CN111161657B - 一种gip检测电路 - Google Patents
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Abstract
一种GIP检测电路，包括GIP检测模块，所述GIP检测模块的控制端与当前级驱动信号Gn连接，控制端与薄膜晶体管T8的栅极连接，薄膜晶体管T8的漏极与GIP检测控制模块的输出端连接，所述GIP检测控制模块的输出端与测试信号线连接；GIP检测控制模块的输出端还通过薄膜晶体管T9与片上低电压连接，T9通过测试信号线控制开关。通过本技术方案能够检测每一级信号输出。提高GIP检测的效率和精度。
Description
技术领域
本发明涉及面板显示领域，尤其涉及一种能够检测GIP每级输出的电路设计。
背景技术
近几十年来，随着时代的进步和信息技术的发展，人们对电子消费产品的需求日益增加，这就促进了液晶显示行业的发展，并且随着时代的发展，电子类产品朝着轻、薄和省功耗的方向不断的发展。
而在显示行业中，液晶显示占据着重要的地位，在液晶显示屏中每个像素具有一个TFT，其栅极(Gate)连接至水平方向扫描线，源极(Drain)连接至垂直方向的资料线，而源极(Source)则连接至像素电极。若在水平方向的某一条扫描线上施加足够的正电压，会使得该条线上所有的TFT打开，此时该条线上的像素电极会与垂直方向的资料线连接，而将资料线上的视讯信号电压写入像素中，控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩的效果。
在进行栅极电路的驱动是，目前主要有两种方法：一是面板外绑定IC；另一就是通过GIP技术来完成。但是，随着时代的发展，人们对面板显示高屏占比的要求越来越高，GIP技术已经是驱动栅极电路的主要方式。而GIP基本概念是将LCD Panel的栅极驱动器集成在玻璃基板上，来代替由外接硅晶片的一种技术，形成对面板的扫描驱动。该技术相比传统的COF和COG工艺，不仅节省成本，同时也可以省去栅极方向绑定的工艺，对提升产能极为有利，并提高TFT-LCD面板的集成度。所以，GIP技术减少了栅极驱动IC的使用量，降低了功耗和成本，同时能够使减小显示面板的边框，实现窄边框的设计，是一种值得重视技术。
由于GIP电路是靠级传进行驱动和关闭上下级电路的，在一般情况下，如果面板的某一级输出信号出现问题，我们难以通过测量方式确定哪一级的输出信号有问题。
发明内容
为此，需要提供一种能够解决GIP电路不能够检测每一级信号输出的问题的技术方案，
为实现上述目的，发明人提供了一种GIP检测电路，包括GIP检测模块，所述GIP检测模块的控制端与当前级驱动信号Gn连接，控制端与薄膜晶体管T8的栅极连接，薄膜晶体管T8的漏极与GIP检测控制模块的输出端连接，所述GIP检测控制模块的输出端与测试信号线连接；GIP检测控制模块的输出端还通过薄膜晶体管T9与片上低电压连接，T9通过测试信号线控制开关。
具体地，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9，电容C1、C2；所述T1的漏极与片上高电压连接，栅极与前四级扫描信号连接，源极与T7的源极连接；所述T7的源极还与T2的栅极、T3的源极、C2的一端和T4的栅极连接；所述T2的漏极接片上低电压，源极与T3的栅极、C1的一端、T6的栅极连接；所述T3的漏极接片上低电压；所述C2的另一端与T5的源极、T4的漏极连接；所述T4的源极接第一时钟信号；所述T5的栅极接第五时钟信号，漏极接片上低电压；所述C1的另一端接第一时钟信号；所述T6的源极与当前级扫描信号和T8的栅极连接；所述T8的漏极与T9的源极连接，T9的漏极接片上低电压；所述T8的漏极还与测试信号连接，所述T9的栅极与控制信号连接。
具体地，所述T8的源极与片上高电压或当前级扫描信号连接。
具体地，包括第一测控走线、第二测控走线，所述第一测控走线包括第一测试信号线、第一控制信号线，所述第二测控走线包括第二测试信号线、第二控制信号线；同侧且相邻的GIP电路分别与第一测控走线，第二测控走线连接。
进一步地，包括第三测控走线、第三测控走线，所述第三测控走线包括第三测试信号线、第三控制信号线，所述第四测控走线包括第四测试信号线、第四控制信号线；同侧且相邻的GIP电路分别与第三测控走线，第四测控走线连接。
附图说明
图1为具体实施方式所述的GIP电路示意图；
图2为具体实施方式所述的GIP电路时序图；
图3为具体实施方式所述的GIP检测电路连接图；
图4为具体实施方式所述的面板连接关系图；
图5为具体实施方式所述的GIP检测电路时序图；
图6为具体实施方式所述的GIP检测电路模拟示意图；
图7为具体实施方式所述的另一GIP检测电路连接图；
图8为具体实施方式所述的另一GIP检测电路时序图；
图9为具体实施方式所述的另一GIP检测模拟示意图。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
图1是现有的GIP电路示意图，图2是与其对应的电路时序图。在GIP电路中，正扫时，T1的Gate连接Gn-4输出信号，Drain连接FW高电位，Source连接Q点，给Q点进行充电；T7的Gate连接Gn-4输出信号，Drain连接BW低电位，Source连接Q点，拉低Q点的电位；T2的Gate连接Q点，Drain连接VGL低电位，Source连接P点，拉低P点的电位；T4的Gate连接Q点，Drain连接CK1，Source连接Gout，形成输出信号；T3的Gate连接P点，Drain连接VGL低电位，Source连接Q点，拉低Q点的电位；T6的Gate连接P点，Drain连接VGL低电位，Source连接Gout，拉低Gout点的电位；T5的Gate连接CK5，Drain连接VGL低电位，Source连接Gout，拉低Gout点的电位。
图2展示了上述电路的驱动可以分为四个阶段：预充期间：CK5和Gn-4讯号为高电位，此时，T1、T2、T5和T8位打开，此时M点和Q点的电位为VH高电位，Gn和P的电位为VL低电位此阶段完成了Q点的预充电。输出期间，CK1讯号为高电位，此时的T2和T4位打开状态，在该期间，由于C2的Coupling效应，使得Q点的电位升高约为2VH，Gn的输出电压VH。下拉期间：CK5和Gn+4讯号为高电位，此时T5和T7处于打开状态，在该期间，Q点和Gn电位受到VGL的影响，将其由原来的高电位拉低值VL。下拉维持期间：CK1 Couple P点为高电位，此时T3和T6处于打开状态，在该期间，Q点和Gn电位受到VGL的影响，保持Q点和Gn的低电位。
图3是本发明GIP电路模块图，如图中所示，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9，电容C1、C2；所述T1的漏极与片上高电压连接，栅极与前四级扫描信号连接，源极与T7的源极连接；所述T7的源极还与T2的栅极、T3的源极、C2的一端和T4的栅极连接；所述T2的漏极接片上低电压，源极与T3的栅极、C1的一端、T6的栅极连接；所述T3的漏极接片上低电压；所述C2的另一端与T5的源极、T4的漏极连接；所述T4的源极接第一时钟信号；所述T5的栅极接第五时钟信号，漏极接片上低电压；所述C1的另一端接第一时钟信号；所述T6的源极与当前级扫描信号和T8的栅极连接；所述T8的漏极与T9的源极连接，T9的漏极接片上低电压；所述T8的漏极还与测试信号连接，所述T9的栅极与控制信号连接。在GIP电路中，正扫时，T1的Gate连接Gn-4输出信号，Drain连接FW高电位，Source连接Q点，给Q点进行充电；T7的Gate连接Gn-4输出信号，Drain连接BW低电位，Source连接Q点，拉低Q点的电位；T2的Gate连接Q点，Drain连接VGL低电位，Source连接P点，拉低P点的电位；T4的Gate连接Q点，Drain连接CK1，Source连接Gout，形成输出信号；T3的Gate连接P点，Drain连接VGL低电位，Source连接Q点，拉低Q点的电位；T6的Gate连接P点，Drain连接VGL低电位，Source连接Gout，拉低Gout点的电位；T5的Gate连接CK5，Drain连接VGL低电位，Source连接Gout，拉低Gout点的电位。
可见，图3所示的新型电路与图1所示的实例中的区别在于，在Gn之前加入了开关电路T8、T9，同时开关电路的使能端与控制信号，如V1连接，开关电路的输入端与Gn连接，输出端与检测信号连接。这样一来，开关电路经过适当的控制，就能够达到输出当前检测电路Gn信号的技术效果。
图4是图3所示的GIP检测电路的应用案例，面板上的每一级GIP均采用一组图3所示的GIP检测电路，其中左侧的GIP检测电路可以如图所示设置为分别控制单数行的像素。相应地，在面板的一侧，则为控制双数行的像素。如图中所示，边框中可以设置第一测控走线、第二测控走线，所述第一测控走线包括第一测试信号线TEST1、第一控制信号线V1，所述第二测控走线包括第二测试信号线TEST2、第二控制信号线V2。同侧且相邻的GIP电路分别与第一测控走线，第二测控走线连接。我们可以看到，在图4中，与第一测控走线与G1连接，第二测控走线与G3连接，而到了G5又与第一测控走线连接。利用本发明的GIP电路，将输出信号引入到测控信号，再连接到测试Pad上，通过测量测试Pad上的信号，可以有效的监控每一级的输出信号。
图5是本发明GIP电路时序图一：可以分为四个阶段；预充期间：CK5和Gn-4讯号为高电位，此时，T1、T2、T5和T8位打开，此时M点和Q点的电位为VH高电位，Gn和P的电位为VL低电位此阶段完成了Q点的预充电。输出期间，CK1讯号为高电位，此时的T2和T4位打开状态，在该期间，由于C2的Coupling效应，使得Q点的电位升高约为2VH，Gn的输出电压VH。下拉期间：CK5和Gn+4讯号为高电位，此时T5和T7处于打开状态，在该期间，Q点和Gn电位受到VGL的影响，将其由原来的高电位拉低值VL。下拉维持期间：CK1 Couple P点为高电位，此时T3和T6处于打开状态，在该期间，Q点和Gn电位受到VGL的影响，保持Q点和Gn的低电位。我们将一侧相邻两级的GIP输出信号接到不同的Test线上，由于T8的Gate和Data连接GIP输出型号Gn，Source连接测试信号线Test，我么通过时序间的差异，在一侧我们可以在Test1上监控G1，G5……Gn-2的输出信号；Test2上监控G3，G7……Gn的输出信号，在另一侧我们可以在Test1上监控G2，G4……Gn-1的输出信号；Test2上监控G4，G6……Gn+1的输出信号。从而我们可以检测测试信号线的输出信号，从而监控GIP的每一技术处信号，能够有效的监控每一级GIP信号，能够有效的确定异常GIP的输出信号的位置，提高了解决问题的效率，为后续可能出现的issue提供一个有效的方向。
图6是本发明GIP电路模拟示意图一：具体地，即TEST信号线输出的信号仿真。通过模拟情况我们可以看出，测试信号线的的波形能够稳定的输出，同时，测试信号线上的输出波形的时序与我们输出波形的时序是相一致的，如果某一级的输出波形有异常的话，我们可以通过测试信号线上的输出波形去会推出出现异常的GIP级数，有利于我们更好的解决面板问题。
图7所示的其他一些实施例的GIP电路示意图。在GIP电路中，正扫时，T1的Gate连接Gn-4输出信号，Drain连接VH高电位，Source连接Q点，给Q点进行充电；T7的Gate连接Gn-4输出信号，Drain连接VL低电位，Source连接Q点，拉低Q点的电位；T2的Gate连接Q点，Drain连接VL低电位，Source连接P点，拉低P点的电位；T4的Gate连接Q点，Drain连接CK1，Source连接Gout，形成输出信号；T3的Gate连接P点，Drain连接VL低电位，Source连接Q点，拉低Q点的电位；T6的Gate连接P点，Drain连接VL低电位，Source连接Gout，拉低Gout点的电位；T5的Gate连接CK5，Drain连接VL低电位，Source连接Gout，拉低Gout点的电位；T8的Gate连接输出信号Gn，Drain连接VH高电位，Source连接测试信号线Test；T9的Gate连接V2，Drain连接输出信号Gn，Source连接VL低电位。可见，该电路与前一实施例的主要区别在于，T8的Gate连接输出信号Gn，Drain连接VH高电位。其同样可以达到利用该电路，将GIP的输出信号进行拉出测试的技术效果。通过测试测试信号线上的GIP信号来监控每一级的GIP输出信号，当面板GIP输出信号有问题时，利用该测试结果可以较快捷的找出有问题的GIP级数。并且在该电路，由于T9的Drain连接VH高电位，使得输出信号的波形与高度与示意图一相比会更佳的更稳定，同时能够更有效的监控输出信号的异常情况。
图8展示了本例中的GIP电路时序。具体可以分为四个阶段；预充期间：CK5和Gn-4讯号为高电位，此时，T1、T2、T5和T8位打开，此时M点和Q点的电位为VH高电位，Gn和P的电位为VL低电位此阶段完成了Q点的预充电。输出期间，CK1讯号为高电位，此时的T2和T4位打开状态，在该期间，由于C2的Coupling效应，使得Q点的电位升高约为2VH，Gn的输出电压VH。下拉期间：CK5和Gn+4讯号为高电位，此时T5和T7处于打开状态，在该期间，Q点和Gn电位受到VGL的影响，将其由原来的高电位拉低值VL。下拉维持期间：CK1 Couple P点为高电位，此时T3和T6处于打开状态，在该期间，Q点和Gn电位受到VGL的影响，保持Q点和Gn的低电位。我们将一侧相邻两级的GIP输出信号接到不同的Test线上，由于T8的Gate和Data连接GIP输出型号Gn，Source连接测试信号线Test，我么通过时序间的差异，在一侧我们可以在Test1上监控G1，G5……Gn-2的输出信号；Test2上监控G3，G7……Gn的输出信号，在另一侧我们可以在Test1上监控G2，G4……Gn-1的输出信号；Test2上监控G4，G6……Gn+1的输出信号。从而我们可以监控GIP的每一技术处信号，能够有效的监控每一级GIP信号，能够有效的确定异常GIP的输出信号的位置，提高了解决问题的效率，为后续可能出现的issue提供一个有效的方向。
图9同样提供了另一种实施例的GIP电路模拟示意。通过模拟情况我们可以看出，测试信号线的的波形能够稳定的输出，同时，测试信号线上的输出波形的时序与我们输出波形的时序是相一致的，如果某一级的输出波形有异常的话，我们可以通过测试信号线上的输出波形去会推出出现异常的GIP级数，有利于我们更好的解决面板问题。同时，由于我们将该电路的T8上的Drain连接到VH高电位，使得输出波形较本专利的第一种电路的Delay时间会更短，同时输出波形的也会更明显，对分辨率更高的面板的检测效果会更加。
结合上两例可知，本方案还可以直接提供一种连接了GIP检测模块的GIP检测电路。所述GIP检测模块的控制端与当前级驱动信号Gn连接，控制端与薄膜晶体管T8的栅极连接，薄膜晶体管T8的漏极与GIP检测控制模块的输出端连接，所述GIP检测控制模块的输出端与测试信号线连接；GIP检测控制模块的输出端还通过薄膜晶体管T9与片上低电压连接，T9通过测试信号线控制开关。其中T8的作用是引出Gn到测试信号线，T9的作用是为了及时地拉低测试信号线，以供下一次高电平的输入。因此为了留出充足的上升沿下降沿的测试时间，我们设置在单边的GIP驱动中隔行分组连接，也是为了避免更多的串扰。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (3)
1.一种GIP检测电路，其特征在于，包括GIP检测模块，所述GIP检测模块的控制端与当前级驱动信号Gn连接，控制端与薄膜晶体管T8的栅极连接，薄膜晶体管T8的漏极与GIP检测控制模块的输出端连接，所述GIP检测控制模块的输出端与测试信号线连接；GIP检测控制模块的输出端还通过薄膜晶体管T9与片上低电压连接，T9通过测试信号线控制开关；
所述的GIP检测电路具体包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9，电容C1、C2；所述T1的漏极与片上高电压连接，栅极与前四级扫描信号连接，源极与T7的源极连接；所述T7的源极还与T2的栅极、T3的源极、C2的一端和T4的栅极连接；所述T2的漏极接片上低电压，源极与T3的栅极、C1的一端、T6的栅极连接；所述T3的漏极接片上低电压；所述C2的另一端与T5的源极、T4的漏极连接；所述T4的源极接第一时钟信号；所述T5的栅极接第五时钟信号，漏极接片上低电压；所述C1的另一端接第一时钟信号；所述T6的源极与当前级扫描信号和T8的栅极连接；所述T8的漏极与T9的源极连接，T9的漏极接片上低电压；所述T8的漏极还与测试信号连接，所述T9的栅极与控制信号连接；
所述T8的源极与片上高电压或当前级扫描信号连接。
2.根据权利要求1所述的GIP检测电路，其特征在于，包括第一测控走线、第二测控走线，所述第一测控走线包括第一测试信号线、第一控制信号线，所述第二测控走线包括第二测试信号线、第二控制信号线；同侧且相邻的GIP电路分别与第一测控走线，第二测控走线连接。
3.根据权利要求1所述的GIP检测电路，其特征在于，包括第三测控走线、第四测控走线，所述第三测控走线包括第三测试信号线、第三控制信号线，所述第四测控走线包括第四测试信号线、第四控制信号线；同侧且相邻的GIP电路分别与第三测控走线，第四测控走线连接。
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| CN105609022B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-08-14 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Gip检测电路和平板显示装置 |
| KR20170136089A (ko) * | 2016-05-31 | 2017-12-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 이를 이용한 표시 장치 |
| CN106782246B (zh) * | 2017-01-05 | 2020-07-31 | 昆山国显光电有限公司 | Gip信号测试电路、gip信号测试方法和显示装置 |
-
2020
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN211529584U (zh) * | 2020-01-19 | 2020-09-18 | 福建华佳彩有限公司 | 一种gip检测电路 |
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