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CN110408887B - 晶圆级硅基铝表面的ito透明导电层的制备方法 - Google Patents

晶圆级硅基铝表面的ito透明导电层的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，所述制备方法包括：1）提供一硅晶圆，于所述硅晶圆表面沉积铝薄膜；以及2）采用直流磁控溅射法于所述铝薄膜表面沉积ITO透明导电层，其中，所述直流磁控溅射法采用的温度范围介于200℃~300℃之间，以使得自所述ITO透明导电层的透光率大于0.85，所述直流磁控溅射法采用的电源功率范围介于3000W~3500W之间，以提高所述ITO透明导电层与所述铝薄膜的粘附强度。本发明可以将晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的透光率减少比例控制在25%之内，薄膜剥落现象完全消失。

Description

晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法
技术领域
本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法。
背景技术
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)薄膜是一种高简并态的氧化物半导体材料，以其独特的透明性与导电性结合于一体而广泛应用于平板显示和太阳电池等领域。TCO薄膜材料一般具有载流子浓度高，费米能级以上，电阻率小(可低至10-4Ωcm)，禁带宽度宽(>3eV)等特点，使薄膜在具有良好的导电性的同时在可见光范围具有高的透射率(>80％)。由于ITO薄膜具有优良的电学和光学性能，获得了广泛的应用，几乎成为TCO薄膜的代名词。ITO薄膜除了具有上述TCO薄膜的共性之外，还具有紫外线吸收率大，红外线反射率高，微波衰减性好等特点。另外，膜层具有很好的酸刻、光刻性能，便于细微加工，可以被刻蚀成不同的电极图案等良好的加工性能。
ITO(导电玻璃)是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，广泛应用于LED，LCD等面板制造工艺中。但随着技术发展，越来越多的ITO用于半导体晶圆级硅基发光器件制造领域。由于ITO薄膜传统工艺是沉积或者喷涂于玻璃片或者宝石片上，对于晶圆级硅基表面与玻璃片及宝石片差异很大，容易出现表面粘附性或沉积工艺改变造成透光率降低及薄膜剥落的缺陷。现今比较常用的结构为PVD工艺沉积铝薄膜于硅晶圆上，作为发光器件的下电极，而在铝铜薄膜上再使用PVD工艺沉积ITO薄膜，如图1所示，ITO薄膜仍起到传统发光器件中的作用。
基于标准8寸PVD沉积台，如应用材料的PVD ENDURA5500机型，ITO沉积时其工艺菜单中可以定义温度，直流电功率，压力，气体流量等。由于ITO薄膜对透光率要求非常严格，因此会有由于不良条件造成薄膜透光率下降严重，且在工艺流程中，发现ITO沉积后薄膜会在接下来的光刻工艺(图形转化步骤)及刻蚀工艺(图形定义步骤)后出现薄膜剥落现象，如图2所示，最终导致晶圆良率偏低，甚至晶圆废片。
基于以上所述，提供一种可以有效提高ITO透明导电层的透光率以及与晶圆结合强度的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法实属必要，用于解决现有技术中ITO透明导电层的透光率较低以及与晶圆结合强度较低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，所述制备方法包括：1)提供一硅晶圆，于所述硅晶圆表面沉积铝薄膜；以及2)采用直流磁控溅射法于所述铝薄膜表面沉积ITO透明导电层，其中，所述直流磁控溅射法采用的温度范围介于200℃～300℃之间，以使得自所述ITO透明导电层的透光率大于0.85，所述直流磁控溅射法采用的电源功率范围介于3000W～3500W之间，以提高所述ITO透明导电层与所述铝薄膜的粘附强度。
优选地，所述铝薄膜的反射率不低于0.9，自所述ITO透明导电层入射的光线，经过所述ITO透明导电层及所述铝薄膜的反射后，光线的出射率不低于0.7。
优选地，所述铝薄膜的厚度范围介于100nm～200nm之间。
优选地，所述ITO透明导电层的厚度范围介于10nm～120nm之间。
优选地，步骤2)中，所述直流磁控溅射法采用In-Sn-O靶作为靶材，以Ar气体作为溅射气体，其中，电离后的Ar离子将所述In-Sn-O靶中的In原子及Sn原子溅射至ITO反应腔中，所述In原子及Sn原子与处于激发状态的O离子在200℃～300℃下发生反应，生成所述ITO透明导电层。
进一步地，所述In-Sn-O靶中，In原子的质量比为85％～90％，Sn原子的质量比为10％～15％，以提高所述ITO透明导电层的电导率。
进一步地，进行所述直流磁控溅射法前，所述ITO反应腔的真空度介于为3.0×10- 6torr～5.0×10-6torr之间，以提高所述ITO透明导电层的纯度。
优选地，步骤1)中，于所述硅晶圆表面沉积所述铝薄膜的方法包括真空蒸发法、离子束辅助沉积法及直流磁控溅射法中的一种。
进一步地，采用直流磁控溅射法于所述硅晶圆表面沉积所述铝薄膜，其中，采用铝靶作为靶材，采用Ar作为溅射气体。
进一步地，所述直流磁控溅射法中，Ar气体的流量范围介于150sccm～200sccm，直流电源的功率范围介于2000W～3000W，溅射的温度范围介于100℃～150℃。
如上所述，本发明的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，具有以下有益效果：
本发明通过收集可以反应不同条件下沉积后的ITO透明导电层的测试数据，定义出最佳温度条件为低于300℃的沉积温度，及最佳沉积直流电源功率为3000～3500w，在此最佳工艺条件下，可以将晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的透光率减少比例控制在25％之内，薄膜剥落现象完全消失。
附图说明
图1显示为现有技术中的硅基铝铜表面的ITO透明导电层的扫面电镜图。
图2显示为现有技术中的硅基铝铜表面的ITO透明导电层在光刻及刻蚀工艺后，产生剥落的扫面电镜图。
图3～图5显示为本发明的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法各步骤所呈现的结构示意图。
图6显示为本发明的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法的步骤流程示意图。
元件标号说明
101 硅晶圆
102 铝薄膜
103 ITO透明导电层
S11～S12 步骤1)～步骤2)
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图3～图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种ITO透明导电层103的制备工艺条件的确定方法，包括如下步骤：
首先，硅晶圆101先通过铝沉积腔体中，采用PVD工艺沉积130nm铝薄膜102后取出。
然后，将沉积有铝薄膜102的硅晶圆101，测试其直接反射率(出射与入射光强比)，例如，一个具体的反射率测试数据为0.922。
接着，将硅晶圆101放入ITO沉积腔体进行沉积；在ITO透明导电层103的沉积过程中，选取若干个温度及直流功率调节，且每次沉积的工艺条件只改变一个，即保持一个温度不变，调节不同的直流功率变化，以获得不同的多个晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层103；以及保持一个直流功率不变，调节不同的温度变化，以获得不同的多个晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层103。
例如，可以将温度测试条件分别设定为室温，200℃，250℃，300℃，400℃；将直流电源功率分别设定为500W，1000W，3000W。该工艺条件组合包括：1)在室温下，分别在直流电源功率500W，1000W，3000W下进行ITO透明导电层103的沉积，获得3种不同条件下的ITO透明导电层103；2)在200℃下，分别在直流电源功率500W，1000W，3000W下进行ITO透明导电层103的沉积，获得3种不同条件下的ITO透明导电层103；3)在250℃下，分别在直流电源功率500W，1000W，3000W下进行ITO透明导电层103的沉积，获得3种不同条件下的ITO透明导电层103；4)在300℃下，分别在直流电源功率500W，1000W，3000W下进行ITO透明导电层103的沉积，获得3种不同条件下的ITO透明导电层103；3)在400℃下，分别在直流电源功率500W，1000W，3000W下进行ITO透明导电层103的沉积，获得3种不同条件下的ITO透明导电层103。
然后，将上述获得的不同条件的多个晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层103取出后再次测试反射率，测试得出直流电功率对其透光率影响微小，直流功率为500w时，反射率为0.921，1000w时为0.918，3000w时为0.920；而温度条件对其影响很大，当温度小于300℃时，反射率可以达到0.77，即透光率减少17％。当温度大于300℃时，反射率急剧下降至0.44，透光率减少52％，甚至薄膜颜色宏观可见差异，由白色变为淡黄色。
将将上述获得的不同条件的多个晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层103放至后端光刻及刻蚀制程后观察，直流功率为500w及1000w时，皆发现薄膜存在剥落现象，且500w时剥落现象更严重，3000w时则完全没有发现薄膜存在剥落现象。
基于以上所述，如图3～图6所示，本实施例提供一种晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层103的制备方法，所述制备方法包括：
如图3～图4及图6所示，首先进行步骤1)S11，提供一硅晶圆101，于所述硅晶圆101表面沉积铝薄膜102。
例如，于所述硅晶圆101表面沉积所述铝薄膜102的方法包括真空蒸发法、离子束辅助沉积法及直流磁控溅射法中的一种。
在本实施例中，采用直流磁控溅射法于所述硅晶圆101表面沉积所述铝薄膜102，其中，采用铝靶作为靶材，采用Ar作为溅射气体。所述直流磁控溅射法中，Ar气体的流量范围介于150sccm～200sccm，直流电源的功率范围介于2000W～3000W，溅射的温度范围介于100℃～150℃。
作为示例，所述铝薄膜102的厚度范围介于100nm～200nm之间，具体地，在本实施例中，所述铝薄膜102的厚度可以为130nm。所述铝薄膜102的反射率不低于0.9，例如，所述铝薄膜102的发射率可以介于为0.90～0.93之间。
如图5及图6所示，最后进行步骤2)S12，采用直流磁控溅射法于所述铝薄膜102表面沉积ITO透明导电层103，其中，所述直流磁控溅射法采用的温度范围介于200℃～300℃之间，以使得自所述ITO透明导电层103的透光率大于0.85，所述直流磁控溅射法采用的电源功率范围介于3000W～3500W之间，以提高所述ITO透明导电层103与所述铝薄膜102的粘附强度，其中，进行所述直流磁控溅射法前，所述ITO反应腔的真空度介于为3.0×10-6torr～5.0×10-6torr之间，以提高所述ITO透明导电层103的纯度。
所述直流磁控溅射法采用In-Sn-O靶作为靶材，以Ar气体作为溅射气体，其中，电离后的Ar离子将所述In-Sn-O靶中的In原子及Sn原子溅射至ITO反应腔中，所述In原子及Sn原子与处于激发状态的O离子在200℃～300℃下发生反应，生成所述ITO透明导电层103。采用In-Sn-O靶作为靶材，可有效提高ITO透明导电层中成分的可控性。所述In-Sn-O靶中，In原子的质量比为85％～90％，Sn原子的质量比为10％～15％，以提高所述ITO透明导电层103的电导率。
在其他的实施例中，所述直流磁控溅射法也可以采用In-Sn合金靶作为靶材，以Ar气体作为溅射气体，以O2气体作为反应气体，其中，电离后的Ar离子将所述In-Sn合金靶中的In原子及Sn原子溅射至ITO反应腔中，所述In原子及Sn原子与处于激发状态的O离子在200℃～300℃下发生反应，生成所述ITO透明导电层103。
作为示例，所述ITO透明导电层103的厚度范围介于10nm～120nm之间。优选地，所述ITO透明导电层103的厚度范围介于80nm～120nm之间，在本实施例中，所述ITO透明导电层103的厚度可以为100nm。
在本实施例中，自所述ITO透明导电层103入射的光线，经过所述ITO透明导电层103及所述铝薄膜102的反射后，光线的出射率不低于0.7。
如上所述，本发明的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层103的制备方法，具有以下有益效果：
本发明通过收集可以反应不同条件下沉积后的ITO薄膜的测试数据，定义出最佳温度条件为低于300度的沉积温度，及最佳沉积直流电功率为3000～3500w，在此最佳工艺条件下，可以将晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层103的透光率减少比例控制在25％之内，薄膜剥落现象完全消失。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
1)提供一硅晶圆，于所述硅晶圆表面沉积铝薄膜；以及
2)采用直流磁控溅射法于所述铝薄膜表面沉积ITO透明导电层，其中，所述直流磁控溅射法采用的温度范围介于200℃～300℃之间，以使得自所述ITO透明导电层的透光率大于0.85，所述直流磁控溅射法采用的电源功率范围介于3000W～3500W之间，以提高所述ITO透明导电层与所述铝薄膜的粘附强度，所述直流磁控溅射法采用In-Sn-O靶作为靶材，以Ar气体作为溅射气体，其中，电离后的Ar离子将所述In-Sn-O靶中的In原子及Sn原子溅射至ITO反应腔中，所述In原子及Sn原子与处于激发状态的O离子在200℃～300℃下发生反应，生成所述ITO透明导电层，所述In-Sn-O靶中，In原子的质量比为85％～90％，Sn原子的质量比为10％～15％，以提高所述ITO透明导电层的电导率。
2.根据权利要求1所述的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于：所述铝薄膜的反射率不低于0.9，自所述ITO透明导电层入射的光线，经过所述ITO透明导电层及所述铝薄膜的反射后，光线的出射率不低于0.7。
3.根据权利要求1所述的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于：所述铝薄膜的厚度范围介于100nm～200nm之间。
4.根据权利要求1所述的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于：所述ITO透明导电层的厚度范围介于10nm～120nm之间。
5.根据权利要求1所述的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于：进行所述直流磁控溅射法前，所述ITO反应腔的真空度介于为3.0×10-6torr～5.0×10-6torr之间，以提高所述ITO透明导电层的纯度。
6.根据权利要求1所述的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于：步骤1)中，于所述硅晶圆表面沉积所述铝薄膜的方法包括真空蒸发法、离子束辅助沉积法及直流磁控溅射法中的一种。
7.根据权利要求6所述的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于：采用直流磁控溅射法于所述硅晶圆表面沉积所述铝薄膜，其中，采用铝靶作为靶材，采用Ar作为溅射气体。
8.根据权利要求7所述的晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于：所述直流磁控溅射法中，Ar气体的流量范围介于150sccm～200sccm，直流电源的功率范围介于2000W～3000W，溅射的温度范围介于100℃～150℃。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118064833B (zh) * 2024-04-16 2024-08-06 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 一种异方性导电膜镀膜结构及其制备方法
CN120400760A (zh) * 2025-07-02 2025-08-01 江苏邑文微电子科技有限公司 一种物理气相沉积制备晶圆表面铝薄膜的方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1257135A (zh) * 1999-12-23 2000-06-21 复旦大学 金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
JP2003160362A (ja) * 2001-11-22 2003-06-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜基板及び該基板を有する液晶デバイス
CN1622729A (zh) * 2003-11-29 2005-06-01 三星Sdi株式会社 有机发光器件及其制造方法
CN101599523A (zh) * 2009-06-01 2009-12-09 广东昭信光电科技有限公司 采用导电聚合物转移的垂直结构led芯片及其制造方法
KR20100110447A (ko) * 2009-04-03 2010-10-13 연세대학교 산학협력단 레이저 직접 박막 패터닝 방법
CN102312208A (zh) * 2011-09-30 2012-01-11 芜湖长信科技股份有限公司 一种在树脂基片使用磁控溅射制备ito膜的方法
CN102612859A (zh) * 2009-11-16 2012-07-25 株式会社神户制钢所 有机el显示器用的反射阳极电极
CN103924191A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 上海北玻玻璃技术工业有限公司 在基片上镀制ito薄膜的方法
CN104078597A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 上海和辉光电有限公司 提高oled结构中铝反射率的方法
CN104937676A (zh) * 2013-01-16 2015-09-23 日东电工株式会社 透明导电薄膜及其制造方法
CN105895262A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 武汉光谷创元电子有限公司 透明导电薄膜及其制造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1257135A (zh) * 1999-12-23 2000-06-21 复旦大学 金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
JP2003160362A (ja) * 2001-11-22 2003-06-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜基板及び該基板を有する液晶デバイス
CN1622729A (zh) * 2003-11-29 2005-06-01 三星Sdi株式会社 有机发光器件及其制造方法
KR20100110447A (ko) * 2009-04-03 2010-10-13 연세대학교 산학협력단 레이저 직접 박막 패터닝 방법
CN101599523A (zh) * 2009-06-01 2009-12-09 广东昭信光电科技有限公司 采用导电聚合物转移的垂直结构led芯片及其制造方法
CN102612859A (zh) * 2009-11-16 2012-07-25 株式会社神户制钢所 有机el显示器用的反射阳极电极
CN102312208A (zh) * 2011-09-30 2012-01-11 芜湖长信科技股份有限公司 一种在树脂基片使用磁控溅射制备ito膜的方法
CN103924191A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 上海北玻玻璃技术工业有限公司 在基片上镀制ito薄膜的方法
CN104937676A (zh) * 2013-01-16 2015-09-23 日东电工株式会社 透明导电薄膜及其制造方法
CN104078597A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 上海和辉光电有限公司 提高oled结构中铝反射率的方法
CN105895262A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 武汉光谷创元电子有限公司 透明导电薄膜及其制造方法

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Pledgor: Shanghai Industrial UTechnology Research Institute

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