主像素电极141与栅极12的重叠面积设置成大于次像素电极142与栅极12的重叠面积，以使得主区15的寄生电容的增量大于次区16的寄生电容的增量，便于最佳公共电压的调整。
在第五种实施方式中，如图6所示，所述主像素电极141在所述第一基板11上的正投影覆盖所述栅极12在所述第一基板11上的正投影。
进一步的，所述黑色矩阵22在所述第一基板11上的正投影与所述栅极12在所述第一基板11上的正投影不重合。
增大主区15的寄生电容，同时利用主像素电极141对栅极12的边缘部位进行遮光，减少黑色矩阵22的面积。
本发明的有益效果为：利用像素电极14对栅极12的边缘部位进行遮挡，并利用像素电极14有效屏蔽栅极12的边缘部位与共通电极23之间的电场，从而防止栅极12与共通电极23之间的压差导致液晶发生偏转而导致漏光，提高显示品质，同时可以减小黑色矩阵22的面积，以提升像素开口率和穿透率，而将主像素电极141与栅极12重叠设置时，还可以均衡主区15的最佳公共电压与次区16的最佳公共电压，防止产生串扰及图像残留等问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层；所述阵列基板包括第一基板和阵列分布于所述第一基板上的多个像素单元；
其中，所述像素单元包括设置于所述第一基板上的栅极以及位于所述栅极上方的像素电极，所述栅极包括靠近所述像素电极设置的第一边缘部，所述像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一边缘部在所述第一基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括第二基板和设置于所述第二基板靠近所述阵列基板的一侧上的黑色矩阵，所述黑色矩阵在所述第一基板上的正投影与所述第一边缘部在所述第一基板上的正投影不重合。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述栅极在所述第一基板上的正投影。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括相互独立的主像素电极和次像素电极，所述主像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一边缘部在所述第一基板上的正投影。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述栅极包括与所述第一边缘部背向设置的第二边缘部，所述次像素电极在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影不重合。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述黑色矩阵在所述第一基板上的正投影覆盖所述第二边缘部在所述第一基板上的正投影。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述栅极包括与所述第一边缘部背向设置的第二边缘部，所述次像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述第二边缘部在所述第一基板上的正投影。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述主像素电极在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影的重叠面积大于所述次像素电极在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影的重叠面积。
9.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述主像素电极在所述第一基板上的正投影覆盖所述栅极在所述第一基板上的正投影。
10.根据权利要求3或7或9所述的显示面板，其特征在于，所述黑色矩阵在所述第一基板上的正投影与所述栅极在所述第一基板上的正投影不重合。
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