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CN111199888A - 包括pid的部件承载件以及制造部件承载件的方法 - Google Patents

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CN111199888A CN201811386322.9A CN201811386322A CN111199888A CN 111199888 A CN111199888 A CN 111199888A CN 201811386322 A CN201811386322 A CN 201811386322A CN 111199888 A CN111199888 A CN 111199888A
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Abstract

公开了一种制造部件承载件(1)的方法，其中，该方法包括：形成包括至少一个导电层结构(2)和/或至少一个电绝缘层结构(3)的堆叠体；利用第一光可成像电介质(PID)(12)使堆叠体的正面侧图案化；以及使堆叠体的背面侧图案化。还公开了一种部件承载件(1)。

Description

包括PID的部件承载件以及制造部件承载件的方法
技术领域
本发明涉及一种包括PID的部件承载件以及制造部件承载件的方法。
背景技术
电子设备如计算设备或通信设备通常包括至少一个改进的部件承载件以及被配置为使得能够实现电子设备的功能的部件，上述部件承载件比如为印刷电路板(PCB)、中间印刷电路板产品或IC-基板。为了进一步增强这种部件承载件的互连特性以及电子连接的密度并减小其大小和厚度，部件也可以通过由本申请人开发的所谓的嵌入式部件封装(ECP)技术集成在部件承载件内。
然而，嵌入功能芯片的ECP基板需要热管理以促进平稳的芯片操作，并且需要附加的过程诸如预烘干以防止第一次层压以及UV冲击后的部件移动以平稳地去除粘合剂类型，以用于芯层制造。这成为制造成本增加的原因之一。由于热源(芯片)，具有芯片的芯层的热管理是一问题，并且在具有一些嵌入式部件的芯层上的制造过程可能变得复杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种部件承载件以及制造该部件承载件的方法，通过该方法，可以进一步提高热耗散能力并简化制造过程。
为了实现以上限定的目的，根据本发明的示例性实施方式提供了一种部件承载件以及制造该部件承载件的方法。
根据本发明的示例性实施方式，一种制造部件承载件的方法，其中，所述方法包括：形成包括至少一个导电层结构和/或至少一个电绝缘层结构的堆叠体；利用第一光可成像电介质(PID)使堆叠体的正面侧图案化；以及使堆叠体的背面侧图案化。
使用第一光可成像电介质用于正面侧层压简化了预烘干和UV冲击/UV固化的制造过程，并且防止了所嵌入的部件由于第一光可成像电介质的光固化反应而在曝光过程期间移动。使用第一光可成像电介质用于正面侧层压的芯层制造的提前期被缩短。不需要预烘干过程来防止一些嵌入的部件移动，并且不需要UV冲击/UV固化过程来移除任何粘合带。除此之外，第一光可成像电介质在孔或过孔中不表现出任何集肤效应，使得部件承载件可有利地用于高频应用中。
根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种部件承载件，其中，所述部件承载件包括：堆叠体，该堆叠体包括至少一个导电层结构和/或至少一个电绝缘层结构；在堆叠体的正面侧上的、具有直侧壁的至少一个孔；在堆叠体的背面侧上的、具有逐渐变窄的侧壁的至少一个孔。
根据本发明的又一示例性实施方式，提供了一种部件承载件，其中，所述部件承载件包括：堆叠体，该堆叠体包括至少一个导电层结构和/或至少一个电绝缘层结构；在堆叠体的正面侧上的、经固化和图案化的第一光可成像电介质；在堆叠体的背面侧上的至少一个锥形孔。
在所有这些实施方式中，在正面侧处的通常形成为第一光可成像电介质中的光过孔的孔可以具有圆形形状以及非圆形形状。非圆形形状包括矩形形状、三角形形状和十字形形状。
在本申请的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地表示能够在其上和/或其中容纳一个或多个部件以用于提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换言之，部件承载件可以被配置为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机内插件和IC(集成电路)基板中的一种。部件承载件也可以是将上面所提及类型的部件承载件中的不同部件承载件组合的混合板。
在实施方式中，部件承载件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构的堆叠体。例如，部件承载件可以是所提及的电绝缘层结构和导电层结构的层压体，特别是通过施加机械压力和/或热能形成所述层压体。所提及的堆叠体可以提供板状的部件承载件，该板状的部件承载件能够为其他部件提供大的安装表面并且尽管如此仍非常薄且紧凑。术语“层结构”可以特别地表示公共平面内的连续层、图案化层或多个非连续岛。
在实施方式中，部件承载件成形为板。这有助于紧凑的设计，其中部件承载件仍然为在其上安装部件提供了大的基部。此外，特别是作为嵌入式电子部件的实例的裸晶片，由于其较小的厚度，可以方便地嵌入到薄板诸如印刷电路板中。
在实施方式中，部件承载件被配置为由印刷电路板和基板(特别是IC基板)组成的组中的一者。
在本申请的上下文中，术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示板状的部件承载件，该板状的部件承载件通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构层压在一起来形成，上述形成过程例如通过施加压力和/或供应热能进行。作为用于PCB技术的优选材料，导电层结构由铜制成，而电绝缘层结构可包括树脂和/或玻璃纤维，所谓的预浸料或FR4材料。例如通过激光钻孔或机械钻孔来形成穿过层压体的通孔并通过用导电材料(特别是铜)填充这些通孔从而形成作为通孔连接的过孔，各种导电层结构可以以期望的方式彼此连接。除了可以嵌入印刷电路板中的一个或多个部件之外，印刷电路板通常被配置用于在板状印刷电路板的一个或两个相反表面上容纳一个或多个部件。它们可以通过焊接连接到相应的主表面。PCB的电介质部分可以由具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂构成。
在本申请的上下文中，术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示部件承载件(其可以是板状(即平面的)、三维弯曲的(例如当使用3D印刷制造时)或其可以具有任何其他形状)，该部件承载件通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构层压在一起来形成，上述形成过程例如通过施加压力进行，如果需要的话所述形成过程伴随着热能的供应。作为用于PCB技术的优选材料，导电层结构由铜制成，而电绝缘层结构可包括树脂和/或玻璃纤维，所谓的预浸料或FR4材料。例如通过激光钻孔或机械钻孔来形成穿过层压体的通孔并通过用导电材料(特别是铜)填充这些通孔从而形成作为通孔连接的过孔，各种导电层结构可以以期望的方式彼此连接。除了可以嵌入印刷电路板中的一个或多个部件之外，印刷电路板通常被配置用于在板状印刷电路板的一个或两个相反表面上容纳一个或多个部件。它们可以通过焊接连接到相应的主表面。PCB的电介质部分可以由具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂构成。
在本申请的上下文中，术语“孔”可以特别地表示敞开孔、在底部封闭的盲孔或完全填充或镀覆有某种材料诸如树脂或金属的封闭孔。
在本申请的上下文中，术语“基板”可以特别地表示具有与待安装在其上的部件(特别是电子部件)基本相同的大小的小型部件承载件。更具体地，基板可以被理解为用于电气连接或电网络的承载件以及与印刷电路板(PCB)相当的部件承载件，然而具有相当更高密度的横向和/或竖向布置的连接件。横向连接件是例如传导路径，而竖向连接件可以是例如钻孔。这些横向和/或竖向连接件布置在基板内，并且可用于提供特别是IC芯片的所容置的部件或未容置的部件(诸如裸晶片)与印刷电路板或中间印刷电路板的电气连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“IC基板”。基板的电介质部分可以由具有增强颗粒(诸如增强球，特别是玻璃球)的树脂构成。
基板或内插件可以由至少一层玻璃、硅(Si)或光可成像或可干蚀刻的有机材料如环氧基积层膜或聚合物化合物如聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯组成。
在实施方式中，所述至少一个电绝缘层结构包括由下述组成的组中的至少一种：树脂(诸如增强或非增强树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂)、氰酸酯、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃类材料)、预浸材料(诸如FR-4或FR-5)、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、环氧基积层膜、聚四氟乙烯(特氟龙)、陶瓷和金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强材料，诸如幅材、纤维或球体。尽管通常优选预浸料特别是FR4用于刚性PCB，但也可以使用其他材料，特别是用于基板的环氧基积层膜。对于高频应用，高频材料诸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂、低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低、极低或超低DK材料可以在部件承载件中实施为电绝缘层结构。
在实施方式中，所述至少一个导电层结构包括由下述组成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨。尽管通常优选铜，但是其他材料或其涂覆版本也是可能的，特别是涂覆有超导材料诸如石墨烯。
所述至少一个部件可以选自由下述组成的组：不导电嵌体、导电嵌体(诸如金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如，热管)、导光元件(例如光波导或光导体连接件、电子部件或其组合)。例如，部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备(例如DRAM或其他数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、发光二极管、光电耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄电池、开关、摄像机、天线、逻辑芯片、以及能量收集单元。然而，其他部件可以嵌入在部件承载件中。例如，磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁元件(例如铁磁元件、反铁磁元件或亚铁磁元件，例如铁氧体磁芯)或者可以是顺磁元件。然而，部件也可以是例如在板中板配置中的基板、内插件或另一部件承载件。部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入其内部中。此外，其他部件特别是那些产生和发射电磁辐射和/或对于从环境传播的电磁辐射敏感的部件也可以用作部件。
在实施方式中，部件承载件是层压型部件承载件。在这样的实施方式中，部件承载件是多个层结构的复合物，所述多个层结构通过施加压紧力和/或热而堆叠和连接在一起。
在下文中，将解释部件承载件、布置、制造部件承载件的方法和使用方法的其他示例性实施方式。
在实施方式中，利用第一光可成像电介质(PID)使堆叠体的正面侧图案化包括：用电磁辐射穿过掩模进行照射，接着对经照射的第一光可成像电介质进行显影，又接着选择性地移除经显影的第一可成光成像电介质的经照射部分或未经照射部分。可以通过蚀刻化学过程实现移除。有利地，可以实现具有不同深度和形状(圆形以及非圆形)的孔的形成。
在实施方式中，第一光可成像电介质被图案化以接触所嵌入的部件，所述嵌入的部件在正面侧和相应部件的上部主表面之间具有不同距离。可以容易地控制作为光过孔的孔的深度。
在实施方式中，该方法还包括通过激光钻孔使堆叠体的背面侧图案化。有利地，通过结合下述两者容易控制孔和通孔的不同深度，所述两者中的一者为在正面侧处用电磁辐射进行照射(光过孔)，所述两者中的另一者为在背面侧处进行激光钻孔(激光过孔)。当光过孔可以具有不同的深度时，激光过孔可以具有相同的深度，但是在较短的处理时间下更准确地产生。
在实施方式中，通孔由在正面侧上的具有直侧壁的第一孔部分组成，该第一孔部分连接到在背面侧上的形成有逐渐变窄的侧壁的第二孔部分。第一孔部分可以是光过孔，而第二孔部分可以是激光过孔。
在实施方式中，利用第一可成光电介质(PID)使堆叠体的正面侧图案化包括：在正面侧上形成具有不同竖向深度的多个孔。
在实施方式中，使堆叠体的背面侧图案化包括：在背面侧上形成具有基本上相同的竖向深度的多个孔。
在实施方式中，利用第一光可成像电介质使堆叠体的正面侧图案化包括：在正面侧上形成具有不同水平宽度的多个孔。
在实施方式中，该方法还包括在部件承载件的孔或过孔中形成过孔和/或导线(wire，线)(例如，可以可选地嵌入的同轴线缆)。这种设计可以在PID材料中实现“过孔中过孔”或“孔中孔”配置。在实施方式中，构造圆并且在圆中实现过孔。
有利地，可以获得类似于同轴线缆的屏蔽过孔。以类似的方式，也可以在PID材料中实现电容器或线圈，例如，如果磁性材料(例如磁性电介质)被实现为外部过孔或内部过孔的话。然而，芯本身也可以由磁性材料制成。屏蔽线(过孔)实现了基本上无干扰的信号传输。
在实施方式中，提供了金属芯，第一光可成像电介质施加到该金属芯。针对具有若干芯片的芯层的热管理，金属芯可以由铜、铝、镍、锌制成，因为这些材料具有高导热性。在另一实施方式中，金属芯可以是金属化芯，该金属化芯由被y金属化外表面覆盖的电介质基部组成。
在实施方式中，堆叠体形成为具有带有金属化侧壁的电介质芯。
在实施方式中，形成堆叠体包括形成通孔，所述通孔通过正面侧上的第一光可成像电介质、通过背面侧上的电介质、以及通过从背面侧起进行激光处理来形成。在改进的实施方式中，在激光处理之前或之后，可以使背面侧上的电介质经受光处理，即通过电磁光的辐射。在实施方式中，背面侧上的电介质是热固化材料或第二光可成像电质(PID)。因此，在正面侧形成第一PID孔，并且在背面侧形成第二PID孔，其中第二PID孔通过激光进一步处理。
在实施方式中，形成堆叠体包括下述步骤：提供金属芯；将临时承载件附接在金属芯的背面侧上；使第一腔体和可选的第二腔体形成到金属芯中；将半导体芯片和/或无源部件嵌入到第一腔体中；将第一光可成像电介质施加在金属芯的正面侧上；使在第一腔体处的第一光可成像电介质图案化以接触所嵌入的半导体芯片和/或无源部件，并且可选地使在第二腔体处第一光可成像电介质图案化，从而在正面侧上形成孔；将临时承载件从金属芯的背面侧移除；将电介质施加在金属芯的背面侧上；使在第一腔体和可选的第二腔体处的、位于背面侧上的电介质图案化，从而在背面侧上形成孔；以及通过金属来镀覆或填充孔。
在改进的实施方式中，在使在第一腔体处的、位于背面侧上的电介质图案化之前：将至少一个金属层施加到芯的背面侧上，使金属层图案化，并且将电介质施加在经图案化的至少一个金属层上。
例如，可以借助于溅射来施加至少一个金属层中的第一层，届时借助于诸如化学铜沉积和/或随后的电镀铜沉积来施加至少一个另外的金属层。或者，取决于芯的表面特性和条件，可以借助于无电镀铜沉积来施加至少一个金属层中的第一层。
在实施方式中，部件承载件还包括在堆叠体的背面侧上的、经固化和图案化的第二光可成像电介质。
在实施方式中，部件承载件还包括具有第一腔体的金属芯，半导体芯片和/或无源部件容纳在该第一腔体中。
在实施方式中，部件承载件还包括通过部件承载件的通孔。
在实施方式中，从正面侧延伸的孔具有用经固化的第一光可成像电介质至少部分地覆盖的侧壁。由此，金属芯可以与孔绝缘。
在实施方式中，孔和/或通孔的内表面通过金属被镀覆或填充。通孔可以是所谓的经镀覆的通孔(PTH)。
根据下文将描述的实施方式的实施例，本发明的以上限定的方面和其他方面是明显的，并且参照实施方式的这些实施例对其进行了解释。
附图说明
图1示出了根据本发明的示例性实施方式的当前在制造的部件承载件的预制件的横截面视图。
图2示出了根据本发明的示例性实施方式的当前在制造的部件承载件的预制件的横截面视图。
图3示出了根据本发明的另一示例性实施方式的当前在制造的部件承载件的预制件的立体图。
图4示出了根据本发明的另一示例性实施方式的制造部件承载件的方法的流程图。
图5示出了根据本发明的另一示例性实施方式的制造部件承载件的方法的流程图。
具体实施方式
附图中的例示是示意性的。在不同的图中，相似或相同的元件具有相同的附图标记。
在参照附图更详细地描述示例性实施方式之前，将总结一些基本考量，基于这些考量展开了本发明的示例实施方式。
根据示例性实施方式，纳米涂层结构可用于部件承载件技术，特别是用作干式粘合结构。实现这种表面构造的粘合层也可以表示为壁虎膜。这种表面的粘合效果可以基于范德华力。描述性地说，可以通过这样的概念形成多个低尺寸吸盘。根据本发明的示例性实施方式，提供了可靠的基板和/或结构化材料，以用于嵌入和/或表面安装具有特定粘附特性的应用，具有特定粘附特性的原因在于该表面上的纳米结构和/或微结构的对应配置。示例性实施方式具有下述优点：可以以低材料消耗、低生产成本、小污染风险和高过程可靠性获得所提及的表面粘附特性的可调整性。
在实施方式中，所提及的材料可以用作嵌入技术中的部件放置的支撑。与取决于温度和时间的传统粘合带系统相比，示例性实施方式使用支撑件(其可以是刚性的或柔性的)或PCB元件(诸如芯、预浸料、铜箔等)的表面，该表面由于纳米和/或微结构表现出范德华吸引力、壁虎效应、高紧抓力，并且该表面是干的并因此可以被清洁和重复使用。具有纳米和/或微结构的片材也可包括在最终产品中。当用于嵌入概念时，部件可以放置在干的表面上并且可以在部件层压之前通过弱结合(如范德华力、壁虎效应、高紧抓力值)被保持在适当位置。
这种架构允许在部件和保持基板之间获得干式相互作用。不需要附加的液体粘合剂。这具有干式相互作用的优点，并且降低了来自基板的污染的风险。
图1示出了根据本发明的示例性实施方式的当前在制造的部件承载件1的预制件的横截面视图。
部件承载件1包括：堆叠体，该堆叠体包括导电层结构2和电绝缘层结构3；在堆叠体的正面侧上的、具有直侧壁的孔8；以及在堆叠体的背面侧上的、具有逐渐变窄的侧壁或锥形侧壁的孔9。部件承载件1还包括通过部件承载件1的通孔7。
部件承载件1还包括在堆叠体的正面侧上的、经固化和图案化的第一光可成像电介质12，堆叠体的正面侧处的孔8形成到该第一光可成像电介质中。
从正面侧延伸的通孔7和孔8具有用经固化的第一光可成像电介质12至少部分地覆盖的侧壁，使得它们与金属芯11绝缘。第一光可成像电介质12还形成电绝缘层结构3。
孔8、9和通孔7的内表面通过金属被镀覆或填充，该金属可以是铜。金属还形成导电层结构2。
部件承载件1还包括具有腔体的金属芯11，在该金属芯中容纳有半导体芯片4和无源部件5。
图2示出了根据本发明的另一示例性实施方式的当前在制造的部件承载件1的预制件的横截面视图。该实施方式类似于图1的实施方式；然而，图2的实施方式被进一步制造，其中添加了附加的导电层结构和电绝缘层结构17、18、19、20。图2中的虚线指示热耗散区域21，该热耗散区域由孔8、9和通孔7内的金属结构形成。同时，区域21中的孔8、9和通孔7具有不同的深度，通过结合下述两者在制造过程中容易控制所述不同的深度，所述两者中的一者为在正面侧处用电磁辐射进行照射(光过孔)，所述两者中的另一者为在背面侧处进行激光钻孔(激光过孔)，如随后所述。此外，第一光可成像电介质12在下述两方面之间提供电绝缘，所述两方面中的一方面是孔7、8、9内的金属结构，所述两方面中的另一方面是金属芯11和部件4、5。
图3示出了根据本发明的示例性实施方式的当前在制造的部件承载件1的预制件的透视图。
半导体芯片4嵌入在金属芯11中。由半导体芯片4产生的热由金属芯11耗散。图3清楚地示出了下述两方之间的电绝缘，所述两方中的一方是孔7、8、9内的金属结构，所述两方中的另一方是金属芯11和半导体芯片4。与半导体芯片正好布置到金属支撑件上的传统技术相比，通过将半导体芯片4恰当地嵌入中心金属芯11中改进了从发热源(半导体芯片)4的热耗散。
图4示出了根据本发明的另一示例性实施方式的制造部件承载件1的方法的流程图。
在步骤S1中，提供金属芯11，并且在步骤S2中，将临时承载件14附接在金属芯11的背面侧上。此外，例如通过切割或钻孔或任何其他传统技术使第一腔体15和第二腔体16形成到金属芯11中。
在步骤S3中，将半导体芯片4和无源部件5诸如电容器或电阻器嵌入在第一腔体15中。临时承载件14将半导体芯片4和无源部件5保持在其正确的位置，使得它们在随后的步骤中不被移动。临时承载件14可以是粘合带。
在步骤S4中，将第一光可成像电介质12施加在金属芯11的正面侧上，并且使在第一腔体15处的第一光可成像电介质12图案化以接触所嵌入的半导体芯片4和无源部件5，并且使在第二腔体16处的第一光可成像电介质图案化，从而在正面侧形成孔8和通孔7。可以通过下述方式来对第一光可成像电介质12进行图案化：所述方式为用电磁辐射穿过掩模照射第一光可成像电介质12，接着对经照射的第一光可成像电介质12进行显影，又接着选择性地移除经显影的光可成像电介质12的经照射部分或未经照射部分。因此，正面侧上的孔7、8具有直侧壁，并且是所谓的光过孔。
第一光可成像电介质12形成电绝缘层结构3。
如图1和图4所示，正面侧上的多个孔8形成为具有不同的竖向深度。第一光可成像电介质12被图案化以接触所嵌入的部件4、5，上述嵌入的部件在堆叠体的正面侧和相应部件4、5的上部主表面6之间具有不同的距离。详细地，位于图1和图4中的左手侧的无源部件5的上部主表面6低于位于右手侧的半导体芯片4和无源部件5的上部主表面6。
正面侧上的多个孔8可以形成为具有不同的水平宽度。
在步骤S5中，使临时承载件14从金属芯11的背面侧移除或脱离。现在，第一光可成像电介质12将半导体芯片4和无源部件5保持在它们的正确位置上，使得它们在随后的步骤中不被移动。然后，在堆叠体的背面侧上，即在金属芯11的背面侧上，施加第二光可成像电介质13。
在步骤S6中，使在第一腔体15和第二腔体16处的、位于背面侧上的第二光可成像电介质13图案化，从而在背面侧处形成孔9和通孔7。可以通过激光钻孔或激光加工来进行堆叠体的背面侧的图案化，使得背面侧上的孔7、9具有逐渐变窄的侧壁。背面侧上的孔7、9是所谓的激光过孔。背面侧上的多个孔9形成为具有基本上相同的竖向深度。
在步骤S7中，孔7、8、9由金属诸如铜镀覆。该金属形成导电层结构2。
在随后的步骤S8到S11中，通过类似于图2中的附加层结构17、18、19、20的附加层结构进一步构建部件承载件1。
在实施方式中，通孔7可以包括在正面侧上的具有直侧壁的第一孔部分，该第一孔部分连接到在背面侧上的形成有逐渐变窄的侧壁的第二孔部分。第一孔部分可以是光过孔，而第二孔部分可以是激光过孔。
在实施方式中，导线和/或同轴线缆可以形成到部件承载件1的孔7、8、9或过孔中。
图5示出了根据本发明的另一示例性实施方式的制造部件承载件1的方法的流程图。
在步骤S1中，提供了金属芯11，并且该金属芯在正面侧和背面侧被铜层涂覆。金属芯11包括通孔7，该通孔由铜填充。
在步骤S2中，临时承载件14附接在金属芯11的背面侧上。临时承载件14是层压到金属芯11上的粘合带。另外，使腔体21形成到金属芯11中。
在步骤S3中，将两个部件4即两个半导体芯片4嵌入到腔体21中。临时承载件14将半导体芯片4保持在它们的正确位置，使得它们在随后的步骤中不被移动。此后，例如通过模制具有高导热性的树脂将部件4、4嵌入到封装物22中。
在步骤S4中，将第一光可成像电介质12施加到堆叠体的正面侧并固化，并且使临时承载件14移除或脱离。第一光可成像电介质12将半导体芯片4、4保持在它们的正确位置，使得它们在随后的步骤中不被移动。
在步骤S5中，将第二光可成像电介质13施加到堆叠体的背面侧并固化，使得部件4、4夹在第一光可成像电介质12和第二光可成像电介质13之间。
此后，例如在光刻过程中或在成像和蚀刻过程中使第一光可成像电介质12和第二光可成像电介质13图案化。第一光可成像电介质12和第二光可成像电介质13的图案化可以包括：用电磁辐射穿过掩模进行照射，接着对经照射的第一光可成像电介质12和第二光可成像电介质13进行显影，又接着选择性地移除经显影的第一光可成像电介质12和第二光可成像电介质13的经照射部分或未经照射部分。通过图案化过程，形成过孔7、8、9，其由堆叠体的通孔7、在堆叠体的正面侧处的孔8和在堆叠体背面侧处的孔9组成。
可替代地，可以通过激光钻孔形成通孔7、正面侧处的孔8和/或背面侧处的孔9。
正面侧上的多个孔8可以具有不同的竖向深度。第一光可成像电介质12可以被图案化以接触所嵌入的部件4、4，上述嵌入的部件在堆叠体的正面侧与相应部件4、4的上部主表面之间具有不同的距离。
正面侧上的多个孔8可以形成为具有不同的水平宽度。
背面侧上的多个孔9可以形成为具有基本上相同的竖向深度。
在步骤S6中，在第一光可成像电介质12和第二光可成像电介质13的图案化过程中形成的过孔7、8、9被金属诸如铜镀覆或填充，从而形成导电层结构2。
在随后的步骤S7至S9中，将附加的导电层结构和电绝缘层结构添加到堆叠体。
在实施方式中，通孔7可以包括在正面侧上的具有直侧壁的第一孔部分，该第一孔部分连接到在背面侧上的形成有逐渐变窄的侧壁的第二孔部分。第一孔部分可以是光过孔，而第二孔部分可以是激光过孔。
在实施方式中，导线和/或同轴线缆可以形成到部件承载件1的过孔7、8、9中。
本发明提供以下优点：
通过具有孔7、8、9的金属芯11实现热耗散，其中通孔7可以是所谓的经镀覆通孔(PTH)。
例如作为光过孔和激光过孔的孔7、8、9或过孔可以形成为具有不同的深度以连接无源部件和有源部件。
不需要预烘干步骤来防止部件4、5在通过第一光可成像电介质12的光反应进行的层压期间移动。
本发明适用于ECP制造的移动电话和相关电子设备。本发明提供了具有改进的热耗散和生物相容性的功能性ECP。
应当注意，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且“一”或“一个”不排除多个。还可以组合结合不同实施方式描述的元件。
还应注意，权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实现不限于图中所示和上面描述的优选实施方式。替代地，即使在从根本上不同的实施方式的情况下，使用所示的解决方案和根据本发明的原理的多种变型也是可以的。

Claims (32)

1.一种制造部件承载件(1)的方法，其中，所述方法包括：
形成包括至少一个导电层结构(2)和/或至少一个电绝缘层结构(3)的堆叠体；
利用第一光可成像电介质(PID)(12)使所述堆叠体的正面侧图案化；以及
使所述堆叠体的背面侧图案化。
2.根据前一权利要求所述的方法，其中，
利用第一光可成像电介质(PID)(12)使所述堆叠体的正面侧图案化包括：用电磁辐射穿过掩模进行照射，接着对经照射的第一光可成像电介质(12)进行显影，又接着选择性地移除经显影的第一光可成像电介质(12)的经照射部分或未经照射部分。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
所述第一光可成像电介质(12)被图案化以用于接触所嵌入的部件(4、5)，所述嵌入的部件在所述正面侧与相应部件(4、5)的上部主表面(6)之间具有不同的距离。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：
通过激光钻孔使所述堆叠体的背面侧图案化。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
形成通孔(7)，所述通孔包括在所述正面侧上的具有直侧壁的第一孔部分，所述第一孔部分连接到在所述背面侧上的具有逐渐变窄的侧壁的第二孔部分。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
利用所述第一光可成像电介质(12)使所述堆叠体的正面侧图案化包括：在所述正面侧上形成具有不同竖向深度的多个孔(8)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
使所述堆叠体的背面侧图案化包括：在所述背面侧上形成具有基本上相同的竖向深度的多个孔(9)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
利用所述第一光可成像电介质(12)使所述堆叠体的正面侧图案化包括：在所述正面侧上形成具有不同水平宽度的多个孔(8)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：
在所述部件承载件(1)的孔(7、8、9)或过孔中形成导线和/或同轴线缆。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
提供金属芯(11)，所述第一光可成像电介质(12)被施加到所述金属芯(11)。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述堆叠体包括形成具有金属化侧壁的电介质芯。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
形成所述堆叠体包括：形成通孔(7)，所述通孔通过所述正面侧上的所述第一光可成像电介质(12)、通过所述背面侧上的电介质(13)、以及通过从所述背面侧起进行的激光处理来形成。
13.根据前一权利要求所述的方法，其中，
在所述背面侧上的所述电介质(13)是热固化材料或第二光可成像电介质(PID)(13)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述堆叠体包括下述步骤：
提供金属芯(11)；
将临时承载件(14)附接在所述金属芯(11)的背面侧上；
使第一腔体(15)形成到所述金属芯(11)中；
将半导体芯片(4)和/或无源部件(5)嵌入到所述第一腔体(15)中；
将所述第一光可成像电介质(12)施加在所述金属芯(11)的正面侧上；
使在所述第一腔体(15)处的所述第一光可成像电介质(12)图案化，以用于接触所嵌入的半导体芯片(4)和/或无源部件(5)，从而在所述正面侧上形成孔(8)；
将所述临时承载件(14)从所述金属芯(11)的背面侧移除；
将电介质(13)施加在所述金属芯(11)的背面侧上；
使在所述第一腔体(15)处的、位于所述背面侧上的所述电介质(13)图案化，从而在所述背面侧上形成孔(9)；以及
通过金属来镀覆或填充所述孔(8、9)。
15.根据前一权利要求所述的方法，其中，
在使在所述第一腔体(15)处的、位于所述背面侧上的所述电介质(13)图案化之前：将至少一个金属层施加到所述金属芯(11)的背面侧上，使所述金属层图案化，并且将所述电介质(13)施加在经图案化的所述至少一个金属层上。
16.根据前述权利要求14和15中任一项所述的方法，还包括：
使第二腔体(16)形成到所述金属芯(11)中；
使在所述第二腔体(16)处的所述第一光可成像电介质(12)图案化，从而在所述正面侧上形成孔(7)；
使在所述第二腔体(16)处的、位于所述背面侧上的所述电介质(13)图案化，从而在所述背面侧上形成孔(7、9)；以及
通过金属来镀覆或填充所述孔(7、9)。
17.一种部件承载件(1)，其中，所述部件承载件包括：
堆叠体，所述堆叠体包括至少一个导电层结构(2)和/或至少一个电绝缘层结构(3)；
在所述堆叠体的正面侧上的、具有直侧壁的至少一个孔(7、8)；
在所述堆叠体的背面侧上的、具有逐渐变窄的侧壁的至少一个孔(7、9)。
18.根据前一权利要求所述的部件承载件(1)，还包括：
在所述堆叠体的正面侧上的、经固化和图案化的第一光可成像电介质(12)；以及
在所述堆叠体的背面侧上的至少一个锥形孔(7、9)。
19.一种部件承载件(1)，其中，所述部件承载件(1)包括：
堆叠体，所述堆叠体包括至少一个导电层结构(2)和/或至少一个电绝缘层结构(3)；
在所述堆叠体的正面侧上的、经固化和图案化的第一光可成像电介质(12)；以及
在所述堆叠体的背面侧上的至少一个锥形孔(7、9)。
20.根据前一权利要求所述的部件承载件(1)，还包括：在所述堆叠体的背面侧上的、经固化和图案化的电介质(13)。
21.根据前一权利要求所述的部件承载件(1)，其中，在所述背面侧上的所述电介质(13)是热固化材料或第二光可成像电介质(PID)(12)。
22.根据前述权利要求17至21中任一项所述的部件承载件(1)，还包括：
具有第一腔体(15)的金属芯(11)，半导体芯片(4)和/或无源部件(5)容纳在所述第一腔体中。
23.根据前述权利要求17至22中任一项所述的部件承载件(1)，还包括通过所述部件承载件(1)的通孔(7)。
24.根据前述权利要求17至23中任一项所述的部件承载件(1)，其中，从所述正面侧延伸的孔(7、8)具有用经固化的第一光可成像电介质(12)至少部分地覆盖的侧壁。
25.根据前述权利要求17至24中任一项所述的部件承载件(1)，其中，所述孔(8、9)的内表面和/或所述通孔(7)的内表面通过金属被镀覆或填充。
26.根据权利要求17至25中任一项所述的部件承载件(1)，还包括：安装在所述至少一个电绝缘层结构(3)和/或所述至少一个导电层结构(2)上并且/或者嵌入所述至少一个电绝缘层结构和/或所述至少一个导电层结构中的部件(4、5)，特别是电子部件。
27.根据权利要求26所述的部件承载件(1)，其中，所述部件(4、5)选自由下述组成的组：电子部件、不导电嵌体和/或导电嵌体、热传递单元、导光元件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、累加器、开关、摄像机、天线、磁性元件、另外的部件承载件(1)和逻辑芯片。
28.根据权利要求17至27中任一项所述的部件承载件(1)，其中，所述至少一个导电层结构(2)包括由下述组成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨，所提及材料中的任一种可选地涂覆有超导材料诸如石墨烯。
29.根据权利要求17至28中任一项所述的部件承载件(1)，其中，所述至少一个电绝缘层结构(3)包括由下述组成的组中的至少一种：树脂，特别是增强或非增强树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂、
FR-4、FR-5；氰酸酯；聚亚苯基衍生物；玻璃；预浸材料；聚酰亚胺；
聚酰胺；液晶聚合物；环氧基积层膜；聚四氟乙烯；陶瓷；以及金属氧化物。
30.根据权利要求17至29中任一项所述的部件承载件(1)，其中，所述部件承载件(1)成形为板。
31.根据权利要求17至30中任一项所述的部件承载件(1)，其中，所述部件承载件(1)被配置为由印刷电路板和基板组成的组中的一者。
32.根据权利要求17至31中任一项所述的部件承载件(1)，所述部件承载件被配置为层压型部件承载件(1)。
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