CN111049499A - 一种超宽带低插损的大衰减量数控衰减电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路。该电路包括超宽带耦合网络、直通路、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关和控制电路；该电路利用耦合网络分出三路信号，第一路信号通过直通路后连接到衰减量切换开关，衰减量很小；第二路信号通过第一大衰减量校准电路后连接到衰减量切换开关，衰减量为第一级射频耦合器的耦合度与第一大衰减量校准电路的衰减值的和；第三路信号通过第二大衰减量校准电路后连接到衰减量切换开关，衰减量为两级射频耦合器的耦合度叠加之后与第二大衰减量校准电路的衰减值的和，通过控制衰减量切换开关实现三种衰减值的动态切换。本发明具有工作频段宽、插损低、大衰减量精度高的优点。
Description
技术领域
本发明属于微波技术领域，特别是一种超宽带低插损的大衰减量数控衰减电路。
背景技术
随着电子侦察和电子对抗等领域的迅速发展，电子战系统对雷达在复杂环境下抗干扰能力的要求越来越高。在电子战系统中，衰减器可以有效降低来自外界的干扰：当系统正常工作时，不启动衰减器；当外界出现较强的干扰时，系统容易发生过载从而导致无法正常工作，此时系统立即启动衰减器，将外界的干扰衰减至最小，以增强系统在残酷的战场环境中的生存能力。衰减器一般分为固定衰减器、模拟衰减器和数控衰减器，其中固定衰减器的衰减量为固定值，衰减量不能灵活变化；模拟衰减器可以实现衰减量的连续变化，但是匹配特性不好；数控衰减器则以离散的衰减步进对衰减量进行控制，有良好的灵活性以及匹配性，然而直通插损较大，并且在大衰减量时衰减精度较差，会恶化系统的灵敏度指标。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超宽带、低插损、高精度的超宽带低插损的大衰减量数控衰减电路。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，包括超宽带耦合网络、直通路、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关和控制电路，其中超宽带耦合网络包括依次连接的第一级射频耦合器和第二级射频耦合器，第一大衰减量校准电路包括依次连接的第一低噪声放大器和第一压控衰减器，第二大衰减量校准电路包括依次连接的第二低噪声放大器和第二压控衰减器；
所述第一级射频耦合器的输出端口依次和直通路、衰减量切换开关相连接；所述第一级射频耦合器的耦合端口和第二级射频耦合器的输入端相连接；所述第二级射频耦合器的输出端口依次和第一大衰减量校准电路、衰减量切换开关相连接；所述第二级射频耦合器的耦合端口依次和第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关相连接；所述控制电路和第一压控衰减器、第二压控衰减器、衰减量切换开关相连接；
射频信号分别经过第一级射频耦合器和直通路后，进入衰减量切换开关；射频信号经过第一级射频耦合器时，由耦合端口产生第一耦合射频信号S1，第一耦合射频信号S1通过第一大衰减量校准电路后进入衰减量切换开关；第一耦合射频信号S1经过第二级射频耦合器时，由耦合端口产生第二耦合射频信号S2，第二耦合射频信号S2通过第二大衰减量校准电路后，进入衰减量切换开关；
通过控制电路，控制衰减量切换开关自由切换三路信号，从而实现不同衰减量的切换。
进一步地，上述超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，还包括屏蔽盒体，所述屏蔽盒体设置有上层空腔和下层空腔，所述的超宽带耦合网络、直通路、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关放置在上层空腔内，所述控制电路设置在下层空腔内。
进一步地，所述的直通路采用50欧姆匹配的微带线。
进一步地，所述的第一级射频耦合器和第二级射频耦合器均采用多节耦合结构。
进一步地，所述的第一级射频耦合器和第二级射频耦合器均集成在GaAs工艺的MMIC芯片上。
进一步地，所述的第一低噪声放大器和第一压控衰减器为集成化的多功能芯片1；所述的第二低噪声放大器和第二压控衰减器为集成化的多功能芯片2；多功能芯片1和多功能芯片2均为GaAs工艺的MMIC芯片。
进一步地，所述的控制电路分别调整第一压控衰减器和第二压控衰减器的衰减量，从而调整第一大衰减量校准电路和第二大衰减量校准电路的衰减量，得到多种衰减量组合。
进一步地，所述的衰减量切换开关采用单刀三掷吸收式开关。
本发明与现有技术相比，其显著优点在于：(1)采用多节耦合结构的耦合网络，工作频段宽；(2)电路切换为不衰减态时，插损很低，保证了系统的灵敏度指标；电路切换为大衰减态时，不仅衰减精度高，而且衰减量可以灵活变化；(3)采用集成化多功能芯片，具有加工精度高、寄生效应小的特点；(4)电路具有体积小、性能稳定、指标一致性高的特点，适用于雷达、电子侦察和电子对抗等各类微波系统中。
附图说明
图1为本发明超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路的结构示意图。
图2为本发明中第一级射频耦合器和第二级射频耦合器的多节耦合的结构示意图。
图中标号，1第一级射频耦合器；2第二级射频耦合器；3直通路；4第一低噪声放大器；5第一压控衰减器；6第二低噪声放大器；7第二压控衰减器；8控制电路；9衰减量切换开关。
具体实施方式
本发明超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，包括超宽带耦合网络、直通路、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关和控制电路，其中超宽带耦合网络包括依次连接的第一级射频耦合器和第二级射频耦合器，第一大衰减量校准电路包括依次连接的第一低噪声放大器和第一压控衰减器，第二大衰减量校准电路包括依次连接的第二低噪声放大器和第二压控衰减器；
所述第一级射频耦合器的输出端口依次和直通路、衰减量切换开关相连接；所述第一级射频耦合器的耦合端口和第二级射频耦合器的输入端相连接；所述第二级射频耦合器的输出端口依次和第一大衰减量校准电路、衰减量切换开关相连接；所述第二级射频耦合器的耦合端口依次和第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关相连接；所述控制电路和第一压控衰减器、第二压控衰减器、衰减量切换开关相连接；
射频信号分别经过第一级射频耦合器和直通路后，进入衰减量切换开关；射频信号经过第一级射频耦合器时，由耦合端口产生第一耦合射频信号S1，第一耦合射频信号S1通过第一大衰减量校准电路后进入衰减量切换开关；第一耦合射频信号S1经过第二级射频耦合器时，由耦合端口产生第二耦合射频信号S2，第二耦合射频信号S2通过第二大衰减量校准电路后，进入衰减量切换开关；
通过控制电路，控制衰减量切换开关自由切换三路信号，从而实现不同衰减量的切换。
进一步地，上述超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，还包括屏蔽盒体，所述屏蔽盒体设置有上层空腔和下层空腔，所述的超宽带耦合网络、直通路、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关放置在上层空腔内，所述控制电路设置在下层空腔内。
进一步地，所述的直通路采用50欧姆匹配的微带线。
进一步地，所述的第一级射频耦合器和第二级射频耦合器均采用多节耦合结构。
进一步地，所述的第一级射频耦合器和第二级射频耦合器均集成在GaAs工艺的MMIC芯片上。
进一步地，所述的第一低噪声放大器和第一压控衰减器为集成化的多功能芯片1；所述的第二低噪声放大器和第二压控衰减器为集成化的多功能芯片2；多功能芯片1和多功能芯片2均为GaAs工艺的MMIC芯片。
进一步地，所述的控制电路分别调整第一压控衰减器和第二压控衰减器的衰减量，从而调整第一大衰减量校准电路和第二大衰减量校准电路的衰减量，得到多种衰减量组合。
进一步地，所述的衰减量切换开关采用单刀三掷吸收式开关。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
如图1所示，本发明一种超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，包括超宽带耦合网络、直通路、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关和控制电路，其中超宽带耦合网络包括依次连接的第一级射频耦合器1和第二级射频耦合器2，第一大衰减量校准电路包括依次连接的第一低噪声放大器4和第一压控衰减器5，第二大衰减量校准电路包括依次连接的第二低噪声放大器6和第二压控衰减器7；
所述第一级射频耦合器1的输出端口依次和直通路3、衰减量切换开关9相连接；所述第一级射频耦合器1的耦合端口和第二级射频耦合器2的输入端相连接；所述第二级射频耦合器2的输出端口依次和第一大衰减量校准电路、衰减量切换开关9相连接；所述第二级射频耦合器2的耦合端口依次和第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关9相连接；所述控制电路8和第一压控衰减器5、第二压控衰减器7、衰减量切换开关9相连接；
射频信号分别经过第一级射频耦合器1和直通路3后，进入衰减量切换开关9；射频信号经过第一级射频耦合器1时，由耦合端口产生第一耦合射频信号S1，第一耦合射频信号S1通过第一大衰减量校准电路后进入衰减量切换开关9；第一耦合射频信号S1经过第二级射频耦合器2时，由耦合端口产生第二耦合射频信号S2，第二耦合射频信号S2通过第二大衰减量校准电路后，进入衰减量切换开关9；
通过控制电路8，可以控制衰减量切换开关9自由切换三路信号，从而实现不同衰减量的切换。
所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路还包括屏蔽盒体，所述屏蔽盒体设置有上层空腔和下层空腔，所述的超宽带耦合网络、直通路3、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关9放置在上层空腔内，所述控制电路8放置在下层空腔内。
其中直通路3的衰减量P1很小，几乎为零；
第一大衰减量电路的衰减量P2为第一级射频耦合器1的耦合度与第一大衰减量校准电路的衰减值的和；
第二大衰减量电路的衰减量P3为两级射频耦合器的耦合度叠加之后与第二大衰减量校准电路的衰减值的和；
通过控制电路8控制衰减量切换开关9，可以实现三种衰减状态：衰减量P1、衰减量P2、衰减量P3之间的动态切换。
作为一种具体示例，所述的直通路3采用50欧姆匹配的微带线，从而实现低插损设计。
作为一种具体示例，如图2所示，所述的第一级射频耦合器1和第二级射频耦合器2均采用多节耦合结构，大大扩展了工作带宽，实现了超宽带设计。
作为一种具体示例，所述的第一级射频耦合器1和第二级射频耦合器2均集成在GaAs工艺的MMIC芯片上，降低了寄生效应，改善了耦合器的耦合平坦度，保证了耦合度高精度设计的，由于电路的大衰减量和耦合度直接相关，从而实现了大衰减量的高精度设计。
作为一种具体示例，所述的第一低噪声放大器4和第一压控衰减器5为集成化的多功能芯片1；所述的第二低噪声放大器6和第二压控衰减器7为集成化的多功能芯片2，多功能芯片1和多功能芯片2均为GaAs工艺的MMIC芯片。
作为一种具体示例，所述的控制电路8可以分别调整第一压控衰减器5和第二压控衰减器7的衰减量，使得第一大衰减量校准电路和第二大衰减量校准电路的衰减量可以灵活变化，从而实现多种大衰减量的灵活组合。
作为一种具体示例，所述的衰减量切换开关9采用切换速度快、隔离度高、插损小的单刀三掷吸收式开关，不仅提升了衰减态切换速度，而且降低了各通道间的信号串扰影响。
本发明所述的超宽带低插损高精度的大衰减量数控衰减电路的工作方式如下：利用耦合网络分出三路信号，第一路信号通过直通路3后连接到衰减量切换开关9，该路插损很小；第二路信号通过第一大衰减量校准电路后连接到衰减量切换开关9，该路的衰减量为第一级射频耦合器1的耦合度和第一大衰减量校准电路的衰减值相加的值；第三路信号通过第二大衰减量校准电路后连接到衰减量切换开关9，该路的衰减量为两级耦合器的的耦合度叠加之后与第二大衰减量校准电路的衰减值相加获得。通过控制电路8，不仅可以控制衰减量切换开关9动态切换三路信号，从而完成衰减值的切换，而且可以分别调整第一压控衰减器5和第二压控衰减器7的衰减量，使得第一大衰减量校准电路和第二大衰减量校准电路的衰减量可以灵活变化，从而实现了多种大衰减量的灵活组合。
综上所述，本发明中采用多节耦合结构的耦合网络，工作频段宽；电路切换为直通路时，插损很小，保证了系统的灵敏度指标；电路切换为大衰减态时，不仅衰减精度高，而且衰减量可以灵活变化；电路中采用集成化多功能芯片，具有精度高、寄生效应小特点；电路具有体积小、性能稳定、指标一致性高的特点，适用于雷达、电子侦察和电子对抗等各类微波系统中。
Claims (8)
1.一种超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，包括超宽带耦合网络、直通路(3)、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关(9)和控制电路(8)，其中超宽带耦合网络包括依次连接的第一级射频耦合器(1)和第二级射频耦合器(2)，第一大衰减量校准电路包括依次连接的第一低噪声放大器(4)和第一压控衰减器(5)，第二大衰减量校准电路包括依次连接的第二低噪声放大器(6)和第二压控衰减器(7)；
所述第一级射频耦合器(1)的输出端口依次和直通路(3)、衰减量切换开关(9)相连接；所述第一级射频耦合器(1)的耦合端口和第二级射频耦合器(2)的输入端相连接；所述第二级射频耦合器(2)的输出端口依次和第一大衰减量校准电路、衰减量切换开关(9)相连接；所述第二级射频耦合器(2)的耦合端口依次和第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关(9)相连接；所述控制电路(8)和第一压控衰减器(5)、第二压控衰减器(7)、衰减量切换开关(9)相连接；
射频信号分别经过第一级射频耦合器(1)和直通路(3)后，进入衰减量切换开关(9)；射频信号经过第一级射频耦合器(1)时，由耦合端口产生第一耦合射频信号S1，第一耦合射频信号S1通过第一大衰减量校准电路后进入衰减量切换开关(9)；第一耦合射频信号S1经过第二级射频耦合器(2)时，由耦合端口产生第二耦合射频信号S2，第二耦合射频信号S2通过第二大衰减量校准电路后，进入衰减量切换开关(9)；
通过控制电路(8)，控制衰减量切换开关(9)自由切换三路信号，从而实现不同衰减量的切换。
2.根据权利要求1所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，还包括屏蔽盒体，所述屏蔽盒体设置有上层空腔和下层空腔，所述的超宽带耦合网络、直通路(3)、第一大衰减量校准电路、第二大衰减量校准电路、衰减量切换开关(9)放置在上层空腔内，所述控制电路(8)设置在下层空腔内。
3.根据权利要求1所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，所述的直通路(3)采用50欧姆匹配的微带线。
4.根据权利要求1所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，所述的第一级射频耦合器(1)和第二级射频耦合器(2)均采用多节耦合结构。
5.根据权利要求1所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，所述的第一级射频耦合器(1)和第二级射频耦合器(2)均集成在GaAs工艺的MMIC芯片上。
6.根据权利要求1所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，所述的第一低噪声放大器(4)和第一压控衰减器(5)为集成化的多功能芯片1；所述的第二低噪声放大器(6)和第二压控衰减器(7)为集成化的多功能芯片2；多功能芯片1和多功能芯片2均为GaAs工艺的MMIC芯片。
7.根据权利要求1所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，所述的控制电路(8)分别调整第一压控衰减器(5)和第二压控衰减器(7)的衰减量，从而调整第一大衰减量校准电路和第二大衰减量校准电路的衰减量，得到多种衰减量组合。
8.根据权利要求1所述的超宽带低插损的大衰减量衰减数控电路，其特征在于，所述的衰减量切换开关(9)采用单刀三掷吸收式开关。
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