[go: up one dir, main page]

CN111051569B - 带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架 - Google Patents

带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架 Download PDF

Info

Publication number
CN111051569B
CN111051569B CN201880056414.2A CN201880056414A CN111051569B CN 111051569 B CN111051569 B CN 111051569B CN 201880056414 A CN201880056414 A CN 201880056414A CN 111051569 B CN111051569 B CN 111051569B
Authority
CN
China
Prior art keywords
side frame
corner
frame member
shade
secondary side
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880056414.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111051569A (zh
Inventor
古田学
崔寿永
崔弈
罗宾·L·蒂纳
赵金铉
王佳瑞
苏希尔·安瓦尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Priority to CN202210513328.8A priority Critical patent/CN114959648B/zh
Publication of CN111051569A publication Critical patent/CN111051569A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111051569B publication Critical patent/CN111051569B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
    • H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
    • H01J29/073—Mounting arrangements associated with shadow masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/07—Shadow masks
    • H01J2229/0716—Mounting arrangements of aperture plate to frame or vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/07—Shadow masks
    • H01J2229/0722—Frame

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本公开内容的实施方式总体涉及一种遮蔽框架，所述遮蔽框架包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述角支架包括具有多个支腿的角镶嵌件，这些支腿在彼此大致上正交的方向延伸。

Description

带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽 框架
背景
领域
本公开内容的实施方式整体涉及一种用于在等离子体处理腔室中使用的遮蔽框架(shadow frame)。
相关技术描述
现代半导体器件需要通过从玻璃基板沉积与移除多个导电材料层、半导体材料层和介电材料层来形成特征，诸如有机发光二极管(OLED)、晶体管和低k电介质膜(low-kdielectric film)。玻璃基板处理技术包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻和类似物。由于沉积膜所需要的相对较低的处理温度和可使用等离子体工艺产生的良好的膜质量，等离子体处理广泛使用于平板装置(flat panel device)的生产中。
一般地，等离子体处理包括将基板定位于设置在真空腔室中的支撑构件(通常称作基座或加热器)上，和形成相邻于基板的上暴露表面的等离子体。通过将一种或多种工艺气体引入到腔室中并且使用电场激发气体以使气体分解为带电粒子和中性粒子，形成等离子体。等离子体可以感应地(例如使用感应射频线圈(inductive RF coil))和/或电容地(例如使用平行板电极)产生、或通过使用微波能量来产生。
在处理期间，玻璃基板的边缘和背侧以及内部腔室部件必须受到保护而免于沉积。典型地，围绕基板的周边放置沉积掩蔽装置(deposition masking device)或遮蔽框架(shadow frame)，以避免处理气体或等离子体到达基板的边缘和背侧并且在处理期间将基板保持在支撑构件上。遮蔽框架可定位在处理腔室中，在支撑构件上方，使得当支撑构件移动到升高的处理位置时，遮蔽框架被托起并且接触基板的边缘部分。因此，遮蔽框架覆盖基板上表面的周边数毫米，从而避免被遮蔽框架覆盖的基板的部分上的背侧与边缘沉积。
在考虑使用遮蔽框架的好处的情况下，目前的遮蔽框架设计仍有一些缺点。相较于基板边缘的内侧沉积，现有技术的遮蔽框架典型地减少靠近遮蔽框架边缘的基板的未覆盖边缘上的沉积。此沉积不均匀性在基板的拐角处更为放大。
因此，本领域中需要一种在基板的周边提供更多沉积的遮蔽框架。
发明内容
本公开内容的实施方式整体涉及一种遮蔽框架，包括相邻于两个相对的次侧面框架构件(minor side frame member)的两个相对的主侧面框架构件(major side framemember)，用角支架(corner bracket)将主侧面框架构件与次侧面框架构件耦接在一起，其中角支架包括具有多个支腿(leg)的角镶嵌件(corner inlay)，支腿在彼此大致上正交的方向延伸。
在另一实施方式中，遮蔽框架被公开为包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，在耦接界面处用角支架将主侧面框架构件与次侧面框架构件耦接在一起，其中每个角支架包括具有多个支腿的角镶嵌件，支腿在彼此大致上正交的方向延伸，并且其中每个角支架包括圆角(rounded corner)。
在另一实施方式中，遮蔽框架被公开为包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，在包括凹陷区域的耦接界面处用角支架将主侧面框架构件与次侧面框架构件耦接在一起，其中每个角支架包括圆角和具有多个腿的角镶嵌件，支腿在彼此大致上正交的方向延伸，角镶嵌件包括平坦上表面和倾斜平坦表面，倾斜平坦表面与平坦上表面的平面成角度，并且凹口(notch)形成在凹陷区域的中心处。
附图简要说明
为了可详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上文简要概述的本公开内容的更具体描述，在附图中图示实施方式中的一些。然而，值得注意的是，这些附图仅图示本公开内容的典型实施方式，因此不应被认为是对本发明的范围的限制，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。
图1是根据一个实施方式的具有遮蔽框架的示例性处理腔室的示意性横截面图。
图2是根据一个实施方式的遮蔽框架和图1的基板支撑件的等轴视图。
图3是图2的基板支撑件与遮蔽框架的放大等轴视图。
图4是角支架的分解等轴视图。
图5是沿着图4的线5-5的框架构件的侧视横截面图。
图6是沿着图4的线6-6的角镶嵌件的侧视横截面图。
为有助于理解，已尽可能使用相同的参考数字标出图中共有的相同元件。可以预期的是，在一个实施方式中公开的元件可有利地利用于其他实施方式上，而不需要具体叙述。
具体实施方式
本公开内容的实施方式整体涉及用于在处理腔室中使用的遮蔽框架。在下文描述的一个或多个实施方式中，遮蔽框架形成为多件式遮蔽框架主体(multi-piece shadowframe body)。
由于狭窄的边缘唇部(edge lip)和因此较少的基板遮蔽，遮蔽框架增强非晶硅均匀性(amorphous silicon uniformity)。电绝缘材料的均匀布置也协助非晶硅沉积均匀性。在下文中参照图更清楚地描述本公开内容的实施方式。
图1是具有根据一个实施方式的遮蔽框架的示例性处理腔室10的示意性横截面图。可经适配而从本公开内容受益的工艺腔室的一个例子是等离子体增强化学气相沉积工艺腔室，可获自美国AKT股份有限公司(AKT America,Inc.)，美国AKT股份有限公司是位于加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料股份有限公司(Applied Materials,Inc.,SantaClara,California)的子公司。可理解的是，包括来自其他制造商的等离子体处理腔室的其他等离子体处理腔室可经适配而实现本公开内容。
处理腔室10包括腔室主体12与设置于腔室主体12上的背板14。腔室主体12具有处理区域16。腔室主体12与处理腔室10的相关部件的尺度不受限制并且一般按比例地(proportionally)大于要处理的基板29的尺寸。可处理任何适合的基板尺寸。适合的基板尺寸的例子包括具有约5,500平方厘米或更大的表面积的基板，诸如是约25,000平方厘米或更大，例如是约50,000平方厘米或更大。在一个实施方式中，可处理具有约100,000平方厘米或更大的表面积的基板。
气体分布板18安装至背板14并且限定处理区域16的上边界。多个孔20形成在气体分布板18中，以允许通过多个孔20输送处理气体。气源40可将气体输送到形成在气体分布板18与背板14之间的气室(plenum)，以均匀地分布处理气体，因此均匀地输送处理气体穿过气体分布板18。电源42电性耦接至气体分布板18以由流动通过孔20的处理气体产生等离子体。基板支撑件32几乎完全由铝或另一导电金属制成，以作为对于气体分布板18的对电极(counter-electrode)。电源42可以是在等离子体增强化学气相沉积腔室中使用的任何类型的电源，诸如射频电源。遮蔽框架22示出为设置在基板支撑件32上。遮蔽框架22包括遮蔽框架主体24，遮蔽框架主体24具有贴附于遮蔽框架主体24的框架构件26。
腔室主体12还包括遮蔽框架支撑件44，遮蔽框架支撑件44环状地绕着基板支撑件32形成。当基板支撑件32处于降低的位置，通过遮蔽框架支撑件44来支撑遮蔽框架22。
也称作基座或加热器的基板支撑件32设置在处理腔室10中并且通过马达33来致动。在升高的处理位置中，基板支撑件32(具有设置在基板支撑件32的基板支撑表面34上的基板29)支撑遮蔽框架22的遮蔽框架主体24并且限定处理区域16的下边界，使得基板29定位在处理区域16中。在遮蔽框架主体24放置在基板支撑表面34上的同时，框架构件26在基板29的一部分上方延伸并且接触基板29的一部分。
经由形成在腔室主体12中的开口36将基板29引入到处理腔室10中和从处理腔室10移除，开口36选择性地通过狭缝阀机构(未示出)来密封。升降杆(lift pin)38经由基板支撑件32可滑动地设置并且可经适配而在升降杆38的上端处保持基板。可在使用马达33降低基板支撑件32的情况下致动升降杆38。
图2是图1的基板支撑件32与根据一个实施方式的遮蔽框架22的等轴视图。遮蔽框架22包括相邻于两个相对的次侧面框架构件28的两个相对的主侧面框架构件26。主侧面框架构件26中的每个通过角支架30耦接至次侧面框架构件28。此外，基板支撑件32包括在基板支撑件32的基板接收表面52与周边凸缘54之间的界面处的角镶嵌件50。如上所述，基板支撑件32的主体56由铝或其他导电材料制成，以作为连同气体分布板18一起的对电极。然而，角镶嵌件50可由陶瓷材料制成，所述陶瓷材料凹陷于形成在主体56中的凹坑(pocket)内。在基板略微未对准于基板支撑件32的基板接收表面52的情况下，角镶嵌件50可减少发弧(arcing)。
图3是图2的基板支撑件32和遮蔽框架22的放大等轴视图。角镶嵌件50示出为在形成于基板支撑件32的主体56中的凹坑58中。角支架30也示出为耦接次侧面框架构件28与主侧面框架构件26。角支架30包括带圆弧角或成圆角60与支腿62，腿62正交地从主侧面框架构件26的纵向方向延伸。在一个方面中，主侧面框架构件26(包括在主侧面框架构件26的相对端上的支腿62)具有“C”形状。角支架30还包括角镶嵌件64，分别耦接至主侧面框架构件26的内周边缘26和次侧面框架构件28的内周边缘68。角镶嵌件64可使用紧固件(fastener)70紧固到主侧面框架构件26。可包括缝覆盖件(seam cover)72，以覆盖在主侧面框架构件26、角镶嵌件64和次侧面框架构件28之间的界面。可利用紧固件70来将缝覆盖件72固定到主侧面框架构件26。所有的角镶嵌件64、紧固件70、主侧面框架构件26、次侧面框架构件28和缝覆盖件72都可由陶瓷材料制成。
图4是角支架30的分解等轴视图。主侧面框架构件26包括凹陷区域74，角镶嵌件64可放置于凹陷区域74处。由于在凹陷区域74中可能难以形成90度角，可在凹陷区域74的内边缘上提供带圆弧部(radius)或凹口76。开口78可包括在用于图3所示的紧固件70的凹陷区域74中。
角镶嵌件64包括主体79，主体79具有平坦表面80，平坦表面80过渡到锥形或倾斜平坦表面82。开口78形成在主体79中，以接收图3中所示的紧固件70。主体79包括两个支腿81、83，沿着大致上彼此正交的方向延伸。在支腿81与83的每个上的倾斜平坦表面82的相交点包括带圆弧角(radius corner)84。
耦接界面86用于将主侧面框架构件26耦接至次侧面框架构件28。耦接界面86包括多个销(pin)88。销88插入到形成在主侧面框架构件26与次侧面框架构件28的边缘中的开口中。可利用紧固件90来将销88固定于主侧面框架构件26和次侧面框架构件28中。销88可以是金属材料，诸如铝。紧固件90可以由陶瓷材料制成。
每个缝覆盖件72包括第一表面92在第一表面92的平面以下凹陷的第二表面94。凹陷的第二表面94可以成角度以匹配角镶嵌件64的倾斜平坦表面82的角度。
图5是沿着图4的线5-5的框架构件95的侧视横截面图。框架构件95可以是主侧面框架构件26或次侧面框架构件28。示出内周边缘96，内周边缘96可以是主侧面框架构件26的内周边缘66或次侧面框架构件28的内周边缘68。内周边缘96包括平坦表面97，平坦表面97正交于框架构件95的上表面98的平面。内周边缘96可称作“外圆角(bull nose)”配置。
图6是沿着图4的线6-6的角镶嵌件64的侧视横截面图。倾斜平坦表面82包括相对于平坦表面80的平面的角度α。角度α可以是约6度至约8度，诸如约7度。倾斜平坦表面82可称作“刀刃(knife edge)”配置。在图6中示出基板覆盖区域99。基板覆盖区域99可以是约7毫米、约5毫米或约3毫米。
使用如本文所述的遮蔽框架22进行广泛的测试。在相邻于主侧面框架构件26的内周边缘66与次侧面框架构件28的内周边缘68和角镶嵌件64的倾斜平坦表面82的基板边缘上的沉积显示提升的厚度分布(thickness profile)。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围通过所附的权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种遮蔽框架，包括：
两个相对的主侧面框架构件，所述两个相对的主侧面框架构件相邻于两个相对的次侧面框架构件，在所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件之间的相交处用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述主侧面框架构件和所述次侧面框架构件各自包括作为外圆角配置的内周边缘，所述主侧面框架构件的所述内周边缘包括正交于所述主侧面框架构件的上表面的平面的平坦表面，所述次侧面框架构件的所述内周边缘包括正交于所述次侧面框架构件的上表面的平面的平坦表面，并且其中每个角支架包括角镶嵌件，所述角镶嵌件包括主体，所述主体具有平坦上表面，所述平坦上表面过渡到倾斜平坦表面，所述主体包括两个支腿，所述两个支腿沿着彼此正交的方向延伸，并且在每个支腿上的所述倾斜平坦表面的相交点包括带圆弧角。
2.如权利要求1所述的遮蔽框架，其中所述角支架中的每个包括缝覆盖件，所述缝覆盖件定位在相应的角镶嵌件与所述两个相对的主侧面框架构件中的主侧面构件和与所述次侧面框架构件的次侧面构件之间的界面处。
3.如权利要求2所述的遮蔽框架，其中所述倾斜平坦表面与所述平坦上表面的平面成角度。
4.如权利要求3所述的遮蔽框架，其中所述倾斜平坦表面形成在与所述平坦上表面成7度的角度处。
5.如权利要求2所述的遮蔽框架，其中所述缝覆盖件具有第一表面与第二表面。
6.如权利要求5所述的遮蔽框架，其中所述第二表面凹陷到所述第一表面的平面下方。
7.如权利要求6所述的遮蔽框架，其中所述倾斜平坦表面与所述平坦上表面的平面成角度。
8.如权利要求7所述的遮蔽框架，其中第二表面成角度以实际上匹配所述倾斜平坦表面的角度。
9.如权利要求1所述的遮蔽框架，其中所述角支架包括圆角。
10.一种遮蔽框架，包括：
两个相对的主侧面框架构件，所述两个相对的主侧面框架构件相邻于两个相对的次侧面框架构件，在耦接界面处用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述主侧面框架构件和所述次侧面框架构件各自包括作为外圆角配置的内周边缘，所述主侧面框架构件的所述内周边缘包括正交于所述主侧面框架构件的上表面的平面的平坦表面，所述次侧面框架构件的所述内周边缘包括正交于所述次侧面框架构件的上表面的平面的平坦表面，其中每个角支架包括角镶嵌件，所述角镶嵌件包括主体，所述主体具有平坦上表面，所述平坦上表面过渡到倾斜平坦表面，所述主体包括两个支腿，所述两个支腿沿着彼此正交的方向延伸，并且在每个支腿上的所述倾斜平坦表面的相交点包括带圆弧角，并且其中每个角支架包括圆角。
11.如权利要求10所述的遮蔽框架，其中所述耦接界面包括多个销。
12.如权利要求10所述的遮蔽框架，其中所述耦接界面包括缝覆盖件。
13.如权利要求12所述的遮蔽框架，其中所述缝覆盖件具有第一表面和第二表面。
14.如权利要求13所述的遮蔽框架，其中所述第二表面凹陷到在所述第一表面的平面下方。
15.如权利要求14所述的遮蔽框架，其中所述倾斜平坦表面与所述平坦上表面的平面成角度。
16.如权利要求15所述的遮蔽框架，其中第二表面成角度以实际上匹配所述倾斜平坦表面的角度。
17.一种遮蔽框架，包括：
两个相对的主侧面框架构件，所述两个相对的主侧面框架构件相邻于两个相对的次侧面框架构件，在包括凹陷区域的耦接界面处用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中：
所述主侧面框架构件和所述次侧面框架构件各自包括作为外圆角配置的内周边缘，所述主侧面框架构件的所述内周边缘包括正交于所述主侧面框架构件的上表面的平面的平坦表面，所述次侧面框架构件的所述内周边缘包括正交于所述次侧面框架构件的上表面的平面的平坦表面；
每个角支架包括圆角和具有两个支腿的角镶嵌件，所述支腿沿着彼此正交的方向延伸；
所述角镶嵌件包括主体，所述主体具有平坦上表面，所述平坦上表面过渡到倾斜平坦表面，所述倾斜平坦表面与所述平坦上表面的平面成角度，并且在每个支腿上的所述倾斜平坦表面的相交点包括带圆弧角；和
凹口，形成在凹陷区域的中心处。
18.如权利要求17所述的遮蔽框架，其中所述耦接界面包括缝覆盖件。
19.如权利要求18所述的遮蔽框架，其中所述缝覆盖件具有第一表面与第二表面。
20.如权利要求19所述的遮蔽框架，其中所述第二表面凹陷到所述第一表面的平面下方。
CN201880056414.2A 2017-09-27 2018-09-14 带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架 Active CN111051569B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210513328.8A CN114959648B (zh) 2017-09-27 2018-09-14 带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762564015P 2017-09-27 2017-09-27
US62/564,015 2017-09-27
US16/122,003 US10468221B2 (en) 2017-09-27 2018-09-05 Shadow frame with sides having a varied profile for improved deposition uniformity
US16/122,003 2018-09-05
PCT/US2018/051178 WO2019067240A1 (en) 2017-09-27 2018-09-14 PERFORATED MASK WITH VARIED PROFILE SIDES FOR IMPROVED DEPOSIT UNIFORMITY

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210513328.8A Division CN114959648B (zh) 2017-09-27 2018-09-14 带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111051569A CN111051569A (zh) 2020-04-21
CN111051569B true CN111051569B (zh) 2022-05-24

Family

ID=65806668

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880056414.2A Active CN111051569B (zh) 2017-09-27 2018-09-14 带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架
CN202210513328.8A Active CN114959648B (zh) 2017-09-27 2018-09-14 带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210513328.8A Active CN114959648B (zh) 2017-09-27 2018-09-14 带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10468221B2 (zh)
JP (2) JP7053809B2 (zh)
KR (2) KR102402497B1 (zh)
CN (2) CN111051569B (zh)
TW (1) TWI829652B (zh)
WO (1) WO2019067240A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102581673B1 (ko) * 2021-09-13 2023-09-21 에스케이엔펄스 주식회사 쉐도우 프레임 및 이를 포함하는 증착장치
CN114525498B (zh) * 2022-03-07 2022-11-01 苏州迈为科技股份有限公司 下垂罩板及带有该下垂罩板的pecvd设备
JP2023178892A (ja) * 2022-06-06 2023-12-18 株式会社サイコックス 陰極、高速原子ビーム線源、接合基板の製造方法、および、陰極の再生方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3386986B2 (ja) * 1997-10-16 2003-03-17 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
US6773562B1 (en) * 1998-02-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Shadow frame for substrate processing
US6355108B1 (en) * 1999-06-22 2002-03-12 Applied Komatsu Technology, Inc. Film deposition using a finger type shadow frame
US7771538B2 (en) * 2004-01-20 2010-08-10 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate supporting means having wire and apparatus using the same
US7501161B2 (en) * 2004-06-01 2009-03-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing arcing during plasma processing
KR101119780B1 (ko) * 2005-06-30 2012-03-23 엘지디스플레이 주식회사 플라즈마 화학증착장치
US8435379B2 (en) * 2007-05-08 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods
US20080289686A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Tae Kyung Won Method and apparatus for depositing a silicon layer on a transmitting conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications
FI20070991A7 (fi) 2007-12-19 2009-06-20 Beneq Oy Lasituote, tuotteen käyttö ja valmistusmenetelmä
USD631858S1 (en) * 2008-11-17 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Shadow frame
KR20120043095A (ko) * 2009-08-26 2012-05-03 캐논 아네르바 가부시키가이샤 필름 형성 장치
WO2011082020A2 (en) * 2009-12-31 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Shadow ring for modifying wafer edge and bevel deposition
TWI463024B (zh) * 2012-01-12 2014-12-01 大日本印刷股份有限公司 A manufacturing method of the imposition-type deposition mask and a manufacturing method of the resulting stencil sheet and an organic semiconductor device
US20140251216A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-11 Qunhua Wang Flip edge shadow frame
US10676817B2 (en) 2012-04-05 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Flip edge shadow frame
KR101547483B1 (ko) * 2012-04-05 2015-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플립 엣지 쉐도우 프레임
CN105452523B (zh) * 2013-08-02 2019-07-16 应用材料公司 用于基板的保持布置以及使用所述用于基板的保持布置的设备和方法
WO2015116244A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Corner spoiler for improving profile uniformity
WO2015116245A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Gas confiner assembly for eliminating shadow frame
CN106460147B (zh) 2014-06-13 2020-02-11 应用材料公司 针对较好的均匀性和增加的边缘寿命的平坦边缘设计
KR101600265B1 (ko) * 2014-09-01 2016-03-08 엘지디스플레이 주식회사 화학기상증착장치
CN204361058U (zh) * 2014-12-23 2015-05-27 昆山国显光电有限公司 遮蔽框组件及基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220070573A (ko) 2022-05-31
KR102517891B1 (ko) 2023-04-03
US10468221B2 (en) 2019-11-05
JP2020535640A (ja) 2020-12-03
TW201930642A (zh) 2019-08-01
TWI829652B (zh) 2024-01-21
CN111051569A (zh) 2020-04-21
WO2019067240A1 (en) 2019-04-04
JP7053809B2 (ja) 2022-04-12
JP7224511B2 (ja) 2023-02-17
KR102402497B1 (ko) 2022-05-25
KR20200045003A (ko) 2020-04-29
US20190096624A1 (en) 2019-03-28
CN114959648A (zh) 2022-08-30
CN114959648B (zh) 2024-10-01
JP2022104964A (ja) 2022-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8982530B2 (en) Methods and apparatus toward preventing ESC bonding adhesive erosion
TWI574345B (zh) 靜電夾盤
US10276405B2 (en) Plasma processing apparatus
TWI576458B (zh) 用於控制基板上之沉積的設備
CN101689492B (zh) 处理基板边缘区域的装置与方法
JP7224511B2 (ja) 堆積の均一性を改善するための、様々なプロファイルを有する側部を有するシャドーフレーム
KR20130141455A (ko) 반도체 기판의 가변 밀도 플라즈마 프로세싱
TW201941354A (zh) 用於基板支撐件的處理套組
US12211728B2 (en) Electrostatic chuck design with improved chucking and arcing performance
US10676817B2 (en) Flip edge shadow frame
TW201618180A (zh) 感應耦合電漿體處理裝置及電漿體蝕刻方法
US20190252159A1 (en) Mounting apparatus for object to be processed and processing apparatus
JP7361588B2 (ja) エッジリング及び基板処理装置
US20140251216A1 (en) Flip edge shadow frame
TW201324577A (zh) 等離子體處理裝置及應用於等離子處理裝置的邊緣環

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant