CN111215766A - SiC晶片制造方法 - Google Patents
SiC晶片制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111215766A CN111215766A CN201911367656.6A CN201911367656A CN111215766A CN 111215766 A CN111215766 A CN 111215766A CN 201911367656 A CN201911367656 A CN 201911367656A CN 111215766 A CN111215766 A CN 111215766A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sic
- gas
- sic wafer
- ingot
- radiation path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 74
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 72
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- -1 silicon carbide compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种SiC晶片制造方法，其包括如下步骤：(1)预备SiC晶锭；(2)设置激光辐射路径；(3)提供气源；(4)分离。本发明提供的方法步骤简洁，易于实现，合理设置由外而内的激光辐射路径，为气体的进入提供及时、有效地通道；在SiC晶锭被激光辐照时，引入气体发生器，为副产物的移除提供源源不断的气体式动力和反应气源，有效加速SiC分离层的激光烧蚀与分解，同时气体与副产物中的碳等化学反应以及配合物理吹扫移除副产物，避免出现已分解产物重新结晶滞留以及已分解产物阻碍激光再烧蚀分离层的现象，实现SiC晶片快速从SiC晶锭中分离出来。
Description
技术领域
本发明涉及SiC晶片制造技术领域，具体涉及一种SiC晶片制造方法。
背景技术
作为第三代宽禁带半导体材料之一，碳化硅(SiC)具有宽带隙、高热导率、高饱和电子迁移率及强抗辐射能力等优异性能，在电力电子器件、射频微波器件等领域有着巨大的应用潜力。
制作SiC器件需要SiC晶片。一般地，SiC晶片是从圆柱状的SiC晶锭切割得到；而在这一工序中，SiC晶锭的大部分材料被浪费，增加了制造成本。该工序引入激光技术后，出现了一些改良方法。
如公开号“CN 108447783 A”，名称为“SiC晶片的生成方法”公开了一种SiC晶片的生成方法，用激光聚焦在单晶SiC晶锭的内部，形成剥离层，同时借助超声波技术，实现SiC晶片从SiC晶锭剥离。
公开号“CN 102947493 B”，名称为“用于分离衬底晶片的方法”公开了一种用于分离衬底晶片的方法，在半导体单晶体分离半导体层的过程中，先借助激光辐照分离面，后使用选择性刻蚀(包含酸液或碱液的湿法刻蚀)移除已改性的分离面，从而得到薄单晶半导体层。
中国专利CN 105899325 B，名称为“借助于激光处理和温度诱导的应力的组合的晶片制造法”公开了一种借助于激光处理和温度诱导的应力的组合的晶片制造法，用激光辐照固体内部产生缺陷层，再使目标分离层的温度低于原固体温度，实现目标分离层的自分离。
虽然上述方法能实现SiC晶片从SiC晶锭剥离，但是在SiC激光辐照工艺中，单晶SiC被激光辐照后，会生成无定型碳硅化合物、硅以及碳等产物。因此，已分解产物的滞留势必影响SiC分离层的激光烧蚀与分解，从而阻碍SiC晶片的分离。
发明内容
针对上述的不足，本发明目的在于，提供一种采用由外而内的激光辐射路径并配合气流加速SiC分离层的激光烧蚀与分解，实现SiC晶片快速分离的SiC晶片制造方法。
本发明为实现上述目的，所提供的技术方案是：一种SiC晶片制造方法，其包括如下步骤：
一种SiC晶片制造方法，其包括如下步骤：
(1)预备SiC晶锭：预备SiC晶锭，所述SiC晶锭至少包含待分离的SiC晶片，以及SiC晶锭分离SiC晶片后的SiC余料，其中SiC晶片与SiC余料通过分离层结合；
(2)设置激光辐射路径：设置激光在SiC晶锭上的辐射路径，将激光的聚光点定位在分离层上，所述激光对SiC晶锭具有透过性的波长，所述辐射路径沿着SiC晶锭的外围区域向中心区域的方向；由外而内的激光辐射路径，为气体的进入提供及时、有效地通道；
(3)提供气源：引入气体发生器，气体发生器产生一定流速的气体吹向分离层，所述气体至少包含氧元素；气体发生器能为副产物的移除提供源源不断的气体式动力和反应气源；
(4)分离：SiC晶片与SiC余料分离，制得SiC晶片。
作为本发明的一种优选方案，所述激光的激光光子的能量小于SiC晶体带隙值对应的能量。
作为本发明的一种优选方案，所述气体的流速大于或等于1mL/min。
作为本发明的一种优选方案，所述气体发生器的数量可以为一个或多个，当气体发生器的数量为一个时，所述气体发生器优选为移动式气体发生器，可以与激光协同移动。当所述气体发生器的数量为多个时，可以呈圆心对称设置在SiC晶锭的周边位置，所述气体发生器可以为移动式气体发生器或者固定式气体发生器。
作为本发明的一种优选方案，所述辐射路径为以环形、螺旋形或其它或不规则的图形路径按由外围区域向中心区域方向移动。
本发明的有益效果为：本发明提供的方法步骤简洁，易于实现，合理设置由外而内的激光辐射路径，为气体的进入提供及时、有效地通道；在SiC晶锭被激光辐照时，引入气体发生器，为副产物的移除提供源源不断的气体式动力和反应气源，有效加速SiC分离层的激光烧蚀与分解，同时气体与副产物中的碳等化学反应以及配合物理吹扫移除副产物，避免出现已分解产物重新结晶滞留以及已分解产物阻碍激光再烧蚀分离层的现象，实现SiC晶片快速从SiC晶锭中分离出来。
下面结构附图与实施例对本发明作进一步说明。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图。
图2为SiC晶锭侧视示意图。
图3为本发明的激光辐射路径的示意图。
图4为本发明的激光辐射路径为环形的示意图。
图5为本发明的激光辐射路径为螺旋形的示意图。
图6为本发明的激光辐射路径为正六边形的示意图。
图7为本发明的工作时结构示意图。
图8为本发明中气体发生器为多个时的结构示意图。
图9为本发明的工作时结构示意图1。
图10为本发明的工作时结构示意图2。
附图标注说明：
1：SiC晶锭；11：SiC晶片；12：SiC余料；13：分离层；1a：外围区域；1b：中心区域；2：激光；3：气体发生器。
具体实施方式
如附图2所示，SiC晶片11、SiC余料12及分离层13组成SiC晶锭1。在未进行分离工序前，SiC晶片11、分离层13和SiC余料12为一个整体。本发明的目的是将SiC晶片11从SiC晶锭1分离开来。
在附图3中，SiC晶锭1的外围区域1a为SiC晶锭1圆柱的最外围区域，SiC晶锭1的中心区域1b为SiC晶锭1圆柱的圆心位置附近。本发明的激光辐射路径方式采用SiC晶锭1圆柱由外而内的方式，即沿着SiC晶锭1的外围区域1a向中心区域1b的方向进行。从外围区域1a向中心区域1b进行激光辐照，可以采用附图4所示的环形路径，也可以采用附图5所示的螺旋形路径，又或者采用附图6所示的正六边形路径；当然也可以采用其它规则或不规则的图形路径。优选地，激光的平均输出功率范围为2.5-3.5W，波长范围为900-1200nm，可以在SiC晶锭内部形成良好的改质层，有利于本发明方案的实施。
附图7为本发明的采用由外而内的激光辐射路径、辅以气流吹扫的方法的示意图。合理引入气体发生器3，朝SiC晶锭1的分离层13区域附近，喷射至少包含氧气的气源，其喷射流速大于或等于1mL/min；可以在SiC晶锭1周围设置一个或多个气体发生器3。当所述气体发生器的数量为多个时，可以呈圆心对称设置在SiC晶锭的周边位置，具体参见图9。所述气体发生器3可以为移动式气体发生器或者固定式气体发生器。当气体发生器3的数量为一个时，优选为移动式气体发生器，可以与激光协同移动。
工作时，参见图9和图10，预备SiC晶锭1、激光2及气体发生器3。激光辐射路径采用附图5所示的螺旋形路径；设置气体发生器3的数量为一个，气体发生器3优选为移动式气体发生器，可以与激光2协同移动，优选含氧气体流速为500mL/min。SiC晶锭1的分离层13被激光2辐照后，生成无定型碳硅化合物、硅以及碳；气体发生器3喷射的含氧气体与碳反应生成二氧化碳气体逸出，同时气流也带走一部分碳、硅、硅的化合物等固体粉末。因此，避免SiC晶锭1分解的产物重新结晶、或产物阻碍激光再烧蚀分离层，从而SiC晶片11与SiC余料12能够容易分离，从而获得SiC晶片11。
根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。如本发明上述实施例所述，采用与其相同或相似的步骤，均在本发明保护范围内。
Claims (9)
1.一种SiC晶片制造方法，其特征在于，其包括如下步骤：
(1)预备SiC晶锭：预备SiC晶锭(1)，所述SiC晶锭(1)至少包含待分离的SiC晶片(11)，以及SiC晶锭(1)分离SiC晶片(11)后的SiC余料(12)，其中SiC晶片(11)与SiC余料(12)通过分离层(13)结合；
(2)设置激光辐射路径：设置激光(2)在SiC晶锭(1)上的辐射路径，将激光(2)的聚光点定位在分离层(13)上，所述激光对SiC晶锭(1)具有透过性的波长，所述辐射路径沿着SiC晶锭(1)的外围区域(1a)向中心区域(1b)的方向；
(3)提供气源：引入气体发生器(3)，气体发生器产生一定流速的气体吹向分离层(13)，所述气体至少包含氧元素；
(4)分离：SiC晶片(11)与SiC余料(12)分离，制得SiC晶片。
2.根据权利要求1所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述激光(2)的激光光子的能量小于SiC晶体带隙值对应的能量。
3.根据权利要求1所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述气体的流速大于或等于1mL/min。
4.根据权利要求1所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述气体发生器(3)的数量为多个，呈圆心对称设置在SiC晶锭(1)的周边位置。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述气体发生器(3)为移动式气体发生器。
6.根据权利要求1-4中任意一项所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述辐射路径为以环形的路径按由外围区域(1a)向中心区域(1b)方向移动。
7.根据权利要求1-4中任意一项所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述辐射路径为以螺旋形的路径按由外围区域(1a)向中心区域(1b)方向移动。
8.根据权利要求1-4中任意一项所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述辐射路径为以规则图形按由外围区域(1a)向中心区域(1b)方向移动。
9.根据权利要求1-4中任意一项所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述辐射路径为以不规则图形按由外围区域(1a)向中心区域(1b)方向移动。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911367656.6A CN111215766A (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | SiC晶片制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911367656.6A CN111215766A (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | SiC晶片制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111215766A true CN111215766A (zh) | 2020-06-02 |
Family
ID=70826672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911367656.6A Pending CN111215766A (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | SiC晶片制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111215766A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111986986A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-24 | 松山湖材料实验室 | 一种晶圆的剥离方法及剥离装置 |
| CN120715448A (zh) * | 2025-06-28 | 2025-09-30 | 山西烁科晶体有限公司 | 一种剥离碳化硅晶锭的方法及系统 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1785576A (zh) * | 2005-12-16 | 2006-06-14 | 上海汽车股份有限公司 | 齿轮激光焊接加工方法 |
| CN101032785A (zh) * | 2006-03-07 | 2007-09-12 | 索尼株式会社 | 激光加工装置，激光加工头及激光加工方法 |
| CN103831540A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-06-04 | 江南大学 | 一种激光复合打孔陶瓷的方法 |
| CN204195059U (zh) * | 2014-10-24 | 2015-03-11 | 宝钛集团有限公司 | 一种除渣器 |
| JP2017022283A (ja) * | 2015-07-13 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法 |
| CN106735888A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-05-31 | 深圳市海目星激光科技有限公司 | 一种臭氧辅助切割装置及方法 |
| CN108145307A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 株式会社迪思科 | SiC晶片的生成方法 |
| CN108161215A (zh) * | 2016-12-06 | 2018-06-15 | 株式会社迪思科 | SiC 晶片的生成方法 |
| CN108735578A (zh) * | 2017-04-25 | 2018-11-02 | 株式会社迪思科 | SiC晶片的生成方法 |
-
2019
- 2019-12-26 CN CN201911367656.6A patent/CN111215766A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1785576A (zh) * | 2005-12-16 | 2006-06-14 | 上海汽车股份有限公司 | 齿轮激光焊接加工方法 |
| CN101032785A (zh) * | 2006-03-07 | 2007-09-12 | 索尼株式会社 | 激光加工装置，激光加工头及激光加工方法 |
| CN103831540A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-06-04 | 江南大学 | 一种激光复合打孔陶瓷的方法 |
| CN204195059U (zh) * | 2014-10-24 | 2015-03-11 | 宝钛集团有限公司 | 一种除渣器 |
| JP2017022283A (ja) * | 2015-07-13 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法 |
| CN108145307A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 株式会社迪思科 | SiC晶片的生成方法 |
| CN108161215A (zh) * | 2016-12-06 | 2018-06-15 | 株式会社迪思科 | SiC 晶片的生成方法 |
| CN106735888A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-05-31 | 深圳市海目星激光科技有限公司 | 一种臭氧辅助切割装置及方法 |
| CN108735578A (zh) * | 2017-04-25 | 2018-11-02 | 株式会社迪思科 | SiC晶片的生成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111986986A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-24 | 松山湖材料实验室 | 一种晶圆的剥离方法及剥离装置 |
| CN111986986B (zh) * | 2020-08-24 | 2024-05-03 | 松山湖材料实验室 | 一种晶圆的剥离方法及剥离装置 |
| CN120715448A (zh) * | 2025-06-28 | 2025-09-30 | 山西烁科晶体有限公司 | 一种剥离碳化硅晶锭的方法及系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111215766A (zh) | SiC晶片制造方法 | |
| CN103359720A (zh) | 石墨烯纳米窄带的制备方法 | |
| US20120068161A1 (en) | Method for forming graphene using laser beam, graphene semiconductor manufactured by the same, and graphene transistor having graphene semiconductor | |
| CN101366113A (zh) | 半导体芯片制作方法 | |
| US20130160849A1 (en) | Polycrystalline silicon solar cell panel and manufacturing method thereof | |
| CN111081819B (zh) | 一种太阳能电池片的防损伤切割方法和装置 | |
| JP2012199571A (ja) | 多結晶型太陽電池パネルおよびその製造方法 | |
| JP2019125761A (ja) | 不純物導入装置、不純物導入方法及び炭化ケイ素半導体装置の製造方法 | |
| CN115781046B (zh) | 一种激光剥离氧化镓的方法 | |
| JP5934939B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| CN103359717A (zh) | 石墨烯纳米窄带的制备方法 | |
| TWI784204B (zh) | 奈米碳管的純化方法 | |
| JP6983404B2 (ja) | 電子源及び電子線照射装置並びに電子源の製造方法 | |
| Celler et al. | Annular grain structures in pulsed laser recrystallized Si on amorphous insulators | |
| Kawakami et al. | Tungsten microcone arrays grown using nanosecond pulsed-Nd: YAG laser in a low-pressure He-gas atmosphere | |
| JPS62222633A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR101592124B1 (ko) | 건식식각장치의 포커스링 제조방법 | |
| CN107215857B (zh) | 一种在大气环境下利用激光快速制备石墨烯的方法 | |
| CN101326613B (zh) | 用于去除表面层而不损失基片的中等压力等离子体系统 | |
| KR100812044B1 (ko) | 기상반응 처리장치 | |
| CN110176555A (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
| KR101400836B1 (ko) | 라인 빔 레이저를 이용한 나노입자 합성장치 | |
| US20230076324A1 (en) | Stripping Method and Stripping Device for Silicon Carbide Single Crystal Wafers | |
| JP2009206285A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| US7671306B1 (en) | Laser ablative synthesis of carbon nanotubes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220214 Address after: Building A1, innovation city, Songshanhu University, Dongguan, Guangdong 523000 Applicant after: Material Laboratory of Songshan Lake Applicant after: Institute of physics, Chinese Academy of Sciences Address before: Building A1, innovation city, Songshanhu University, Dongguan, Guangdong 523000 Applicant before: Material Laboratory of Songshan Lake |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220824 Address after: Building A1, innovation city, Songshanhu University, Dongguan, Guangdong 523000 Applicant after: Material Laboratory of Songshan Lake Applicant after: Zhongke Huizhu (Dongguan City) Consulting Management Enterprise (L.P.) Address before: Building A1, innovation city, Songshanhu University, Dongguan, Guangdong 523000 Applicant before: Material Laboratory of Songshan Lake Applicant before: INSTITUTE OF PHYSICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20221010 Address after: 523000 Room 309, Building 12, No.1 Xuefu Road, Songshan Lake Park, Dongguan, Guangdong Applicant after: Dongguan Zhongke Huizhu Semiconductor Co.,Ltd. Address before: Building A1, innovation city, Songshanhu University, Dongguan, Guangdong 523000 Applicant before: Material Laboratory of Songshan Lake Applicant before: Zhongke Huizhu (Dongguan City) Consulting Management Enterprise (L.P.) |