CN111098218A - 用于硅片的中、精抛布的活化方法 - Google Patents
用于硅片的中、精抛布的活化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111098218A CN111098218A CN201911416466.9A CN201911416466A CN111098218A CN 111098218 A CN111098218 A CN 111098218A CN 201911416466 A CN201911416466 A CN 201911416466A CN 111098218 A CN111098218 A CN 111098218A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- polishing cloth
- brushing
- proportioning
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 239000004744 fabric Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000004913 activation Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
- B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种活化方法,尤其涉及一种用于硅片的中、精抛布的活化方法。按以下步骤进行:先用界面活性剂手动刷洗抛光布,使抛光布充分浸润;再用抛光头对圆盘刷施加一定压力,然后使贴有抛光布的下定盘按一定转速旋转,边通入抛光配比液,边旋转刷洗抛光布,对抛光布进行活化。降低不良率,提升产品品质。
Description
技术领域
本发明涉及一种活化方法,尤其涉及一种用于硅片的中、精抛布的活化方法。
背景技术
硅片生产过程中,抛光工艺是十分重要的处理工艺。通常生产中,抛光工艺主要采用抛光布抛光。抛光布在抛光过程中扮演着多重角色,除了用以协助抛光液的有效均匀分布外,也要能够提供新补充进来的抛光液,并顺利将反应后的抛光液与反应产物排除。鉴于中、精抛布的特殊结构,其活化就显得尤为重要。现有技术中,如果中、精抛布活化不充分,抛光面会有抛光雾的风险,影响产品良率;现有技术中,通常用Dummy片进行活化,时间长,成本高,不利于降低生产成本。
发明内容
本发明主要是解决现有技术中存在的不足,提供一种缩短活化时间,降低生产成本的用于硅片的中、精抛布的活化方法。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种用于硅片的中、精抛布的活化方法,按以下步骤进行:先用界面活性剂手动刷洗抛光布,使抛光布充分浸润;再用抛光头对圆盘刷施加一定压力,然后使贴有抛光布的下定盘按一定转速旋转,边通入抛光配比液,边旋转刷洗抛光布,对抛光布进行活化。
作为优选,步骤一:换好新的中、精抛布后,不能马上加工产品,先用高压水刀刷洗抛光布3min;
步骤二:然后抛光机定盘保持低速转动,边倒界面活性剂边用小刷子手动刷洗抛光布15min,界面活性剂体积与纯水体积比为1:10;
步骤三:活化中抛布时,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为中抛配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗20min,原液与纯水的比例为1:20;
步骤四、活化精抛布时,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为精抛配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗20min,原液与纯水的比例分别为1:15。
作为优选,使用圆盘刷加抛光配比液,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为抛光配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗。
作为优选,步骤二中,在大烧杯中加入500mL的界面活性剂原液和5L的纯水,并搅拌均匀;
步骤三中,中抛配比液:每次抽取中抛液原液桶中3L的原液和纯水桶中60L的纯水,添加到配比液桶中,边搅拌边自循环使配比液溶合充分,然后提供给中抛机;
步骤四中,精抛配比液:每次抽取精抛液原液桶中4L的原液和纯水桶中60L的纯水,添加到配比液桶中,边搅拌边自循环使配比液溶合充分,然后提供给精抛机。
中抛液的型号为3900,精抛液的型号为3105。
此活化方法较传统的活化,进一步缩短了活化的时间,同时活化充分性高,同时提升产品品质,为后道工序的质量提供进一步的保障。
因此,本发明的用于硅片的中、精抛布的活化方法,降低不良率,提升产品品质。
具体实施方式
下面通过实施例,对本发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例1:一种用于硅片的中、精抛布的活化方法,按以下步骤进行:
步骤一:换好新的中、精抛布后,不能马上加工产品,先用高压水刀刷洗抛光布3min;
步骤二:然后抛光机定盘保持低速转动,边倒界面活性剂边用小刷子手动刷洗抛光布15min,界面活性剂体积与纯水体积比为1:10;
步骤三:活化中抛布时,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为中抛配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗20min,原液与纯水的比例为1:20;
步骤四、活化精抛布时,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为精抛配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗20min,原液与纯水的比例分别为1:15。
从本发明的试验结果看:换布后,不进行中、精抛布活化,首run的硅片出现面异常、HAZE的不良率为100%;进行活化后,首run的硅片良率为100%,无面异常、HAZE等不良。
Claims (4)
1.一种用于硅片的中、精抛布的活化方法,其特征在于按以下步骤进行:先用界面活性剂手动刷洗抛光布,使抛光布充分浸润;再用抛光头对圆盘刷施加一定压力,然后使贴有抛光布的下定盘按一定转速旋转,边通入抛光配比液,边旋转刷洗抛光布,对抛光布进行活化。
2.根据权利要求1所述的用于硅片的中、精抛布的活化方法,其特征在于:
步骤一:换好新的中、精抛布后,不能马上加工产品,先用高压水刀刷洗抛光布3min;
步骤二:然后抛光机定盘保持低速转动,边倒界面活性剂边用小刷子手动刷洗抛光布15min,界面活性剂体积与纯水体积比为1:10;
步骤三:活化中抛布时,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为中抛配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗20min,原液与纯水的比例为1:20;
步骤四、活化精抛布时,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为精抛配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗20min,原液与纯水的比例分别为1:15。
3.根据权利要求1所述的用于硅片的中、精抛布的活化方法,其特征在于:使用圆盘刷加抛光配比液,将圆盘刷放置在其中一个抛光头下,选择刷洗程序,刷洗的液体改为抛光配比液,抛光头下降并对圆盘刷施加压力,下定盘按设定转速旋转,开始刷洗。
4.根据权利要求1所述的用于硅片的中、精抛布的活化方法,其特征在于:步骤二中,在大烧杯中加入500mL的界面活性剂原液和5L的纯水,并搅拌均匀;
步骤三中,中抛配比液:每次抽取中抛液原液桶中3L的原液和纯水桶中60L的纯水,添加到配比液桶中,边搅拌边自循环使配比液溶合充分,然后提供给中抛机;
步骤四中,精抛配比液:每次抽取精抛液原液桶中4L的原液和纯水桶中60L的纯水,添加到配比液桶中,边搅拌边自循环使配比液溶合充分,然后提供给精抛机。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911416466.9A CN111098218A (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 用于硅片的中、精抛布的活化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911416466.9A CN111098218A (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 用于硅片的中、精抛布的活化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111098218A true CN111098218A (zh) | 2020-05-05 |
Family
ID=70425823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911416466.9A Pending CN111098218A (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 用于硅片的中、精抛布的活化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111098218A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282506A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Ebara Corp | 基板の研磨装置及びコンディショニング方法 |
| CN101497182A (zh) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫及其制造方法 |
| CN201329543Y (zh) * | 2008-12-04 | 2009-10-21 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 化学机械研磨装置 |
| CN102119069A (zh) * | 2008-08-08 | 2011-07-06 | 可乐丽股份有限公司 | 抛光垫及抛光垫的制造方法 |
| CN204736114U (zh) * | 2015-07-16 | 2015-11-04 | 麦斯克电子材料有限公司 | 一种采用高压水处理抛光布表面的装置 |
| CN110010458A (zh) * | 2019-04-01 | 2019-07-12 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片 |
-
2019
- 2019-12-31 CN CN201911416466.9A patent/CN111098218A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282506A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Ebara Corp | 基板の研磨装置及びコンディショニング方法 |
| CN101497182A (zh) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫及其制造方法 |
| CN102119069A (zh) * | 2008-08-08 | 2011-07-06 | 可乐丽股份有限公司 | 抛光垫及抛光垫的制造方法 |
| CN201329543Y (zh) * | 2008-12-04 | 2009-10-21 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 化学机械研磨装置 |
| CN204736114U (zh) * | 2015-07-16 | 2015-11-04 | 麦斯克电子材料有限公司 | 一种采用高压水处理抛光布表面的装置 |
| CN110010458A (zh) * | 2019-04-01 | 2019-07-12 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11559869B2 (en) | Wafer edge polishing apparatus and method | |
| CN102962731B (zh) | 不锈钢板材8k镜面加工方法 | |
| CN102962226A (zh) | 蓝宝石衬底晶片抛光后的清洗方法 | |
| CN102909769A (zh) | 木材快速碳化抛光一体装置 | |
| CN102524852B (zh) | 一种芝麻的脱皮方法 | |
| CN110586568A (zh) | 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法 | |
| CN111098218A (zh) | 用于硅片的中、精抛布的活化方法 | |
| CN102773790A (zh) | 硅晶圆抛光制程方法 | |
| CN109759389A (zh) | 一种玻璃清洁方法 | |
| CN108991096B (zh) | 一种柿子去皮方法及其去皮后柿子的应用 | |
| CN109821810A (zh) | 一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺 | |
| CN113648681A (zh) | 一种高丽参中提取分离人参皂甙的方法 | |
| CN102230261B (zh) | 一种降低羊绒成球断头的方法及其装置 | |
| WO2004068569A1 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| CN107366024A (zh) | 一种常温缫丝方法 | |
| CN106820183A (zh) | 葡萄罐头及其制备方法 | |
| CN106666769A (zh) | 梨罐头及其制备方法 | |
| CN114606505A (zh) | 一种红外锗单晶切片用虫胶脱胶剂及脱胶方法 | |
| CN102407473A (zh) | 一种石材磨边加工工艺 | |
| CN106805075A (zh) | 脱蜡与蚀皮分步进行的葡萄去皮方法 | |
| CN106424004A (zh) | 一种tf卡的洗卡设备及其清洗方法 | |
| CN107083572B (zh) | 棉杆脱胶工艺及棉杆处理工艺 | |
| CN215968191U (zh) | 一种用于小粒返修车间玻璃基板前处理的浸泡工装 | |
| CN108746029A (zh) | 前处理水洗装置以及焊丝制备系统 | |
| CN106690166A (zh) | 水果罐头及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200505 |