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CN111146228B - 像素 - Google Patents

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CN111146228B
CN111146228B CN201911059231.9A CN201911059231A CN111146228B CN 111146228 B CN111146228 B CN 111146228B CN 201911059231 A CN201911059231 A CN 201911059231A CN 111146228 B CN111146228 B CN 111146228B
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light emitting
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甘范修
金铉厓
许义康
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供一种像素。该像素包括：基底；第一电极，设置在基底上；分隔壁绝缘层，设置在基底上以覆盖第一电极的第一部分；第二电极，设置在分隔壁绝缘层上并包括与第一部分叠置的第二部分；以及发光元件，设置在分隔壁绝缘层的在第一部分和第二部分之间的第一侧表面上，并连接到第一电极和第二电极。

Description

像素
本申请要求于2018年11月5日提交的第10-2018-0134120号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开在这里涉及一种像素、包括该像素的显示装置和该像素的制造方法。
背景技术
通常，显示装置包括用于显示图像的多个像素。诸如包括液晶层的像素、包括电润湿层的像素、包括电泳层的像素和包括发光元件的像素的不同类型的像素用于显示图像。在不同类型的像素之中，发光元件可以自身发光，并且包括发光元件的显示装置不需要单独的光源。
近来，正在开发超小型LED元件作为发光元件。超小型LED元件以纳米或微米单元制造，并具有棒状形状或条状形状。超小型LED元件水平布置并电连接到具有相反极性的两个电极。
随着技术的发展，需要高分辨率的显示装置。然而，由于超小型LED元件水平布置，因此应确保用于布置超小型LED元件的空间。因此，在实现显示装置的高分辨率方面存在限制。
发明内容
本公开将提供一种能够实现高分辨率的像素、包括该像素的显示装置和该像素的制造方法。
发明构思的实施例提供一种像素，该像素包括：基底；第一电极，设置在基底上；分隔壁绝缘层，设置在基底上以覆盖第一电极的第一部分；第二电极，设置在分隔壁绝缘层上，并包括与第一部分叠置的第二部分；以及发光元件，设置在分隔壁绝缘层的在第一部分和第二部分之间的第一侧表面上，并连接到第一电极和第二电极。
像素还可以包括设置在基底和第一电极之间的分隔壁层，其中，第一电极设置在基底上以覆盖分隔壁层。
分隔壁绝缘层的截面具有矩形形状。
发光元件具有圆柱形状并且在与基底的上表面交叉的方向上竖直地布置。
第一电极包括：第一延伸部分，在第一方向上延伸；以及多个第一分支部分，从第一延伸部分在与第一方向交叉的第二方向上分支，其中，第二电极包括：第二延伸部分，在第一方向上延伸；以及至少一个第二分支部分，从第二延伸部分在第二方向上分支，其中，第二分支部分设置在第一分支部分之间。
第一部分包括：第一分支部分的每侧，与第二分支部分的两侧中的一侧相邻，第二分支部分的两侧在第一方向上彼此相对；以及第一分支部分的预定部分，与第一分支部分的每侧相邻，其中，第二部分包括：第二分支部分的两侧；以及第二分支部分的预定部分，与第二分支部分的两侧相邻。
分隔壁绝缘层包括无机材料。
第一电极包括反射电极。
第一电极还包括设置在反射电极上的透明电极。
发光元件的下端接触第一电极，其中，发光元件的上部分的侧表面接触
第二部分，发光元件的上部分被限定为发光元件的与发光元件的上端相邻的预定部分。
像素还可以包括绝缘层，所述绝缘层设置在第一电极、第二电极和发光元件上，并且具有暴露发光元件的上部分和第二部分的限定的开口。
像素还可以包括设置在开口中并且接触第二电极和发光元件的上部分的接触电极。
像素还可以包括：子绝缘层，设置在发光元件和分隔壁绝缘层之间、在发光元件和第二部分之间、在绝缘层和第二电极之间以及在绝缘层和分隔壁绝缘层的第二侧表面之间，第二侧表面被限定为分隔壁绝缘层的除了第一侧表面之外的侧表面。
第一侧表面是相对于基底的上表面形成预定倾斜角的倾斜表面。
在发明构思的实施例中，显示装置包括多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括：基底；第一电极，设置在基底上；分隔壁绝缘层，设置在基底上以覆盖第一电极的第一部分；第二电极，设置在分隔壁绝缘层上，并包括与第一部分叠置的第二部分；以及发光元件，设置在分隔壁绝缘层的在第一部分和第二部分之间的第一侧表面上，并连接到第一电极和第二电极。
在发明构思的实施例中，一种制造像素的方法包括：在基底上设置分隔壁层；在基底上设置第一电极以覆盖分隔壁层；设置分隔壁绝缘层以覆盖第一电极的第一部分，所述分隔壁绝缘层设置在基底上并与分隔壁层间隔开；设置第二电极，所述第二电极设置在分隔壁绝缘层上并包括与第一部分叠置的第二部分；在分隔壁层和分隔壁绝缘层之间设置发光元件；向第一电极和第二电极施加相反极性的电压，以在分隔壁绝缘层的在第一部分和第二部分之间的第一侧表面上设置发光元件，其中，发光元件连接到第一电极和第二电极。
在所述方法中，发光元件的下端接触第一电极，其中发光元件的上部分的侧表面接触第二部分，发光元件的上部分被限定为发光元件的与发光元件的上端相邻的预定部分。
所述方法还可以包括：在基底上设置绝缘层以覆盖第一电极、发光元件和第二电极；去除绝缘层的与发光元件的上部分和第二部分叠置的部分；设置限定为绝缘层的去除部分的开口，并且在与开口相邻的绝缘层上设置接触电极，其中，接触电极接触发光元件的上部分和第二电极。
在所述方法中，第一电极包括：第一延伸部分，在第一方向上延伸；以及多个第一分支部分，从第一延伸部分在与第一方向交叉的第二方向上分支，其中，第二电极包括：第二延伸部分，在第一方向上延伸；以及至少一个第二分支部分，从第二延伸部分在第二方向上分支，其中，第二分支部分设置在第一分支部分之间，其中，第一部分包括：第一分支部分的每侧，与第二分支部分的两侧中的一侧相邻，第二分支部分的两侧在第一方向上彼此相对；以及第一分支部分的预定部分，与第一分支部分的每侧相邻，其中，第二部分包括：第二分支部分的两侧；以及第二分支部分的预定部分，与第二分支部分的两侧相邻。
在所述方法中，分隔壁绝缘层的截面具有矩形形状，发光元件具有圆柱形状并且在与基底的上表面交叉的方向上竖直地布置。
附图说明
包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且附图被并入且构成该说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是包括根据发明构思的实施例的像素的显示装置的平面图；
图2是图1中示出的像素的等效电路图；
图3是图2中示出的连接到发光元件的第一电极和第二电极的平面图；
图4是图3中示出的一个发光元件的透视图；
图5是示出图2中示出的像素的示例性剖面的视图；
图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17和图18是用于解释制造根据发明构思的实施例的像素的方法的视图；
图19是根据发明构思的另一实施例的像素的剖视图；以及
图20是根据发明构思的另一实施例的像素的剖视图。
具体实施方式
在说明书中，当提及组件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“组合到”另一组件时，这意味着该组件可以直接在所述另一组件上、连接到或结合到所述另一组件，或者可以存在位于它们之间的第三组件。
同样的附图标记表示同样的元件。另外，在附图中，为了有效描述，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
“和/或”包括由相关组件定义的一个或更多个组合的全部组合。
将理解，这里使用术语“第一”和“第二”来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。上述术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。例如，在不脱离发明构思的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，反之亦然。除非上下文另有明确规定，否则单数表达包括复数表达。
另外，诸如“在……下面”、“下侧”、“在……上”和“上侧”的术语用于描述附图中所示的构造的关系。这些术语被描述为基于图中所示方向的相对构思。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的术语的含义相同的含义。此外，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非以理想或过于正式化的含义解释术语，否则这里明确定义术语。
在发明构思的各种实施例中，术语“包括”、“包含”及其变型说明属性、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件，但不排除其它属性、区域、固定数字、步骤、工艺、元件和/或组件。
在下文中，参照附图更详细地描述发明构思的实施例。
图1是包括根据发明构思的实施例的像素的显示装置的平面图。
参照图1，根据发明构思的实施例的显示装置DD可以包括显示面板DP、扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV。扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV可以设置在显示面板DP上。
显示面板DP可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向DR1上的短边和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上的长边。然而，发明构思不限于此，并且显示面板DP的形状可以具有各种形状，诸如圆形形状和多边形形状。
显示面板DP的平面区域可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA可以是用于显示图像的区域，非显示区域NDA可以是不用于显示图像的区域。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm以及多条数据线DL1至DLn。m和n是自然数。说明性地，像素PX可以以矩阵形式布置，但是像素PX的布置形式不限于此。
像素PX可以设置在显示区域DA中并且连接到扫描线SL1到SLm和数据线DL1到DLn。每个像素PX可以包括用于显示图像的发光元件。
扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV可以设置在非显示区域NDA中。扫描驱动器SDV可以与显示面板DP的长边中的一个长边相邻地设置在非显示区域NDA中。数据驱动器DDV可以与显示面板DP的短边中的一个短边相邻地设置在非显示区域NDA中。数据驱动器DDV可以以集成电路芯片的形式制造并安装在显示面板DP上。
扫描线SL1至SLm可以均在第一方向DR1上延伸，并且可以连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn均在第二方向DR2上延伸，并且可以连接到数据驱动器DDV。
扫描驱动器SDV产生多个扫描信号，并且扫描信号可以通过扫描线SL1至SLm施加到像素PX。扫描信号可以顺序地施加到像素PX。数据驱动器DDV产生多个数据电压，并且数据电压可以通过数据线DL1至DLn施加到像素PX。
虽然未在附图中示出，但是显示装置DD可以包括用于控制扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV的操作的时序控制器。时序控制器可以响应于外部接收的控制信号产生扫描控制信号和数据控制信号。时序控制器从外部接收图像信号，并转换图像信号的数据格式以使接口规范与数据驱动器DDV匹配，并将转换后的图像数据提供到数据驱动器DDV。
扫描驱动器SDV可以响应于扫描控制信号生成扫描信号。数据驱动器DDV被提供其数据格式被转换的图像信号，并且可以响应于数据控制信号生成与图像信号对应的数据电压。
可以响应于扫描信号向像素PX提供数据电压。像素PX可以通过发射与数据电压对应的亮度的光来显示图像。
图2是图1中所示的像素的等效电路图。
尽管图2中示出了图1中所示的像素PX中的一个像素PX的等效电路图，但是图1中所示的其它像素PX可以均具有与图2中所示的像素PX相同的电路图。说明性地，图2中示出了连接到扫描线SLi和数据线DLj的像素PX。i和j是自然数。
参照图2，像素PX可以包括发光元件ED、驱动元件DT、电容元件C和开关元件ST。可以提供多个发光元件ED。下面将在图3中示出多个发光元件ED。
驱动元件DT和开关元件ST可以是P型晶体管。然而，发明构思不限于此，并且驱动元件DT和开关元件ST可以是N型晶体管。电容元件C可以是电容器。
驱动元件DT包括连接到电容元件C的第一电容电极和第一电源线PL1的输入端子、连接到发光元件ED的输出端子以及连接到开关元件ST的输出端子的控制端子。驱动元件DT可以通过第一电源线PL1接收第一电源电压ELVDD。电容元件C的第二电容电极可以连接到驱动元件DT的控制端子。
开关元件ST可以包括连接到数据线DLj的输入端子、连接到驱动元件DT的控制端子的输出端子以及连接到扫描线SLi的控制端子。
发光元件ED可以连接到驱动元件DT和第二电源线PL2。例如，发光元件ED可以连接到第一电极E1和第二电极E2，第一电极E1电连接到驱动元件DT，第二电极E2连接到第二电源线PL2。发光元件ED可以通过第二电源线PL2接收第二电源电压ELVSS。第二电源电压ELVSS可以是具有低于第一电源电压ELVDD的电平的电压。
扫描信号通过扫描线SLi施加到开关元件ST的控制端子，并且开关元件ST可以响应于扫描信号而导通。导通的开关元件ST可以将通过数据线DLj接收的数据电压提供到第一节点N1。
电容元件C可以充电有与提供到第一节点N1的数据电压和第一电源电压ELVDD之间的差对应的电荷量，并且即使在开关元件ST截止之后也保持电荷量。
驱动元件DT可以根据在电容元件C中充电的电荷量来导通。驱动元件DT的导通时间可以根据在电容元件C中充电的电荷量来确定。可以通过导通的驱动元件DT向发光元件ED提供电流，使得发光元件ED发光。发光元件ED可以发光以产生图像。
发光元件ED可以是超小型LED元件。超小型LED元件可以是具有几纳米到几百微米长度的LED器件。超小型LED元件的长度仅是示例，超小型LED元件的长度不限于上述数值范围。
图3是图2中所示的连接到发光元件的第一电极和第二电极的平面图。
参照图3，第一电极E1包括在第一方向DR1上延伸的第一延伸部分E1_1和从第一延伸部分E1_1在第二方向DR2上分支的多个第一分支部分E1_2。尽管说明性地示出了两个第一分支部分E1_2，但是第一分支部分E1_2的数量不限于此。例如，一个像素PX可以包括两个以上的第一分支部分E1_2。
第二电极E2可以包括在第一方向DR1上延伸的第二延伸部分E2_1和从第二延伸部分E2_1在第二方向DR2上分支的第二分支部分E2_2。说明性地，示出了一个第二分支部分E2_2，但是发明构思不限于此，并且一个像素PX可以包括两个或更多个第二分支部分E2_2。
第二分支部分E2_2可以设置在第一分支部分E1_2之间。当多个第二分支部分E2_2设置到第二延伸部分E2_1时，第一分支部分E1_2和多个第二分支部分E2_2可以沿第一方向DR1以1:1交替布置。
第一电极E1和第二电极E2可以彼此部分地叠置。第一电极E1可以包括与第二电极E2的预定部分叠置的第一部分PT1。第二电极E2可以包括与第一电极E1的预定部分叠置的第二部分PT2。
第一部分PT1可以包括两个第一分支部分E1_2的与第二分支部分E2_2的在第一方向DR1上彼此相对的两侧中的一侧相邻的每侧以及与第一分支部分E1_2的所述每侧相邻的第一分支部分E1_2的预定部分。第一部分PT1可以与第二分支部分E2_2的预定部分叠置。
第二部分PT2可以包括第二分支部分E2_2的两侧和第二分支部分E2_2的与第二分支部分E2_2的所述两侧相邻的预定部分。第二部分PT2可以与第一分支部分E1_2的预定部分叠置。
像素PX可以包括多个发光元件ED。与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面垂直的方向可以被限定为第三方向DR3。当在第三方向DR3上观看时，发光元件ED可以设置在第二分支部分E2_2的两侧上。
像素PX的平面区域可以包括像素区域PA和在像素区域PA周围的非像素区域NPA。发光元件ED可以设置在像素区域PA中。
图4是图3中所示的一个发光元件的透视图。
尽管图4中说明性地示出了一个发光元件ED，但是其它发光元件ED将具有与图4中所示的发光元件ED的构造相同的构造。
参照图4，发光元件ED可以具有圆柱形状。然而，发明构思不限于此，并且发光元件ED可以具有多边形柱状形状。发光元件ED可以竖直地对准并设置在第二分支部分E2_2的两侧上。因此，如图3中所示，当在第三方向DR3上观看时，发光元件ED可以具有圆形形状。
发光元件ED可以包括n型半导体层NS、p型半导体层PS和设置在n型半导体层NS和p型半导体层PS之间的有源层AL。n型半导体层NS可以通过将n型掺杂剂掺杂到半导体层中来形成。p型半导体层PS可以通过将p型掺杂剂掺杂到半导体层中来形成。半导体层可以包括半导体材料。例如，半导体层可以包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN或AlInN，但不限于此。
n型掺杂剂可以是硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)、碲(Te)或其组合，但不限于此。p型掺杂剂可以是镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或其组合，但不限于此。
有源层AL可以由单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种形成。有源层AL可以是通过n型半导体层NS注入的电子和通过p型半导体层PS注入的空穴复合的区域。有源层AL可以被限定为发射具有由材料特定能带确定的能量的光的层。有源层AL的位置可以根据二极管的类型而变化。
n型半导体层NS可以连接到第一电极E1和第二电极E2中的一个。p型半导体层PS可以连接到第一电极E1和第二电极E2中的另一个。
发光元件ED的长度LT可以在几纳米到几百微米之间。例如，发光元件ED的长度LT可以从1微米到100微米。
图5是示出图2中所示的像素的示例性剖面的视图。
参照图5，像素PX可以包括驱动元件DT、开关元件ST、第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED。驱动元件DT、开关元件ST、第一电极E1和第二电极E2以及发光元件ED可以设置在第一基体基底BS1上。
第二基体基底BS2可以面对第一基体基底BS1。驱动元件DT、开关元件ST、第一电极E1和第二电极E2以及发光元件ED可以设置在第一基体基底BS1和第二基体基底BS2之间。第一基体基底BS1和第二基体基底BS2均可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的层叠结构。
由于驱动元件DT的构造和开关元件ST的构造基本相同，因此下文将主要描述驱动元件DT的构造，并且将简要描述或省略开关元件ST的构造。
缓冲层BFL可以设置在第一基体基底BS1上。缓冲层BFL可以包括无机材料。驱动元件DT和开关元件ST可以设置在缓冲层BFL上。
驱动元件DT可以包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一半导体层SM1。开关元件ST可以包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和第二半导体层SM2。
第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和第二半导体层SM2可以分别具有与第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一半导体层SM1相同的结构，并且可以设置在同一层上。
第一半导体层SM1可以设置在缓冲层BFL上。第一半导体层SM1可以包括有机半导体或诸如非晶硅或多晶硅的无机材料的半导体。另外，第一半导体层SM1可以包括氧化物半导体。尽管未在图5中示出，但是第一半导体层SM1可以包括源区、漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。
缓冲层BFL可以向第一半导体层SM1提供修改的表面。在这种情况下，第一半导体层SM1可以具有比直接放置在第一基体基底BS1上时对缓冲层BFL高的粘附力。缓冲层BFL可以是用于保护第一半导体层SM1的下表面的阻挡层。在这种情况下，缓冲层BFL可以防止来自第一基体基底BS1自身或通过第一基体基底BS1进入的污染物或湿气渗透到第一半导体层SM1中。
第一绝缘层INS1可以设置在缓冲层BFL上，以覆盖第一半导体层SM1。第一绝缘层INS1可以包括无机材料。例如，第一绝缘层INS1可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝，但不限于此。
与第一半导体层SM1叠置的第一栅电极GE1可以设置在第一绝缘层INS1上。第一栅电极GE1可以设置为与第一半导体层SM1的沟道区叠置。第二绝缘层INS2可以设置在第一绝缘层INS1上以覆盖第一栅电极GE1。第二绝缘层INS2可以包括无机材料。
电容元件C(在图2中示出)可以包括第一电容电极(未示出)和第二电容电极CPa。第一电容电极可以从第二栅电极GE2分支，第二电容电极CPa可以设置在第二绝缘层INS2上。
第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上，以覆盖第二电容电极CPa。第三绝缘层INS3可以被限定为层间绝缘层。第三绝缘层INS3可以包括有机材料和/或无机材料。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以彼此间隔开并且设置在第三绝缘层INS3上。第一源电极SE1通过由第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3限定的第一接触孔CH1连接到第一半导体层SM1的源区。第一漏电极DE1通过由第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3限定的第二接触孔CH2连接到第一半导体层SM1的漏区。
第四绝缘层INS4可以设置在第三绝缘层INS3上，以覆盖第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第四绝缘层INS4可以被限定为提供平坦的上表面的平坦化膜，并且可以包括有机材料。
其中设置有第一基体基底BS1、缓冲层BFL和第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4的层可以被限定为第一基底SUB1。
分隔壁层BR和分隔壁绝缘层BRI可以彼此分隔开设置并且设置在第一基底SUB1上。分隔壁层BR可以包括有机材料，分隔壁绝缘层BRI可以包括无机材料，但不限于此。
第一电极E1可以设置在第一基底SUB1上以覆盖分隔壁层BR。例如，第一电极E1可以设置在分隔壁层BR上并且设置在第一基底SUB1的与分隔壁层BR相邻的部分上。因此，分隔壁层BR可以设置在第一基底SUB1和第一电极E1之间。
第一电极E1可以通过由第一基底SUB1的第四绝缘层INS4限定的第三接触孔CH3连接到第一漏电极DE1。因此，第一电极E1可以电连接到驱动元件DT。
第一电极E1可以具有单层结构或多层结构。例如，第一电极E1可以包括反射电极，或者可以包括反射电极和设置在反射电极上的透明电极。
反射电极可以包括可反射光的铜(Cu)、铝(Al)和银(Ag)。透明电极可以包括可透射光的氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)及其混合物/复合物中的至少一种。
分隔壁绝缘层BRI可以具有矩形剖面。因此，分隔壁绝缘层BRI的侧表面SS1和SS2可以在垂直于第一基底SUB1的上表面的方向上延伸。第一基底SUB1的上表面可以是由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面，并且垂直于第一基底SUB1的上表面的方向可以是第三方向DR3。
分隔壁绝缘层BRI可以设置在第一基底SUB1上以覆盖第一电极E1的第一部分PT1。如上所述，第一部分PT1可以是第一电极E1的与第二电极E2叠置的部分。
在下文中，分隔壁绝缘层BRI的与第一部分PT1相邻并且设置在第一部分PT1和第二部分PT2之间的侧表面被限定为第一侧表面SS1。分隔壁绝缘层BRI的除了第一侧表面SS1之外的侧表面被限定为第二侧表面SS2。第二电极E2可以设置在分隔壁绝缘层BRI的上表面US上，并且可以不设置在第一侧表面SS1和第二侧表面SS2上。
发光元件ED可以在第三方向DR3上延伸并且设置在第一侧表面SS1上。发光元件ED可以接触第一侧表面SS1。发光元件ED可以电连接到第一电极E1和第二电极E2。
发光元件ED的下端可以接触第一电极E1以电连接到第一电极E1。发光元件ED的上部分(被限定为发光元件ED的与发光元件ED的上端相邻的预定部分)接触第二电极E2以电连接到第二电极E2。第二电极E2的第二部分PT2可以接触发光元件ED的上侧表面。
第五绝缘层INS5可以设置在第一基底SUB1上。第五绝缘层INS5可以设置在第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED上。用于暴露发光元件ED的上部分和第二部分PT2的开口OP可以限定在第五绝缘层INS5中。第五绝缘层INS5可以包括无机材料。
接触电极CE可以设置在开口OP中并且设置在与开口OP相邻的第五绝缘层INS5上。然而，发明构思不限于此，接触电极CE可以不设置在第五绝缘层INS5上，而是可以仅设置在开口OP中。接触电极CE可以通过开口OP接触发光元件ED的上部分和第二电极E2。
接触电极CE可以包括透明材料。例如，接触电极CE可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)及其混合物/复合物中的至少一种，并且不限于此。
由于发光元件ED的下端具有圆形平面，因此它可以与第一电极E1的上表面表面接触。然而，由于发光元件ED具有圆柱形状，所以发光元件ED的为圆柱形侧表面的上侧表面可以与第二部分PT2线接触。线接触具有比表面接触小的接触面积，并且随着接触面积越小，接触电阻可以越大。电阻可能会干扰电流的流动。
发光元件ED的具有圆形平面的上端可以通过接触电极CE电连接到第二部分PT2。即，基本上，可以通过接触电极CE增大接触面积，使得可以减小发光元件ED和第二电极E2之间的接触电阻。
第六绝缘层INS6可以设置在第五绝缘层INS5上以覆盖接触电极CE。第六绝缘层INS6可以是密封层。
光转换层LCL和黑矩阵BM可以设置在第二基体基底BS2的面对第一基体基底BS1的一个表面上。光转换层LCL可以设置在像素区域PA中，黑矩阵BM可以设置在非像素区域NPA中。一些像素PX可以不包括光转换层LCL。
光转换层LCL可以包括发射器。例如，发射器可以转换从发光元件ED提供的第一颜色光的波长，以发射具有与第一颜色光不同颜色的第二颜色光。发射器可以是量子点。第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是红光或绿光。
包括用于将蓝光转换为红光的光转换层LCL的像素PX、包括用于将蓝光转换为绿光的光转换层LCL的像素PX以及不包括光转换层LCL的像素PX可以设置在显示面板DP上。因此，可以通过像素PX产生红光、蓝光和绿光。
然而，发明构思的实施例不限于此。例如，光转换层LCL可以用滤色器代替。此外，可以从像素PX省略光转换层LCL。在这种情况下，发光元件ED可以发射蓝光、绿光或红光。黑矩阵BM可以防止像素之间的光泄漏。
其中设置有第二基体基底BS2、光转换层LCL和黑矩阵BM的层可以被限定为第二基底SUB2。
第七绝缘层INS7可以设置在第一基底SUB1和第二基底SUB2之间。第七绝缘层INS7可以是光学透明粘合膜、光学透明粘合树脂或压敏粘合膜。然而，这仅是示例，并且在发明构思的另一实施例中，可以省略第七绝缘层INS7。
在发明构思的实施例中，发光元件ED可以竖直地布置并连接到第一电极E1和第二电极E2。因此，与当发光元件ED水平布置时相比，可以减小发光元件ED的布置面积。由于可以减小发光元件ED的布置面积，所以可以向显示装置DD提供更多数量的发光元件ED。结果，可以实现显示装置DD的高分辨率。
图6至图18是用于解释制造根据发明构思的实施例的像素的方法的视图。
为了便于说明，图6至图18示出了分隔壁层BR的一部分和分隔壁绝缘层BRI的一部分。另外，第一基底SUB1未被划分为第一基体基底BS1、缓冲层BFL以及第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4，而是示出为单层。省略了第二基底SUB2和第七绝缘层INS7。
参照图6，在第一基底SUB1上设置分隔壁层BR，并在第一基底SUB1上设置第一电极E1以覆盖分隔壁层BR。可以在第一基底SUB1上设置绝缘层IL以覆盖第一电极E1。可以在绝缘层IL上设置导电层CL。
绝缘层IL可以包括与分隔壁绝缘层BRI的材料相同的材料，并且导电层CL可以包括与第二电极E2的材料相同的材料。可以在第一基底SUB1上设置绝缘层IL以形成分隔壁绝缘层BRI，可以在绝缘层IL上设置导电层CL以形成第二电极E2。
可以在导电层CL上设置第一光致抗蚀剂图案PR1。可以将第一光致抗蚀剂图案PR1设置在用于形成分隔壁绝缘层BRI和第二电极E2的区域中。例如，可以在导电层CL上设置光致抗蚀剂(或光敏树脂)。在下文中，将在用于形成分隔壁绝缘层BRI和第二电极E2的区域周围的光致抗蚀剂曝光并显影并且去除，使得将第一光致抗蚀剂图案PR1设置在导电层CL上。
参照图7和图8，可以使用第一光致抗蚀剂图案PR1作为掩模来去除在用于形成分隔壁绝缘层BRI和第二电极E2的区域的周围的导电层CL和绝缘层IL。因此，可以将分隔壁绝缘层BRI和第二电极E2设置在第一基底SUB1上。可以在第一基底SUB1上设置分隔壁绝缘层BRI以覆盖第一部分PT1，可以在分隔壁绝缘层BRI的上表面US上设置第二电极E2。在形成分隔壁绝缘层BRI和第二电极E2之后，可以去除第一光致抗蚀剂图案PR1。
参照图9和图10，可以在第一基底SUB1上设置发光元件ED。例如，可以在分隔壁层BR和分隔壁绝缘层BRI之间提供包含发光元件ED的溶液LQ。溶液LQ可以是墨水或膏。溶液LQ可以是可以在室温下或通过加热蒸发的物质。
由于可以将相反极性的电压施加到第一电极E1和第二电极E2，所以可以在第一电极E1和第二电极E2之间形成电场。可以将DC电压或AC电压施加到第一电极E1和第二电极E2。通过电场在发光元件ED中诱发双极性，并且发光元件ED可以通过电泳力在第一电极E1和第二电极E2之间自对准。
第二电极E2与第一电极E1间隔开并且设置在第一电极E1上方，并且分隔壁绝缘层BRI设置在第一部分PT1和第二部分PT2之间，使得发光元件ED可以竖直地对准。可以将竖直地对准的发光元件ED设置在分隔壁绝缘层BRI的第一侧表面SS1上。
如上所述，发光元件ED的下端接触第一电极E1以电连接到第一电极E1，并且发光元件ED的上部分接触第二电极E2以电连接到第二电极E2。
参照图11，可以在第一基底SUB1上设置绝缘层IL'以覆盖第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED。绝缘层IL'包括与第五绝缘层INS5的材料相同的材料，并且可以设置在第一基底SUB1上以形成第五绝缘层INS5。
参照图12，可以在绝缘层IL'上设置第二光致抗蚀剂图案PR2。可以将第二光致抗蚀剂图案PR2设置在用于形成开口OP的区域周围。例如，在绝缘层IL'上设置光致抗蚀剂，并且将用于形成开口OP的区域中的光致抗蚀剂曝光并显影并且去除，从而可以在绝缘层IL'上设置第二光致抗蚀剂图案PR2。
参照图13和图14，使用第二光致抗蚀剂图案PR2作为掩模去除用于形成开口OP的区域的绝缘层IL'，使得可以在第一基底SUB1上设置限定开口OP的第五绝缘层INS5。可以通过开口OP来暴露发光元件ED的上部分和第二部分PT2。在形成第五绝缘层INS5之后，可以去除第二光致抗蚀剂图案PR2。
参照图15，可以在开口OP中设置导电层CL'并且在第五绝缘层INS5上设置导电层CL'。导电层CL'包括与接触电极CE的材料相同的材料，并且可以设置在第一基底SUB1上以形成接触电极CE。
参照图16，可以在导电层CL'上设置第三光致抗蚀剂图案PR3。第三光致抗蚀剂图案PR3可以设置为与开口OP和相邻于开口OP的区域叠置。例如，在导电层CL'上设置光致抗蚀剂，并且将用于形成接触电极CE的区域周围的光致抗蚀剂曝光、显影并去除，从而可以在导电层CL'上设置第三光致抗蚀剂图案PR3。
参照图17和图18，使用第三光致抗蚀剂图案PR3作为掩模来去除在用于形成接触电极CE的区域周围的导电层CL'，使得可以在第一基底SUB1上设置接触电极CE。可以将接触电极CE设置在开口OP处，以接触发光元件ED的上部分和第二部分PT2。
在形成接触电极CE之后，可以去除第三光致抗蚀剂图案PR3，并且可以在第五绝缘层INS5上设置第六绝缘层INS6以覆盖接触电极CE。
虽然图中未示出，但此后，可以在第一基底SUB1上设置第二基底SUB2，可以在第一基底SUB1和第二基底SUB2之间设置第七绝缘层INS7。
根据制造根据发明构思的实施例的像素的方法，发光元件ED可以竖直地布置并连接到第一电极E1和第二电极E2。结果，可以减小发光元件ED的布置面积，并且可以向显示装置DD提供更多数量的发光元件ED，从而可以实现显示装置DD的高分辨率。
图19是根据发明构思的另一实施例的像素的剖视图。
为了便于说明，图19中所示的像素PX_1示出在对应于图18中所示的剖面的剖视图中。因此，示出了像素PX_1的构造的一部分的剖面，并且省略了其它构造。
除了附加子绝缘层SINS之外，基本上，像素PX_1可以具有与图5中所示的像素PX的构造相同的构造。因此，下面将描述子绝缘层SINS，并且同样的元件由同样的附图标记表示。
参照图19，子绝缘层SINS可以设置在发光元件ED和分隔壁绝缘层BRI之间并且在发光元件ED和第二部分PT2之间。另外，子绝缘层SINS设置在第五绝缘层INS5和第二电极E2之间、在第五绝缘层INS5和第二侧表面SS2之间并且在第五绝缘层INS5和第一基底SUB1之间。
子绝缘层SINS可以包括无机材料。第五绝缘层INS5可以保护第二电极E2，另外，子绝缘层SINS设置在第二部分PT2的侧表面上并且设置在第二电极E2上，使得可以进一步保护第二电极E2。
发光元件ED的上部分通过子绝缘层SINS而与第二部分PT2绝缘，发光元件ED可以通过接触电极CE电连接到第二部分PT2。
图20是根据发明构思的另一实施例的像素的剖视图。
为了便于说明，图20中所示的像素PX_2示出在与图18中所示的剖面对应的剖视图中。因此，示出了像素PX_2的构造的一部分的剖面，并且省略了其它构造。
除了分隔壁绝缘层BRI'的第一侧表面SS1'和第二侧表面SS2'之外，基本上，像素PX_2可以具有与图5中所示的像素PX的构造相同的构造。因此，将描述分隔壁绝缘层BRI'的第一侧表面SS1'和第二侧表面SS2'，并且同样的元件由同样的附图标号表示。
参照图20，分隔壁绝缘层BRI'的剖面可以具有梯形形状。因此，与图5中所示的第一侧表面SS1和第二侧表面SS2不同，分隔壁绝缘层BRI'的第一侧表面SS1'和第二侧表面SS2'可以是相对于第一基底SUB1的上表面具有预定的倾斜角的倾斜表面。说明性地，倾斜角可以小于90度并且大于0度，并且可以优选地小于90度并且大于或等于45度。
发光元件ED可以设置在具有倾斜表面的第一侧表面SS1'上，以电连接到第一电极E1和第二电极E2。
根据发明构思的实施例，由于像素的发光元件竖直地布置并连接到第一电极和第二电极，所以可以减小发光元件的布置面积。因此，包括根据发明构思的实施例的像素的显示装置可以实现高分辨率。
尽管已经描述了发明构思的示例性实施例，但是应该理解，发明构思不应限于这些示例性实施例，在如所要求的发明构思的精神和范围内，本领域普通技术人员可以进行各种改变和修改。

Claims (13)

1.一种像素，所述像素包括：
基底；
第一电极，设置在所述基底上；
分隔壁绝缘层，设置在所述基底上以覆盖所述第一电极的第一部分；
第二电极，设置在所述分隔壁绝缘层上，并包括与所述第一部分叠置的第二部分；以及
发光元件，设置在所述分隔壁绝缘层的在所述第一部分和所述第二部分之间的第一侧表面上，并连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述第一电极的与所述发光元件叠置的部分在厚度方向上不与所述第二电极叠置。
2.根据权利要求1所述的像素，所述像素还包括设置在所述基底和所述第一电极之间的分隔壁层，
其中，所述第一电极设置在所述基底上以覆盖所述分隔壁层。
3.根据权利要求1所述的像素，其中，所述分隔壁绝缘层的截面具有矩形形状。
4.根据权利要求1所述的像素，其中，所述发光元件具有圆柱形状并且在与所述基底的上表面交叉的方向上竖直地布置。
5.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一电极包括：第一延伸部分，在第一方向上延伸；以及多个第一分支部分，从所述第一延伸部分在与所述第一方向交叉的第二方向上分支，
其中，所述第二电极包括：第二延伸部分，在所述第一方向上延伸；以及至少一个第二分支部分，从所述第二延伸部分在所述第二方向上分支，
其中，所述第二分支部分设置在所述多个第一分支部分之间。
6.根据权利要求5所述的像素，其中，所述第一部分包括：所述多个第一分支部分的每侧，与所述第二分支部分的两侧中的一侧相邻，所述第二分支部分的所述两侧在所述第一方向上彼此相对；以及所述多个第一分支部分的预定部分，与所述多个第一分支部分的所述每侧相邻，
其中，所述第二部分包括：所述第二分支部分的所述两侧；以及所述第二分支部分的预定部分，与所述第二分支部分的所述两侧相邻。
7.根据权利要求1所述的像素，其中，所述分隔壁绝缘层包括无机材料。
8.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一电极包括反射电极。
9.根据权利要求8所述的像素，其中，所述第一电极还包括设置在所述反射电极上的透明电极。
10.根据权利要求1所述的像素，其中，所述发光元件的下端接触所述第一电极，
其中，所述发光元件的上部分的侧表面接触所述第二部分，所述发光元件的所述上部分被限定为所述发光元件的与所述发光元件的上端相邻的预定部分。
11.根据权利要求10所述的像素，所述像素还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一电极、所述第二电极和所述发光元件上，并且具有暴露所述发光元件的所述上部分和所述第二部分的限定的开口。
12.根据权利要求11所述的像素，所述像素还包括设置在所述开口中并且接触所述第二电极和所述发光元件的所述上部分的接触电极。
13.根据权利要求12所述的像素，所述像素还包括：子绝缘层，设置在所述发光元件和所述分隔壁绝缘层之间、在所述发光元件和所述第二部分之间、在所述绝缘层和所述第二电极之间以及在所述绝缘层和所述分隔壁绝缘层的第二侧表面之间，所述第二侧表面被限定为所述分隔壁绝缘层的除了所述第一侧表面之外的侧表面。
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