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CN111009601B - 半导体发光装置 - Google Patents

半导体发光装置

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CN111009601B
CN111009601B CN201910628665.XA CN201910628665A CN111009601B CN 111009601 B CN111009601 B CN 111009601B CN 201910628665 A CN201910628665 A CN 201910628665A CN 111009601 B CN111009601 B CN 111009601B
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金柱成
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。

Description

半导体发光装置
相关申请的交叉引用
2018年10月8日向韩国知识产权局(KIPO)提交的题为“半导体发光装置”、申请号为10-2018-0119653的韩国专利申请通过引用被整体并入本文。
技术领域
示例实施例涉及半导体发光装置。
背景技术
在半导体发光装置中，包括氮化铟镓的有源层的部分可以具有不同的铟浓度，并且可以根据通过有源层的电流量在各个部分中产生不同波长的光。因此，需要一种制造发光装置的方法，该发光装置可以有效地产生具有所需波长的光。
发明内容
根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置可以包括：第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在所述第一半导体层上；第二半导体层，其在所述有源层上并具有第二导电类型；以及第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型。所述第二半导体层掺杂有镁(Mg)，并且具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧表面。所述第三半导体层可以掺杂有不同于所述第二半导体层的镁(Mg)浓度的镁浓度，并且所述第三半导体层可以具有基本平行于所述衬底的所述上表面的上表面，以及相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧表面。
根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置可以包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在所述第一半导体层上；第二半导体层，其在所述有源层上并具有第二导电类型；以及第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型。所述第二半导体层包括：侧部部分，其具有第一电阻，以及上部部分，其具有低于所述第一电阻的第二电阻，并且所述第三半导体层包括：侧部部分，其具有低于所述第二电阻的第三电阻，以及上部部分，其具有低于所述第三电阻的第四电阻。
根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置可以包括在衬底上的第一半导体发光单元以及在所述衬底上并与所述第一半导体发光单元间隔开的第二半导体发光单元。所述第一半导体发光单元可以包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第一有源层，其在所述第一半导体层上；第二半导体层，其在所述第一有源层上并具有第二导电类型，所述第二半导体层可以掺杂有镁(Mg)，并且可以具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第三半导体层可以掺杂有不同于所述第二半导体层的镁(Mg)浓度的镁浓度，并且所述第三半导体层可以具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面。所述第二半导体发光单元可以包括：第四半导体层，其具有所述第一导电类型；第二有源层，其在所述第四半导体层上；第五半导体层，其在所述第二有源层上并具有所述第二导电类型，所述第五半导体层可以掺杂有镁(Mg)，并且可以具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第六半导体层，其在所述第五半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第六半导体层可以掺杂有不同于第五半导体层的镁(Mg)浓度的镁浓度，并且所述第六半导体层可以具有与所述衬底的上表面基本平行的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面。在平面图中，所述第一半导体发光单元中的所述第一有源层的面积可以小于所述第二半导体发光单元中的所述第二有源层的面积，并且所述第一半导体发光单元可以产生波长比所述第二半导体发光单元产生的光的波长更长的光。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：
图1至图4示出了根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法中的各阶段的截面图。
图5示出了根据示例实施例的半导体发光装置的截面图。
图6示出了根据示例实施例的半导体发光装置的平面图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述根据示例实施例的半导体发光装置及其制造方法。
图1至图4是示出根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法中的各阶段的截面图。
参照图1，可以在衬底100上形成第一半导体层110，可以在第一半导体层110上形成包括开口130的掩模120，并且可以在第一半导体层110的由开口130暴露的上部部分上形成第二半导体层140。
衬底100可以包括绝缘材料(例如玻璃、蓝宝石等)、半导体材料(例如硅(Si)、碳化硅(SiC)等)或金属氧化物(例如氧化锌(ZnO))。
第一半导体层110可以通过例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)
工艺、氢化物气相外延(HVPE)工艺、溅射工艺等形成。在示例实施例中，第一半导体层110可包括例如硅(Si)、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)或碳掺杂氮化镓(GaN)、碳掺杂氮化铝镓(AlGaN)、碳掺杂铟氮化镓(InGaN)等。因此，第一半导体层110可以具有n型导电性。
可以在衬底100和第一半导体层110之间进一步形成缓冲层，以减轻它们之间的晶格失配。缓冲层可以包括例如氮化镓(GaN)。
掩模120可以包括绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅等。在平面图中，掩模120的开口130可以具有例如圆形形状或诸如六边形的多边形形状。
在示例实施例中，第二半导体层140可以通过使用由开口130暴露的第一半导体层110的上部部分作为种子的选择性外延生长(SEG)工艺形成，因此第二半导体层140可以包括与第一半导体层110的材料基本上相同的材料。也就是说，第二半导体层140也可以包括例如Si、Ge、Se、Te或碳掺杂的GaN、碳掺杂的AlGaN、碳掺杂的InGaN等，并且因此可以具有n型导电性。当第二半导体层140从第一半导体层110生长时，第一半导体层110和第二半导体层140可以包括基本相同的材料以彼此结合，例如，以集成为单个无缝结构。
第二半导体层140不仅可以形成在第一半导体层110的由开口130暴露的上部部分上，而且可以形成在与其相邻的掩模120的上部部分上，并且可以具有例如六角锥形。因此，第二半导体层140可以具有相对于衬底100的上表面的倾斜侧表面。
参照图2，可以在第二半导体层140上形成有源层150。接下来，可以在有源层150上形成第三半导体层160，例如，第三半导体层160可以覆盖有源层150的整个暴露表面。
在示例实施例中，有源层150可以包括氮化铟镓(InGaN)，并且可以具有量子阱(QW)结构。有源层150可以在第二半导体层140上共形地形成为恒定的厚度，例如，有源层150可以完全覆盖第二半导体层140的倾斜侧表面。
在一个实施例中，包括有源层150的尖端的上部部分的铟浓度可以高于有源层150的其他部分的铟浓度。有源层150的铟浓度可以根据形成有源层150的过程期间的温度而变化。例如，当在相对低的温度下形成有源层150时，有源层150可以具有相对高的铟浓度，例如，可以调节形成有源层150期间的温度以使得有源层150的尖端中的铟浓度高于有源层150的其他部分中的铟浓度。
第三半导体层160可以包括例如镁掺杂的GaN、镁掺杂的AlGaN、镁掺杂的InGaN等。因此，第三半导体层160可以具有p型导电性。
第三半导体层160可以在例如约1000℃或更高的温度下、约0.7atm或更高的压强下形成在有源层150的暴露表面上。因此，例如，由于镁掺杂的含量和高压，第三半导体层160可以主要在水平方向上(沿着图2中的箭头)生长。结果，第三半导体层160可以形成为从有源层150的侧表面沿着水平方向(沿着X方向)的厚度远大于从有源层150的尖端沿着竖直方向(沿Y方向)的厚度。例如，如图2中示出的，第三半导体层160可以具有与衬底100的上表面基本平行的上表面和相对于衬底100的上表面的倾斜侧表面，例如，第三半导体层160的倾斜侧表面可以与有源层150的倾斜侧表面平行。
在示例实施例中，第三半导体层160可以包括侧部部分160a和上部部分160b。如图2所示，上部部分160b可以具有邻接有源层150的尖端的倒三角形截面，并且侧部部分160a可以具有从倒三角形的一侧沿着有源层150的倾斜侧表面延伸到掩模120的平行四边形截面。第三半导体层160的上部部分160b的上表面可以平行于衬底100的上表面。
在示例实施例中，第三半导体层160的侧部部分160a和上部部分160b可以分别具有第一镁浓度和第二镁浓度，并且例如，根据侧部部分160a相对于上部部分160b的具有较大厚度，(侧部部分160a中的)第一镁浓度可以低于(上部部分160b中)第二镁浓度。因此，第三半导体层160的侧部部分160a的电阻可以大于第三半导体层160的上部部分160b的电阻。
参照图3A，第四半导体层170可以形成在第三半导体层160上。第四半导体层170可以包括例如镁掺杂的GaN、镁掺杂的AlGaN、镁掺杂的InGaN等，因此可以具有p型导电性。
第四半导体层170可以在例如约1000℃的温度下、约0.7atm的压强下形成。因此，例如，由于第四半导体层170的生长相对于第三半导体层160的生长具有较低压强，第四半导体层170可以在第三半导体层160上共形地生长到恒定的厚度。
在示例实施例中，第四半导体层170可以包括侧部部分170a和上部部分170b。如图3A所示，第四半导体层170的上部部分170b可以具有梯形截面，例如，直接位于第三半导体层160的上部部分160b上的梯形的底部基部可以在水平方向上比梯形的顶部基部更短。如图3A中进一步所示，第四半导体层170的侧部部分170a也可以具有梯形截面。第四半导体层170的整个部分的镁浓度可以高于第三半导体层160的镁浓度，例如，第四半导体层170的任何部分的镁浓度可以高于第三半导体层的任何部分的镁浓度。因此，第四半导体层170的电阻可以低于第三半导体层160的电阻。
在示例实施例中，第四半导体层170的侧部部分170a和上部部分170b可分别具有第三镁浓度和第四镁浓度。(侧部部分170a中的)第三镁浓度可以低于(上部部分170b中的)第四镁浓度。
详细地，从第三半导体层160的例如上部部分160b的上表面生长的第四半导体层170的上部部分170b可以例如沿着基本垂直于衬底100的上表面的垂直方向向上生长，并且可以与衬底100的上表面平行。第四半导体层170的上部部分170b可以形成为其镁(Mg)浓度大于第四半导体层170的侧部部分170a的镁(Mg)浓度，第四半导体层170的侧部部分170a从第三半导体层160的倾斜侧表面沿着与衬底100的上表面基本平行的水平方向生长。因此，第四半导体层170的上部部分170b的电阻可以低于第四半导体层170的侧部部分170a的电阻。
依次堆叠在衬底100的第一半导体层110上的第二半导体层140、有源层150、第三半导体层160和第四半导体层170整体可以形成半导体发光单元180。半导体发光单元180可以具有例如六角锥形。
在另一示例中，参照图3B，第四半导体层170的上部部分170b的厚度可以形成为大于第四半导体层170的侧部部分170a的厚度。因此，第四半导体层170的上部部分170b可以具有矩形截面。
参照图4，可以去除掩模120的(例如，在半导体发光单元180外侧的)一部分以暴露第一半导体层110的上表面，随后在第一半导体层110的暴露的上表面上形成第一电极190。可以在第四半导体层170上形成第二电极200以完成半导体发光装置的制造，例如，可以在第四半导体层170的上部部分170b上形成第二电极200。
详细地，第一电极190可以包括金属，例如钛(Ti)、金(Au)等，第二电极200可以包括金属，例如镍(Ni)、金(Au)等。第一电极190和第二电极200可以分别连接到n型第一半导体层110和p型第四半导体层170，以分别用作n型电极和p型电极。可以在第四半导体层170和第二电极200之间进一步形成包括例如氧化铟锡(ITO)的透明电极。
通过上述工艺制造的半导体发光装置可以具有以下特征。半导体发光装置可以包括在衬底100上的具有第一导电类型(即，n型导电性)的第一半导体层110和第二半导体层140、第二半导体层140上的有源层150、有源层150上的具有第二导电类型(即，p型导电性)并且掺杂有镁(Mg)的第三半导体层160、第三半导体层160上的具有p型导电性并且以不同于第三半导体层160的镁(Mg)浓度掺杂镁的第四半导体层170、以及第一电极190和第二电极200。第三半导体层160的上表面可以平行于衬底100的上表面，第三半导体层160的侧表面可以相对于衬底100的上表面倾斜，第四半导体层170的上表面可以平行于衬底100的上表面，以及第四半导体层170的侧表面可以相对于衬底100的上表面倾斜。第一电极190可以位于第一半导体层110上，第二电极200可以位于第四半导体层170上。
第一半导体层110和第二半导体层140可以顺序地堆叠在衬底100上以包括相同的材料，并且可以彼此结合。因此，第一半导体层110和第二半导体层140可以分别被称为第一半导体层110的下部部分和上部部分。第一半导体层110可以共形地形成在衬底100上，第二半导体层140可以具有六角锥形，因此可以具有相对于衬底100的上表面倾斜的侧表面。在示例实施例中，第一半导体层110和第二半导体层140中的每一个可以包括Si、Ge、Se、Te或碳掺杂的GaN。
有源层150可以共形地形成在第二半导体层140上，并且可以包括InGaN。在一个实施例中，有源层150的上部部分的铟浓度可以高于有源层150的下部部分的铟浓度，因此可以从有源层150产生红光。
在示例实施例中，第三半导体层160和第四半导体层170中的每一个可以包括镁掺杂的GaN、镁掺杂的AlGaN、镁掺杂的InGaN等，并且可以分别包括侧部部分160a和侧部部分170a，以及分别包括上部部分160b和上部部分170b。第三半导体层160的上部部分160b可以具有倒三角形截面，并且第四半导体层170的上部部分160b可以具有梯形截面或矩形截面。
在示例实施例中，镁浓度可以按照第四半导体层170的上部部分170b、第四半导体层170的侧部部分170a、第三半导体层的上部部分160b以及第三半导体层160的侧部部分160a的顺序具有越来越小的值，并且它们的电阻可以按上述顺序具有越来越大的值。换句话说，镁浓度可以在第四半导体层170的上部部分170b中具有最大值，并且可以具有按照从上部部分170b到侧部部分170a、第三半导体层160的上部部分160b以及第三半导体层160的侧部部分160a的所述顺序的减小的值，并且因此，可以具有按照从第四半导体层170的上部部分170b到侧部部分170a、第三半导体层160的上部部分160b以及第三半导体层160的侧部部分160a的所述顺序增加的电阻值。
因此，当向第一电极190和第二电极200中的每一个施加电压时，电流路径可以形成为通过(例如，流过)第三半导体层160和第四半导体层170处的分别具有相对小的电阻的上部部分160b和上部部分170b、有源层150的与上部部分160b和上部部分170b相邻的尖端、以及其下方的第二半导体层140的一部分。因此，即使其中电子和空穴结合产生光的有源层150的各个部分具有彼此不同的铟浓度，电流也可以仅通过(与具有相对小的电阻的上部部分160b和上部部分170b相邻的)有源层150的上部部分，例如，而不穿过与侧部部分160a和侧部部分170a相邻的有源层150的下部部分，从而可以根据有源层150的上部部分的铟浓度来确定产生的光的波长，并且可以有效地产生光。
例如，当有源层150的上部部分与有源层150的其它部分相比具有相对高的铟浓度时，可以从有源层150有效地产生红光。相反，当有源层150的上部部分与有源层150的其它部分相比具有相对低的铟浓度时，可以从有源层150有效地产生蓝光。
图5是示出根据示例实施例的半导体发光装置的截面图。除了第三半导体层之外，图5中所示的该半导体发光装置与图4中所描述的半导体发光装置基本相同或相似。因此，相同的附图标记表示相同的元件，并且在此省略对其的详细描述。
参照图5，第三半导体层可以仅包括侧部部分160a，并且可以不包括上部部分。这可以在图2中所述的过程期间第三半导体层仅在水平方向上生长的情况下实现。
然而，第三半导体层仍然可以具有平行于衬底100的上表面的上表面，这可以通过将侧部部分160a的上表面形成为相对于衬底100的上表面是水平的来实现。因此，第三半导体层的上表面上的第四半导体层170的上部部分170b可以形成为其镁浓度高于第四半导体层170的侧部部分170a的镁浓度。
图6是示出根据示例实施例的半导体发光装置的平面图。该半导体发光装置包括图4或图5中描述的多个半导体发光单元。
参照图6，半导体发光装置可以包括在衬底100的第一半导体层110(图1)上彼此间隔开的第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182、184和186。也就是说，第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182、184和186可以形成在第一半导体层110上的分别由掩模120的第一开口至第三开口132、134和136暴露的部分上，并且第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182、184和186中的每一个可以具有六角锥形。此外，n型电极和p型电极可以电连接到第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182、184和186中的每一个，使得可以向其施加电压。
在平面图中，第一半导体发光单元182、第二半导体发光单元184和第三半导体发光单元186可以按此顺序具有越来越大的面积，例如，第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182至186可以按所述顺序具有增加的面积大小。因此，第一半导体发光单元、第二半导体发光单元和第三半导体发光单元182、184和186中分别包括的第一有源层至第三有源层可以按此顺序具有例如越来越大的面积，例如，增大的面积。
在示例实施例中，光可以分别从第一半导体发光单元至第三半导体发光单元中包括的第一有源层至第三有源层中产生，以按此顺序具有越来越短的波长，例如减小的波长。在一个实施例中，第一半导体发光单元182、第二半导体发光单元184和第三半导体发光单元186可以分别产生例如红光、绿光和蓝光。因此，包括第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182、184和186的半导体发光装置可以发射白光。
可以通过在掩模120中形成具有不同尺寸的第一开口至第三开口132、134和136并且在第一半导体层110的由第一开口至第三开口132、134和136暴露的部分上执行SEG工艺来形成第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182、184和186。由相对小尺寸的第一开口132形成的第一半导体发光单元182可以产生波长比由相对大尺寸的第三开口136形成的第三半导体发光单元186产生光的波长更长的光。在一个实施例中，分别包括在第一半导体发光单元至第三半导体发光单元182、184和186中的第一有源层至第三有源层可以按此顺序具有越来越大的厚度，例如增加的厚度。
通过总结和回顾，示例实施例提供了具有改进特性的半导体发光装置。也就是说，在根据示例实施例的半导体发光装置中，尽管有源层的各个部分可以具有彼此不同的铟浓度，但是电流可以仅通过有源层的上部部分，从而可以有效地产生具有期望的波长的光。换句话说，通过配置形成在有源层上的p型半导体层使得电流可以仅通过有源层的特定部分，即尖端处，可以有效地产生具有期望的特定波长的光。
对于上文，可以在有源层上形成在水平方向上生长并具有第一镁浓度的p型第二半导体层，其可以形成在具有六角锥形的n型第一半导体层上，并且第二半导体层可以具有上部部分，该上部部分的镁浓度大于侧部部分的镁浓度。第二半导体层还可以具有相对于衬底的上表面的平坦的上表面。p型第三半导体层可以共形地形成在第二半导体层上，其中形成在第二半导体层的上表面上的上部部分的镁浓度可以大于形成在第二半导体层的侧表面上的侧部部分的镁浓度。因此，当施加电压时，电流仅通过具有相对高的镁浓度的第二半导体层和第三半导体层的上部部分以及在其下形成的有源层的尖端，并且不管有源层的铟浓度的分散如何，可以有效地产生具有期望波长的光。
本文已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅以一般性和描述性意义来使用和解释，而不是出于限制的目的。在某些情况下，除非另外特别指出，否则如本领域普通技术人员在提交本申请时显而易见的,结合特定实施例描述的特性、特征和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特性、、特征和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (18)

1.一种半导体发光装置，包括：
第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；
有源层，其在所述第一半导体层上；
第二半导体层，其在所述有源层上并具有第二导电类型，所述第二半导体层掺杂有镁，并且所述第二半导体层具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面；以及
第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第三半导体层掺杂的镁(Mg)浓度大于所述第二半导体层的镁(Mg)浓度，并且所述第三半导体层具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面，
其中，所述第二半导体层包括：
侧部部分，其掺杂有第三浓度的镁；以及
上部部分，其掺杂有大于所述第三浓度的第四浓度的镁，
其中，所述侧部部分沿着水平方向的厚度大于所述上部部分的沿竖直方向的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第三半导体层包括：
侧部部分，其掺杂有第一浓度的镁；以及
上部部分，其掺杂有大于所述第一浓度的第二浓度的镁。
3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述第三半导体层的上部部分具有梯形或矩形的截面。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第二半导体层的上部部分具有倒三角形的截面。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第二半导体层的上部部分的电阻低于所述第二半导体层的所述侧部部分的电阻。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述有源层包括氮化铟镓(InGaN)。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述有源层的上部部分的铟浓度大于所述有源层的下部部分的铟浓度。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述有源层产生红光。
9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一半导体层包括硅(Si)、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)或碳掺杂氮化镓(GaN)，并且所述第二半导体层和所述第三半导体层的每一个包括镁掺杂的氮化镓(GaN)或镁掺杂的氮化铟镓(InGaN)。
10.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一半导体层包括：
下部部分，其在所述衬底上；以及
上部部分，其在所述第一半导体层的下部部分上并具有六角锥形状，
其中，所述有源层共形地形成在所述第一半导体层的上部部分上。
11.根据权利要求10所述的半导体发光装置，还包括：
第一电极，其在所述第一半导体层的下部部分上；以及
第二电极，其在所述第三半导体层上。
12.一种半导体发光装置，包括：
第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；
有源层，其在所述第一半导体层上；
第二半导体层，其在所述有源层上并具有第二导电类型，所述第二半导体层包括：
侧部部分，其具有第一电阻，以及
上部部分，其具有低于所述第一电阻的第二电阻，
其中，所述侧部部分沿着水平方向的厚度大于所述上部部分的沿竖直方向的厚度；以及
第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第三半导体层包括：
侧部部分，其具有低于所述第二电阻的第三电阻，以及
上部部分，其具有低于所述第三电阻的第四电阻。
13.根据权利要求12所述的半导体发光装置，还包括：
第一电极，其连接到所述第一半导体层；以及
第二电极，其连接到所述第三半导体层，
其中，通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压而产生的电流流过所述第二半导体层的上部部分和所述第三半导体层的上部部分，并朝向所述有源层的上部部分。
14.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其中：
所述第二半导体层和所述第三半导体层中的每一个的上部部分和侧部部分都包括镁(Mg)，以及
所述第三半导体层的上部部分、所述第三半导体层的侧部部分、所述第二半导体层的上部部分和所述第二半导体层的侧部部分具有按顺序降低的镁浓度。
15.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其中：
所述第二半导体层包括实质上平行于所述衬底的上表面的上表面，以及
所述第三半导体层的上部部分位于所述第二半导体层的上表面上。
16.一种半导体发光装置，包括：
第一半导体发光单元，其在衬底上，所述第一半导体发光单元包括：
第一半导体层，其具有第一导电类型，
第一有源层，其在所述第一半导体层上，
第二半导体层，其在所述第一有源层上并具有第二导电类型，所述第二半导体层掺杂有镁(Mg)，并且所述第二半导体层具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面，以及
第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第三半导体层掺杂的镁(Mg)浓度不同于所述第二半导体层的镁浓度，并且所述第三半导体层具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面；以及
第二半导体发光单元，其在所述衬底上并与所述第一半导体发光单元间隔开，所述第二半导体发光单元包括：
第四半导体层，其具有所述第一导电类型，
第二有源层，其在所述第四半导体层上，
第五半导体层，其在所述第二有源层上并具有所述第二导电类型，所述第五半导体层掺杂有镁(Mg)，并且具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面，以及
第六半导体层，其在所述第五半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第六半导体层掺杂的镁(Mg)浓度不同于第五半导体层的镁浓度，并且所述第六半导体层具有与所述衬底的上表面实质上平行的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面，
其中，在平面图中，所述第一半导体发光单元中的所述第一有源层的面积小于所述第二半导体发光单元中的所述第二有源层的面积，并且所述第一半导体发光单元产生光的波长比所述第二半导体发光单元产生的光的波长更长。
17.根据权利要求16所述的半导体发光装置，还包括：
第三半导体发光单元，其在所述衬底上，所述第三半导体发光单元包括：
第七半导体层，其具有所述第一导电类型，
第三有源层，其在所述第七半导体层上，
第八半导体层，其在所述第二有源层上并具有所述第二导电类型，所述第八半导体层掺杂有镁(Mg)，并且具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面，以及
第九半导体层，其在所述第八半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第九半导体层掺杂的镁(Mg)浓度不同于所述第八半导体层的镁浓度，并且所述第九半导体层具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面，
其中，在平面图中，所述第二半导体发光单元中的所述第二有源层的面积小于所述第三半导体发光单元中的所述第三有源层的面积。
18.根据权利要求17所述的半导体发光装置，其中，所述第一半导体发光单元至所述第三半导体发光单元分别产生红光、绿光和蓝光。
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