CN111095486A - 抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置 - Google Patents

Abstract

一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板(4)相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板(9)的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板(9)配置在与加热板(4)隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构(32)，将基板(9)配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板(9)上的抗蚀剂。

Description

抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置

技术领域

本发明涉及一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造工序中，进行向基板表面的材料注入离子而使所述材料的特性变化的离子注入。在离子注入中，为了要防止离子向不必要的部分注入，在基板表面形成有作为感光性材料的光致抗蚀剂(photoresist)(以下，简称为“抗蚀剂”)的图案(pattern)来作为掩膜(mask)。在离子注入后，抗蚀剂的图案使用抗蚀剂剥离液并通过抗蚀剂去除处理来去除。

近年来，离子注入中的离子的剂量(dose)变高。在进行高剂量(例如，10¹⁵ions/cm²以上)的离子注入的情况下，会在抗蚀剂的表面形成有需要时间进行利用抗蚀剂剥离液所为的去除的变质层(硬化层)。于是，在日本特开2006-286830号公报中提出了如下的手法：通过紫外线对基板的表面的照射，来切断抗蚀剂中的碳与氢的键结，之后，将抗蚀剂剥离液供给至基板的表面，以迅速地去除抗蚀剂。

此外，在日本特开平1-186619号公报(文献2)中公开了一种在加热下通过臭氧(ozone)来去除基板上的抗蚀剂的装置。在该装置中，在能够密闭的反应室内设置有支撑台，基板被载置于支撑台。另外，在反应室与下游侧的臭氧分解器之间设置有CO₂浓度测量器。在抗蚀剂的去除中，对支撑台进行加热，并且使臭氧在反应室流动。另外，通过CO₂浓度测量器来测量CO₂浓度，当CO₂浓度低于预定的值时，就判断为抗蚀剂完全地被分解去除。

可是，如文献2所述，在对已进行高剂量的离子注入的基板进行通过臭氧气体的供给及基板的加热所进行的抗蚀剂的去除的情况下，有时会在形成有变质层的抗蚀剂中发生变质层因内部(比变质层更靠内侧的部分)的膨胀而破裂的现象。该现象被称为爆裂(popping)，通过爆裂，基板上的图案就会崩塌，或飞散的变质层的碎片会附着于基板的表面及装置的内部。虽然也可考虑通过降低基板的加热温度来防止爆裂，但是抗蚀剂的去除所需的时间就会变长。

发明内容

本发明涉及一种抗蚀剂去除方法，该抗蚀剂去除方法用于将在主面上具有在表面上形成有变质层的抗蚀剂的图案的基板的所述抗蚀剂去除，本发明的目的在于，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板上的抗蚀剂。

本发明的抗蚀剂去除方法，用于将在主面上具有抗蚀剂的图案的基板的所述抗蚀剂去除，所述抗蚀剂在表面形成有变质层，其中，所述抗蚀剂去除方法具有：a)工序，在与外部阻断的处理空间中，一边在与被加热至规定的温度的加热板隔开间隙的第一处理位置配置所述基板，一边向所述主面供给臭氧气体，从而去除所述变质层；以及b)工序，在所述a)工序之后，一边在所述间隙比所述第一处理位置更小的第二处理位置配置所述基板，一边向所述主面供给所述臭氧气体，从而去除所述抗蚀剂。

根据本发明，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板上的抗蚀剂。

在本发明的一优选方式中，抗蚀剂去除方法还具有：c)工序，与所述a)工序并行地进行，通过测量从所述处理空间排出的气体中的规定成分的浓度，检测所述变质层的去除的终点。

在此情况下，优选地，在所述c)工序中，基于所述规定成分的浓度的变化率来检测出所述变质层的去除的终点。

另外，抗蚀剂去除方法还可以具有如下工序：该工序与所述b)工序并行地进行，通过测量从所述处理空间排出的气体中的所述规定成分的浓度，检测所述抗蚀剂的去除的终点。

在本发明的另一优选方式中，所述处理空间能够进行开闭，在开放所述处理空间时，在比所述第一处理位置更远离所述加热板的位置配置所述基板配置的状态下，将所述基板从保持所述基板的保持部向外部的搬运机构交付。

在本发明的又另一优选方式中，在形成所述处理空间的处理空间形成部中，在所述臭氧气体的供给口的周围设置有加热部。

在本发明的一实施方式中，所述加热板的所述规定的温度为在形成有所述变质层的所述抗蚀剂中发生因内部的膨胀所导致的所述变质层的破裂的温度以上。

本发明还提供一种抗蚀剂去除装置。本发明的抗蚀剂去除装置具有：处理空间形成部，形成与外部阻断的处理空间；加热板，配置于所述处理空间，被加热至规定的温度；保持部，在所述处理空间中保持在主面上具有抗蚀剂的图案的基板，所述抗蚀剂在表面形成有变质层；移动机构，使所述保持部相对于所述加热板相对地移动；臭氧气体供给部，向所述主面供给臭氧气体；以及控制部，将所述基板配置在与所述加热板隔开间隙的第一处理位置而利用所述臭氧气体进行所述变质层的去除，然后，通过控制所述移动机构，将所述基板配置在所述间隙比所述第一处理位置更小的第二处理位置而利用所述臭氧气体进行所述抗蚀剂的去除。

上述的目的及其他目的、特征、实施方式及优点通过参照说明书附图在以下所进行的本发明的详细说明而变得更加清楚。

附图说明

图1是表示抗蚀剂去除装置的结构的示意图。

图2是表示开放处理空间后的状态的抗蚀剂去除装置的图。

图3是表示抗蚀剂的剖视图。

图4是表示抗蚀剂去除处理的流程的图。

图5是表示将基板配置于第一处理位置后的状态的抗蚀剂去除装置的图。

图6是表示排出气体中的臭氧浓度的变化的图。

图7是表示排出气体中的二氧化碳浓度的变化的图。

图8是表示抗蚀剂去除装置的另一例的图。

具体实施方式

图1是表示本发明的一实施方式的抗蚀剂去除装置1的构成的示意图。抗蚀剂去除装置1是指将在主面上具有抗蚀剂的图案的基板的该抗蚀剂进行去除的装置。抗蚀剂去除装置1具有腔室(chamber)2、盖部升降机构31、加热板4、多个升降销(lift pin)51、销升降机构32、臭氧气体供给部6、气体排出部71、浓度测量部72及控制部10。控制部10负责抗蚀剂去除装置1的整体控制。

腔室2具有腔室主体21和腔室盖部22。腔室主体21具有圆板状的底板部211和圆筒状的主体侧部212。底板部211沿水平方向扩展，而主体侧部212从底板部211的外缘部向上方延伸。腔室盖部22具有圆板状的顶板部221和圆筒状的盖侧部222。顶板部221沿水平方向扩展，而盖侧部222从顶板部221的外缘部朝下方延伸。在顶板部221的下表面经由板支撑部224固定有沿水平方向扩展的喷淋板(shower plate)223。喷淋板223配置于顶板部221与加热板4之间。在喷淋板223上形成有多个通孔。盖侧部222的下端面在上下方向上沿整周与主体侧部212的上端面相对。在主体侧部212的上端面设置有环状凹部，在环状凹部设置有O型环23。腔室主体21及腔室盖部22(包含喷淋板223)由例如不锈钢形成。

盖部升降机构31将腔室盖部22在上下方向上升降，且将腔室盖部22选择性地配置于图1所示的下位置和图2所示的上位置。在图2中，腔室盖部22从腔室主体21朝向上方离开，在盖侧部222的下端面与主体侧部212的上端面之间形成有大的间隙。在图1中，盖侧部222的下端面与主体侧部212的上端面是大致接触，腔室主体21的上方被腔室盖部22堵塞。在图1的状态下，盖侧部222的下端面与主体侧部212的上端面之间通过O型环23而封闭，在腔室2的内部中形成与外部阻断的处理空间20。腔室2是形成处理空间20的处理空间形成部。另外，处理空间20是能够进行开闭，盖部升降机构31是对处理空间20进行开闭的开闭机构。在盖部升降机构31中可利用马达(motor)或马达以外的促动器(actuator)。该开闭机构也可以是使腔室主体21移动的机构。

加热板4配置于处理空间20。加热板4为厚的圆板状，加热板4的直径比圆板状的基板9的直径大。在加热板4中设置有包括电热线的加热器40。加热板4通过从外部的电源供给至加热器40的电流而被加热至规定的设定温度。设定温度为例如200℃以上且为发生爆裂的后述的爆裂温度以上。图1的加热板4中的设定温度的上限为例如300℃。加热板4经由省略图示的构件固定于腔室主体21。圆板状的底板部211、顶板部221及加热板4的中心轴大致相同。在以下的说明中，将以该中心轴作为中心的周向简称为“周向”。

在加热板4上，多个通孔41沿周向以一定的角度间隔配置。在底板部211，在上下方向上与各个通孔41重叠的位置设置有通孔213。多个升降销51分别插入至通孔41及通孔213的任一个组合。典型地，升降销51的个数为三个，在此情况下，升降销51沿周向以120度的间隔配置。升降销51的个数也可以为四个以上。多个升降销51的下端固定于销支撑板52。在底板部211的下方，各个升降销51的周围被波纹管(bellows)53所包围。波纹管53的上端固定于底板部211的下表面，波纹管53的下端固定于销支撑板52的上表面。通过波纹管53及销支撑板52，能够在腔室2的内部与外部之间，防止气体或液体经由底板部211的通孔213而通过。

销升降机构32具有步进马达(stepping motor)，用于将销支撑板52在上下方向上升降。由此，多个升降销51能够在上下方向上移动。通过步进马达的驱动，销支撑板52及多个升降销51在上下方向上能够配置于例如图1所示的位置与图2所示的位置之间的任意位置。在图1中，多个升降销51的顶端(上端)配置于加热板4的通孔41的内部。在图2中，多个升降销51的顶端相比加热板4的上表面更靠上方配置。多个升降销51的顶端为半球状，且在上下方向上位于相同的高度。销升降机构32也可以利用其他种类的马达或马达以外的促动器。

在抗蚀剂去除装置1中，在多个升降销51的顶端配置于通孔41的内部时，基板9载置于加热板4的上表面，且被保持为水平的姿势。另外，在多个升降销51的顶端相比加热板4的上表面更靠上方配置时，基板9被多个升降销51从下方支撑，且被保持为水平的姿势。这样，在抗蚀剂去除装置1中，在处理空间20保持基板9的保持部通过加热板4和多个升降销51来切换。销升降机构32是在保持部为多个升降销51的情况下，使该保持部相对于加热板4相对地移动的移动机构。此外，在加热板4的上表面也可以设置有多个突起部。在此情况下，在多个升降销51的顶端相比多个突起部的上表面更靠下方时，基板9被多个突起部从下方支撑。

图1的臭氧气体供给部6具有臭氧气体供给源61、气体供给管62、气体供给阀63及气体喷嘴(gas nozzle)64。气体喷嘴64设置于顶板部221的中央，具有在加热板4的上方向处理空间20开口的气体供给口641。气体喷嘴64经由气体供给管62与臭氧气体供给源61连接。在气体供给管62上设置有气体供给阀63。通过打开气体供给阀63，从气体喷嘴64向处理空间20供给臭氧(O₃)气体。

如上所述，在顶板部221与加热板4之间配置有喷淋板223。臭氧气体通过喷淋板223的多个通孔，均匀地向基板9的上侧的主面91(以下，简称为“上表面91”)供给。在顶板部221，也可以分散地设置有多个气体喷嘴64。在此情况下，也可以省略喷淋板223。在本实施方式中，臭氧气体是由规定的气体来稀释臭氧后所得到的气体。在臭氧气体中也可以混合有其他种类的氧化性气体等。

气体排出部71具有气体排出口711和气体排出管712。气体排出口711设置于底板部211的中央，与气体排出管712的一端连接。气体排出管712的另一端与过滤器(filter)等臭氧分解部(省略图示)连接。处理空间20的气体经由气体排出口711及气体排出管712而排出至外部。在抗蚀剂去除装置1中，也可以设置有多个气体排出口711，气体排出口711也可以设置于底板部211的外缘部或主体侧部212等。在气体排出管712上连接有浓度测量部72。浓度测量部72测量从处理空间20所排出的气体(以下，称为“排出气体”)中的规定成分的浓度。在本实施方式中，通过浓度测量部72测量排出气体中的臭氧的浓度以及二氧化碳(CO₂)的浓度。

接下来，对形成于基板9上的抗蚀剂进行说明。图3是抽象地表示形成于基板9的上表面91的抗蚀剂95的剖面的示意图。在抗蚀剂去除装置1中进行处理的基板9在前段的处理中被进行高剂量的离子注入，在抗蚀剂95的表面形成有变质层96。换言之，在抗蚀剂95中，相比变质层96更靠内侧的部分即未变质部97的整体被基板9的上表面91及变质层96所覆盖。变质层96也被称为硬化层。

在此，当加热具有形成有变质层96的抗蚀剂95的基板9时，有时会发生变质层96因内部的膨胀(例如，从未变质部97所产生的气体的充满)而破裂的爆裂。爆裂在基板9的加热温度低的情况下不发生。高频率(例如，50％以上)发生爆裂的基板9的温度能够通过实验等来特定作为爆裂温度。以下，对一边防止爆裂一边高效地去除形成有变质层96的抗蚀剂95的处理进行说明。

图4是表示抗蚀剂去除装置1中的抗蚀剂去除处理的流程的图。在抗蚀剂去除处理中，首先，腔室盖部22配置于图2所示的上位置。接着，通过外部的搬运机构使基板9通过盖侧部222的下端面与主体侧部212的上端面之间的间隙而配置于腔室盖部22与腔室主体21之间。另外，通过销升降机构32使多个升降销51向上方移动至图2所示的位置为止。然后，搬运机构使基板9稍微向下方移动，从而基板9从搬运机构的支撑部交付至多个升降销51，基板9被多个升降销51从下方支撑(步骤S11)。以下，将图2所示的基板9的位置称为“交接位置”。此外，也可以通过使多个升降销51的顶端相比该支撑部更向上方移动，将基板9从该支撑部交付至多个升降销51。

当搬运机构的支撑部向腔室主体21及腔室盖部22的外侧移动时，通过多个升降销51下降，基板9从交接位置向下方移动至图5所示的位置(以下，称为“第一处理位置”)为止(步骤S12)。在第一处理位置中，在基板9的下表面与加热板4的上表面之间隔出有规定的宽度(例如，数mm)的间隙。另外，腔室盖部22通过盖部升降机构31而下降，配置于图5所示的下位置。由此，形成有与外部阻断的处理空间20(步骤S13)。换言之，处理空间20被闭合。

加热板4被加热至一定的设定温度，在基板9隔开间隙而与加热板4接近的图5的状态下，基板9被加热至比加热板4的设定温度更低的温度。实际上，上述设定温度及上述间隙的宽度通过实验等所决定，以便基板9的温度变为比上述的爆裂温度低。

接着，在臭氧气体供给部6中的气体供给阀63被开启，臭氧气体以预定的供给流量从气体供给口641喷出至处理空间20内。即，开始臭氧气体向基板9的上表面91的供给(步骤S14)。臭氧气体的供给与通过加热板4进行的基板9的加热并行地连续性地进行。实际上，设置于图1所示的气体排出管712的省略图示的排出阀被开启，也开始处理空间20内的气体的排出动作。在基板9的上表面91的附近，臭氧气体被加热而分解，生成氧自由基(oxygenradical)等。通过氧自由基等，抗蚀剂95的最表面的变质层96的分解就会慢慢地进行。在浓度测量部72中，排出气体中的臭氧浓度、以及二氧化碳浓度的测量始终进行，测量值被输出至控制部10。

图6是表示排出气体中的臭氧浓度(O₃浓度)的变化的图，图7是表示排出气体中的二氧化碳浓度(CO₂浓度)的变化的图。在图6及图7中，以实线L1、L2来表示排出气体中的臭氧浓度及二氧化碳浓度的变化。另外，作为比较用，在图6中以虚线L3来表示假设在处理空间20未配置基板9的情况所获得的臭氧浓度的变化，以单点划线L4来表示基板9上的抗蚀剂95不具有变质层96的情况所获得的臭氧浓度的变化。在图6及图7的下端，也示出腔室盖部22的开闭状态、以及臭氧气体(气体供给阀63)的开闭状态。在图6及图7中，在时刻T1开始臭氧气体向基板9的上表面91的供给。

处理空间20内的空气被臭氧气体一点一点地置换。如图6中的实线L1所示，排出气体中的臭氧浓度从臭氧气体的供给开始逐渐地增加。此时，臭氧气体的一部分用于基板9上的抗蚀剂95的去除，准确来说是用于变质层96的分解。因此，与在处理空间20中未配置基板9的情况的臭氧浓度的变化(虚线L3)相比，各个时刻的臭氧浓度变小。另外，如图7中的实线L2所示，通过变质层96的分解，二氧化碳浓度也逐渐地增加。在抗蚀剂去除的初期，被去除的抗蚀剂95的大部分为变质层96，在以下的说明中，将这样的期间称为“变质层去除期间”。此外，假设在基板9上的抗蚀剂95不具有变质层96的情况下(在该情况下，基板9配置于图1所示的位置)，因更多的臭氧气体用于抗蚀剂95的分解，因此，各个时刻的臭氧浓度(单点划线L4)相比实线L1变小。

当通过臭氧气体的供给而进行变质层96的分解时，在抗蚀剂95中露出未变质部97的一部分。因未变质部97相比变质层96更容易分解，因此，相比变质层去除期间会消耗更多的臭氧气体，从而臭氧浓度的变化率变小。在控制部10中，在抗蚀剂去除中始终求出臭氧浓度的变化率。当臭氧浓度的变化率变为规定的阈值以下时，被判定为大部分的变质层96的去除已结束(步骤S15)。这样，能基于臭氧浓度的变化率来检测出变质层96的去除的终点。在图6及图7中，在时刻T2，变质层96的去除大致完成。

当检测出变质层96的去除的终点时，或是当从该终点的检测起经过规定时间时，通过多个升降销51下降，基板9从第一处理位置向下方移动至图1所示的位置(以下，称为“第二处理位置”)为止(步骤S16)。在第二处理位置，基板9载置于加热板4的上表面，在基板9的下表面与加热板4的上表面之间未设置有间隙。换言之，该间隙的宽度变为0。配置于第二处理位置的基板9的温度相比配置于第一处理位置时变高。实际上，基板9的温度上升至加热板4的设定温度附近为止。因此，基板9的上表面91附近的臭氧气体的分解相比基板9配置于第一处理位置的变质层去除期间更被促进。其结果，也能促进其余的抗蚀剂95(主要为未变质部97)的分解。在抗蚀剂去除装置1中，若配置于第二处理位置的基板9与加热板4之间的间隙相比第一处理位置中的该间隙变小，则第二处理位置的基板9也可以远离加热板4。

随着残留于基板9上的抗蚀剂95变少，排出气体中的二氧化碳浓度会变小。之后，臭氧浓度会以某一恒定的值饱和，并且二氧化碳浓度会大致变为0。在控制部10中，当二氧化碳浓度变为规定的阈值以下时，被判定为未变质部97的去除已结束(步骤S17)。这样，通过测量二氧化碳浓度，能检测出抗蚀剂95的去除的终点。在抗蚀剂去除装置1中，在变质层96的去除后，通过将基板9配置于第二处理位置，与假设在将基板9配置于第一处理位置的状态下继续处理的情况相比，能够在短时间内完成抗蚀剂95的去除。

在时刻T3中，当检测出抗蚀剂95的去除的终点时，在从时刻T3起经过规定时间后的时刻T4关闭气体供给阀63，停止臭氧气体的供给(步骤S18)。由此，结束利用臭氧气体对基板9进行的处理。从时刻T3至时刻T4的时间是为了更可靠地去除基板9上的抗蚀剂95所设定的时间(过蚀刻(over etching)时间)。实际上，设置于气体排出管712的省略图示的排出阀被闭合，处理空间20内的气体的排出动作也被停止。此外，也可以在臭氧气体的供给停止后，使氮气等供给至处理空间20，从而处理空间20内的臭氧气体被置换为氮气。

接着，腔室盖部22通过盖部升降机构31而上升，并配置于图2所示的上位置。由此，处理空间20被开放(步骤S19)。另外，通过多个升降销51上升，基板9从第二处理位置向上方移动至图2所示的交接位置为止(步骤S20)。而且，搬运机构的支撑部配置于基板9与加热板4之间。然后，通过该支撑部向上方移动，基板9从多个升降销51被交付至该支撑部(步骤S21)。在抗蚀剂去除装置1中，在相比图5所示的第一处理位置更远离加热板4的位置配置有基板9的状态下，从保持基板9的多个升降销51向搬运机构交付基板9。之后，基板9通过盖侧部222的下端面与主体侧部212的上端面之间的间隙，被搬出至抗蚀剂去除装置1的外部。由此，完成对基板9的抗蚀剂去除处理。在存在有下一个处理对象的基板9的情况下，对该基板9重复进行步骤S11至步骤S21的处理。

在此，对比较例的抗蚀剂去除装置进行说明。在比较例的抗蚀剂去除装置中，在搬入基板9后，基板9被配置于图1所示的第二处理位置，并进行抗蚀剂95(变质层96及未变质部97)的去除。如上所述，在形成有变质层96的抗蚀剂95中，将发生因内部的膨胀导致变质层96的破裂的温度作为爆裂温度，加热板4的设定温度为爆裂温度以上。因此，在比较例的抗蚀剂去除装置中，有时会发生抗蚀剂95的爆裂。在图3中，利用箭头A1来表示未变质部97的膨胀。

当发生爆裂时，基板9上的图案就会崩塌，或飞散掉的变质层96的碎片会附着于基板9的上表面91及腔室2的内部。也考虑通过将加热板4的设定温度设为比爆裂温度更低，来防止爆裂。然而，抗蚀剂95的去除速率受基板9的温度的影响，因此，抗蚀剂95的去除所需的时间会变长。另外，也存在基板9被过度氧化的可能性。此外，虽然也考虑在抗蚀剂去除中变更加热板4的设定温度，但在加热板4中，很难使温度急剧地变化。

相对于此，在抗蚀剂去除装置1中，在相对于加热板4隔出间隙的第一处理位置配置基板9，并利用臭氧气体进行变质层96的去除。接着，通过控制销升降机构32，在与加热板4之间的间隙比第一处理位置更小的第二处理位置配置基板9，并利用臭氧气体进行抗蚀剂95的去除。由此，能够使用难以使温度急剧地变化的加热板4，来一边防止爆裂一边高效地(短时间)地去除基板9上的抗蚀剂95。其结果，也能够抑制基板9的过度的氧化。另外，通过第二处理位置为基板9与加热板4的上表面相接触的位置，能够将基板9高效地加热至高温。

通过与利用臭氧气体进行的变质层96的去除并行地测量从处理空间20排出的气体中的规定成分的浓度，能够针对每一个基板9适当地检测变质层96的去除的终点。由此，能够防止基板9以比较低的温度被加热的期间(基板9被配置于第一处理位置的期间)不必要地变长，从而能够缩短基板9上的抗蚀剂95的去除所需的时间。另外，能够更可靠地防止爆裂。

通过与利用臭氧气体进行的抗蚀剂95(主要是未变质部97)的去除并行地测量从处理空间20所排出的气体中的规定成分的浓度，能够针对每一个基板9适当地检测抗蚀剂95的去除的终点。其结果，能够防止基板9被加热的期间不必要地变长，从而能够更可靠地抑制基板9的过度的氧化。另外，能够更可靠地去除抗蚀剂95。

在具有步进马达的销升降机构32中，能够自由地变更基板9与加热板4之间的间隙。其结果，能够容易地调整变质层去除期间的基板9的温度，能够更可靠地防止爆裂。

图8是表示抗蚀剂去除装置1的另一例的图。在图8的抗蚀剂去除装置1中，在腔室盖部22的顶板部221设置有加热部24。其他的结构与图1的抗蚀剂去除装置1同样，对相同的结构赋予相同的附图标记。

设置于腔室盖部22的加热部24包围喷出臭氧气体的气体供给口641的周围。因此，在向基板9的上表面91供给臭氧气体时，顶板部221被加热部24加热，从气体供给口641所喷出的臭氧气体也被加热。由此，臭氧气体的温度变高，从而促进氧自由基等的生成。其结果，不用过度地升高基板9的温度，就能够在短时间内进行变质层96相对于配置于第一处理位置的基板9的去除、以及未变质部97相对于配置于第二处理位置的基板9的去除。这样，在图8的抗蚀剂去除装置1中，能够促进抗蚀剂95的去除。此外，因利用加热部24进行的顶板部221的加热所产生的基板9的温度上升是稍微的，因此，在变质层96的去除时，能够防止在配置于第一处理位置的基板9中发生爆裂。

在上述抗蚀剂去除装置1及抗蚀剂去除方法中能够进行各种各样的变形。

在第一处理位置保持基板9的保持部也可以为多个升降销51以外的构件。例如，在抗蚀剂去除装置1中也可以采用具有把持基板9的外缘部的机构的保持部。在此情况下，通过抗蚀剂去除装置1的设计，也可以将形成有抗蚀剂95的主面朝向下方或侧方，来进行抗蚀剂95的去除。另外，保持部只要相对于加热板4相对地移动即可，也可以采用使加热板4在上下方向上移动的移动机构。

臭氧气体供给部6的气体供给口641也可以设置于腔室盖部22的顶板部221以外的部位，例如，也可以设置于盖侧部222。

在浓度测量部72中，也可以仅测量臭氧浓度及二氧化碳浓度中的一方的浓度，基于该一方的浓度的测量值，来检测出变质层96的去除的终点、以及抗蚀剂95的去除的终点。另外，利用抗蚀剂95的图案所进行的离子注入中的该离子的浓度也可以通过浓度测量部72检测。

若能够实质地测量从处理空间20所排出的气体中的规定成分的浓度，则浓度测量部72也可以设置于气体排出管712以外。例如，也能够将浓度测量部72设置于底板部211中的气体排出口711的附近。

通过控制部10进行的变质层96的去除的终点的检测也可以利用基于浓度测量部72的测量值的各种手法来进行。例如，也可以准备从变质层96的去除的开始至结束为止的表示臭氧浓度或二氧化碳浓度的典型变化的基准轮廓(profile)，且通过实际所得的浓度变化的轮廓与基准轮廓的适配(fitting)，来检测出变质层96的去除的终点。同样地，通过控制部10进行的抗蚀剂95(未变质部97)的去除的终点的检测也可以利用基于浓度测量部72的测量值的各种手法来进行。

上述实施方式及各个变化例中的构成，只要不相互地矛盾就可适当地组合。

虽然已详细地描写并说明了发明，但是上面的说明是例示的而非为限定的。因此，只要不脱离本发明的范围，当然能够有多个变形或实施方式。

附图标记的说明：

1 抗蚀剂去除装置

2 腔室

4 加热板

6 臭氧气体供给部

9 基板

10 控制部

20 处理空间

24 加热部

31 盖部升降机构

32 销升降机构

51 升降销

72 浓度测量部

91 上表面

95 抗蚀剂

96 变质层

641 气体供给口

S11～S21 步骤

Claims (14)

1.一种抗蚀剂去除方法，用于将在主面上具有抗蚀剂的图案的基板的所述抗蚀剂去除，所述抗蚀剂在表面形成有变质层，其中，

所述抗蚀剂去除方法具有：

a)工序，在与外部阻断的处理空间中，一边在与被加热至规定的温度的加热板隔开间隙的第一处理位置配置所述基板，一边向所述主面供给臭氧气体，从而去除所述变质层；以及

b)工序，在所述a)工序之后，一边在所述间隙比所述第一处理位置更小的第二处理位置配置所述基板，一边向所述主面供给所述臭氧气体，从而去除所述抗蚀剂。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂去除方法，其中，

所述抗蚀剂去除方法还具有：

c)工序，与所述a)工序并行地进行，通过测量从所述处理空间排出的气体中的规定成分的浓度，检测所述变质层的去除的终点。

3.如权利要求2所述的抗蚀剂去除方法，其中，

在所述c)工序中，基于所述规定成分的浓度的变化率来检测出所述变质层的去除的终点。

4.如权利要求2或3所述的抗蚀剂去除方法，其中，

所述抗蚀剂去除方法还具有如下工序：该工序与所述b)工序并行地进行，通过测量从所述处理空间排出的气体中的所述规定成分的浓度，检测所述抗蚀剂的去除的终点。

5.如权利要求1至4中任一项所述的抗蚀剂去除方法，其中，

所述处理空间能够进行开闭，

在开放所述处理空间时，在比所述第一处理位置更远离所述加热板的位置配置所述基板配置的状态下，将所述基板从保持所述基板的保持部向外部的搬运机构交付。

6.如权利要求1至5中任一项所述的抗蚀剂去除方法，其中，

在形成所述处理空间的处理空间形成部中，在所述臭氧气体的供给口的周围设置有加热部。

7.如权利要求1至6中任一项所述的抗蚀剂去除方法，其中，

所述加热板的所述规定的温度为在形成有所述变质层的所述抗蚀剂中发生因内部的膨胀所导致的所述变质层的破裂的温度以上。

8.一种抗蚀剂去除装置，其中，

所述抗蚀剂去除装置具有：

处理空间形成部，形成与外部阻断的处理空间；

加热板，配置于所述处理空间，被加热至规定的温度；

保持部，在所述处理空间中保持在主面上具有抗蚀剂的图案的基板，所述抗蚀剂在表面形成有变质层；

移动机构，使所述保持部相对于所述加热板相对地移动；

臭氧气体供给部，向所述主面供给臭氧气体；以及

控制部，将所述基板配置在与所述加热板隔开间隙的第一处理位置而利用所述臭氧气体进行所述变质层的去除，然后，通过控制所述移动机构，将所述基板配置在所述间隙比所述第一处理位置更小的第二处理位置而利用所述臭氧气体进行所述抗蚀剂的去除。

9.如权利要求8所述的抗蚀剂去除装置，其中，

所述抗蚀剂去除装置还具有浓度测量部，该浓度测量部用于测量从所述处理空间排出的气体中的规定成分的浓度；

所述控制部是基于所述浓度测量部的测量值来检测所述变质层的去除的终点。

10.如权利要求9所述的抗蚀剂去除装置，其中，

所述控制部基于所述规定成分的浓度的变化率来检测所述变质层的去除的终点。

11.如权利要求9或10所述的抗蚀剂去除装置，其中，

所述控制部基于所述浓度测量部的测量值来检测所述抗蚀剂的去除的终点。

12.如权利要求8至11中任一项所述的抗蚀剂去除装置，其中，

所述抗蚀剂去除装置还具有对所述处理空间进行开闭的开闭机构；

在开放所述处理空间时，所述控制部使所述基板配置在比所述第一处理位置更远离所述加热板的位置，将所述基板从所述保持部向外部的搬运机构交付。

13.如权利要求8至12中任一项所述的抗蚀剂去除装置，其中，

在所述处理空间形成部中，在所述臭氧气体的供给口的周围设置有加热部。

14.如权利要求8至13中任一项所述的抗蚀剂去除装置，其中，

所述加热板的所述规定的温度为在形成有所述变质层的所述抗蚀剂中发生因内部的膨胀所导致的所述变质层的破裂的温度以上。

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