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CN111161906A - 一种低电阻透明导电膜及其制备方法 - Google Patents

一种低电阻透明导电膜及其制备方法 Download PDF

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CN111161906A
CN111161906A CN202010059248.0A CN202010059248A CN111161906A CN 111161906 A CN111161906 A CN 111161906A CN 202010059248 A CN202010059248 A CN 202010059248A CN 111161906 A CN111161906 A CN 111161906A
Authority
CN
China
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conductive
low
conductive film
layer
protective layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010059248.0A
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English (en)
Inventor
蔡劲锐
鲁英杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nantong Xianyan New Material Co ltd
Original Assignee
Huizhou Daqi Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Huizhou Daqi Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical Huizhou Daqi Photoelectric Technology Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

本发明涉及一种导电材料，尤其涉及一种低电阻透明导电膜及其制备方法。本发明的低电阻透明导电膜，包括基材，其中，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层和保护层，所述的导电层与所述的保护层交替设置；所述的导电层至少两层，所述的保护层至少两层，其中一层所述导电层设于所述基材的表面。本发明提供的低电阻透明导电膜通过含有纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种的导电层和含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物、复合导电性高分子材料等的保护层，形成类似并联的电路，从而大大降低了导电膜的阻值。

Description

一种低电阻透明导电膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种导电材料，尤其涉及一种低电阻透明导电膜及其制备方法。
背景技术
透明导电薄膜(简称透明导电膜)是一种既能导电又在可见光范围内具有高透光率的导电材料，在触摸屏、平面显示器、太阳能电池、发光二极管等领域有着广泛的应用。
作为纳米材料的典型代表，纳米银线(下面简称为：AgNW)透明导电薄膜由于在电学、光学和机械性能方面都有良好的特性，在近几年引起了科研工作者的广泛关注。用AgNW制备的透明导电薄膜，不仅具有可见光透过率高、表面电阻低、表面平整光滑、柔性好等优点，而且相对于现在广泛使用的ITO薄膜价格较为低廉。
现有技术中，将纳米银线涂布在透明玻璃等基材上形成透明导电薄膜的生产方法一般为：首先调制纳米银线涂布液，一般是将纳米银线均匀搅拌于胶水中，然后再在其中添加或者不添加辅助剂(一种含有分散剂、固化剂和溶剂的混合物)，然后将调制好的纳米银线涂布液涂布在透明基材表面，形成纳米银线导电涂层，最后再烘烤固化而成。胶水的主要成分为一种或几种高分子有机物，这些高分子有机物通常会降低纳米银线导电层的透过率和导电性，在透过率85％左右时，纳米银线导电薄膜的方阻值一般只能达到30Ω/sq左右。为了降低AgNW透明导电膜的表面电阻，通常通过增加AgNW层的厚度来达到，这样做必然会牺牲导电膜的透光率(即可见光透过率)，增加导电膜的雾度，从而降低导电膜的综合效果。
发明内容
本发明的目的在于克服上述缺陷，提供一种低电阻透明导电膜及其制备方法。
为实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：
一种低电阻透明导电膜，包括基材，其中，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层和保护层，所述的导电层与所述的保护层交替设置；所述的导电层至少两层，所述的保护层至少两层，其中一层所述导电层设于所述基材的表面。
进一步的，设于基材表面的导电层的电阻小于其它保护层的电阻。
进一步的，
所述的导电层含有导电组分；优选，所述的导电组分为纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种；
所述的保护层含有树脂或导电材料；优选，所述的树脂含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物，所述的导电材料为复合导电性高分子材料、氧化铟锡或者无机半导体材料。
进一步的，
所述的共轭结构为吡咯、噻吩、苯胺及其衍生物、低聚吡咯、低聚噻吩、低聚苯胺或它们之间的共聚物中的一种或多种；
所述的电荷转移配合物为TMB、TCNQ或两者形成的电荷转移配合物；
所述的复合导电性高分子材料为高分子材料内部添加导电填料或者纤维形成的，所述的导电填料为导电碳粉、导电氧化锌、导电ITO、防静电ATO中的一种或多种；
所述的无机半导体材料为硒、锗、单晶硅或者第三主族元素和第五主族元素构成的化合物。
进一步的，所述的低电阻透明导电膜的方阻为0.1-80Ω/sq，透过率为50-92％，雾度为0.6-20％。
进一步的，所述的基材为玻璃、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚酯的一种或者以上材料的共聚物、或混合物、或层压物、或经过功能化涂层处理得到的薄膜；
优选所述的聚烯烃为聚乙烯，所述的聚酯为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
进一步的，所述的基材的厚度为1-200μm，所述的导电层的厚度为10-500nm，所述的保护层的厚度为10-500nm。
本发明还提供所述的低电阻透明导电膜的制备方法，其中，所述的制备方法包括如下步骤：
S1、调制导电层涂布液；
S2、调制保护层涂布液；
S3、将导电层涂布液涂布在基材表面，涂好后干燥或固化，得到导电层；
S4、将保护层涂布液涂布在导电层表面，涂好后干燥或固化，得到保护层；
S5、重复步骤S3和S4，得到所述的低电阻透明导电膜。
进一步的，所述的导电层涂布液的组成如下：
Figure BDA0002373887240000031
进一步的，所述的单体为水溶性或醇溶性有机小分子化合物；优选相对分子质量小于500的水溶性或醇溶性有机小分子化合物；更优选聚乙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸丁酯、甘油丙烯酸酯、季戊四醇三丙酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮或丙烯酰吗啉中的至少一种。
所述的树脂为水溶性或醇溶性树脂；优选脂肪族聚氨酯丙烯酸酯齐聚物、环氧丙烯酸酯齐聚物或聚酯(甲基)丙烯酸酯中的至少一种。
具体地，所述的脂肪族聚氨酯丙烯酸酯齐聚物可以为沙多玛CN9006NS或长兴化学DR-U026等；所述的环氧丙烯酸酯齐聚物可以为长兴化学6210G等；所述的聚酯(甲基)丙烯酸酯可以为东亚合成M-7100等。
本发明中，所述的助剂可以选自润湿分散剂、消泡剂、成膜助剂中的一种或多种。
本发明中，润湿分散剂主要用于降低墨水的表面张力，改善墨水的流平性；例如毕克DISPERBYK-199、DISPERBYK-2015、DISPERBYK-2012、BYK3410、DISPERBYK-180；迪高TEGOERBYK-1802tps、740、750、755、
Figure BDA0002373887240000032
Wet 280、Wet KL 245、Dispers 650；特别是，润湿分散剂还可以参与光固化反应，从而使打印制品呈现透明的外观。具体地，润湿分散剂可以为能够辐射交联的有机硅丙烯酸酯和改性聚硅氧烷类聚合物中的一种或多种。其中，能够辐射交联的有机硅丙烯酸酯可以为迪高公司的TEGO RAD 2010、2011、2100、2200N、2250等，能够辐射交联的有机硅丙烯酸酯能参与光固化反应并发生交联反应，从而有利于抑制打印制品的发朦等现象；改性聚硅氧烷聚合物可以为毕克公司的BYK-333、BYK-371、BYK-377，迪高公司的Tego wet 270、Tego Glide 450等。消泡剂主要用于消除过滤及打印过程中所产生的气泡，避免产生的气泡影响打印流畅性；消泡剂可以为不含有机硅类的聚合物，例如迪高的不含有机硅消泡剂TEGO Airex 920、TEGO Airex 921等。
成膜助剂用于防止墨水组合物发生沉积，从而保证墨水组合物储存过程中的稳定性；本发明对成膜助剂的种类不作严格限制，只要能满足前述要求即可。成膜助剂为淀粉、阿拉伯胶、果胶、琼脂、明胶、海藻胶、角叉胶、糊精等，通用明胶、可溶性淀粉、多糖衍生物等；合成品有羧甲基纤维素、丙二醇藻蛋白酸酯、甲基纤维素、淀粉磷酸钠、羧甲基纤维素钠、藻蛋白酸钠、酪蛋白、聚丙烯酸钠、聚氧乙烯、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。
本发明中，所采用的引发剂可以为水性引发剂或醇溶性引发剂。
具体地说，所述的水性引发剂可以为芳酮类，包括二苯酮衍生物、硫杂蒽酮衍生物、烷基芳酮衍生物或苯偶酰衍生物中的至少一种。所述的水性引发剂还可以为光引发剂2959、陶氏AMP-95、IRGACURE 819或IRGACURE 500中的至少一种。
所述的醇溶性引发剂可以为2-羟基-2-甲基-苯基丙酮-1(光引发剂1173)、TPO或BDK中的至少一种。
所述的溶剂为水、乙醇或异丙醇中的一种或几种。
进一步的，所述的保护层涂布液的组成如下：
Figure BDA0002373887240000041
Figure BDA0002373887240000051
本发明中，调制导电层涂布液或保护层涂布液时，只需按照各涂布液的组成和配比搅拌，混合均匀即可。
本发明中，所述的导电组分为纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种；所述的树脂含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物，所述的导电材料为复合导电性高分子材料、氧化铟锡或者无机半导体材料。
进一步的，所述的共轭结构为吡咯、噻吩、苯胺及其衍生物、低聚吡咯、低聚噻吩、低聚苯胺或它们之间的共聚物中的一种或多种；所述的电荷转移配合物为TMB、TCNQ或两者形成的电荷转移配合物；所述的复合导电性高分子材料为高分子材料内部添加导电填料或者纤维形成的，所述的导电填料为导电碳粉、导电氧化锌、导电ITO、防静电ATO中的一种或多种；所述的无机半导体材料为硒、锗、单晶硅或者第三主族元素和第五主族元素构成的化合物。
进一步的，所述的树脂为聚乙烯、聚氯乙烯、环氧树脂、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、氟聚合物、聚酰胺、聚酰亚胺、聚硅氧烷、聚碳酸酯、聚砜、聚乙烯醇、聚酯、丙烯腈-丁二烯-苯丙烯的共聚物或其掺合物。
所述的功能材料为紫外线吸收剂、抗氧剂或高折射高硬度添加剂中的至少一种。具体地说，所述的紫外吸收剂为水杨酸酯类、苯酮类、苯并三唑类、取代丙烯腈类、三嗪类和受阻胺类的一种或几种组合；所述的抗氧剂为自由基清除型抗氧剂，如N-苯基-α-萘胺和烷基吩噻嗪等；金属减活型抗氧剂，如苯并三氮唑衍生物和巯基苯并噻唑衍生物的一种或几种组合；所述的高折射高硬度添加剂为硅微粉、滑石粉、陶土、云母、二氧化硅、粉煤灰、硅酸盐等矿物、玻璃纤维、碳纤维、晶须等。
本发明中，保护层中所采用的引发剂也可以为非水溶性引发剂，包括苯偶姻及衍生物(安息香、安息香双甲醚等)；苯偶酰类(二苯基乙酮等)；烷基苯酮类(二乙氧基苯乙酮等)；酰基磷氧化物(芳酰基膦氧化物、双苯甲酰基苯基氧化膦等)；二苯甲酮类(二苯甲酮等)。
所述助剂同上。
所述的溶剂为丙酮、丁酮、甲乙酮、乙酸乙酯、甲苯、二甲苯、重芳烃、醋酸丁酯中的一种或几种。
本发明中，所述的固化为光固化或热固化。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
本发明提供的低电阻透明导电膜通过含有纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种的导电层和含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物、复合导电性高分子材料等的保护层，形成类似并联的电路，从而大大降低了导电膜的阻值。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明的五层结构的低电阻透明导电膜的结构示意图；
图2为本发明的七层结构的低电阻透明导电膜的结构示意图；
其中，图中：
1——基材，2——导电层，3——保护层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种低电阻透明导电膜，包括基材1，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层2和保护层3，所述的导电层2与所述的保护层3交替设置；所述的导电层2至少两层，所述的保护层3至少两层，如所述的导电层2和保护层3可以为两层，也可以为三层；其中一层所述导电层2设于所述基材1的表面。
如图1所示，提供一种五层结构的低电阻透明导电膜，具体为：一种低电阻透明导电膜，包括基材1、导电层2和保护层3，所述的导电层2与所述的保护层3交替设置，所述的导电层2和保护层3均为两层，其中一层所述导电层2设于所述基材1的表面。
如图2所示，提供一种七层结构的低电阻透明导电膜，具体为：一种低电阻透明导电膜，包括基材1、导电层2和保护层3，所述的导电层2与所述的保护层3交替设置，所述的导电层2和保护层3均为三层，其中一层所述导电层2设于所述基材1的表面。
所述的导电层2含有纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种，厚度为10-500nm；所述的保护层3含有树脂或导电材料，具体地说，所述的树脂含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物，所述的导电材料为复合导电性高分子材料、氧化铟锡或者无机半导体材料。导电层厚度为10-500nm。
所述的共轭结构为吡咯、噻吩、苯胺及其衍生物、低聚吡咯、低聚噻吩、低聚苯胺或它们之间的共聚物中的一种或多种；
所述的电荷转移配合物为TMB、TCNQ或两者形成的电荷转移配合物；
所述的复合导电性高分子材料为高分子材料内部添加导电填料或者纤维形成的，所述的导电填料为导电碳粉、导电氧化锌、导电ITO、防静电ATO中的一种或多种；
所述的无机半导体材料为硒、锗、单晶硅或者第三主族元素和第五主族元素构成的化合物。
所述基材的厚度为1-200μm，基材为玻璃、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚酯的一种或者以上材料的共聚物、或混合物、或层压物、或经过功能化涂层处理得到的薄膜；优选所述的聚烯烃为聚乙烯，所述的聚酯为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
所述的低电阻透明导电膜的方阻为0.1-80Ω/sq，透过率为50-92％，雾度为0.6-20％。
本发明的低电阻透明导电膜的制备方法包括如下步骤：
S1、调制导电层涂布液；
S2、调制保护层涂布液；
S3、将导电层涂布液涂布在基材表面，涂好后干燥或固化，得到导电层；
S4、将保护层涂布液涂布在导电层表面，涂好后干燥或固化，得到保护层；
S5、重复步骤S3和S4，得到所述的低电阻透明导电膜。
实施例1
在本实施例提供一种低电阻透明导电膜，如图1所示，包括基材1、两层导电层2和两层保护层3，每层导电层2与每层保护层3交替设置，其中一层导电层2设于所述基材1的表面。基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，厚度125μm；导电层2含有纳米银；保护层3含有带导电基团低聚噻吩的化合物。所述的低电阻透明导电膜的方阻为2Ω/sq，透过率为66％，雾度为10％。
制备上述低电阻透明导电膜的步骤具体包括以下步骤：
S1、调制导电层涂布液：纳米银线0.5％，润湿分散剂(DISPERBYK-2012)0.01％，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.0001％，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯质量的1％的光引发剂1173，其余水，搅拌30min，得到纳米银线涂布液。其中1kg纳米银线涂布液中含有5g纳米银线；所述纳米银线的直径小于等于25纳米，且长度为5-25微米；
S2、调制保护层涂布液：CleviosTM F 100T涂料，0.003％N-苯基-α-萘胺，0.01％光引发剂2959，助剂(古迪公司的Greatech GT8003)0.01％，其余水/异丙醇(1:1)，搅拌30min，得到保护层涂布液；其中1kg保护层涂布液中含有10gPEDOT/PSS导电聚合物。
S3、涂布导电层涂布液：通过涂布设备的传送带传送PET基材，通过传送带上方的涂布头在PET基材表面均匀涂布步骤S1调制的导电层涂布液，涂好后在120℃干燥2min，即可得到纳米银线导电层，涂布在PET基材表面的导电层涂布液的厚度约为40μm；
S4、涂布保护层涂布液：将带有纳米银线导电层PET基材再次传送到涂布设备，通过传送带上方的涂布头在纳米银线导电层表面均匀涂布步骤S2调制的保护层涂布液，涂好后在120℃干燥2min，即可得到带有一层纳米银线导电膜，涂布在纳米银线导电层表面的保护层涂布液的厚度约为20μm；测得的表面电阻为6ohm/sq，透过率89％，雾度5.6％；
S5、重复步骤S3、S4，得到带有两层纳米银线导电层和两层带有低聚噻吩保护层的低电阻透明导电膜；测得的表面电阻为2ohm/sq，透过率66％，雾度10％。
实施例2
在本实施例提供一种低电阻透明导电膜，如图1所示，包括基材1、两层导电层2和两层保护层3，每层导电层2与每层保护层3交替设置，其中一层导电层2设于所述基材1的表面。基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，厚度125μm；导电层2含有纳米银；保护层3含有带上海沪正纳米科技有限公司防静电ATO溶液ATO-050的保护层。所述的低电阻透明导电膜的方阻为13Ω/sq，透过率为85％，雾度为3.1％。
制备上述低电阻透明导电膜的步骤具体包括以下步骤：
S1、调制导电层涂布液：纳米银线0.15％，润湿分散剂(DISPERBYK-2012)0.003％，沙多玛CN9006NS0.1％，沙多玛CN9006NS质量的5％的引发剂TPO，其余水/乙醇(1：1)，搅拌30min，得到纳米银线涂布液；其中1kg纳米银线涂布液中含有1.5g纳米银线；所述纳米银线的直径小于等于25纳米，且长度为5-25微米；
S2、调制保护层涂布液：ATO-050涂料0.1％，10％碳纤维，1％引发剂芳酰基膦氧化物，助剂(TEGO Airex 921)0.01％，其余溶剂醋酸乙酯，搅拌30min，得到保护层涂布液；其中1kg保护层涂布液中含有1gATO导电材料。
S3、涂布导电层涂布液：通过涂布设备的传送带传送PET基材，通过传送带上方的涂布头在PET基材表面均匀涂布步骤S1调制的导电层涂布液，涂好后在120℃干燥2min，即可得到纳米银线导电层，涂布在PET基材表面的导电层涂布液的厚度约为20μm；
S4、涂布保护层涂布液：将带有纳米银线导电层PET基材再次传送到涂布设备，通过传送带上方的涂布头在纳米银线导电层表面均匀涂布步骤S2调制的保护层涂布液，涂好后在120℃干燥2min，即可得到带有一层纳米银线导电膜，涂布在纳米银线导电层表面的保护层涂布液的厚度约为20μm；测得的表面电阻为21ohm/sq，透过率88％，雾度2.6％；
S5、重复步骤S3、S4，得到带有两层纳米银线导电层和两层带有ATO保护层的低电阻透明导电膜；测得的表面电阻为13ohm/sq，透过率85％，雾度3.1％。
实施例3
本实施例提供一种低电阻透明导电膜，如图2所示，包括基材1、三层导电层2和三层保护层3，每层导电层2与每层保护层3交替设置，其中一层导电层2设于所述基材1的表面。所述基材为聚碳酸酯薄膜，厚度200μm；导电层2含有石墨烯；保护层3含有ITO。所述的低电阻透明导电膜的方阻为21Ω/sq，透过率为82％，雾度为2.1％。
制备上述低电阻透明导电膜的步骤具体包括以下步骤：
S1、调制导电层涂布液：石墨烯0.1％，润湿分散剂(DISPERBYK-2012)0.01％，长兴化学6210G0.5％，长兴化学6210G质量的3％的引发剂BDK，其余水，搅拌30min，得到导电层涂布液。
S2、调制保护层涂布液：ITO1％，0.01％玻璃纤维，0.001％引发剂二乙氧基苯乙酮，助剂(聚乙烯吡咯烷酮)0.01％，其余丁酮，搅拌30min，得到保护层涂布液。
S3、涂布导电层涂布液：通过涂布设备的传送带传送聚碳酸酯基材，通过传送带上方的涂布头在聚碳酸酯基材表面均匀涂布步骤S1调制的导电层涂布液，涂好后在120℃干燥2min，即可得到导电层，涂布在聚碳酸酯基材表面的导电层涂布液的厚度约为20μm；
S4、涂布保护层涂布液：将带有纳米银线导电层聚碳酸酯基材再次传送到涂布设备，通过传送带上方的涂布头在石墨烯导电层表面均匀涂布步骤S2调制的保护层涂布液，涂好后UV紫外固化1min，即可得到带有一层石墨烯导电膜，涂布在石墨烯导电层表面的保护层涂布液的厚度约为20μm；测得的表面电阻为36ohm/sq，透过率89％，雾度1.6％；
S5、重复步骤S3、S4两次，得到带有三层石墨烯导电层和三层带有ITO保护层的低电阻透明导电膜；测得的表面电阻为21ohm/sq，透过率85％，雾度2.2％。
对比例1
该对比例提供一种低电阻透明导电膜，结构同实施例1，如图1所示，包括基材1、两层导电层2和两层保护层3，每层导电层2与每层保护层3交替设置，其中一层导电层2设于所述基材1的表面。基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，厚度125μm；导电层2含有纳米银；保护层3含有聚氨酯树脂保护层。所述的低电阻透明导电膜的方阻为21Ω/sq，透过率为85％，雾度为3.1％。
制备上述低电阻透明导电膜的步骤具体包括以下步骤：
S1、调制导电层涂布液：纳米银线0.5％，润湿分散剂(DISPERBYK-2012)0.01％，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.0001％，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯质量的1％的光引发剂1173，其余水，搅拌30min，得到纳米银线涂布液。其中1kg纳米银线涂布液中含有5g纳米银线；所述纳米银线的直径小于等于25纳米，且长度为5-25微米；
S2、调制保护层涂布液：聚氨酯树脂涂料树脂1％，助剂(古迪公司的GreatechGT8003)0.01％，粘结剂(阳离子型环氧化合物光固化树脂)0.01％，其余溶剂二甲苯，搅拌30min，得到保护层涂布液；
S3、涂布导电层涂布液：通过涂布设备的传送带传送PET基材，通过传送带上方的涂布头在PET基材表面均匀涂布步骤S1调制的导电层涂布液，涂好后在120℃干燥2min，即可得到纳米银线导电层，涂布在PET基材表面的导电层涂布液的厚度约为20μm；
S4、涂布保护层涂布液：将带有纳米银线导电层PET基材再次传送到涂布设备，通过传送带上方的涂布头在纳米银线导电层表面均匀涂布步骤S2调制的保护层涂布液，涂好后在120℃干燥2min，即可得到带有一层纳米银线导电膜，涂布在纳米银线导电层表面的保护层涂布液的厚度约为20μm；测得的表面电阻为23ohm/sq，透过率89％，雾度2.6％；
S5、重复步骤S3、S4，得到带有两层纳米银线导电层和两层带有ATO保护层的低电阻透明导电膜；测得的表面电阻为21ohm/sq，透过率85％，雾度3.1％。
通过对比实施例1和对比例1可以发现，本发明提供的导电膜具有较低的表面电阻、较高的透过率和较低的雾度。可见，本发明方法通过改变保护层涂布液的组分，可显著降低导电膜的表面电阻，同时不会牺牲导电膜的透过率、增加导电膜的雾度。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种低电阻透明导电膜，包括基材(1)，其特征在于，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层(2)和保护层(3)，所述的导电层(2)与所述的保护层(3)交替设置；所述的导电层(2)至少两层，所述的保护层(3)至少两层，其中一层所述导电层(2)设于所述基材(1)的表面。
2.根据权利要求1所述的低电阻透明导电膜，其特征在于，设于基材(1)表面的导电层(2)的电阻小于保护层(3)的电阻。
3.根据权利要求2所述的低电阻透明导电膜，其特征在于，
所述的导电层(2)含有导电组分；优选，所述的导电组分为纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种；
所述的保护层(3)含有树脂或导电材料；优选，所述的树脂含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物，所述的导电材料为复合导电性高分子材料、氧化铟锡或者无机半导体材料。
4.根据权利要求3所述的低电阻透明导电膜，其特征在于，
所述的共轭结构为吡咯、噻吩、苯胺及其衍生物、低聚吡咯、低聚噻吩、低聚苯胺或它们之间的共聚物中的一种或多种；
所述的电荷转移配合物为TMB、TCNQ或两者形成的电荷转移配合物；
所述的复合导电性高分子材料为高分子材料内部添加导电填料或者纤维形成的，所述的导电填料为导电碳粉、导电氧化锌、导电ITO、防静电ATO中的一种或多种；
所述的无机半导体材料为硒、锗、单晶硅或者第三主族元素和第五主族元素构成的化合物。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的低电阻透明导电膜，其特征在于，所述的低电阻透明导电膜的方阻为0.1-80Ω/sq，透过率为50-92％，雾度为0.6-20％。
6.根据权利要求5所述的低电阻透明导电膜，其特征在于，所述的基材为玻璃、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚酯的一种或者以上材料的共聚物、或混合物、或层压物、或经过功能化涂层处理得到的薄膜；
优选所述的聚烯烃为聚乙烯，所述的聚酯为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
7.根据权利要求6所述的低电阻透明导电膜，其特征在于，所述的基材的厚度为10-200μm，所述的导电层(2)的厚度为10-500nm，所述的保护层(3)的厚度为10-500nm。
8.一种权利要求1-7任意一项所述的低电阻透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：
S1、调制导电层涂布液；
S2、调制保护层涂布液；
S3、将导电层涂布液涂布在基材表面，涂好后干燥或固化，得到导电层；
S4、将保护层涂布液涂布在导电层表面，涂好后干燥或固化，得到保护层；
S5、重复步骤S3和S4，得到所述的低电阻透明导电膜。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的导电层涂布液的组成如下：
Figure FDA0002373887230000021
10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述的保护层涂布液的组成如下：
Figure FDA0002373887230000022
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