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CN110603627A - 具有吸气器的退火腔室 - Google Patents

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Abstract

描述了一种用于热处理衬底的方法和设备。所述设备包括热处理腔室，所述热处理腔室具有内部容积，所述内部容积包括顶部部分和侧壁。所述设备还包括吸气器组件，所述吸气器组件包括吸气器，所述吸气器被配置为设置在所述顶部部分中并靠近所述侧壁延伸到所述内部容积中的线材。

Description

具有吸气器的退火腔室
技术领域
本文的实施方式一般涉及半导体处理腔室。更具体地，实施方式涉及应用于半导体处理腔室的吸气器及其使用方法。
背景技术
集成电路已经被发展成可在单个芯片上包括数百万个晶体管、电容器和电阻器的复杂器件。芯片设计的发展不断持续地需要更快的电路和更大的电路密度，这需求越来越精确的制造工艺。一种常用制造工艺是离子注入。
离子注入对于在半导体衬底上形成晶体管结构是特别重要的，并且可以在芯片制造期间重复进行多次。在离子注入期间，典型地包括硅材料和/或含硅衬底的半导体衬底被带电离子束(通常称为掺杂剂)轰击。离子注入改变被注入掺杂剂的材料的性能，以便实现特定水平的电性能。可以通过控制投射在衬底上的能量束中的离子数量和衬底通过束的次数来确定掺杂剂浓度。掺杂剂被加速至一定能级，所述能级将使得掺杂剂能够以期望的深度穿透硅材料或注入到衬底中。束的能级典型地确定掺杂剂的放置深度。
在离子注入期间，注入的衬底可能产生高水平的内部应力。为了减轻应力并进一步控制注入的衬底的所得性质，衬底典型地经受热处理，诸如退火。离子注入后退火典型地在快速热处理(RTP)腔室中执行。
快速热处理(RTP)是用于制造半导体集成电路的先进技术。RTP是其中在RTP腔室中用高强度电磁辐射照射衬底以将衬底快速地加热到相对高的温度以热激活衬底中的工艺的工艺。一旦已经对衬底进行了热处理，就去除辐射能并冷却衬底。RTP是节能工艺，因为执行RTP的腔室未加热到处理衬底所需的高温。在RTP工艺中，仅加热衬底和一些衬底支撑件。因此，处理过的衬底与周围环境(即，腔室)不热平衡。
某些要退火的衬底需要无氧化剂的气氛以得到最佳结果，例如，不存在次级相、界面粗糙度。用于在半导体中的触点的金属硅化物形成可以属于这一类别。这可能需要流入大量超高纯度惰性气体或非反应性气体，以冲洗掉氧化剂，这些氧化剂可能与衬底一起被带入、泄漏到腔室中、渗透到腔室中、或在加热期间从腔室壁或部件释放(挥发)。
不幸地，流入大量高压惰性气体是浪费的，并且在衬底和腔室壁上的吸收的氧化剂更容易去除时可能无法在衬底加热的早期阶段期间进行，因为它可能在衬底上产生不期望的热梯度。
因此，本领域中需要的是一种在不采用超高纯度惰性气体的情况下从RTP腔室去除氧化剂和湿气的有效方法。
发明内容
在一个实施方式中，提供了一种用于热处理腔室中的设备。所述设备包括热处理腔室，所述热处理腔室具有内部容积，所述内部容积包括顶部部分和侧壁。所述设备包括吸气器组件，所述吸气器组件包括吸气器，所述吸气器被配置为设置在所述顶部部分中并靠近所述侧壁延伸到所述内部容积中的线材(wire)。
附图说明
为了能够得到并详细地理解本文的实施方式的上述特征的方式，可以参考本发明的实施方式得到以上简要地概述的本发明的更特定的描述，其中一些实施方式在附图中示出。
图1示出了根据本文描述的某些实施方式的快速热处理腔室的横截面视图。
图2示出了在处理腔室内的吸气器组件的侧视图。
图3是沿着图2的轴线3-3截取的在处理腔室内的吸气器组件的顶视图。
图4是包括独立吸气器的一个吸气器实施方式的透视图。
图5示出了从吸气器线圈悬垂到处理腔室的侧壁的钩状支撑件。
图6A和图6B示出了细长横截面的弓形绝缘支撑件，吸气器线圈缠绕在所述弓形绝缘支撑件的周围。
图7A和图7B示出了圆形横截面的另一个弓形绝缘支撑件，吸气器线圈缠绕在所述弓形绝缘支撑件的周围。
图8A和图8B示出了扁平矩形支撑件，吸气器线圈沿着水平轴线缠绕在扁平矩形支撑件的周围。
图9示出了遮蔽的吸气器线圈实施方式的透视图。
为了便于实施方式的理解，已经尽可能地使用相同的附图标记标示各图共有的相同元件。设想的是，一个实施方式的要素和/或特征可以有利地并入其他实施方式，而不进一步叙述。
然而，应当注意，附图仅示出了本发明的典型的实施方式，并且因此不应视为对本发明的范围的限制，因为本发明可以允许其他等效实施方式。
具体实施方式
本发明的实施方式提供了一种用于在腔室内处理衬底的热处理腔室，所述衬底包括吸气器材料。
图1是根据本文描述的某些实施方式的快速热处理(RTP)腔室100的横截面视图。RTP腔室100包括非接触或磁悬浮衬底支撑件104、腔室主体102，腔室主体102具有侧壁108、底部部分110和顶部部分112，它们限定内部容积120。侧壁108典型地包括至少一个衬底接取端口148，以便于衬底140(所述衬底的一部分在图1中示出)的进出。接取端口可以耦接到传送腔室(未示出)或装载锁定腔室(未示出)，并且可以用阀(诸如狭缝阀(未示出))选择性地密封。在一个实施方式中，衬底支撑件104是环形的，并且腔室100包括设置在衬底支撑件104的内径中的辐射热源106。可使用的RTP腔室的示例包括可从加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司(Applied Materials,Inc.,of Santa Clara,California)获得的和热处理腔室。其他制造商的热处理腔室也可以从本文描述的实施方式受益。
吸气器组件200设置在RTP腔室100的内部容积120的顶部部分112中。结合图2至图5更详细地描述吸气器组件200。
RTP腔室100还包括由对热和各种波长的光(可以包括红外(IR)光谱的光)透明的材料制成的窗114，来自辐射热源106的光子可以通过所述窗加热衬底140。在一个实施方式中，窗114由石英材料制成，但是也可以使用对光透明的其他材料，诸如蓝宝石。窗114还可以包括耦接到窗114的上表面的多个升降杆144，多个升降杆144适于选择性地接触和支撑衬底140，以便于衬底传送进出腔室100。多个升降杆144中的每个被配置为最小化对来自辐射热源106的能量的吸收，并且可以由用于窗114的相同材料制成，诸如石英材料。多个升降杆144可以被定位并彼此径向地间隔开，以便于耦接到传送机器人(未示出)的终端受动器的通过。任选地，终端受动器和/或机器人可能能够水平地和竖直地移动以便于衬底140的传送。
在一个实施方式中，辐射热源106包括由壳体形成的灯组件，所述壳体包括在耦接到冷却剂源183的冷却剂组件中的多个蜂窝管160。冷却剂源183可以是水、乙二醇、氮(N2)和氦(He)中的一种或组合。壳体可以由铜材料或其他合适的材料制成，在其中形成有合适的冷却剂通道，以使冷却剂从冷却剂源183流出。每个管160可以含有反射器和高强度灯组件或IR发射器，从所述反射器和高强度灯组件或IR发射器形成蜂窝管布置。管的这种密集排布的六角形布置提供具有高功率密度和良好空间分辨率的辐射能源。在一个实施方式中，辐射热源106提供足够的辐射能来热处理衬底，例如，对设置在衬底140上的硅层进行退火。辐射热源106还可以包括环形区，其中由控制器124供应到多个管160的电压可以改变以增强来自管160的能量的径向分布。衬底140的加热的动态控制可以通过一个或多个温度传感器117(以下将更详细地描述)来实现，所述一个或多个温度传感器适于测量在衬底140上的温度。
定子组件118包围腔室主体102的侧壁108并耦接到一个或多个致动器组件122，所述致动器组件控制定子组件118沿着腔室主体102的外部的高度。在一个实施方式(未示出)中，RTP腔室100包括三个致动器组件122，三个致动器组件围绕腔室主体径向地布置，例如围绕腔室主体102成约120°角。定子组件118磁性地耦接到设置在腔室主体102的内部容积120内的衬底支撑件104。衬底支撑件104可以包括或包含用作转子的磁性部分，从而产生磁性轴承组件以升降和/或旋转衬底支撑件104。在一个实施方式中，衬底支撑件104的至少一部分被连接到流体源186的槽包围，所述流体源可以包括水、乙二醇、氮(N2)、氦(He)或以上项的组合，适于作为衬底支撑件的热交换介质。定子组件118还可以包括壳体190，以封闭定子组件118的各种零件和部件。在一个实施方式中，定子组件118包括堆叠在悬架线圈组件170上的驱动线圈组件168。驱动线圈组件168适于旋转和/或升高/降低衬底支撑件104，而悬架线圈组件170可以适于将衬底支撑件104无源地置于RTP腔室100内的衬底支撑件104的中心。另选地，旋转和居中功能可以由具有单个线圈组件的定子来执行。
气氛控制系统164也耦接到腔室主体102的内部容积120。气氛控制系统164一般包括用于控制腔室压力的节流阀和真空泵。气氛控制系统164可以另外地包括用于向内部容积120提供工艺或其他气体的气体源。气氛控制系统164也可以适于输送用于热沉积工艺的工艺气体。
RTP腔室100还包括控制器124，所述控制器一般包括中央处理单元(CPU)130、支持电路128和存储器126。CPU 130可以是可在工业环境中用于控制各种动作和子处理器的任何形式的计算机处理器中的一种。存储器126或计算机可读介质可以是易获得的存储器中的一种或多种，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的数字存储装置(无论本地还是远程)，并且典型地耦接到CPU 130。支持电路128耦接到CPU130来以常规的方式支持控制器124。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路、子系统和类似物。
在一个实施方式中，每个致动器组件122一般包括精密丝杠132，所述精密丝杠耦接在从腔室主体102的侧壁108延伸的两个凸缘134之间。丝杠132具有螺母158，所述螺母随丝杠的旋转而沿着丝杠132轴向地行进。耦接件136耦接在定子118与螺母158之间，使得随着丝杠132旋转，耦接件136沿着丝杠132移动，以在与耦接件136的界面处控制定子118的高度。因此，在致动器122中的一个的丝杠132旋转以在其他致动器122的螺母158之间产生相对位移时，定子118的水平面相对于腔室主体102的中心轴线改变。
RTP腔室100还包括一个或多个传感器116，所述一个或多个传感器一般适于检测在腔室主体102的内部容积120内的衬底支撑件104(或衬底140)的高度。传感器116可以耦接到腔室主体102和/或RTP腔室100的其他部分并适于提供指示衬底支撑件104与腔室主体102的顶部部分112和/或底部部分110之间的距离的输出，并且还可以检测衬底支撑件104和/或衬底140的不对准。
一个或多个传感器116耦接到控制器124，所述控制器从传感器116接收输出度量并向一个或多个致动器组件122提供一个或多个信号以升高或降低衬底支撑件104的至少一部分。控制器124可以利用从传感器116获得的位置度量来调整在每个致动器组件122处定子118的高度，使得可以相对于RTP腔室100和/或辐射热源106的中心轴线调整衬底支撑件104和置于所述衬底支撑件上的衬底140的高度和平度。例如，控制器124可以通过一个致动器122的动作来提供信号以升高衬底支撑件，从而校正衬底支撑件104的轴向不对准，或控制器可以向所有致动器122提供信号以便于衬底支撑件104的同时竖直移动。
一个或多个传感器116可以是超声、激光、电感、电容或其他类型的传感器，能够检测在腔室主体102内的衬底支撑件104的接近度。传感器116可以耦接到腔室主体102靠近顶部部分112或耦接到侧壁108，但是在腔室主体102内和周围的其他位置可能是合适的，诸如耦接到在RTP腔室100外部的定子118。在一个实施方式中，一个或多个传感器116可以耦接到定子118并适于通过侧壁108感测衬底支撑件104(或衬底140)的高度和/或位置。在这个实施方式中，侧壁108可以包括较薄的横截面，以便于进行穿过侧壁108的位置感测。
热处理腔室100还包括冷却块180，所述冷却块邻近顶部112、耦接到所述顶部或形成在顶部中。一般，冷却块180被间隔开并与辐射热源106相对。冷却块180包括耦接到入口181A和出口181B的一个或多个冷却剂通道184。冷却块180可以由耐处理材料制成，诸如不锈钢、铝、聚合物或陶瓷材料。冷却剂通道184可以包括螺旋图案、矩形图案、圆形图案或以上项的组合，并且通道184可以例如通过从两个或更多个工件铸造冷却块180和/或制造冷却块180并将这些工件连结在一起来一体地形成在冷却块180内。附加地或另选地，冷却剂通道184可以被钻入冷却块180中。
如本文所描述，热处理腔室100适于以“面朝上”的取向接收衬底，其中衬底的沉积物接收侧或面朝向冷却块180取向，并且衬底的“背面”面对辐射热源106。“面朝上”取向可以允许来自辐射热源106的能量被衬底140更快地吸收，因为衬底的背面典型地比衬底的面反射得少。
图2示出了根据另一个实施方式的热处理腔室250的横截面视图。热处理腔室250在热处理腔室250内包括吸气器组件200，如图1所示。图3是沿着图2的轴线3-3截取的热处理腔室250的横截面视图。图3示出了在热处理腔室250内部的吸气器组件200。图4是包括独立吸气器的一个吸气器实施方式的透视图。图9示出了遮蔽的吸气器线圈实施方式的透视图。在图2中所示的实施方式中，热处理腔室250包括吸气器组件200，所述吸气器组件包括吸气器202，所述吸气器被配置为由吸气器材料204制成的呈螺旋线圈的形状的线材，设置在热处理腔室250的内部容积120的顶部部分112中并靠近侧壁108延伸到内部容积120中。吸气器202由吸气器材料204组成，所述吸气器材料去除氧化剂以将氧化物质隔离成非挥发性或反应性较低的形式。吸气器202可以用来与氧、水、H2和其他氧化性物质反应。关于氧和水，示例性吸气器材料包括固体材料，诸如碳、铝、钨、锆、铪、钛、硅、或锆合金等。吸气器202可以形成为线材、线圈、箔、片或带。
现在转到图3和图4，吸气器组件200还可以包括耦接到吸气器202的对应端部208的一对电极206。电极206可以被馈送通过侧壁108中的开口212。在一个实施方式中，电极206是独立的，并且馈送穿过开口212。在另一个实施方式中(如图3和图4所示)，可以使用电热绝缘体将电极206绝缘地紧固到侧壁108。在又一个实施方式中，可以用绝缘螺杆(未示出)将电极206紧固到开口212中的侧壁108。电极206中的每个被配置为接收电流I，以从在热处理腔室250外部的恒定电压源216电阻地加热吸气器202。将产生电流I(由安培计220测量)的恒定电流V施加到所述材料，以电阻地加热吸气器202的吸气器材料204，直到吸气器材料204达到某个温度，使得吸气器材料204从吸热器闪蒸到热处理腔室250的内部120中，或直到材料达到一定温度以使得吸气器表面与氧化剂快速地反应。当吸气器202具有高于阈值的电阻时，可以更换吸气器202。
吸气器组件200还可以包括一对防短路遮蔽件214，所述对防短路遮蔽件形成在热处理腔室250的侧壁108上、靠近侧壁108中的开口212。防短路遮蔽件214的目的如下。当吸气器202和/或热处理腔室250被电阻地加热时，一些吸气器材料204可能从吸气器202闪蒸到热处理腔室250中。防短路遮蔽件214形成物理屏障，所述物理屏障由防短路遮蔽件214与壁108之间的高度间隙并在一定程度上由防短路遮蔽件214的厚度提供。
吸气器组件200还可以包括附加的支撑件，所述附加的支撑件可以是从侧壁108悬伸出的一个或多个绝缘钩状支撑件226。每个绝缘钩状支撑件226可以由绝缘材料制成，焊接或栓接到侧壁108。在另一个示例中，绝缘钩状支撑件226可以由用绝缘钩(例如，在内部有吸气器线材的陶瓷管)焊接到侧壁108的金属制成，或由附接到吸气器202但附接到绝缘支座(或例如绝缘螺栓)的侧壁108的金属制成。一个或多个绝缘钩状支撑件226中的每个可以抓住吸气器202的一部分并将吸气器202保持在靠近侧壁108的适当位置。
图5至图8B示出了绝缘支撑件228、230、232的其他实施方式。在图5至图8B所示，绝缘支撑件228、230、232可以从一个电极206a延伸到另一个电极206b，吸气器202可以通过所述电极被紧固或悬置。图6A和图6B示出了细长横截面的弓形绝缘支撑件228，吸气器202靠近电极206中的一个缠绕在弓形绝缘支撑件228的周围。吸气器202可以可移除地紧固到电极206a，使得吸气器202在许多操作之后可更换。图7A和图7B示出了圆形横截面的另一个弓形绝缘支撑件230，并且所述弓形绝缘支撑件具有可钩在电极206a周围的钩部分234。图8A和图8B示出了扁平矩形支撑件232，其中吸气器202沿着吸气器202的纵向轴线而不是沿着如图5和图6的吸气器202的径向轴线可移除地紧固到扁平矩形支撑件232。在一些实施方式中，绝缘支撑件228、230、232可以由陶瓷材料制成，例如二氧化硅、氧化铝、氧化锆或陶瓷材料(诸如莫来石)的混合物。在另一个实施方式中，绝缘支撑件228、230、232可以由导电性比吸气器202的导电性低的材料制成，诸如碳化硅。在一些实施方式中，支撑件228、230、232可以包括沿着绝缘支撑件228、230、232定位的凹口或立柱，以紧固到侧壁108，从而更好地机械地定位吸气器202以及支撑件228、230、232相对于侧壁108的蜿蜒布置。
现在参考图9的实施方式，吸气器组件200还可以包括围绕吸气器202形成的区域遮蔽件224，以阻挡由吸气器202放出的吸气器材料204形成在衬底140上或热处理腔室250的侧壁108的某些部分上。可以选择吸气器材料204的表面区域以收集期望的量的氧化剂或湿气。区域遮蔽件224还可以防止氧化剂与热处理腔室250中的衬底140相互作用。每次在将吸气器202加热时，吸气器202的材料204中的一些会闪蒸到区域遮蔽件224的内表面218上，而不是闪蒸到侧壁108的内表面120的一部分或在热处理腔室250内的衬底上(未示出))。
在另一个实施方式中，吸气器202(例如，铝)可以形成为由反应性较小的吸气器导电材料(例如，钨)制成的管状螺旋线圈。如上所述，可以将由吸气器材料204制成的线材放在管状螺旋线圈内并连接到电源。当电阻地加热线材时，它熔化、涂覆管状螺旋线圈，并且然后成为活性吸气器材料。
吸气器组件200还可以包括安培计220，所述安培计耦接到吸气器202，以用于测量流过在热处理腔室250外部并耦接到控制器124的吸气器202的电流。吸气器202的电阻可以按V/1＝R的关系来监测。如果测得的电阻R超过阈值，那么可以更换吸气器202。
在一个实施方式中，仅在一个或多个预指定的时间段期间，吸气器材料204可以被流过吸气器202的电流电阻地加热。以此方式，可以通过在热处理腔室250中的氧化剂浓度为高并可以通过初始气体净化来有效地降低(例如，当新的衬底正好从周围空气环境被引入时)的时间段期间不使吸气器202活动来延长吸气器材料204的寿命。
在另一个实施方式中，吸气器202可以由多孔材料组成。多孔材料可以是例如沸石。在另一个实施方式中，吸气器202可以包括适于作为分子筛的材料。分子筛可以由沸石、碳、金属有机骨架化合物(MOF)或基于二氧化硅的沸石组成。多孔材料或分子筛可操作来将氧化剂捕集在多孔材料或分子筛的分子结构内。比起像以上所述的实施方式中那样将吸气器材料204放出到处理容积中，在所述实施方式中，从在吸气器组件200附近的空间无源地去除氧化剂和湿气，从而造成处理容积中的湿气和氧化剂浓度总体降低。当这些吸气器材料达到吸收容量时，在热处理腔室250空闲并且在气流中的污染物可以被去除时，可以使用加热器(未示出)使吸气器材料原位再生。
吸气器202还可以设有防短路遮蔽件214，所述防短路遮蔽件在热处理腔室250的内部容积120内位于腔室主体102的侧壁108上、靠近侧壁108中的开口210。吸气器组件200还可以包括电流传感器，所述电流传感器在热处理腔室250的内部容积120内耦接到吸气器组件200以测量吸气器线圈的电阻，因为吸气器材料按V/l＝R的关系进行使用(吸气器线圈材料的量越小，电阻就会越高)。金属吸气器的吸气器电阻随温度的升高和吸气器202的总质量的降低而增加。
在操作中，当吸气器202从腔室100外部或内部被外部电流源216经由电极206流过吸气器202的电流电阻地加热时，吸气器202将吸气器材料204放出到热处理腔室250的内部容积120中，或激活吸气器材料、与存在于热处理腔室250的内部容积120中的氧化剂或湿气结合并将氧或水带离气相。在一个示例中，吸气器材料204通过在热处理腔室250内形成氧化膜、或通过将氧化剂和湿气溶解到吸气器202中来将氧化剂或湿气从热处理腔室250的内部容积120带离。在一个示例中，吸气器202可以由碳形成。当碳在以活性炭的形式使用时可以用作吸收型的吸气器，作为形成更稳定的气态CO和CO2的表面反应类型。理论地，碳也可以用作放出型的吸气器，从而如果被加热到约3000℃以上就会形成C3和C1气态物质。碳在被加热到约800℃时最佳地用作吸气器，以在气相中与氧化剂反应来生成CO和CO2。例如，在与氧反应时，放出的碳吸气器材料204形成一氧化碳。在另一个示例中，当吸气器202由多孔材料(诸如沸石)形成时，吸气器202在多孔材料内吸收氧或水分子。吸气器202可以是金属丝，诸如铝丝，并且在吸气器202的表面上与氧或水形成氧化铝。
在另一个实施方式中，吸气器202可以是钨的盘绕的螺旋管，具有从中穿过的细铝丝。当铝丝通过钨的电阻加热而变热时，铝丝熔化并涂覆钨并吸收氧或水。钨丝的进一步加热使热处理腔室250内的一些或全部的铝蒸发。然后，蒸发的铝还可以在热处理腔室250内与氧或水结合。
在另一个实施方案中，插入盘绕的螺旋管中的吸气器材料可以是由分子筛形成的棒。分子筛也可以形成为其他各种形状。当热处理腔室250冷时或当在热处理腔室250内存在压力交换时，分子筛可操作以更好地充当吸气器。分子筛可以由沸石或碳、MOF或其他基于二氧化硅的沸石结构制成。任选地，盘绕的螺旋管可以用于在空闲时间段期间加热和再生吸气剂材料。
尽管前述内容针对的是本发明的实施方式，但是在不脱离本发明的基本范围的情况下，可以设想本发明的其他和进一步实施方式，并且本发明的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种衬底处理设备，包括：
热处理腔室，所述热处理腔室具有内部容积，所述内部容积包括顶部部分和侧壁；以及
吸气器组件，所述吸气器组件包括吸气器，所述吸气器被配置为设置在所述顶部部分中并从所述侧壁延伸到所述内部容积中的线材。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述吸气器由固体吸气器材料形成。
3.如权利要求1或2所述的设备，其中所述线材形成为线圈。
4.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述吸气器组件还包括设置在所述侧壁中的每个开口处的防短路遮蔽件。
5.如前述权利要求中任一项所述的设备，所述设备还包括大面积遮蔽件，所述大面积遮蔽件形成在所述吸气器的周围，以阻挡由所述吸气器放出的吸气器材料形成在所述衬底或所述腔室的所述侧壁上。
6.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述吸气器形成为由非吸气器材料制成的盘旋的螺旋管，其中所述设备还包括由馈送通过所述盘旋的螺旋管的内部的吸气器材料制成的线材。
7.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述吸气器适于将吸气器材料放出到所述腔室的所述内部容积中，所述吸气器材料适于吸收在所述衬底的处理期间存在于所述内部容积中的一种或多种氧化剂。
8.如权利要求7所述的设备，其中所述吸气器材料在预指定的时间段期间具有活性以吸收氧化剂。
9.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述吸气器包括多孔材料。
10.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述吸气器包括适于作为分子筛的材料。
11.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述吸气器组件还包括一个或多个绝缘支撑件，以用于将所述吸气器保持在靠近所述侧壁的适当位置。
12.如权利要求11所述的设备，其中所述一个或多个绝缘支撑件是一个或多个悬臂形钩。
13.如权利要求11所述的设备，其中所述一个或多个绝缘支撑件是陶瓷材料的一个或多个弓形柱体，其中所述吸气器沿着所述吸气器的径向轴线可移除地紧固到所述绝缘支撑件。
14.如权利要求11所述的设备，其中所述一个或多个绝缘支撑件是陶瓷材料的一个或多个弓形柱体，其中所述吸气器沿着所述吸气器的纵向轴线可移除地紧固到所述绝缘支撑件。
15.一种吸气器组件，所述吸气器组件包括吸气器，所述吸气器被配置为线材，所述吸气器组件还包括第一电极和第二电极，所述吸气器可拆卸地紧固到所述第一电极和所述第二电极中的每个。
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