CN111117032A - 一种低静电的缠绕膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的一种低静电的缠绕膜及其制备方法，包括如下组分：29份组合物A、42份组合物B、42份组合物C，其中，组合物A包括茂金属、增粘母料、复合聚乙烯基料，组合物B包括线性高压低密度聚乙烯、聚噻吩、粘接剂，组合物C包括PP防静电母粒、线性高压低密度聚乙烯，所生产的缠绕膜防静电、效果持久，韧性、透明度、热粘性能佳。
Description
技术领域
本发明涉及缠绕膜领域，具体涉及一种低静电的缠绕膜及其制备方法。
背景技术
缠绕膜又称“拉伸膜”，具有优越的抗拉性、延伸率大、自粘性好、抗刺穿性和抗撕性，可用于手工缠绕膜，也可用于机用缠绕膜，被广泛用于化工产品、电子产品箱、陶瓷产品、机电设备等集装包装。
缠绕膜具有以下特点：单元化：单元化是缠绕膜包装的最大特性之一。借助薄膜超强的缠绕力和回缩性，将产品紧凑地、固定地捆扎成一个单元，使零散小件成为一个整体，即使在不利的环境下产品也无任何松散与分离。
缠绕膜的应用领域很广，主要是与托盘配合使用，对零散商品进行整集包装，代替小型集装箱。由于它可降低批量货物运输包装成本 30% 以上，因而被广泛应用于五金、矿产、化工、医药、食品、机械等多种产品的整集包装上；在仓库贮存领域，国外也较多地利用拉伸缠绕膜托盘包装进行立体贮运，以节省空间和占地。
现在有许多电子产品在需要提供表面抗刮擦保护的同时，还需要防静电效果，因为静电可能会损坏电子产品，尤其是对一些静电敏感元件及产品而言更是需要防静电保护。现有技术中，也有些缠绕膜具有一定的防静电效果，但是静电耗散速度较慢、防静电性能不够持久可靠，难以满足静电敏感电子元件及产品的需求。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种低静电的缠绕膜及其制备方法，所生产的缠绕膜防静电、效果持久，韧性、透明度、热粘性能佳。
本发明的解决的技术方案是，提供一种低静电的缠绕膜，包括如下组分：29份组合物A、42份组合物B、42份组合物C，其中，组合物A包括茂金属、增粘母料、复合聚乙烯基料，组合物B包括线性高压低密度聚乙烯、聚噻吩、粘接剂，组合物C包括PP防静电母粒、线性高压低密度聚乙烯。
优选地，所述粘接剂为1,6-己二醇二丙烯酸酯。
优选地，所述复合聚乙烯包括高压低密度聚乙烯、低压高密度聚乙烯、线性高压低密度聚乙烯中的一种或几种。
优选地，所述组分A中茂金属、增粘母料、复合聚乙烯基料添加比例为5：1：10。
优选地，所述组分B中线性高压低密度聚乙烯、聚噻吩、粘接剂添加比例为10:2:0.5。
优选地，所述组分C中PP防静电母粒、线性高压低密度聚乙烯添加比例为4:10。
进一步地，提供一种低静电缠绕膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）分别热熔组分A、组分B、组分C，用制粒机制成粒料；（2）混合步骤（1）所得粒料，烘干，投入螺杆挤出机，用熔体流延机对粒料进行流延成膜，流延温度200-220℃，流延后冷却到温度20-30℃，制备得到低静电缠绕膜。
本方案中，聚噻吩作为高分子抗静电剂与粘合剂1,6-己二醇二丙烯酸酯形成三维的离子驱散网络结构，在制品表层呈微细的层状或筋状分布，构成导电性表层，而在中心部分几乎呈球状分布，形成所谓的"芯壳结构"，并以此为通路泄漏静电荷大幅度降低基料的电阻系数，使表面静电可以被导走和耗散。
茂金属是过渡金属与环戊二烯相连所形成的有机金属配位化合物，在热熔组分A时，茂金属配位化合物为催化剂，进行烯烃聚合反应，制得茂金属聚乙烯，具有较低的熔点和明显的熔区，并且在韧性、透明度、热粘性、热封温度、低气味方面等明显优于传统聚乙烯。
增粘母料及PP防静电母粒作为物理共混物，融入缠绕膜基料中，提高缠绕膜的抗静电性能及韧性。
制备工艺方面，先将组分A、B、C分别热熔制粒，使得组分A形成高韧性的茂金属聚乙烯复合物，B组分形成以聚乙烯为基体的抗静电网络结构，C组分为形成抗静电母粒与聚乙烯的复合物，当三者再次利用熔体流延机对物料进行流延成膜，即通过螺杆挤出机挤出的熔体经流涎膜机骤冷生产无拉伸、非定向的平挤薄膜，在经过熔体流延机时已聚合的茂金属聚乙烯复合物及以聚乙烯为基体的抗静电网络结构的化学结构不变，通过骤冷生产时，茂金属聚乙烯复合物、以聚乙烯为基体的抗静电网络结构、抗静电母粒与聚乙烯的复合物三者均匀的进行物理混合，抗静电网络均匀地与茂金属聚乙烯、抗静电母粒交合，由于聚噻吩与高分子的聚合物易形成“芯壳结构”，因此抗静电网络容易捕获茂金属聚乙烯、抗静电母粒并将二者包含在三维网络结构中，从化学及物理上协同防静电。
本方案的有益效果为：（1）从原料出发，添加聚噻吩、PP防静电母粒，利用化学及物理防静电协同作用，生产的缠绕膜具有较好的防静电效果，且柔韧性和拉伸性佳、缠绕性能较强；（2）利用茂金属改良聚乙烯基料，可让缠绕膜的预拉伸达到300％以上，具有较高的机械强度和耐刺穿性；（3）先分散熔融组分A、B、C，待分别形成稳定化学结构后，再用熔体流延机进行制膜，更利于以聚乙烯为基体的抗静电网络结构的稳定性，且不影响原本抗静电母粒的抗静电效果，抗静电效果更为持久。
具体实施方式
为了使本发明所述的内容更加便于理解，下面结合具体实施方式对本发明所述的技术方案做进一步的说明，但是本发明不仅限于此。
实施例1
称取50g茂金属、10g增粘母料、50g高压低密度聚乙烯、50g线性高压低密度聚乙烯混合配成组合物A，称取100g高压低密度聚乙烯、20g聚噻吩、5g1,6-己二醇二丙烯酸酯混合配成组合物B，称取40g PP防静电母粒、100g线性高压低密度聚乙烯混合配成组合物C，其中，增粘母粒型号为增粘母粒PIB60，PP防静电母粒型号为抗静电母粒SY-193，取29g组合物A、42g组合物B、42g组合物C，按照以下步骤制备抗静电缠绕膜：
（1）将所述组分按照比例依次加入混合机中以800-1200r/min的搅拌速度进行机械式混合搅拌的同时，进行热熔，经热熔后用制粒机制成粒料；
（2）混合步骤（1）所得粒料，烘干，投入螺杆挤出机，用熔体流延机对物料进行流延成膜，流延温度180-200℃，流延后冷却到温度20-30℃，制备得到低静电缠绕膜。
实施例2
称取50g茂金属、10g增粘母料、50g低压高密度聚乙烯、50g线性高压低密度聚乙烯混合配成组合物A，称取100g高压低密度聚乙烯、20g聚噻吩、5g1,6-己二醇二丙烯酸酯混合配成组合物B，称取40g PP防静电母粒、100g线性高压低密度聚乙烯混合配成组合物C，其中，增粘母粒型号为增粘母粒PIB60，PP防静电母粒型号为抗静电母粒SY-193，取29g组合物A、42g组合物B、42g组合物C，按照以下步骤制备抗静电缠绕膜：
（1）将所述组分按照比例依次加入混合机中以800-1200r/min的搅拌速度进行机械式混合搅拌的同时，进行热熔，经热熔后用制粒机制成粒料；
（2）混合步骤（1）所得粒料，烘干，投入螺杆挤出机，用熔体流延机对物料进行流延成膜，流延温度180-200℃，流延后冷却到温度20-30℃，制备得到低静电缠绕膜。
实施例3
称取10g增粘母料、50g低压高密度聚乙烯、50g线性高压低密度聚乙烯混合配成组合物A，称取100g高压低密度聚乙烯、5g1,6-己二醇二丙烯酸酯混合配成组合物B，称取40g PP防静电母粒、100g线性高压低密度聚乙烯混合配成组合物C，其中，增粘母粒型号为增粘母粒PIB60，PP防静电母粒型号为抗静电母粒SY-193，取29g组合物A、42g组合物B、42g组合物C，按照以下步骤制备抗静电缠绕膜：
（1）将所述组分按照比例依次加入混合机中以800-1200r/min的搅拌速度进行机械式混合搅拌的同时，进行热熔，经热熔后用制粒机制成粒料；
（2）混合步骤（1）所得粒料，烘干，投入螺杆挤出机，用熔体流延机对物料进行流延成膜，流延温度180-200℃，流延后冷却到温度20-30℃，制备得到低静电缠绕膜。
实施例4
检测实施例1-3所制得的低静电缠绕膜性能，结果如表1所示：
表中：
1.透光率和雾度的测试方法：按照ASTMD-1003标准测试。
2.拉伸强度和断裂伸长率的测试方法：按照ASTMD-882标准测试。
3.表面电阻的测试方法：按照ASTMD-257标准测试。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (7)
1.一种低静电的缠绕膜，其特征在于，包括如下组分：29份组合物A、42份组合物B、42份组合物C，其中，组合物A包括茂金属、增粘母料、复合聚乙烯基料，组合物B包括线性高压低密度聚乙烯、聚噻吩、粘接剂，组合物C包括PP防静电母粒、线性高压低密度聚乙烯。
2.根据权利要求1所述的一种低静电的缠绕膜，其特征在于，所述粘接剂为1,6-己二醇二丙烯酸酯。
3.根据权利要求1所述的一种低静电的缠绕膜，其特征在于，所述复合聚乙烯包括高压低密度聚乙烯、低压高密度聚乙烯、线性高压低密度聚乙烯中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种低静电的缠绕膜，其特征在于，所述组分A中茂金属、增粘母料、复合聚乙烯基料添加比例为5：1：10。
5.根据权利要求1所述的一种低静电的缠绕膜，其特征在于，所述组分B中线性高压低密度聚乙烯、聚噻吩、粘接剂添加比例为10:2:0.5。
6.根据权利要求1所述的一种低静电的缠绕膜，其特征在于，所述组分C中PP防静电母粒、线性高压低密度聚乙烯添加比例为4:10。
7.一种如权利要求1所述的低静电缠绕膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）分别热熔组分A、组分B、组分C，用制粒机制成粒料；（2）混合步骤（1）所得粒料，烘干，投入螺杆挤出机，用熔体流延机对粒料进行流延成膜，流延温度180-200℃，流延后冷却到温度20-30℃，制备得到低静电缠绕膜。
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2019
- 2019-12-25 CN CN201911353317.2A patent/CN111117032A/zh active Pending
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