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CN111026275B - 静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路 - Google Patents

静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路 Download PDF

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CN111026275B CN201911272488.2A CN201911272488A CN111026275B CN 111026275 B CN111026275 B CN 111026275B CN 201911272488 A CN201911272488 A CN 201911272488A CN 111026275 B CN111026275 B CN 111026275B
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driving
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路，该显示阵列包括基板，设于基板上的绝缘层，设于绝缘层上的钝化层，设于钝化层上的介电层，设于绝缘层内的感应型TFT器件，以及设于绝缘层内的驱动型TFT器件。其中，钝化层设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件；介电层设有第二电极件；感应型TFT器件的源极与第二电极件电性连接；驱动型TFT器件的源极与第一电极件电性连接，栅极与感应型TFT器件的源极电性连接。本申请能够通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。

Description

静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，更具体地说，涉及一种静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路。
背景技术
目前，触觉反馈技术主要采用MOD集成线性马达的方式或采用静电力摩擦调制技术。对于线性马达方式，因其体积较大，振动无边界感，无法实现分区域反馈；对于静电力摩擦调至方式可实现边界明显的触觉反馈，若集成在显示面板中，可实现纹理感和3D感，增强人机互动。但要产生较大的力，需要施加足够大的电压(通常大于100V)，若显示面板的保护膜损坏，此电压直接短接人体，可能造成用户使用中的安全风险。
在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统的显示面板使用过程中，难以到达边界明显的触觉反馈，触发反馈安全性低。
发明内容
基于此，有必要传统的显示面板使用过程中，难以到达边界明显的触觉反馈，触发反馈安全性低的问题，提供一种静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路。
为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种静电反馈显示阵列，包括：
基板；
绝缘层，绝缘层设于基板上；
钝化层，钝化层设于绝缘层上；钝化层设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件；
介电层，介电层设于钝化层上；介电层设有第二电极件；
感应型TFT器件，感应型TFT器件设于绝缘层内；感应型TFT器件的源极与第二电极件电性连接；
驱动型TFT器件，驱动型TFT器件设于绝缘层内；驱动型TFT器件的源极与第一电极件电性连接，栅极与感应型TFT器件的源极电性连接。
在其中一个实施例中，还包括设于基板与绝缘层之间的缓冲层，缓冲层内设有用于遮挡驱动型TFT器件的遮光件。
在其中一个实施例中，绝缘层为透明绝缘层。
在其中一个实施例中，第二电极件为透明电极件。
在其中一个实施例中，驱动型TFT器件为IGZO型TFT器件；感应型TFT器件为IGZO型TFT器件。
在其中一个实施例中，钝化层包括设于绝缘层上的第一钝化子层和设于第一钝化子层与介电层之间的第二钝化子层；
LED器件和第一电极件设于第二钝化子层内。
在其中一个实施例中，基板为玻璃片。
在其中一个实施例中，还包括设于介电层上的保护膜。
另一方面，本发明实施例还提供了一种静电反馈显示阵列的主动驱动方法，包括以下步骤：
在手指初次触摸介电层时，向感应型TFT器件的栅极输入高电平信号，漏极输入高频高电平信号，高电平信号和高频高电平信号用于驱动第二电极件与手指之间产生静电力；
向感应型TFT器件的栅极输入高电平信号，漏极输入低电平信号，高电平信号和低电平信号用于驱动第二电极件的电位归零；
在手指再次触摸介电层时，基于静电力驱动第二电极件产生电位，电位用于驱动驱动型TFT器件向LED器件传输电位信号。
另一方面，本发明实施例还提供了一种静电反馈显示阵列的主动驱动电路，包括感应型TFT器件、驱动型TFT器件和电容；
感应型TFT器件的源极连接驱动型TFT器件的栅极；电容的一端连接感应型TFT器件的源极，另一端连接驱动型TFT器件的漏极；驱动型TFT器件的源极用于连接LED器件。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
上述的静电反馈显示阵列的各实施例中，基于在基板上设置绝缘层，绝缘层上设置钝化层，钝化层上设置介电层，钝化层设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件；介电层设有第二电极件；感应型TFT器件设于绝缘层内；感应型TFT器件的源极与第二电极件电性连接；驱动型TFT器件设于绝缘层内；驱动型TFT器件的源极与第一电极件电性连接，栅极与感应型TFT器件的源极电性连接。进而向感应型TFT器件的栅极输入高频高电平，感应型TFT器件的漏极输入高电平时，感应型TFT器件导通，第二电极件的电平随输入高频高电平而变化，若手指触摸介电层，则使得第二电极件与手指之间产生静电力。当感应型TFT器件的漏极输入高电平，感应型TFT器件的栅极输入低电平，第二电极件的电平被归零到初始电位。当手指触摸介电层表面，使得第二电极件的电位升高，进而驱动驱动型TFT器件向LED器件传输电位信号，实现主动驱动式静电反馈调制。本申请能够通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本申请作进一步说明，附图中：
图1为一个实施例中用于静电反馈显示阵列的第一结构示意图；
图2为一个实施例中用于静电反馈显示阵列的第二结构示意图；
图3为一个实施例中用于静电反馈显示阵列的第三结构示意图；
图4为一个实施例中用于静电反馈显示阵列的第三结构示意图；
图5为一个实施例中静电反馈显示阵列的主动驱动方法的流程示意图；
图6为一个实施例中静电反馈显示阵列的主动驱动电路的结构示意图；
图7为一个实施例中静电反馈显示阵列的主动驱动电路的时序波形图。
具体实施方式
为了对本申请的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本申请的具体实施方式。
为了传统的显示面板使用过程中，难以到达边界明显的触觉反馈，触发反馈安全性低的问题。在一个实施例中，如图1所示，提供了一种静电反馈显示阵列，包括：
基板110；
绝缘层120，绝缘层120设于基板110上；
钝化层130，钝化层130设于绝缘层120上；钝化层130设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件170；
介电层140，介电层140设于钝化层130上；介电层140设有第二电极件180；
感应型TFT器件150，感应型TFT器件150设于绝缘层120内；感应型TFT器件150的源极与第二电极件180电性连接；
驱动型TFT器件160，驱动型TFT器件160设于绝缘层120内；驱动型TFT器件160的源极与第一电极件170电性连接，栅极与感应型TFT器件150的源极电性连接。
其中，基板110是构成显示器件的一个基本部件；如基板110可以是玻璃基板，基板110的厚度可根据实际应用情况设定。绝缘层120指的是层间绝缘层；绝缘层120的材料可以但不限于是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)。钝化层130是显示阵列中钝化的部分；钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态，进而延缓金属的腐蚀速度。介电层140可用来保存各层之间的绝缘性。LED(Light Emitting Diode，发光二极管)器件可以但不限于是单色LED器件或变色LED器件。第一电极件170设于钝化层内；第一电极件170可用来向LED器件传输驱动信号。第二电极件180设介电层内；第二电极件180可用来向感应型TFT器件的源极传输电平，还可用于与触摸介电层的手指产生静电力。
驱动型TFT器件160(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)指的是用于驱动LED器件工作的TFT器件；驱动型TFT器件160可向LED器件传输电流信号，进而驱动LED器件导通点亮。感应型TFT器件150可用来控制驱动型TFT器件栅极的通断。例如，当感应型TFT器件150导通时，输入感应型TFT器件150的电平信号可驱动驱动型TFT器件的栅极导通，进而可导通驱动型TFT器件。
具体而言，基于在基板110上设置绝缘层120，绝缘层120上设置钝化层130，钝化层130上设置介电层140，钝化层130设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件170；介电层140设有第二电极件180；感应型TFT器件150设于绝缘层120内；感应型TFT器件150的源极与第二电极件180电性连接；驱动型TFT器件160设于绝缘层120内；驱动型TFT器件160的源极与第一电极件170电性连接，栅极与感应型TFT器件150的源极电性连接。进而向感应型TFT器件150的栅极输入高频高电平，感应型TFT器件150的漏极输入高电平时，感应型TFT器件150导通，第二电极件180的电平随输入高频高电平而变化，若手指触摸介电层，则使得第二电极件180与手指之间产生静电力。当感应型TFT器件150的漏极输入高电平，感应型TFT器件150的栅极输入低电平，第二电极件180的电平被归零到初始电位。当手指触摸介电层表面，使得第二电极件180的电位升高，进而驱动驱动型TFT器件160向LED器件传输电位信号，实现主动驱动式静电反馈调制。
进一步的，基板、绝缘层、钝化层和介电层之间依次层叠设置结构。
在一个示例中，基板为玻璃片。具体的，基板可以是一种表面极其平整的薄玻璃片
上述的静电反馈显示阵列的实施例中，通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种静电反馈显示阵列，该阵列包括基板210，设于基板210上的绝缘层220，设于绝缘层220上的钝化层230，设于钝化层230上的介电层240，设于绝缘层220内的感应型TFT器件250，以及设于绝缘层220内的驱动型TFT器件260。静电反馈显示阵列还包括设于基板210与绝缘层220之间的缓冲层290，缓冲层290内设有用于遮挡驱动型TFT器件260的遮光件292。其中，钝化层230设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件270；介电层240设有第二电极件280；感应型TFT器件250的源极与第二电极件280电性连接；驱动型TFT器件260的源极与第一电极件270电性连接，栅极与感应型TFT器件250的源极电性连接。
其中，缓冲层290可作为一种保护层覆盖于基板上，以防止水汽和杂质粒子进入到显示阵列内，提高了显示阵列的可靠性。遮光件292可用来阻挡LED器件在发光状态下通过驱动型TFT器件260漏光，能够提高显示阵列的发光显示效果。
具体而言，基于在基板210上设置缓冲层290，缓冲层290上设置绝缘层220，绝缘层220上设置钝化层230，钝化层230上设置介电层240；基板210、缓冲层290、绝缘层220、钝化层230和介电层240之间依次紧密层叠设置。缓冲层290内设有用于遮挡驱动型TFT器件260的遮光件292；钝化层230设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件270；介电层240设有第二电极件280；感应型TFT器件250设于绝缘层220内；感应型TFT器件250的源极与第二电极件280电性连接；驱动型TFT器件260设于绝缘层220内；驱动型TFT器件260的源极与第一电极件270电性连接，栅极与感应型TFT器件250的源极电性连接。进而向感应型TFT器件250的栅极输入高频高电平，感应型TFT器件250的漏极输入高电平时，感应型TFT器件250导通，第二电极件280的电平随输入高频高电平而变化，若手指触摸介电层，则使得第二电极件280与手指之间产生静电力。当感应型TFT器件250的漏极输入高电平，感应型TFT器件250的栅极输入低电平，第二电极件280的电平被归零到初始电位。当手指触摸介电层表面，使得第二电极件280的电位升高，进而驱动驱动型TFT器件260通过第一电极件270向LED器件传输电位信号，通过遮光件292阻挡LED器件在发光状态下通过驱动型TFT器件260漏光，进而实现主动驱动式静电反馈调制，同时保证显示阵列的发光显示效果。
上述的实施例中，通过遮光件阻挡LED器件在发光状态下通过驱动型TFT器件漏光，保证显示阵列的发光显示效果；通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
在一个具体的实施例中，绝缘层为透明绝缘层。
其中，绝缘层采用透明材料的绝缘层，进而不影响自发光显示，提高显示阵列的发光显示效果。
在一个具体的实施例中，第二电极件为透明电极件。
其中，第二电极件采样透明材料的电极件，进而不影响自发光显示，提高显示阵列的发光显示效果。
在具体的一个实施例中，驱动型TFT器件为IGZO型TFT器件。
其中，IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。
在一个示例中，驱动型TFT器件还可以是LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)型TFT器件。
在具体的一个实施例中，感应型TFT器件为IGZO型TFT器件。
其中，IGZO是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。
在一个示例中，感应型TFT器件还可以是LTPS型TFT器件。
在一个实施例中，如图3所示，提供了一种静电反馈显示阵列，该阵列包括基板310，设于基板310上的绝缘层320，设于绝缘层320上的钝化层330，设于钝化层330上的介电层340，设于绝缘层320内的感应型TFT器件350，以及设于绝缘层320内的驱动型TFT器件360。钝化层330设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件370；介电层340设有第二电极件380；感应型TFT器件350的源极与第二电极件380电性连接；驱动型TFT器件360的源极与第一电极件370电性连接，栅极与感应型TFT器件350的源极电性连接。其中，钝化层330包括设于绝缘层320上的第一钝化子层332和设于第一钝化子层332与介电层340之间的第二钝化子层334；LED器件和第一电极件370设于第二钝化子层334内。
具体地，基于第一钝化子层332设于绝缘层320上，连接驱动型TFT器件360的漏极端和源极端可分别设于第一钝化子层332；第一电极件370通过金属连接线连接驱动型TFT器件360的源极端，第一钝化子层332可用来使得驱动型TFT器件360的漏极端、驱动型TFT器件360的源极端和金属连接线表面转化为不易被氧化的状态，进而延缓金属(驱动型TFT器件360的漏极端、驱动型TFT器件360的源极端和金属连接线)的腐蚀速度。
第二钝化子层334设于第一钝化子层332与介电层340之间，LED器件和第一电极件370设于第二钝化子层334内，进而第二钝化子层334可用来使得LED器件的金属裸露部分和第一电极件370表面转化为不易被氧化的状态，进而延缓LED器件的金属裸露部分和第一电极件370的腐蚀速度。
进一步的，第二钝化子层334还可以用来钝化连接在第二电极件380与感应型TFT器件350的源极之间的金属连接线。
上述的实施例中，通过设置在绝缘层上设置第一钝化子层，在第一钝化子层与介电层之间设置第二钝化子层，进而通过第一钝化子层和第二钝化子层能够钝化相应裸露的金属部分，进而使得裸露的金属部分被氧化的状态，延缓金属的腐蚀速度；通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
在一个具体的实施例中，本申请提供的静电反馈显示阵列，保护膜还包括设于介电层上的保护膜。
其中，保护膜可以但不限于是PVDF(Polyvinylidene fluoride，聚偏二氟乙烯膜)保护膜。
在一个实施例中，如图4所示，提供了一种静电反馈显示阵列，该阵列包括基板(GLASS层)，设于基板上的绝缘层420(ILD层)，设于绝缘层上的钝化层，设于钝化层上的介电层(DL层)，设于绝缘层内的感应型TFT器件，以及设于绝缘层内的驱动型TFT器件。静电反馈显示阵列还包括设于基板与绝缘层之间的缓冲层(Buffer层)，缓冲层内设有用于遮挡驱动型TFT器件的遮光件。
其中，钝化层设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件；介电层设有第二电极件；感应型TFT器件的源极与第二电极件电性连接；驱动型TFT器件的源极与第一电极件电性连接，栅极与感应型TFT器件的源极电性连接。钝化层包括设于绝缘层上的第一钝化子层和设于第一钝化子层(PV1层)与介电层之间的第二钝化子层(PV2层)；LED器件和第一电极件设于第二钝化子层内。
具体而言，通过遮光件阻挡LED器件在发光状态下通过驱动型TFT器件漏光，保证显示阵列的发光显示效果；通过设置在绝缘层上设置第一钝化子层，在第一钝化子层与介电层之间设置第二钝化子层，通过第一钝化子层和第二钝化子层能够钝化相应裸露的金属部分，进而使得裸露的金属部分被氧化的状态，延缓金属的腐蚀速度；通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
需要说明的是，图4中，GI指的是栅极金属和半导体Si之间的绝缘层，IGZO指的是铟镓锌氧化物；GATE指的是TFT的栅极；LS指的是遮光层；CT用来表示等效电容。
在一个实施例中，如图5所示，提供了一种静电反馈显示阵列的主动驱动方法，包括以下步骤：
步骤S510，在手指初次触摸介电层时，向感应型TFT器件的栅极输入高电平信号，漏极输入高频高电平信号，高电平信号和高频高电平信号用于驱动第二电极件与手指之间产生静电力。
步骤S520，向感应型TFT器件的栅极输入高电平信号，漏极输入低电平信号，高电平信号和低电平信号用于驱动第二电极件的电位归零。
步骤S530，在手指再次触摸介电层时，基于静电力驱动第二电极件产生电位，电位用于驱动驱动型TFT器件向LED器件传输电位信号。
具体而言，向感应型TFT器件的栅极输入高频高电平，感应型TFT器件的漏极输入高电平时，感应型TFT器件导通，第二电极件的电平随输入高频高电平而变化，若手指触摸介电层，则使得第二电极件与手指之间产生静电力。当感应型TFT器件的漏极输入高电平，感应型TFT器件的栅极输入低电平，第二电极件的电平被归零到初始电位。当手指触摸介电层表面，使得第二电极件的电位升高，进而驱动驱动型TFT器件向LED器件传输电位信号，实现主动驱动式静电反馈调制。通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
应该理解的是，虽然图5的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图5中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，如图6所示，提供了一种静电反馈显示阵列的主动驱动电路，包括感应型TFT器件610、驱动型TFT器件620和电容630。
感应型TFT器件610的源极连接驱动型TFT器件620的栅极；电容630的一端连接感应型TFT器件610的源极，另一端连接驱动型TFT器件620的漏极；驱动型TFT器件620的源极用于连接LED器件。
具体而言，基于感应型TFT器件610的源极连接驱动型TFT器件620的栅极；电容630的一端连接感应型TFT器件610的源极，另一端连接驱动型TFT器件620的漏极；驱动型TFT器件620的源极用于连接LED器件。向感应型TFT器件610的栅极输入高频高电平，感应型TFT器件610的漏极输入高电平时，感应型TFT器件610导通，电容630的电平随输入高频高电平而变化。当感应型TFT器件610的漏极输入高电平，感应型TFT器件610的栅极输入低电平，电容630的电平被归零到初始电位。当电容630的另一端输入电位，进而驱动驱动型TFT器件620向LED器件传输电位信号，实现主动驱动式静电反馈调制。通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
在一个示例中，如图7所示，为静电反馈显示阵列的主动驱动电路的时序波形图。结合图6的静电反馈显示阵列的主动驱动电路，主动驱动的时序可切分为静电力反馈、归零与电容感测三个阶段。
具体地，静电力反馈阶段：V1输入高频高电平，当感应型TFT器件的栅极(V2)输入高电平，则感应型TFT器件导通，电容(CT)的电平随V1的变化而变化，若手指触摸显示阵列的介电层表面，则与手指产生静电力。归零到初始电位阶段：V1输入低电平，感应型TFT器件的栅极(V2)输入高电平，电容被归零到初始电位。电容感测阶段：当手指触摸介电层表面，电容电位升高，驱动型TFT器件的源极输出电位信号，进而可同时实现静电力反馈与电容感测功能，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
进一步的，若在静电力反馈阶段，V1输入高频高电平，而感应型TFT器件的栅极(V2)输入低电平，则感应型TFT器件关断，电容(CT)的不产生电平，若手指触摸显示阵列的介电层表面，则与手指不产生静电力。在归零到初始电位阶段：V1输入低电平，感应型TFT器件的栅极(V2)输入高电平，电容的电平依然处于初始阶段。在电容感测阶段，当手指触摸介电层表面，电容电位无变化，驱动型TFT器件的源极不输出电平信号。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各除法运算方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种静电反馈显示阵列，其特征在于，包括：
基板；
绝缘层，所述绝缘层设于所述基板上；
钝化层，所述钝化层设于所述绝缘层上；所述钝化层设有LED器件以及电性连接所述LED器件的第一电极件；
介电层，所述介电层设于所述钝化层上；所述介电层设有第二电极件；
感应型TFT器件，所述感应型TFT器件设于所述绝缘层内；所述感应型TFT器件的源极与所述第二电极件电性连接；
驱动型TFT器件，所述驱动型TFT器件设于所述绝缘层内；所述驱动型TFT器件的源极与所述第一电极件电性连接，栅极与所述感应型TFT器件的源极电性连接。
2.根据权利要求1所述的静电反馈显示阵列，其特征在于，还包括设于所述基板与所述绝缘层之间的缓冲层，所述缓冲层内设有用于遮挡所述驱动型TFT器件的遮光件。
3.根据权利要求1所述的静电反馈显示阵列，其特征在于，所述绝缘层为透明绝缘层。
4.根据权利要求1所述的静电反馈显示阵列，其特征在于，所述第二电极件为透明电极件。
5.根据权利要求1所述的静电反馈显示阵列，其特征在于，所述驱动型TFT器件为IGZO型TFT器件；所述感应型TFT器件为IGZO型TFT器件。
6.根据权利要求1所述的静电反馈显示阵列，其特征在于，所述钝化层包括设于所述绝缘层上的第一钝化子层和设于所述第一钝化子层与所述介电层之间的第二钝化子层；
所述LED器件和所述第一电极件设于所述第二钝化子层内。
7.根据权利要求1所述的静电反馈显示阵列，其特征在于，所述基板为玻璃片。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的静电反馈显示阵列，其特征在于，还包括设于所述介电层上的保护膜。
9.一种用于权利要求1至8任一项所述的静电反馈显示阵列的主动驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：
在手指初次触摸介电层时，向感应型TFT器件的栅极输入高电平信号，漏极输入高频高电平信号，所述高电平信号和所述高频高电平信号用于驱动第二电极件与所述手指之间产生静电力；
向所述感应型TFT器件的栅极输入高电平信号，漏极输入低电平信号，所述高电平信号和所述低电平信号用于驱动所述第二电极件的电位归零；
在手指再次触摸介电层时，基于所述静电力驱动所述第二电极件产生电位，所述电位用于驱动驱动型TFT器件向LED器件传输电位信号。
10.一种用于权利要求1至8任一项所述的静电反馈显示阵列的主动驱动电路，其特征在于，包括感应型TFT器件、驱动型TFT器件和电容；
所述感应型TFT器件的源极连接所述驱动型TFT器件的栅极；所述电容的一端连接所述感应型TFT器件的源极，另一端连接所述驱动型TFT器件的漏极；所述驱动型TFT器件的源极用于连接LED器件。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111952331A (zh) * 2020-09-01 2020-11-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 微发光二极管显示基板及其制作方法
CN114267700B (zh) * 2021-12-21 2025-02-18 重庆康佳光电科技有限公司 像素结构、触控面板、显示面板及制备方法
EP4457587A1 (en) * 2021-12-27 2024-11-06 Bosch Car Multimedia Portugal, S.A. Device and method for providing an application user interface with haptic feedback

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102651366A (zh) * 2012-01-12 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种静电释放保护电路及包括该电路的显示装置
CN105892762A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种红外触控显示屏及其触控方法
CN106249942A (zh) * 2011-12-22 2016-12-21 深圳市汇顶科技股份有限公司 部分地与lcd显示器集成的电容式触摸感应器
CN106876368A (zh) * 2017-02-04 2017-06-20 复旦大学 一种半导体场效应正反馈器件
CN110174792A (zh) * 2019-06-19 2019-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动电路及显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101894856B (zh) * 2009-05-22 2013-11-06 上海天马微电子有限公司 一种有机发光二极管显示屏和触控检测单元
WO2014039655A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Portable electrostatic chuck carrier for thin substrates
KR20150034861A (ko) * 2013-09-25 2015-04-06 한국전자통신연구원 피드백 제공 모듈, 장치 및 방법
WO2015157423A1 (en) * 2014-04-10 2015-10-15 Ib Korea Ltd. Biometric sensor for touch-enabled device
CN104167418B (zh) * 2014-06-30 2017-09-01 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、制造方法及液晶显示面板
US9696806B2 (en) * 2014-07-02 2017-07-04 Immersion Corporation Systems and methods for multi-output electrostatic haptic effects
CN104298408B (zh) * 2014-08-11 2017-05-24 上海华豚科技有限公司 一种实现手指触摸反馈发光的方法
CN106383610B (zh) * 2016-09-21 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 一种按压反馈装置、显示装置及其控制方法
CN107122075B (zh) * 2017-04-27 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 触控装置驱动方法、触控装置及触控显示装置
CN106992697A (zh) * 2017-05-09 2017-07-28 南阳理工学院 一种工业控制计算机开关电源的改进装置
CN107589847B (zh) * 2017-09-20 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 超声波触觉反馈显示装置、制造方法及显示系统
EP3503287A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-26 IMEC vzw Improvements in or relating to antenna arrangements

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106249942A (zh) * 2011-12-22 2016-12-21 深圳市汇顶科技股份有限公司 部分地与lcd显示器集成的电容式触摸感应器
CN102651366A (zh) * 2012-01-12 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种静电释放保护电路及包括该电路的显示装置
CN105892762A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种红外触控显示屏及其触控方法
CN106876368A (zh) * 2017-02-04 2017-06-20 复旦大学 一种半导体场效应正反馈器件
CN110174792A (zh) * 2019-06-19 2019-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动电路及显示装置

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