CN111009460B - 基板处理装置和检查方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种使摄像图像的质量提高的基板处理装置和检查方法，所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时的检查中使用。对被处理基板进行处理的基板处理装置具有：旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；摄像部，该摄像部的摄像区域包括将被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面；光源，其向所述摄像部的所述摄像区域照射光；以及控制部，其基于被所述旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向，来控制基于所述摄像部的摄像结果进行的检查中的所述光源的发光定时。

Description

基板处理装置和检查方法

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置和检查方法。

背景技术

专利文献1公开了一种判定从位于处理对象物的上方的喷嘴朝向该处理对象物的上表面流下的液体的流下状态的流下判定方法。在该方法中，以将从喷嘴到处理对象物的上表面的液体的流下路径包括在摄像视野中的方式进行摄像。接着，在拍摄到的图像中的与流下路径对应的评价对象区域内，针对由沿液体的流下方向排成一列的像素构成的每个像素列，计算属于该像素列的像素的像素值的合计值。而且，基于沿着与流下方向正交的正交方向的合计值的变化方式，来判定有无液体流下。

专利文献1：日本特开2017-29883号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术使摄像图像的质量提高，所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时使用。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式是基板处理装置，所述基板处理装置对被处理基板进行处理，所述基板处理装置具有：旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；摄像部，该摄像部的摄像区域包括被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面；光源，其向所述摄像部的所述摄像区域照射光；以及控制部，其基于被所述旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向，来控制基于所述摄像部的摄像结果进行的检查中的所述光源的发光定时。

发明的效果

根据本公开，能够使摄像图像的质量提高，所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时使用。

附图说明

图1是示意性地表示具备作为第一实施方式所涉及的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的基板处理系统的结构的概要的俯视图。

图2是示意性地表示具备作为第一实施方式所涉及的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的基板处理系统的结构的概要的主视图。

图3是示意性地表示具备作为第一实施方式所涉及的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的基板处理系统的结构的概要的后视图。

图4是表示抗蚀膜形成装置的结构的概要的纵剖截面图。

图5是表示抗蚀膜形成装置的结构的概要的横剖截面图。

图6是在利用抗蚀膜形成装置进行处理时的检查中使用的摄像机的摄像结果的检查对象部分的说明图。

图7是说明与被处理基板的朝向相应的、干扰光对摄像结果带来的影响的图。

图8是表示摄像机的摄像元件的曝光定时和从该摄像元件输出摄像结果的输出定时的一例的时序图。

图9是表示使被处理基板的朝向每次偏移规定角度所得到的各摄像结果与亮度值之间的关系的图。

图10是说明被处理基板的转速及摄像机的帧频与检查时的光源的发光定时之间的关系的图。

图11是表示第二实施方式所涉及的抗蚀膜形成装置的结构的概要的纵剖截面图。

具体实施方式

在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，进行包括向半导体晶圆(以下称作“晶圆”)上供给抗蚀液来形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布处理等的一系列的处理，来在晶圆上形成规定的抗蚀图案。上述一系列的处理除了包括上述的抗蚀剂涂布处理以外，还包括使以规定的图案曝光后的抗蚀膜显影的显影处理等。由搭载有对晶圆进行处理的各种处理装置、搬送晶圆的搬送装置等的涂布显影处理系统进行该一系列的处理。

在该涂布显影处理系统中，上述处理装置中的使用抗蚀液等处理液进行处理的液处理装置具有保持晶圆并使该晶圆旋转的旋转卡盘、以及向被该旋转卡盘保持的晶圆供给处理液的处理液供给喷嘴。在该液处理装置中，例如一边从处理液供给喷嘴向被旋转卡盘保持的晶圆的中央供给处理液一边进行使该旋转卡盘旋转的旋转处理。

在旋转处理中，有时需要拍摄处理液供给喷嘴的喷出口附近，对拍摄到的结果进行分析来判定从处理液供给喷嘴喷出处理液的喷出状态等。作为用于该判定的技术，具有专利文献1所记载的技术。在专利文献1中，以将从喷嘴到处理对象物的上表面的液体的流下路径包括在摄像视野中的方式进行摄像，基于其摄像结果来判定液体自喷嘴的流下状态。

另外，要求对从处理液供给喷嘴喷出处理液的喷出状态进行判定的检查等基板处理装置的检查的精度高。为了使检查的精度高，在检查中使用摄像图像的情况下需要获取高质量的摄像图像。专利文献1中没有公开这一点，也没有给出任何启示。

因此，本公开所涉及的技术使摄像图像的质量提高，所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时的检查中使用。

下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的基板处理装置和检查方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。

(第一实施方式)

图1是示意性地表示具备作为第一实施方式所涉及的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的基板处理系统1的内部结构的概要的说明图。图2和图3分别是示意性地表示基板处理系统1的内部结构的概要的主视图和后视图。此外，在本实施方式中，以基板处理系统1是对作为被处理基板的晶圆W进行涂布处理和显影处理的涂布显影处理系统的情况为例进行说明。

如图1所示，基板处理系统1具有搬入和搬出收容有多张晶圆W的盒C所用的盒交接站10、以及具备对晶圆W实施规定的处理的多个各种处理装置的处理站11。而且，基板处理系统1具有将盒交接站10、处理站11以及接口站13连接为一体所成的结构，该接口站13与同处理站11邻接的曝光装置12之间进行晶圆W的交接。

在盒交接站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个盒载置板21，所述多个盒载置板21用于在相对于基板处理系统1的外部搬入和搬出盒C时载置盒C。

在盒交接站10设置有在沿图的X方向延伸的搬送路22上移动自如的晶圆搬送装置23。晶圆搬送装置23还在上下方向上移动自如并且绕铅垂轴(θ方向)移动自如，从而能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三块G3的交接装置之间搬送晶圆W。

在处理站11设置有具备各种装置的多个块，例如四个块G1、G2、G3、G4。例如，在处理站11的正面侧(图1的X方向的负方向侧)设置有第一块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向的正方向侧)设置有第二块G2。另外，在处理站11的盒交接站10侧(图1的Y方向的负方向侧)设置有第三块G3，在处理站11的接口站13侧(图1的Y方向的正方向侧)设置有第四块G4。

如图2所示，在第一块G1中，多个液处理装置例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀膜形成装置32、上部防反射膜形成装置33从下方起按照所记载的顺序配置。

显影处理装置30对晶圆W进行显影处理。

下部防反射膜形成装置31在晶圆W的抗蚀膜的下层形成防反射膜(以下称作“下部防反射膜”)。

抗蚀膜形成装置32向晶圆W供给抗蚀液来形成抗蚀膜。

上部防反射膜形成装置33在晶圆W的抗蚀膜的上层形成防反射膜(以下称作“上部防反射膜”)。

例如，显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀膜形成装置32、上部防反射膜形成装置33以沿水平方向排列的方式各配置有三个。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀膜形成装置32、上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。

在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀膜形成装置32、上部防反射膜形成装置33中，例如利用规定的处理液在晶圆W上进行旋涂。在旋涂期间，例如一边从处理液供给喷嘴向晶圆W上喷出处理液，一边使晶圆W旋转以使处理液在晶圆W的表面扩散。

如图3所示，在第二块G2中，沿上下方向和水平方向并排设置有热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42。

热处理装置40进行晶圆W的加热、冷却之类的热处理。

粘附装置41用于提高抗蚀液与晶圆W之间的固着性。

周边曝光装置42使晶圆W的外周部曝光。

这些热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42的数量、配置能够任意地选择。

例如，在第三块G3中，从下方起依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。另外，在第四块G4中，从下方起依次设置有多个交接装置60、61、62。

如图3所示，在被第一块G1～第四块G4包围的区域形成有晶圆搬送区域D。在晶圆搬送区域D配置有晶圆搬送装置70。

晶圆搬送装置70具有例如在Y方向、X方向、θ方向以及上下方向上分别移动自如的搬送臂70a。晶圆搬送装置70在上下方向上配置有多台，各晶圆搬送装置70在晶圆搬送区域D内移动，例如能够向各块G1～G4中的相同程度的高度位置处的规定的装置搬送晶圆W。

另外，在晶圆搬送区域D设置有在第三块G3与第四块G4之间线性地搬送晶圆W的梭式搬送装置80。

梭式搬送装置80例如在图3的Y方向上线性地移动自如。梭式搬送装置80能够以支承着晶圆W的状态在Y方向上移动，来在第三块G3的交接装置52与第四块G4的交接装置62之间搬送晶圆W。

如图1所示，在第三块G3的X方向的正方向侧与该第三块G3相邻的位置设置有晶圆搬送装置90。晶圆搬送装置90例如具有在X方向、θ方向以及上下方向上移动自如的搬送臂90a。晶圆搬送装置90能够以支承着晶圆W的状态在下上方向上移动，来向第三块G3内的各交接装置搬送晶圆W。

在接口站13设置有晶圆搬送装置100和交接装置101。晶圆搬送装置100例如具有在Y方向、θ方向以及上下方向上移动自如的搬送臂100a。晶圆搬送装置100例如能够将晶圆W支承于搬送臂100a，来在第四块G4内的各交接装置、交接装置101以及曝光装置12之间搬送晶圆W。

在此，使用图4和图5来说明上述的抗蚀膜形成装置32的结构。图4是表示抗蚀膜形成装置32的结构的概要的纵剖截面图，图5是表示抗蚀膜形成装置32的结构的概要的横剖截面图。

如图4所示，抗蚀膜形成装置32具有处理容器110，该处理容器110的内部能够密闭。如图5所示，在处理容器110的侧面有形成晶圆W的搬入搬出口111，在搬入搬出口111处设置有开闭挡板112。

在处理容器110内的中央部设置有保持晶圆W并使该晶圆W旋转的作为旋转保持部的旋转卡盘120。该旋转卡盘120具有水平的上表面，在该上表面例如设置有用于吸引晶圆W的吸引口(未图示)。通过自该吸引口进行吸引，能够将晶圆W吸附保持在旋转卡盘120上。

旋转卡盘120能够通过例如具备马达等的卡盘驱动部121以规定的速度旋转。另外，在卡盘驱动部121例如设置有气缸等升降驱动机构(未图示)，旋转卡盘120升降自如。此外，在旋转卡盘120的下方设置有用于从晶圆W的下方支承晶圆W来使该晶圆W升降的升降销(未图示)。

另外，在处理容器110内，针对旋转卡盘120以能够包围被旋转卡盘120保持的晶圆W的方式设置有杯122。杯122接住从晶圆W飞散或落下的液体来进行回收。

如图5所示，在杯122的X方向的负方向(图5的下方)侧形成有沿Y方向(图5的左右方向)延伸的轨道130。轨道130例如从杯122的Y方向的负方向(图5的左方)侧的外方形成至Y方向的正方向(图5的右方)侧的外方。在轨道130设置有臂131。

在臂131上支承有向晶圆W供给抗蚀液的作为处理液供给部的抗蚀液供给喷嘴132。臂131通过喷嘴驱动部133在轨道130上移动自如。由此，抗蚀液供给喷嘴132能够从设置于杯122的Y方向的正方向侧的外方的待机部134移动至杯122内的晶圆W的中心部上方，并且在该晶圆W的表面的上方沿晶圆W的径向移动。另外，臂131通过喷嘴驱动部133升降自如，从而能够调节抗蚀液供给喷嘴132的高度。抗蚀液供给喷嘴132与供给抗蚀液的抗蚀液供给装置M连接。

另外，在处理容器110内设置有作为摄像部的摄像机140，该摄像机140的摄像区域包括被旋转卡盘120保持的晶圆W的表面。关于摄像机140的摄像区域，只要包括进行检查所需的摄像范围即可，也可以设定为不包括晶圆W的整个表面，仅包括晶圆W的表面的一部分。该摄像机140例如以配设于不阻碍晶圆W的搬入搬出和抗蚀液供给喷嘴132的移动的位置的方式，经由固定构件(未图示)固定于处理容器110的顶壁113。摄像机140例如能够使用CCD摄像机。

在进行检查时，摄像机140以规定的帧频进行摄像。此外，当进行检查时和在检查之前进行后述的事前检查时，摄像间隔、该摄像机140所具有的摄像元件的曝光时间不同。

并且，在处理容器110内设置有对摄像机140的摄像区域照射光的光源150。光源150配置于以下位置：俯视观察时，在该光源150与摄像机140之间隔着被旋转卡盘120保持的晶圆W，且光源150不阻碍晶圆W的搬入搬出和抗蚀液供给喷嘴132的移动。该光源150例如固定于杯122的内壁上方。光源150构成为能够放出闪光(瞬间地发出的光)。

利用摄像机140进行摄像的定时、光源150的发光定时由后述的控制部200控制，另外，摄像机140的摄像结果被输出至该控制部200，以用于检查等。

针对如以上那样构成的基板处理系统1设置有控制部200。

控制部200例如由具备CPU、存储器等的计算机构成，并且具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有用于控制基板处理系统1中的各种处理的程序。此外，上述程序可以记录在可由计算机读取的存储介质中，并且从该存储介质安装至控制部200。

接着，对控制部200的在抗蚀膜形成装置32的检查时的动作进行说明。图6是在利用抗蚀膜形成装置32进行处理的期间的检查中使用的摄像机140的摄像结果的检查对象部分的说明图，示出摄像机140的摄像图像的一例。图7是说明与晶圆W的朝向相应的、干扰光对摄像结果带来的影响的图，示意性地示出晶圆W的摄像图像，在图7的(A)和图7的(B)中，晶圆W的朝向不同。此外，在图7中，标记N表示作为晶圆W的朝向的基准的切口。

控制部200基于摄像机140的摄像结果来进行利用抗蚀膜形成装置32进行处理时的检查。例如，控制部200在检查对象部分中截取摄像机140的摄像结果，基于该截取出的摄像结果来进行抗蚀膜形成装置32的检查。例如，如图6所示，检查对象部分P是与晶圆W的表面的中央附近对应的部分。在像这样设定了检查对象部分P的情况下，控制部200例如基于检查对象部分P的摄像结果来判定(检查)晶圆W中央的液膜是否具有期望的外周形状。能够基于摄像图像中的亮度的差(明暗)来获取液膜的外周形状，另外，例如通过与基准图像之间的图案匹配来进行上述的判定。预先获取基准图像并且将基准图像存储于存储部(未图示)。此外，检查对象部分、检查的内容不限于上述那样。

另外，控制部200控制为了进行检查而利用摄像机140进行摄像时的光源150的发光定时。具体地说，控制部200基于抗蚀膜形成装置32内的、被旋转卡盘120保持的正在旋转的晶圆W的朝向(以下有时省略为“晶圆W的朝向”)，来控制上述发光定时。像这样控制发光定时的理由如下。

如前述的那样，摄像机140的摄像区域中包括被旋转卡盘120保持的晶圆W的表面。在晶圆W的表面形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)图案的情况下，从光源150射出后被IC图案反射的光即干扰光对摄像结果带来的影响根据晶圆W的朝向发生变化。例如，在晶圆W的朝向为图7的(A)时，在摄像图像中，由于干扰光使得晶圆W的中央附近的亮度变高。在该情况下，在晶圆W的朝向从图7的(A)的状态旋转90度后的图7的(B)时，存在晶圆W的外周附近摄像图像的亮度变高的情况。而且，在摄像结果中，在由于干扰光而亮度变高的部分与检查对象部分重叠的情况下，无法准确地进行基于摄像结果的检查。

因此，如上述那样，控制部200基于被旋转卡盘120保持的正在旋转的晶圆W的朝向，来控制为了进行检查而利用摄像机140进行摄像时的光源150的发光定时。具体地说，控制部200以如下方式定上述发光定时：在使光源150发光了的情况下，在摄像结果的检查对象部分的亮度变高的定时使光源150不发光，以决定出的该发光定时控制光源150。更具体地说，在检查之前，控制部200判定在使光源150发光的情况下摄像结果的检查对象部分的亮度变高的晶圆W的朝向、即在光源150发光时不适当的晶圆W的朝向。控制部200基于该判定结果来决定检查中的发光定时，以使光源150仅在晶圆W的朝向作为光源150发光时的晶圆W的朝向适当的情况下发光。而且，控制部200一边根据发光定时的决定结果来控制光源150，一边利用摄像机140进行摄像，基于摄像结果来进行检查。在后文中叙述在上述光源150发光时不适当的晶圆W的朝向的判定方法。此外，以下有时将“作为光源150发光时的晶圆W的朝向不适当”省略为“不适当”等。

接着，对使用如以上那样构成的基板处理系统1进行的晶圆处理进行说明。首先，将收纳有多个晶圆W的盒C搬入基板处理系统1的盒交接站10，利用晶圆搬送装置23将盒C内的各晶圆W依次搬送至处理站11的交接装置53。

接着，将晶圆W搬送至第二块G2的热处理装置40来进行温度调节处理。之后，利用晶圆搬送装置70将晶圆W例如搬送至第一块G1的下部防反射膜形成装置31，来在晶圆W上形成下部防反射膜。之后，将晶圆W搬送至第二块G2的热处理装置40来进行加热处理，从而进行温度调节。

接着，将晶圆W搬送至粘附装置41来进行粘附处理。之后，将晶圆W搬送至第一块G1的抗蚀膜形成装置32中，来在晶圆W上形成抗蚀膜。之后，将晶圆W搬送至热处理装置40来进行预烘焙处理。此外，在预烘焙处理中也进行与形成下部防反射膜后的热处理相同的处理，另外，在后述的形成上部防反射膜后的热处理、曝光后烘焙处理、后烘焙处理中也进行同样的处理。但是，供各热处理使用的热处理装置40互不相同。

接着，将晶圆W搬送至上部防反射膜形成装置33，来在晶圆W上形成上部防反射膜。之后，将晶圆W搬送至热处理装置40来进行加热，从而进行温度调节。之后，将晶圆W搬送至周边曝光装置42来进行周边曝光处理。

接着，将晶圆W搬送至曝光装置12，来以规定的图案进行曝光处理。

接着，将晶圆W搬送至热处理装置40来进行曝光后烘焙处理。之后，将晶圆W例如搬送至显影处理装置30来进行显影处理。在显影处理结束后，将晶圆W搬送至热处理装置40来进行后烘焙处理。然后，将晶圆W搬送至盒载置板21的盒C，一系列的光刻工序完成。

在此，详细地叙述抗蚀膜形成装置32中的处理。

在抗蚀膜形成装置32中，一边基于摄像机140的摄像结果进行检查一边形成抗蚀膜。在该检查、形成抗蚀膜之前，控制部200针对每个晶圆W进行判定在光源150发光时不适当的晶圆W的朝向的处理，来作为事前处理。

因而，当通过旋转卡盘120的上表面对晶圆W进行吸附保持时，为了获取用于判定上述的不适当的朝向的摄像结果，控制部200在使抗蚀液供给喷嘴132保持退避的状态下控制摄像机140等。具体地说，控制部200控制旋转卡盘120、摄像机140、光源150，以在被旋转卡盘120保持的晶圆W的朝向互不相同的多个状态的个状态下，一边使光源150照射光一边利用摄像机140进行摄像。更具体地说，控制部200进行控制，以在使被旋转卡盘120保持的晶圆W的朝向绕旋转卡盘120的旋转轴每次偏移规定角度(分割角度)所得到的多个状态下，一边使光源150照射光一边进行摄像。

例如，一边通过旋转卡盘120使晶圆W以低转速旋转，一边基于来自在卡盘驱动部121内设置的编码器(未图示)的输出信号进行该控制。在此使用的来自编码器的输出信号是每当旋转卡盘120旋转一周时输出的Z相信号、在旋转卡盘120旋转一周的期间以规定次数输出的A相信号(或B相信号)。例如，在将晶圆W的朝向表示为相对于旋转卡盘120的基准角度的偏移时，控制部200将来自上述编码器的Z相信号上升时设为晶圆W的朝向为0度。另外，控制部200每当向编码器输入与上述分割角度相当的数量的A相信号(或B相信号)时，使摄像机140的摄像元件以规定时间曝光并且使该摄像元件输出摄像结果。图8是表示摄像机140的摄像元件的曝光定时和从该摄像元件输出摄像结果的输出定时的一例的时序图。在该图的时序图中，在旋转卡盘120旋转一周的期间，将A相信号和B相信号的输出进行5400次，将上述分割角度设为2度。根据基于该时序图的控制，每当将A相输入30次时，进行上述摄像元件的曝光和来自该摄像元件的摄像结果的输出，关于晶圆W的朝向每次偏移2°所得到的摄像结果，在晶圆W旋转一周的期间能够获取总共180张。

当获取摄像结果时，控制部200针对每个摄像结果提取该摄像结果中的检查对象部分(例如参照图6的标记P)的亮度。提取的亮度例如是检查对象部分中包括的像素的亮度值的平均值。

而且，控制部200针对每个摄像结果，基于提取出的亮度来判定与该摄像结果对应的晶圆W的朝向是否不适当。例如，在从摄像结果提取出的亮度比规定的阈值大的情况下，控制部200判定为与该摄像结果对应的晶圆W的朝向不适当。

图9是表示晶圆W的朝向每次偏移2°所得到的各摄像结果与亮度值之间的关系的图。在得到图9的摄像结果和亮度值的情况下，关于亮度值超过阈值(在图的例子中为150)的晶圆W的朝向为136°～144°或316°～324°的摄像结果，控制部200判定为与该摄像结果对应的晶圆W的朝向不适当。

另外，控制部200将针对每个摄像结果的、晶圆W的朝向是否不适当的判定结果存储为针对晶圆W的每个朝向的、是否为上述不适当的判定结果。

由此，事前处理结束。

在事前处理后，形成抗蚀膜并进行检查。在用于形成抗蚀膜的各处理中进行检查，因此首先对抗蚀膜的形成进行说明。

在形成抗蚀膜时，控制部200首先使抗蚀液供给喷嘴132移动至晶圆W的中心部上方，一边使晶圆W以低转速(例如300rpm)旋转一边进行向晶圆W上供给抗蚀液来形成液膜的液膜形成处理。

而且，在从抗蚀液供给喷嘴132供给抗蚀液的供给时间达到规定长度的时间点，在维持晶圆W的转速的状态下停止供给抗蚀液。接着，使抗蚀液供给喷嘴132退避，并且进行使晶圆W以高转速(例如3000rpm)旋转来使供给至晶圆W的中心部的抗蚀液在晶圆W的整面扩散来形成规定膜厚的涂布膜的扩散处理。接着，使晶圆W以规定的转速(例如1500rpm)旋转，来进行使晶圆W上的涂布膜干燥的干燥处理。之后，将被旋转卡盘120吸附保持的晶圆W从抗蚀膜形成装置32搬出，搬入下一个晶圆W。

在进行上述的液膜形成处理、扩散处理、干燥处理时，分别基于摄像机140的摄像结果进行检查。

在各处理中的用于检查的摄像时，基于通过事前处理得到的、作为晶圆W的朝向不适当的方向的判定结果来决定光源150的发光定时。具体地说，在进行各处理中的用于检查的摄像时，基于通过事前处理存储的针对晶圆W的每个朝向的、该晶圆W的朝向是否不适当的判定结果，来决定上述发光定时。更具体地说，基于上述判定结果、晶圆W的转速以及摄像机140的帧频来决定上述发光定时。

图10是说明晶圆W的转速及摄像机的帧频与上述发光定时之间的关系的图。

在此，例如设为通过事前处理得到图9所示的摄像结果和亮度值，设晶圆W的转速为900rpm、帧频为60fps。此时，如图10所示，有时在第n帧和第n+2帧中不存在晶圆W的朝向不适当的时间，在第n+1帧和第n+3帧的中间的时间段存在晶圆W的朝向不适当的时间。

在该情况下，控制部200以在第n帧、第n+2帧中一直发光并且在第n+1帧、第n+3帧中晶圆W的朝向不适当的情况下不发光而在除此以外的情况下发光的方式来决定发光定时。

另外，也可以是，控制部200将每帧的发光定时设为共同的发光定时，并且仅在同一帧内的一部分的时间发光，由此使得在晶圆W的朝向不适当的情况下不发光。具体地说，在帧、摄像结果以及亮度值之间的关系如图10那样的情况下，例如可以设为仅在各帧的前1/3的时间和后1/3的时间中的至少任一方的时间发光这样的发光定时。

而且，在进行检查时，控制部200一边基于来自编码器的输出和所决定的上述发光定时控制光源150，一边使摄像机140进行摄像。由此，在进行检查时，能够不取决于晶圆W的转速和摄像机140的帧频地获取光源150在晶圆W的朝向并非不适当的定时发光所得到的摄像结果、也就是在检查对象部分中干扰光的影响少的摄像结果。因此，能够使基于该摄像结果进行的检查准确。

此外，在检查的结果不良的情况下，使与该检查对应的处理中止，并且不进行之后的处理，将晶圆W从抗蚀膜形成装置32搬出。

根据本实施方式，在要获取摄像机140的摄像结果时，基于被旋转卡盘120保持的正在旋转的晶圆W的朝向来控制光源150的发光定时，所述摄像结果在利用抗蚀膜形成装置32进行处理时的检查中使用。因而，能够获取检查对象部分中干扰光的影响少的摄像结果来作为要在上述检查中使用的摄像结果。也就是说，能够使在上述检查中使用的摄像图像的质量提高。因而，能够准确地进行基于摄像结果的上述检查。

另外，根据本实施方式，通过上述的事前处理，在被旋转卡盘120保持的晶圆W的朝向互不相同的多个状态的各状态下，一边实际地从光源150照射光一边利用摄像机140进行摄像。而且，基于摄像结果来判定不适当的晶圆W的朝向，基于判定结果来决定检查中的发光定时。因而，能够准确地获取检查对象部分中干扰光的影响少的摄像结果来作为要在上述检查中使用的摄像结果。

(第一实施方式的变形例)

在以上的实施方式中，设为针对每个晶圆W进行事前处理来判定不适当的晶圆W的朝向。

但是，在同一基板组的晶圆W中的所形成的IC图案相同时，在满足以下的条件(A)、(B)的情况下，可以仅对基板组的第一张晶圆W进行事前处理来判定不适当的晶圆W的朝向。而且，也可以是，一边以基于该判定结果决定的发光定时控制光源150，一边关于同一基板组中的其它晶圆W也进行检查。

(A)被搬入抗蚀膜形成装置32并载置于旋转卡盘120时的晶圆W的朝向在同一基板组内是相同的

(B)被搬入抗蚀膜形成装置32并载置于旋转卡盘120时的旋转卡盘120的朝向一直固定

此外，满足上述(A)的情况例如是基板组内的晶圆W的朝向和搬送路径相同的情况。另外，可以设置如下的机构以取代使基板组内的晶圆W的朝向相同：在搬送路径的中途，通过使各晶圆W的切口位置对齐来使晶圆W的朝向一致。

(第二实施方式)

图11是表示第二实施方式所涉及的抗蚀膜形成装置的结构的概要的纵剖截面图。

在第一实施方式中的基于摄像机140的摄像结果进行的检查中，检查对象部分设定于晶圆W的表面。但是，检查对象部分有时也设定于抗蚀液供给喷嘴132。另外，检查对象部分有时还设定于晶圆W的表面和抗蚀液供给喷嘴132这两方。

像这样，在存在多个检查对象部分的情况下，可以针对每个检查对象部使用不同的光源，即针对每种检查使用不同的光源。

在图11的抗蚀膜形成装置32中，在处理容器110内除了设置有供检查对象部分为晶圆W的表面的检查所用的光源150以外，还设置有供检查对象部分为抗蚀液供给喷嘴132的检查所用的其它光源160。光源150和光源160均向摄像机140的摄像区域照射光，但光源150主要向晶圆W照射光，光源160主要向抗蚀液供给喷嘴132照射光。

光源160与光源150同样地配设于不阻碍晶圆W的搬入搬出和抗蚀液供给喷嘴132的移动的位置。该光源160例如经由固定构件(未图示)固定于处理容器110的顶壁113。光源160也构成为能够放出闪光。

此外，在基于使用光源160得到的摄像结果进行检查时，也与基于使用光源150得到的摄像结果进行检查时同样地，基于被旋转卡盘120保持的正在旋转的晶圆W的朝向来控制光源160的发光定时。

但是，在基于使用光源160得到的摄像结果进行检查的情况下和基于使用光源150得到的摄像结果进行检查的情况下，控制部200控制摄像机140，以针对每个检查分别进行摄像。

控制部200在如上述那样进行两种检查的情况下，例如针对摄像机140的每个摄像帧切换检查的种类，即切换检查对象部分和在检查中使用的光源。具体地说，例如，在进行奇数帧的摄像时，与第一实施方式同样地，使用光源150，从摄像结果中截取作为检查对象部分的晶圆W的表面的部分来进行检查。而且，在进行偶数帧的摄像时，使用光源160，从摄像结果中截取作为检查对象部分的抗蚀液供给喷嘴132的部分来进行检查。

此外，控制部200在决定检查时的光源160的发光定时时，与决定检查时的光源150的发光定时时同样地，在检查之前的事前处理中，判定在光源160发光时不适当的晶圆W的朝向。具体地说，控制部200控制旋转卡盘120、摄像机140、光源160，以在被旋转卡盘120保持的晶圆W的朝向互不相同的多个状态的个状态下，一边使光源160照射光一边利用摄像机140进行摄像。而且，基于摄像结果来判定在光源160发光时不适当的晶圆W的朝向。

此外，在事前处理时，使光源150和光源160的射出光的射出定时不同，以进行在光源150发光时不适当的晶圆W的朝向的判定、和在光源160发光时不适当的晶圆W的朝向的判定。

但是，在由光源150和光源160射出的光的波长互不相同的情况下，也可以将光源150和光源160的射出光的射出定时设为同时。而且，可以基于相同的摄像结果来进行在光源150发光时不适当的晶圆W的朝向的判定和在光源160发光时不适当的晶圆W的朝向的判定。控制部200基于该判定结果来决定检查对象部分为晶圆W的表面的检查时的光源150的发光定时和检查对象部分为抗蚀液供给喷嘴132的检查时的光源160的发光定时。由此，能够缩短在检查对象部分具有多个的情况下事前处理所需的时间。

在上述实施方式中，设为检查对象的处理是向晶圆W上供给抗蚀液来形成液膜的处理等，但检查对象的处理不限于此，也可以是用于去除晶圆W上的无用物的清洗处理等其它处理。

应该认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的范围内以各种方式进行省略、置换、变更。

此外，如以下那样的结构也属于本公开的技术范围。

(1)一种基板处理装置，对被处理基板进行处理，所述基板处理装置具有：

旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；

摄像部，该摄像部的摄像区域包括被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面；

光源，其向所述摄像部的所述摄像区域照射光；以及

控制部，其基于被所述旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向，来控制基于所述摄像部的摄像结果进行的检查中的所述光源的发光定时。

根据上述(1)，在基于摄像部的摄像结果进行利用基板处理装置进行的处理时的检查时，基于被旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向来控制光源的发光定时。因而，能够使在上述检查中使用的摄像结果的质量提高。因而，能够准确地进行基于摄像结果的上述检查。

(2)根据上述(1)所记载的基板处理装置，其中，

在所述检查之前，所述控制部控制所述旋转保持部、所述摄像部以及所述光源，以在被所述旋转保持部保持的被处理基板的朝向互不相同的多个状态的各状态下，一边使所述光源照射光一边利用所述摄像部进行摄像，并且所述控制部基于所述多个状态的摄像结果来判定在所述光源发光时不适当的被处理基板的朝向，

所述控制部基于该判定的结果来决定所述检查中的发光定时。

根据上述(2)，能够更可靠地获取质量高的摄像结果来作为要在上述检查中使用的摄像结果。

(3)根据上述(2)所记载的基板处理装置，其中，基于所述不适当的被处理基板的朝向的判定结果、被处理基板的转速以及所述摄像部的帧频，来决定所述检查中的所述发光定时。

根据上述(3)，能够不取决于被处理基板的转速和摄像部的帧频地更可靠地获取质量高的摄像结果来作为要在上述检查中使用的摄像结果。

(4)根据上述(1)～(3)中的任一项所记载的基板处理装置，还具有其它光源，在基于所述摄像部的摄像结果进行其它检查时，该其它光源向所述摄像区域照射光，

所述控制部基于被所述旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向来控制所述其它检查中的所述其它光源的发光定时，并且控制所述摄像部以分别进行用于所述检查的摄像和用于所述其它检查的摄像。

(5)根据上述(4)所记载的基板处理装置，其中，

所述光源与所述其它光源照射波长互不相同的光，

在所述检查和所述其它检查之前，所述控制部控制所述保持部、所述光源、所述其它光源以及所述摄像部，以在被所述旋转保持部保持的被处理基板的朝向互不相同的多个状态的各状态下，一边使从所述光源和所述其它光源同时照射光一边利用所述摄像部进行摄像，并且所述控制部基于所述多个状态的摄像结果来判定在所述光源发光时不适当的被处理基板的朝向、在所述其它光源发光时不适当的被处理基板的朝向，

所述控制部基于该判定结果，来决定所述检查中的所述光源的发光定时和所述其它检查中的所述其它光源的发光定时。

根据上述(5)，在使用两个光源中的每个光源进行检查的情况下，能够缩短在检查之前进行的决定光源的发光定时的处理所需的时间。

(6)一种检查方法，用于检查对被处理基板进行处理的基板处理装置，

所述基板处理装置具有：

旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；

摄像部，该摄像部的摄像区域包括被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面；以及

光源，其向所述摄像部的所述摄像区域照射光，

所述检查方法包括以下工序：

摄像工序，一边使被所述旋转保持部保持的被处理基板旋转，一边使所述光源在基于该被处理基板的朝向的发光定时发光，并利用所述摄像部进行摄像；以及

检查工序，基于所述摄像工序中的摄像结果来进行检查。

Claims (6)

1.一种基板处理装置，对被处理基板进行处理，所述基板处理装置具有：

旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；

摄像部，该摄像部的摄像区域包括被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面；

光源，其向所述摄像部的所述摄像区域照射光；以及

控制部，其基于被所述旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向，来控制基于所述摄像部的摄像结果进行的检查中的所述光源的发光定时。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述检查之前，所述控制部控制所述旋转保持部、所述摄像部以及所述光源，以在被所述旋转保持部保持的被处理基板的朝向互不相同的多个状态的各状态下，一边使所述光源照射光一边利用所述摄像部进行摄像，并且所述控制部基于所述多个状态的摄像结果来判定在所述光源发光时不适当的被处理基板的朝向，

所述控制部基于该判定的结果来决定所述检查中的发光定时。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

基于所述不适当的被处理基板的朝向的判定结果、被处理基板的转速以及所述摄像部的帧频，来决定所述检查中的所述发光定时。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

还具有其它光源，在基于所述摄像部的摄像结果进行其它检查时，该其它光源向所述摄像区域照射光，

所述控制部基于被所述旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向来控制所述其它检查中的所述其它光源的发光定时，并且控制所述摄像部以分别进行用于所述检查的摄像和用于所述其它检查的摄像。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述光源与所述其它光源照射波长互不相同的光，

在所述检查和所述其它检查之前，所述控制部控制所述旋转保持部、所述光源、所述其它光源以及所述摄像部，以在被所述旋转保持部保持的被处理基板的朝向互不相同的多个状态的各状态下，一边从所述光源和所述其它光源同时照射光一边利用所述摄像部进行摄像，并且所述控制部基于所述多个状态的摄像结果来判定在所述光源发光时不适当的被处理基板的朝向和在所述其它光源发光时不适当的被处理基板的朝向，

所述控制部基于该判定结果，来决定所述检查中的所述光源的发光定时和所述其它检查中的所述其它光源的发光定时。

6.一种检查方法，用于检查对被处理基板进行处理的基板处理装置，

所述基板处理装置具有：

旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；

摄像部，该摄像部的摄像区域包括被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面；以及

光源，其向所述摄像部的所述摄像区域照射光，

所述检查方法包括以下工序：

摄像工序，一边使被所述旋转保持部保持的被处理基板旋转，一边使所述光源在基于该被处理基板的朝向的发光定时发光，并利用所述摄像部进行摄像；以及

检查工序，基于所述摄像工序中的摄像结果来进行检查。