CN111180111A - 一种银纳米线透明导电薄膜及柔性oled - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种银纳米线透明导电薄膜及柔性OLED，其中银纳米线透明导电薄膜，由依次排列的柔性基材层、AgNWs层、纳米级厚度的透明银薄膜、热压PEDOT:PSS修饰层组成。其中柔性OLED，由所述银纳米线透明导电薄膜以及依次位于银纳米线透明导电薄膜上的空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、电子注入层、阴极材料组成，所述银纳米线透明导电薄膜的AgNWs层作为阳极材料。本发明纳米级厚度的透明银薄膜：有助于提升薄膜导电性、柔韧性及机械性能，对延长柔性OLED显示设备的寿命、稳定其性能有重要作用。而修饰层可以降低银纳米线在聚合物薄膜衬底表面交联的粗糙度，有利于增加OLED的空穴注入能力，能明显提高OLED的发光效率和稳定性，有助于降低工作电压，延长OLED寿命。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域，具体的说，涉及一种银纳米线透明导电薄膜及柔性OLED。
背景技术
透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。然而随着社会的进步，为满足社会需求，OLED的导电性和柔韧性的要求也随之提高。而现有的透明导电膜已经不能满足OLED对导电性和柔韧性的需求。需要进一步开发出具有更高导电性和柔韧性的透明导电薄膜。
发明内容
为解决以上技术问题，本发明的目的在于提供一种银纳米线透明导电薄膜及柔性OLED。
本发明目的是这样实现的：
一种银纳米线透明导电薄膜，其关键在于：包括依次排列的柔性基材层、AgNWs层、纳米级厚度的透明银薄膜、热压PEDOT:PSS修饰层。AgNWs层在真空蒸镀设备中蒸镀一层所述纳米级厚度的透明银薄膜。
优选地，上述透明银薄膜的厚度为1-10nm。
优选地，上述热压PEDOT:PSS修饰层厚度为50-100nm。
优选地，上述AgNWs层的厚度为50-100nm。
优选地，上述柔性基材层的厚度为100～130μm。
优选地，上述柔性基材层为PET基材层、PEN基材层、PDMS基材层或PI基材层。
一种柔性OLED，其关键在于：包括所述银纳米线透明导电薄膜以及依次位于该银纳米线透明导电薄膜上的空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、电子注入层、阴极材料，所述银纳米线透明导电薄膜的AgNWs层作为阳极材料。
优选地，上述空穴传输层为NPB，50-100nm。
优选地，上述有机发光材料和电子传输层为Alq3，厚度为50-100nm。
优选地，上述电子注入层为LiF，其厚度为0.5-5nm。
有益效果：
本发明一种银纳米线透明导电薄膜及柔性OLED，其中纳米级厚度的透明银薄膜：有助于提升薄膜导电性和柔韧性，及机械性能，对延长柔性OLED显示设备的寿命，稳定其性能有重要作用。PEDOT:PSS聚合物修饰：可以降低银纳米线在聚合物薄膜衬底表面交联的粗糙度，有利于增加OLED的空穴注入能力，能明显提高OLED的发光效率和稳定性，有助于降低工作电压(开路电压)，延长OLED寿命。
附图说明
图1为本发明一种银纳米线透明导电薄膜的层状排布示意图；
图2为本发明一种柔性OLED的层状排布示意图；
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明。
实施例：
一种银纳米线透明导电薄膜，由依次排列的柔性基材层、AgNWs层、纳米级厚度的透明银薄膜、热压PEDOT:PSS修饰层组成。所述透明银薄膜的厚度为1-10nm。所述热压PEDOT:PSS修饰层厚度为50-100nm。所述AgNWs层的厚度为50-100nm。所述柔性基材层的厚度为100～130μm。所述柔性基材层为PET基材层，也可优选PEN基材层、PDMS基材层或PI基材层。
一种柔性OLED，由所述银纳米线透明导电薄膜以及依次位于银纳米线透明导电薄膜上的空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、电子注入层、阴极材料组成，所述银纳米线透明导电薄膜的AgNWs层作为阳极材料。所述空穴传输层为NPB，50-100nm。所述有机发光材料和电子传输层为Alq3，厚度为50-100nm。所述电子注入层为LiF，其厚度为0.5-5nm。
最后需要说明的是，上述描述仅仅为本发明的优选实施例，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不违背本发明宗旨及权利要求的前提下，可以做出多种类似的表示，这样的变换均落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：包括依次排列的柔性基材层、AgNWs层、纳米级厚度的透明银薄膜、热压PEDOT:PSS修饰层。
2.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述透明银薄膜的厚度为1-10nm。
3.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述热压PEDOT:PSS修饰层厚度为50-100nm。
4.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述AgNWs层的厚度为50-100nm。
5.根据权利要求3所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述柔性基材层的厚度为100～130μm。
6.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述柔性基材层为PET基材层、PEN基材层、PDMS基材层或PI基材层。
7.一种柔性OLED，其特征在于：包括权利要求1～6任一项所述的银纳米线透明导电薄膜以及依次位于银纳米线透明导电薄膜上的空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、电子注入层、阴极材料，所述银纳米线透明导电薄膜的AgNWs层作为阳极材料。
8.根据权利要求1所述的一种柔性OLED，其特征在于：所述空穴传输层为NPB，50-100nm。
9.根据权利要求1所述的一种柔性OLED，其特征在于：所述有机发光材料和电子传输层为Alq3，厚度为50-100nm。
10.根据权利要求1所述的一种柔性OLED，其特征在于：所述电子注入层为LiF，其厚度为0.5-5nm。
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