[go: up one dir, main page]

CN110212079A - Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 - Google Patents

Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN110212079A
CN110212079A CN201910410441.1A CN201910410441A CN110212079A CN 110212079 A CN110212079 A CN 110212079A CN 201910410441 A CN201910410441 A CN 201910410441A CN 110212079 A CN110212079 A CN 110212079A
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro
led chip
metal electrode
transfer
groove structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910410441.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110212079B (zh
Inventor
樊勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910410441.1A priority Critical patent/CN110212079B/zh
Publication of CN110212079A publication Critical patent/CN110212079A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110212079B publication Critical patent/CN110212079B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H10P72/74—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H10W90/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H10P72/7434—
    • H10P72/7436—

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种Micro‑LED芯片的转移方法及Micro‑LED显示面板，包括：提供一目标基板，所述目标基板的表面设置有多个凹槽结构，在每一所述凹槽结构内形成第一金属电极；提供一种转移头，所述转移头上设置有多个吸头，每一所述吸头的位置与每一所述凹槽结构的位置相对应，将所述转移头通过所述吸头吸取导电胶体；将所述转移头上的每一所述吸头对准与其相对应的所述凹槽结构，释放所述转移头中的所述导电胶体；将多个含有第二金属电极的MicroLED芯片通过转移基板转移至所述目标基板对应的所述凹槽结构上；通过加热方式固化所述导电胶体。

Description

Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板。
背景技术
Micro-LED(微型无机发光二极管)芯片是将传统的LED(发光二极管)结构进行微小化和矩阵化，并采用CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。Micro-LED芯片具有自发光、结构简单、体积小和节能的有点，已经被许多厂家视为下一代显示技术而开始积极布局。Micro-LED芯片通常为尺寸小于50um而厚度小于10um的薄片，故需要采用转移的方式把Micro-LED芯片转移到目标基板上。目前，为了实现Micro-LED芯片与目标基板的电性连接，通常会在Micro-LED芯片及目标基板上分别制作贵金属电极层，再在Micro-LED芯片上形成焊接层材料。然而，由于该制程需要在目标基板上制作贵金属层，且需要在Micro-LED芯片上再单独制作焊接层，制程复杂，且由于会采用蚀刻工艺，会浪费掉大量的贵金属材料和焊材，导致成本高昂。
综上所述，现有的Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板，需要在目标基板上制作贵金属层且同时需要在Micro-LED芯片上单独制作焊接层，由于采用蚀刻工艺，导致大量的贵金属材料和焊材浪费，进一步导致成本高昂。
发明内容
本发明提供一种Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板，能够实现了省去Micro-LED芯片上金属焊层工艺制程及与目标基板贵金属电极工艺制程的目的，以解决现有的Micro-LED芯片转移的方法及Micro-LED显示面板，需要在目标基板上制作贵金属层且同时需要在Micro-LED芯片上单独制作焊接层，由于采用蚀刻工艺，导致大量的贵金属材料和焊材浪费，进一步导致成本高昂的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种Micro-LED芯片的转移方法，所述方法包括：
S10，提供一目标基板，所述目标基板的表面设置有多个凹槽结构，在每一所述凹槽结构内沉积一层金属膜层，形成第一金属电极；
S20，提供一种转移头，所述转移头上设置有多个吸头，每一所述吸头的位置与每一所述凹槽结构的位置相对应，将所述转移头通过所述吸头吸取导电胶体；
S30，将所述转移头上的每一所述吸头对准与其相对应的所述凹槽结构，释放所述转移头中的所述导电胶体，使所述导电胶体放置于所述凹槽结构内；
S40，将多个含有第二金属电极的MicroLED芯片通过转移基板转移至所述目标基板对应的所述凹槽结构上，使所述第二金属电极与所述导电胶体相接触；
S50，通过加热方式固化所述导电胶体，实现所述Micro-LED芯片与所述目标基板可靠电性连接。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S10中，多个所述凹槽结构呈阵列状分布，每一所述凹槽结构的底面形状为方形。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S10中，所述目标基板为印刷电路板、TFT基板以及CMOS基板中的任意一种。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S10与所述步骤S40中，所述第一金属电极以及所述第二金属电极为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S20中，多个所述吸头为镂空结构，多个所述吸头的底面为圆形。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S20中，所述导电胶体为银溶胶、金溶胶、纳米银溶液/溶胶、纳米银线溶液/溶胶、石墨烯溶液/溶胶、异方性导电胶中的任意一种。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S50中，所述加热方式包括对所述目标基板进行直接加热或者通过红外线加热所述目标基板。
本发明还提供一种Micro-LED显示面板，包括目标基板、第一金属电极、导电材料层、第二金属电极以及Micro-LED芯片，所述目标基板表面具有多个凹槽结构，所述第一金属电极以及所述导电材料层设置于所述凹槽结构内，所述第二金属电极设置于所述Micro-LED芯片上并与所述导电材料层相接触。
根据本发明一优选实施例，多个所述凹槽结构呈阵列状分布，每一所述凹槽结构的底面形状为方形。
根据本发明一优选实施例，所述第一金属电极以及所述第二金属电极为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。
本发明的有益效果为：本发明所提供的Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板，通过在目标基板上设置凹槽结构并采用转移头将导电胶体焊接材释放到凹槽结构内，节省了材料成本和工艺制程，进一步提高了生产速率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明Micro-LED芯片的转移方法流程图。
图2A-2E为图1所述Micro-LED芯片的转移方法的结构示意图。
图3为本发明Micro-LED芯片的转移方法中目标基板的俯视图。
图4为本发明Micro-LED芯片的转移方法中转移头的横截面示意图。
图5为本发明Micro-LED显示面板的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板，需要在目标基板上制作贵金属层且同时需要在Micro-LED芯片上单独制作焊接层，由于采用蚀刻工艺，导致大量的贵金属材料和焊材浪费，进一步导致成本高昂的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，为本发明Micro-LED芯片的转移方法流程图。其中，所述方法包括：
S10，提供一目标基板11，所述目标基板11的表面设置有多个凹槽结构12，在每一所述凹槽结构12内沉积一层金属膜层，形成第一金属电极13。
具体的，所述S10还包括：
首先，提供一目标基板11，所述目标基板11为印刷电路板、TFT基板以及CMOS(互补金属氧化物半导体)基板中的任意一种，所述目标基板11的表面设置有多个凹槽结构12，多个所述凹槽结构12的大小以及形状完全相同；之后，在每一所述凹槽结构12内沉积一层金属膜层，形成第一金属电极13，所述第一金属电极13为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种，如图2A所示。
S20，提供一种转移头21，所述转移头21上设置有多个吸头22，每一所述吸头22的位置与每一所述凹槽结构12的位置相对应，将所述转移头21通过所述吸头22吸取导电胶体30。
具体的，所述S20还包括：
提供一种转移头21，所述转移头21上设置有多个吸头22，每一所述吸头22的位置与每一所述凹槽结构12的位置相对应，所述转移头21可以真空吸取焊料，多个所述吸头22为镂空结构，且所述吸头22可以把液态或流体状的导电材料吸入吸头22。之后，将所述转移头21通过所述吸头22吸取导电胶体30，所述导电胶体30为银溶胶、金溶胶、纳米银溶液/溶胶、纳米银线溶液/溶胶、石墨烯溶液/溶胶、异方性导电胶中的任意一种，如图2B所示。
S30，将所述转移头21上的每一所述吸头22对准与其相对应的所述凹槽结构12，释放所述转移头21中的所述导电胶体30，使所述导电胶体30放置于所述凹槽结构12内。
具体的，所述S30还包括：
将所述转移头21上的每一所述吸头22对准与其相对应的所述凹槽结构12，释放所述转移头21中的所述导电胶体30，使所述导电胶体30正好放置于所述凹槽结构12内，所述导电胶体30位于所述第一金属电极13上并完全覆盖所述凹槽结构12，如图2C所示。
S40，将多个含有第二金属电极42的MicroLED芯片41通过转移基板转移至所述目标基板11对应的所述凹槽结构12上，使所述第二金属电极42与所述导电胶体30相接触。
具体的，所述S40还包括：
首先提供一MicroLED芯片41，在所述MicroLED芯片41上通过贵金属电极工艺制备第二金属电极42，所述第二金属电极42为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。之后，将多个含有第二金属电极42的MicroLED芯片41通过转移基板转移至所述目标基板11对应的所述凹槽结构12上，使所述第二金属电极42与所述导电胶体30相接触，如图2D所示。
S50，通过加热方式固化所述导电胶体30，实现所述Micro-LED芯片41与所述目标基板11可靠电性连接。
具体的，所述S50还包括：
首先对所述目标基板11进行直接加热或者通过红外线加热所述目标基板11，使得所述凹槽结构12内的所述导电胶体受热固化成导电材料层31，所述导电材料层31使得所述Micro-LED芯片41绑定在所述目标基板11上并与所述目标基板11进行可靠电性连接，如图2E所示。
如图3所示，为本发明Micro-LED芯片的转移方法中目标基板的俯视图。优选的，多个所述凹槽结构12呈阵列状分布，每一所述凹槽结构12的底面形状为方形。
如图4所示，为本发明Micro-LED芯片的转移方法中转移头的横截面示意图。
优选的，多个所述吸头22为镂空结构，多个所述吸头22的底面为圆形。
如图5所示，为本发明Micro-LED显示面板的结构示意图。包括目标基板51、第一金属电极53、导电材料层54、第二金属电极55以及Micro-LED芯片56，所述目标基板51表面具有多个凹槽结构52，所述第一金属电极53以及所述导电材料层54设置于所述凹槽结构52内，所述第二金属电极55设置于所述Micro-LED芯片56上并与所述导电材料层54相接触。
优选的，多个所述凹槽结构52呈阵列状分布，每一所述凹槽结构52的底面形状为方形。
优选的，多个第一金属电极53以及所述第二金属电极55为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。
优选的，所述导电材料层54为导电胶体经加热方式固化而成，所述加热方式包括对所述目标基板51进行直接加热或者通过红外线加热所述目标基板51，所述导电胶体为银溶胶、金溶胶、纳米银溶液/溶胶、纳米银线溶液/溶胶、石墨烯溶液/溶胶、异方性导电胶中的任意一种。
为更简单的实现microLED与目标基板的bonding，简化工艺制程和节省成本和提高生产速率，本发明提供的Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板，实现了省去microLED上金属焊层工艺制程及与目标基板贵金属电极工艺制程的目的，节省了材料成本和工艺制程，提高了生产速率。
本发明的有益效果为：本发明所提供的Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板，通过在目标基板上设置凹槽结构并采用转移头将导电胶体焊接材释放到凹槽结构内，节省了材料成本和工艺制程，进一步提高了生产速率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，提供一目标基板，所述目标基板的表面设置有多个凹槽结构，在每一所述凹槽结构内沉积一层金属膜层，形成第一金属电极；
S20，提供一种转移头，所述转移头上设置有多个吸头，每一所述吸头的位置与每一所述凹槽结构的位置相对应，将所述转移头通过所述吸头吸取导电胶体；
S30，将所述转移头上的每一所述吸头对准与其相对应的所述凹槽结构，释放所述转移头中的所述导电胶体，使所述导电胶体放置于所述凹槽结构内；
S40，将多个含有第二金属电极的MicroLED芯片通过转移基板转移至所述目标基板对应的所述凹槽结构上，使所述第二金属电极与所述导电胶体相接触；
S50，通过加热方式固化所述导电胶体，实现所述Micro-LED芯片与所述目标基板可靠电性连接。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S10中，多个所述凹槽结构呈阵列状分布，每一所述凹槽结构的底面形状为方形。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S10中，所述目标基板为印刷电路板、TFT基板以及CMOS基板中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S10与所述步骤S40中，所述第一金属电极以及所述第二金属电极为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S20中，多个所述吸头为镂空结构，多个所述吸头的底面为圆形。
6.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S20中，所述导电胶体为银溶胶、金溶胶、纳米银溶液/溶胶、纳米银线溶液/溶胶、石墨烯溶液/溶胶、异方性导电胶中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S50中，所述加热方式包括对所述目标基板进行直接加热或者通过红外线加热所述目标基板。
8.一种Micro-LED显示面板，其特征在于，包括目标基板、第一金属电极、导电材料层、第二金属电极以及Micro-LED芯片，所述目标基板表面具有多个凹槽结构，所述第一金属电极以及所述导电材料层设置于所述凹槽结构内，所述第二金属电极设置于所述Micro-LED芯片上并与所述导电材料层相接触。
9.根据权利要求8所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，多个所述凹槽结构呈阵列状分布，每一所述凹槽结构的底面形状为方形。
10.根据权利要求8所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述第一金属电极以及所述第二金属电极为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。
CN201910410441.1A 2019-05-17 2019-05-17 Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 Active CN110212079B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910410441.1A CN110212079B (zh) 2019-05-17 2019-05-17 Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910410441.1A CN110212079B (zh) 2019-05-17 2019-05-17 Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110212079A true CN110212079A (zh) 2019-09-06
CN110212079B CN110212079B (zh) 2020-12-08

Family

ID=67787360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910410441.1A Active CN110212079B (zh) 2019-05-17 2019-05-17 Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110212079B (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783252A (zh) * 2019-10-18 2020-02-11 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 微型器件转移头及其制作方法、微型器件的转移方法
CN110817424A (zh) * 2019-11-20 2020-02-21 颜色空间(北京)科技有限公司 微小电子元器件巨量间距调节方法、巨量转移方法和设备
CN111430402A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 发光组件及其制备方法、显示基板、背光模组、显示装置
CN111463229A (zh) * 2020-04-09 2020-07-28 业成科技（成都）有限公司 微型led显示面板及电子设备
CN111462648A (zh) * 2020-04-23 2020-07-28 厦门乾照半导体科技有限公司 一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法
CN112133210A (zh) * 2020-09-27 2020-12-25 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种Micro LED喷墨打印装置、转运方法、显示面板及显示装置
CN112786511A (zh) * 2019-11-04 2021-05-11 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移基板及转移方法
CN112968105A (zh) * 2020-04-24 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板
WO2021217607A1 (zh) * 2020-04-30 2021-11-04 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种键合方法、显示背板及显示背板制造系统
WO2022000215A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 微流控芯片、转移头及其制作方法、制作系统
CN113937200A (zh) * 2020-07-13 2022-01-14 重庆康佳光电技术研究院有限公司 目标芯片的焊接方法和系统、存储介质
CN114335260A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 深圳市思坦科技有限公司 一种led芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件
CN114883356A (zh) * 2021-02-05 2022-08-09 深圳市奥拓电子股份有限公司 一种微led芯片转移方法、装置和系统
TWI781745B (zh) * 2020-09-21 2022-10-21 大陸商重慶康佳光電技術研究院有限公司 轉移系統和轉移方法
CN115775813A (zh) * 2021-09-07 2023-03-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 暂存板及其制造方法、led芯片的转移方法、显示面板
WO2023122962A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 厦门市芯颖显示科技有限公司 显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106373901A (zh) * 2016-08-31 2017-02-01 北京无线电测量研究所 一种用于微波裸芯片的蘸胶贴片方法
CN107887331A (zh) * 2017-11-11 2018-04-06 福州大学 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法
CN108470526A (zh) * 2018-01-15 2018-08-31 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN108538877A (zh) * 2018-05-17 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED显示面板的制作方法
CN109004078A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 上海天马微电子有限公司 微型led显示面板及其制作方法和显示装置
CN109728022A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106373901A (zh) * 2016-08-31 2017-02-01 北京无线电测量研究所 一种用于微波裸芯片的蘸胶贴片方法
CN109728022A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板及其制造方法
CN107887331A (zh) * 2017-11-11 2018-04-06 福州大学 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法
CN108470526A (zh) * 2018-01-15 2018-08-31 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN108538877A (zh) * 2018-05-17 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED显示面板的制作方法
CN109004078A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 上海天马微电子有限公司 微型led显示面板及其制作方法和显示装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783252A (zh) * 2019-10-18 2020-02-11 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 微型器件转移头及其制作方法、微型器件的转移方法
CN112786511B (zh) * 2019-11-04 2022-11-22 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移基板及转移方法
CN112786511A (zh) * 2019-11-04 2021-05-11 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移基板及转移方法
CN110817424B (zh) * 2019-11-20 2021-07-20 颜色空间(北京)科技有限公司 微小电子元器件巨量间距调节方法、巨量转移方法和设备
CN110817424A (zh) * 2019-11-20 2020-02-21 颜色空间(北京)科技有限公司 微小电子元器件巨量间距调节方法、巨量转移方法和设备
CN111430402A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 发光组件及其制备方法、显示基板、背光模组、显示装置
CN111430402B (zh) * 2020-03-31 2023-06-20 京东方科技集团股份有限公司 发光组件及其制备方法、显示基板、背光模组、显示装置
CN111463229A (zh) * 2020-04-09 2020-07-28 业成科技（成都）有限公司 微型led显示面板及电子设备
CN111462648A (zh) * 2020-04-23 2020-07-28 厦门乾照半导体科技有限公司 一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法
CN112968105B (zh) * 2020-04-24 2021-12-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板
CN112968105A (zh) * 2020-04-24 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板
WO2021217607A1 (zh) * 2020-04-30 2021-11-04 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种键合方法、显示背板及显示背板制造系统
US12015113B2 (en) 2020-04-30 2024-06-18 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Bonding method, display backplane and system for manufacturing display backplane
WO2022000215A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 微流控芯片、转移头及其制作方法、制作系统
CN113937200A (zh) * 2020-07-13 2022-01-14 重庆康佳光电技术研究院有限公司 目标芯片的焊接方法和系统、存储介质
CN113937200B (zh) * 2020-07-13 2023-05-12 重庆康佳光电技术研究院有限公司 目标芯片的焊接方法和系统、存储介质
TWI781745B (zh) * 2020-09-21 2022-10-21 大陸商重慶康佳光電技術研究院有限公司 轉移系統和轉移方法
CN112133210A (zh) * 2020-09-27 2020-12-25 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种Micro LED喷墨打印装置、转运方法、显示面板及显示装置
CN114883356A (zh) * 2021-02-05 2022-08-09 深圳市奥拓电子股份有限公司 一种微led芯片转移方法、装置和系统
CN115775813A (zh) * 2021-09-07 2023-03-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 暂存板及其制造方法、led芯片的转移方法、显示面板
CN114335260A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 深圳市思坦科技有限公司 一种led芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件
WO2023122962A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 厦门市芯颖显示科技有限公司 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110212079B (zh) 2020-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110212079A (zh) Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板
CN206134683U (zh) 微型led显示器
CN113054073B (zh) 驱动背板及其制作方法、转移方法、显示装置
CN108493154A (zh) Micro LED显示面板的制作方法及Micro LED显示面板
US20210066243A1 (en) Micro led display and method for manufacturing the same
CN107887331A (zh) 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法
CN110349989A (zh) 发光二极管、显示基板和转移方法
CN108962914A (zh) 电子装置与其制造方法
CN108962042B (zh) 显示面板及其制作方法
JP2022543329A (ja) マイクロ発光ダイオードのマストランスファー方法及びシステム
CN113130466A (zh) Led显示模组及其制作方法
CN107644894A (zh) 一种有机电致发光器件、其制备方法及显示装置
CN108831872A (zh) 邦定结构及邦定方法
CN109585488A (zh) Led显示基板及其制作方法、显示装置
CN104733502B (zh) Amoled面板及其制作方法
CN110676284A (zh) 一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法
US7923924B2 (en) Organic electroluminescent display/source with anode and cathode leads
CN108963057A (zh) 一种柔性透明led显示器件结构及其制备方法
CN202159699U (zh) 一种芯片倒装的发光二极管
CN107482030A (zh) 微led器件及其制作方法
CN106711181A (zh) 一种邦定电极及其制备方法和应用
CN110875345A (zh) Led显示器件及其制造方法、led显示面板
WO2021073286A1 (zh) 一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法
CN116111011A (zh) 发光器件的转移装置及其转移方法
CN113629095B (zh) 发光显示装置以及发光显示装置的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant