CN110004426A - 连续式镀膜系统的镀膜方法及其方法所得的镀膜 - Google Patents
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Abstract
一种镀膜方法，经包括载盘及溅镀装置的连续式镀膜系统来实施，溅镀装置具溅镀腔体、靶材单元及电源供应组件，电源供应组件包括电源供应器及并联于电源供应器的电感、高速开关及超级电容，高速开关串联于靶材单元与电感间且超级电容并联于溅镀腔体与电感以与电源供应器并联。该镀膜方法是令载盘上的一批待镀物于溅镀腔体执行溅镀程序，当高速开关于断路状态电源供应器能在各周期熄火时间内令超级电容充满电，当高速开关于电路导通状态电源供应器能与充满电的超级电容在各周期放电时间内瞬间放电靶材单元，令溅射出的靶材粒子瞬间游离化从而于待镀物上溅镀高致密性且高附着性的靶材镀膜，各周期由其放电、熄火时间所构成，且各周期的占空比介于0.1％至30％间。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜方法，特别是涉及一种连续式镀膜系统的镀膜方法及其方法所得的镀膜。
背景技术
基于薄膜制程中的物理气相沉积法(PVD)可镀制金属氧化物甚或是金属氮化物等超硬质、耐腐蚀及抗氧化等质量优异的镀膜，因而其广受机械零组件、脚踏车零组件等各大业界所使用。
如，中国台湾第539815公告号专利案(以下称前案1)公开一种表面具绚丽色彩的链片及成型该链片的制法。前案1所公开的表面具绚丽色彩的链片具有一链片本体，及一镀覆于该链片本体的色彩披覆单元；其中，该色彩披覆单元是经阴极电弧放电成型法(cathodic arc plasma deposition)所制得的多层膜。该色彩披覆单元包括一完全覆盖于该链片本体的外表面上且是由氮化钛、氮化锌或氮化锆等材质所构成的基础层，及依序覆盖于该基础层上且是由氮氧化钛、氮氧化锌或氮氧化锆等材质所构成的多个显色层。
具体地来说，前案1所公开的制法是通过阴极电弧放电成型法在该链片本体外表面上先沉积一颜色呈金黄色的氮化钛(TiN)层以作为该基础层后，再陆续于该氮化钛层上依序沉积多个氮氧化钛(TiNxOy)层以分别作为前述的所述显色层。前述基础层与各显色层中的金属(也就是，阴极靶材的金属材质)与膜层厚度皆可决定其镀膜所呈现的颜色，且随着各显色层内的含氧量的提升也可改变各显色层的颜色。以呈现金黄色的氮化钛层举例来说，随着成型过程中引入阴极电弧放电成型法的镀膜腔体内的氧气流量的增加，则后续所沉积的氮氧化钛层(也就是，显色层)便可呈现出蓝色。
虽然前案1所公开的技术内容可制得表面具绚丽色彩的链片的成品；然而，前案1所采用的设备只为单腔式的批次炉(batch type)，其未能在单一设备内直接完成成品所需的前处理与沉积等流程。因此，对于完成成品的完整的流程来说，所需耗费的时间成本势必增加。
又，中国第104451570A公开号发明专利案(以下称前案2)公开一种采用磁控溅射镀彩色膜的方法。前案2所公开的彩色膜是位在一真空室内经磁控溅射法所沉积而得的一氧化锡膜；其中，前述磁控溅射法是令氩气等离子轰击一静止中的阴极锡靶材，以使经轰击且溅射出的金属粒子再经氩气等离子解离后沉积在一运行速度为15mm/s的阳极基板上，其该阳极基板的运行次数是以该阴极锡靶材的起点到终点为一趟，且运行4趟。然而，在沉积该氧化锡膜前，被设置在阳极上的基板仍是在该真空室外实施前处理。因此，前案2所公开的真空室仍属于单腔式的批次炉的溅镀设备，对于完成成品的完整的流程来说，仍无法解决制程耗时的问题。
此外，无论是前案1或是前案2所公开的制法，其自靶材所溅射出来的溅镀粒子的等离子密度仍嫌不足；因此，也影响镀膜的致密性与附着性。
经上述说明可知，在解决完整制程耗时等问题的前提下，也改善溅镀粒子等离子密度不足的问题以提升镀膜的致密性与附着性，是本领域的相关技术人员有待解决的课题。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种高致密性且高附着性的镀膜方法。
本发明的于镀膜方法，是通过连续式镀膜系统来实施，该连续式镀膜系统包括载盘及传送机构，且沿生产方向还包括载入装置、前处理装置、溅镀装置，及载出装置。该载入装置包括载入腔体。该前处理装置包括邻接且相通于该载入腔体的前处理腔体。该溅镀装置包括邻接且相通于该前处理腔体的溅镀腔体、设置于该溅镀腔体内的靶材单元，及至少一电源供应组件。该电源供应组件具有电源供应器，及并联于该电源供应器的瞬间脉冲(impulse)电路模块。该瞬间脉冲电路模块具有电感(inductance)、高速开关及超级电容(super-capacitor)。该高速开关串联于该靶材单元与该电感间，且该超级电容并联于该溅镀腔体与该电感以与该电源供应器并联。该载出装置包括邻接且相通于该溅镀腔体的载出腔体，且该载入腔体、该前处理腔体、该溅镀腔体及该载出腔体共同定义出生产通道。该传送机构包括驱动单元，及连接于该驱动单元且位于该生产通道内的掣动单元。该载盘位于该掣动单元上，以通过该驱动单元连动该掣动单元来带动位在该掣动单元上的该载盘于该生产通道内移动。该镀膜方法包括以下步骤：步骤(a)、步骤(b)、步骤(c)，及步骤(d)。
该步骤(a)是一批位在该载盘上的待镀物经该掣动单元被传送至该载入腔体内执行加热程序。
该步骤(b)是位于该载盘上的该批待镀物经该掣动单元被传送至该前处理腔体内以执行等离子清洁程序(plasma cleaning process)。
该步骤(c)是位于该载盘上的该批待镀物经该掣动单元被传送至该溅镀腔体内以通过该电源供应组件的该电源供应器与该瞬间脉冲电路模块来执行溅镀程序，每当该高速开关处于电路断路的状态时，该电源供应器能在每一周期的熄火时间内令该超级电容充满电量，每当该高速开关处于电路导通的状态时，该电源供应器能偕同经充满电量的该超级电容在每一周期的放电时间内对串联至该高速开关的该靶材单元进行瞬间放电，以令该溅镀腔体内的经溅射出该靶材单元的靶材粒子能通过该电源供应器与经充满电量的该超级电容所提供的功率瞬间被游离化从而于该批待镀物上溅镀高致密性且高附着性的靶材镀膜。
该步骤(d)是经溅镀有该靶材镀膜的该批待镀物沿该生产方向被该载盘带往该载出腔体以执行降温程序。
在本发明的镀膜方法中，各周期是由其熄火时间与其放电时间所构成，经各周期的该放电时间与该熄火时间所定义出的占空比介于0.1％至30％间。
本发明的镀膜方法，各周期的放电时间介于10μs至500μs间；各周期的熄火时间介于1840μs至10000μs间。
本发明的镀膜方法，该电源供应器偕同该超级电容提供给该靶材单元的靶材电压与峰值电流分别至少大于500V与至少大于100A。
本发明的镀膜方法，该批待镀物于该溅镀腔体内执行该溅镀程序时是通过该掣动单元令该载盘于该溅镀腔体内往复移动至少一趟。
本发明的第二目的在于提供一种高致密性与高附着性的镀膜。
本发明的于镀膜，是如上所述的镀膜方法所制得；其中，该批待镀物是多个链片本体，且各链片本体与溅镀于各自所对应的链片本体上的镀膜共同构成链片。
本发明的有益效果在于：该批待镀物除了能通过该连续式镀膜系统在单一完整流程内执行该前处理与该溅镀程序以制得成品外，其溅镀装置也能借该电源供应器与该瞬间脉冲电路模块的超级电容的配合，以在各周期的放电时间内对该靶材单元瞬间放电，令经溅射出的靶材粒子可通过该电源供应器与经充满电量的该超级电容所提供的功率瞬间被游离化，从而提升等离子密度并于该批待镀物上溅镀出高致密性且高附着性的靶材镀膜。
附图说明
本发明的其他的特征及功效，将于参照图式的实施方式中清楚地呈现，其中：
图1是一正视示意图，说明实施本发明的镀膜方法的一实施例所使用的连续式镀膜系统；
图2是一侧视示意图，说明本发明该连续式镀膜系统的一溅镀装置的一溅镀腔体、一靶材单元及三电源供应组件间的连接关系；
图3是一电流对时间曲线图与该溅镀装置示意图两者间的关系图，说明本发明该实施例的电源供应组件中的一高速开关处于一电路导通时，其一直流电源供应器协同一经充满电量的超级电容在各周期(T)的一放电时间(Ton)内对该靶材单元进行一瞬间放电；
图4是一延续图3的关系图，说明本发明该实施例的超级电容在该放电时间(Ton)内对该靶材单元进行该瞬间放电至耗尽该超级电容的电量；
图5是一彩色影像图，说明经本发明的镀膜方法的一实施例所产生的靶材粒子等离子；
图6是一延续图4的关系图，说明本发明该实施例的高速开关处于一电路断路(off)状态的态样；
图7是一延续图6的关系图，说明本发明该实施例的高速开关处于该电路断路(off)状态时，其直流电源供应器能在各周期(T)的一熄火时间(Toff)内对该超级电容进行充电；
图8是一延续图7的关系图，说明本发明该实施例的直流电源供应器能在各周期(T)的熄火时间(Toff)内令该超级电容充满电量；
图9是一彩色影像图，说明经本发明的连续式镀膜系统所实施的镀膜方法的一具体例1(E1)所制得的一批宝石绿色链片；
图10是一彩色影像图，说明经本发明的连续式镀膜系统所实施的镀膜方法的一具体例2(E2)所制得的一批湛蓝色链片；
图11是一彩色影像图，说明经本发明的连续式镀膜系统所实施的镀膜方法的一具体例3(E3)所制得的一批阳橙金色链片；
图12是一彩色影像图，说明经本发明的连续式镀膜系统所实施的镀膜方法的一具体例4(E4)所制得的一批蓝紫色链片；
图13是一彩色影像图，说明经本发明的连续式镀膜系统所实施的镀膜方法的一具体例5(E5)所制得的一批紫红色链片；及
图14是一彩色影像图，说明经本发明该具体例4(E4)的蓝紫色链片所组装而成的链条成品。
具体实施方式
在本发明被详细描述前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
<发明详细说明>
参阅图1与图2，用来实施本发明的镀膜方法的一实施例所使用的一连续式镀膜系统，包括一载盘5及一传送机构6，且沿一生产方向X还包括一载入装置1、一前处理装置2、一溅镀装置3，及一载出装置4。
该载入装置1包括一具有一入口端10的载入腔体11。
该前处理装置2包括一邻接且相通于该载入腔体11的前处理腔体21。
该溅镀装置3包括一邻接且相通于该前处理腔体21并经接地(grounding)的溅镀腔体31、一设置于该溅镀腔体31内的靶材单元32、一第一电源供应组件33、一第二电源供应组件34，及一第三电源供应组件35。在本发明该实施例中，该靶材单元32具有彼此间隔设置的一第一靶材321、一第二靶材322，及一第三靶材323，且该第一靶材321、该第二靶材322及该第三靶材323是分别对应电连接至该第一第源供应组件33、该第二电源供应组件34及该第三电源供应组件35，而所述靶材321、322、323皆是一钛靶材(Ti target)。
此外，各电源供应组件33、34、35(见图2)具有一直流电源供应器(DC powersupply)331、341、351，及一并联于各自所对应的直流电源供应器331、341、351的瞬间脉冲电路模块332、342、352。各瞬间脉冲电路模块332、342、352具有一电感3321、3421、3521、一高速开关3322、3422、3522，及一超级电容3323、3423、3523。各高速开关3322、3422、3522是串联于各自所对应的靶材321、322、323与电感3321、3421、3521间，且各超级电容3323、3423、3523是并联于该溅镀腔体31与各自所对应的电感3321、3421、3521，以与各自所对应的直流电源供应器331、341、351并联。
该载出装置4包括一邻接且相通于该溅镀腔体31并具有一出口端40的载出腔体41，且该载入腔体11、该前处理腔体21、该溅镀腔体31及该载出腔体41共同定义出一生产通道C。
该传送机构6包括一驱动单元(图未示)，及一连接于该驱动单元且位于该生产通道C内的掣动单元61。该载盘5位于该掣动单元61上，以通过该驱动单元连动该掣动单元61来带动位在该掣动单元61上的该载盘5于该生产通道C内移动。该掣动单元61可以是一皮带滚轮组件，也可以是一齿轮组件，该传送机构6属于现有技术，并非本发明的技术重点，于此不再多加赘述。
此要补充说明的是，本发明该实施例的连续式镀膜系统实际上还能包括一上游缓冲装置(图未示)及一下游缓冲装置(图未示)，且该上游缓冲装置具有一临接于该前处理腔体21与该溅镀腔体31间的上游缓冲腔体，该下游缓冲装置具有一临接于该溅镀腔体31与该载出腔体41间的下游缓冲腔体。因此，该掣动单元61是能带动该载盘5于该上游缓冲腔体与该下游缓冲腔体间往复移动。
在本发明该实施例中，各瞬间脉冲电路模块332、342、352的该高速开关3322、3422、3522是一绝缘闸双极电晶体(insulated gate bipolar transistor；简称IGBT)。
再参阅图1与图2，本发明通过使用上述连续式镀膜系统来实施该实施例的镀膜方法，是，包括以下步骤：一步骤(a)、一步骤(b)、一步骤(c)，及一步骤(d)。
该步骤(a)是一批位在该载盘5上的待镀物(图未示)经该掣动单元61被传送至该载入腔体11内执行一加热程序。
该步骤(b)是位于该载盘5上的该批待镀物经该掣动单元61被传送至该前处理腔体21内以执行一等离子清洁程序。在本发明该实施例的镀膜方法中，是对该载盘5上的该批待镀物施予氩(Ar)等离子清洁程序。
该步骤(c)是位于该载盘5上的该批待镀物经该掣动单元61被传送至该溅镀腔体31内，以通过所述电源供应组件33、34、35的各直流电源供应器331、341、351与各瞬间脉冲电路模块332、342、352来执行一溅镀程序。
请参阅图3、图4与图5，具体地来说，每当各高速开关3322、3422、3522处于一电路导通(on)的状态时，各直流电源供应器331、341、351能偕同各自所对应的经充满电量的超级电容3323、3423、3523在每一周期(T)的一放电时间(Ton)内，对串联至各自所对应的高速开关3322、3422、3522的靶材321、322、323进行一瞬间放电，以令该溅镀腔体31内的经溅射出各靶材321、322、323的靶材粒子，能通过各自所对应的直流电源供应器331、341、351与经充满电量的超级电容3323、3423、3523所提供的功率瞬间被游离化成一颜色呈蓝色且经解离的靶材粒子等离子320，从而提升靶材粒子等离子的等离子密度，并于该批待镀物上溅镀一高致密性且高附着性的靶材镀膜(图未示)。
此外，参阅图6、图7与图8，每当各高速开关3322、3422、3522处于一电路断路(off)的状态时，各直流电源供应器331、341、351与耗尽电量的各超级电容3323、3423、3523停止供电给各自所对应的靶材321、322、323，以致于显示于图3与图4中的该经解离的靶材粒子等离子320消失，且各直流电源供应器331、341、351能在每一周期(T)的一熄火时间(Toff)内令各自所对应的超级电容3323、3423、3523充满电量，从而在下一周期(T)的放电时间(Ton)内再次对各靶材321、322、323进行下一次的瞬间放电(如图3、图4与图5所示)。
在本发明该实施例的镀膜方法中，各周期(T)是由其熄火时间(Toff)与其放电时间(Ton)所构成，且各高速开关3322、3422、3522(也就是，IGBT)是电连接至一电脑以通过其微处理器来设定其实施例的周期(T)、放电时间(Ton)与熄火时间(Toff)。
再参阅图3、图4与图5，更具体地来说，每当各高速开关3322、3422、3522处于该电路导通(on)的状态时，各直流电源供应器331、341、351能偕同经充满电量的各超级电容3323、3423、3523在各周期(T)的放电时间(Ton)内，对串联至各自所对应的高速开关3322、3422、3522的该第一靶材321、该第二靶材322与该第三靶材323提供一靶材电压(Vt)与一靶材电流(It)，令经接地的该溅镀腔体31与各靶材321、322、323间产生一电位差(△V)，以致于各直流电源供应器331、341、351与经充满电量的各超级电容3323、3423、3523所提供的电功率瞬间大幅提高，从而提升该靶材粒子等离子320的等离子密度。前述靶材电流(It)达到最大功率时所对应的靶材电流也就是为峰值电流(peak current，以下称Ip)。
较佳地，经各周期(T)的放电时间(Ton)与该熄火时间(Toff)所定义出的一占空比(duty cycle；也就是，Ton/T)是介于0.1％至30％间；各直流电源供应器331、341、351偕同各自所对应的超级电容3323、3423、3523提供给各自所对应的靶材321、322、323的靶材电压(Vt)与峰值电流(Ip)是分别至少大于500V与至少大于100A；该批待镀物于该溅镀腔体31内执行该溅镀程序时是通过该掣动单元61令该载盘5于该溅镀腔体31内往复移动至少一趟。
此处需进一步补充说明的是，当各周期(T)的放电时间(Ton)不足时，则提供至各靶材321、322、323的峰值电流(Ip)尚无法达100A，当各周期(T)的放电时间(Ton)过大时，则将耗尽各超级电容3323、3423、3523的电容量以致于提供至各靶材321、322、323的峰值电流(Ip)下降；又，当各周期(T)的熄火时间(Toff)不足时，各超级电容3323、3423、3523的充电时间不足导致其电量无法充满，当各周期(T)的熄火时间(Toff)过久时，也将影响镀膜的成长速率。因此，更佳地，各周期(T)的放电时间(Ton)是介于10μs至500μs间，且各周期(T)的熄火时间(Toff)是介于1840μs至10000μs间。
该步骤(d)是经溅镀有该靶材镀膜的该批待镀物沿该生产方向X被该载盘5带往该载出腔体41以执行一降温程序，并于执行完该降温程序后，以令溅镀有该靶材镀膜的该批待镀物经该掣动单元61带动该载盘5自该载出腔体41的出口端40被移出。
本发明的镀膜的一实施例，是如上所述的镀膜方法的实施例所制得；其中，该批待镀物是多个链片本体，且各链片本体与溅镀于各自所对应的链片本体上的镀膜共同构成一链片。
较佳地，所述链片经组装成一链条后不致于使溅镀于各链片本体上的镀膜脱落。
<具体例1(E1)>
本发明的镀膜方法的一具体例1(E1)，是通过上述连续式镀膜系统的实施例来实施。
再参阅图1，首先，一批链片本体(图未示)是被设置于该载盘5上以通过该掣动单元61带动该载盘5自该载入腔体11的入口端10传送至该载入腔体11内执行一加热程序，且该具体例1(E1)的加热程序的温度为150-350℃。
于执行完该加热程序后，位于载盘5上的该批链片本体是经该掣动单元61被传送至该前处理腔体21内，并于该前处理腔体21内引入气体流量为280sccm的氩气(Ar)，同时对该前处理腔体21内的对电极板提供800W的射频(r.f.)电功率，以令该前处理腔体21在4×10-2Torr的工作压力(working pressure)下对该批链片本体执行一维持120秒的Ar等离子清洁程序。
接着，位于该载盘5上的该批链片本体经该掣动单元61被传送至该溅镀腔体31内以通过该第一电源供应组件33、该第二电源供应组件34、该第三电源供应组件35的直流电源供应器331、341、351与各自所对应的瞬间脉冲电路模块332、342、352来执行一多层膜的溅镀程序。本发明该具体例1(E1)的多层膜的溅镀程序原则上是依序包括一Ti层溅镀程序、一TiN层溅镀程序，及一TiNxOy层溅镀程序。
具体地来说，该Ti层溅镀程序是于该溅镀腔体31内引入气体流量为300sccm的Ar，同时自该微处理器设定各高速开关3322、3422、3522的周期(T)、熄火时间(Toff)与放电时间(Ton)分别为2075μs、2000μs与75μs。每当各高速开关3322、3422、3522处于该电路断电的状态时，各直流电源供应器331、341、351能在2000μs的各熄火时间(Toff)内令各自所对应的超级电容3323、3423、3523充满电量；每当各高速开关3322、3422、3522处于该电路导通的状态时，各直流电源供应器331、341、351能偕同经充满电量的各超级电容3323、3423、3523在75μs的各放电时间(Ton)内，对各自所对应的第一靶材(以下称TPT1)321、第二靶材(以下称TPT2)322与第三靶材(以下称TPT3)323分别提供933V、943V与713V的靶材电压(Vt)，及672A、752A与705A的峰值电流(Ip)，以令该溅镀腔体31内的溅射出所述靶材321、322、323的Ti粒子能通过各直流电源供应器331、341、351与经充满电量的各超级电容3323、3423、3523所提供的电功率(6270W、7050W、5030W)瞬间被游离化成靶材(Ti)粒子等离子320，并令该溅镀腔体31的工作压力达5.8×10-3Torr，从而于该批链片本体上溅镀一Ti层。在本发明该具体例1(E1)中，该批链片本体于该溅镀腔体31内执行该Ti层溅镀程序时，是通过该掣动单元61令该载盘5于该溅镀腔体31内以8-20mm/sec的移动速度往复移动两趟，且该批链片本体的温度是280℃。
该具体例1(E1)的TiN层溅镀程序大致上是相同于该Ti层溅镀程序，其不同处是在于，该溅镀腔体31内更引入氮气(N2)，且Ar与N2整体的气体流量为300sccm。同样地，每当各高速开关3322、3422、3522处于该电路断电的状态时，各直流电源供应器331、341、351能令各自所对应的超级电容3323、3423、3523充满电量；每当各高速开关3322、3422、3522处于该电路导通的状态时，各直流电源供应器331、341、351能偕同经充满电量的各超级电容3323、3423、3523对各自所对应的靶材321、322、323分别提供其靶材电压(Vt)与其峰值电流(Ip)，以令该溅镀腔体31内的N2与溅射出所述靶材321、322、323的Ti粒子能通过各直流电源供应器331、341、351与经充满电量的各超级电容3323、3423、3523所提供的电功率瞬间被游离化，并令该溅镀腔体31的工作压力达4.5×10-3Torr，从而于各Ti层上溅镀一TiN层。
该具体例1(E1)的TiNxOy层溅镀程序大致上是相同于该TiN层溅镀程序，其不同处是在于，该溅镀腔体31内更引入氧气(O2)，且Ar、N2与O2整体的气体流量为500sccm。同样地，每当各高速开关3322、3422、3522处于该电路断电的状态时，各直流电源供应器331、341、351能令各自所对应的超级电容3323、3423、3523充满电量；每当各高速开关3322、3422、3522处于该电路导通的状态时，各直流电源供应器331、341、351能偕同经充满电量的各超级电容3323、3423、3523对各自所对应的靶材321、322、323分别提供其靶材电压(Vt)与其峰值电流(Ip)，以令该溅镀腔体31内的N2、O2与溅射出所述靶材321、322、323的Ti粒子能通过各直流电源供应器331、341、351与经充满电量的各超级电容3323、3423、3523所提供的电功率瞬间被游离化，并令该溅镀腔体31的工作压力达4.6×10-3Torr，从而于各TiN层上溅镀一TiNxOy层，并于各链片本体上构成一Ti/TiN/TiNxOy多层膜。
最后，溅镀有该Ti/TiN/TiNxOy多层膜的各链片本体是沿该生产方向X被该载盘5带往该载出腔体41以执行一降温程序，并于完成该降温程序后自该出口端40被带出该载出腔体41以制得一批宝石绿色链片(见图9)。
本发明该具体例1(E1)的镀膜方法的细部制程参数，是汇整于下列表1.至表4.中。
表1.
表2.
表3.
表4.
<具体例2(E2)>
本发明的镀膜方法的一具体例2(E2)大致上是相同于该具体例1(E1)，其具体制程参数是汇整于以下表5.至表8.。此外，本发明于实施完该具体例2(E2)的镀膜方法是制得一批湛蓝色链片(见图10)。表5.
表6.
表7.
表8.
<具体例3(E3)>
本发明的镀膜方法的一具体例3(E3)大致上是相同于该具体例1(E1)，其具体制程参数是汇整于以下表9.至表12.。此外，本发明于实施完该具体例3(E3)的镀膜方法是制得一批阳橙金色链片(见图11)。
表9.
表10.
表11.
表12.
<具体例4(E4)>
本发明的镀膜方法的一具体例4(E4)大致上是相同于该具体例1(E1)，其具体制程参数是汇整于以下表13.至表16.。此外，本发明于实施完该具体例4(E4)的镀膜方法是制得一批蓝紫色链片(见图12)。
表13.
表14.
表15.
表16.
<具体例5(E5)>
本发明的镀膜方法的一具体例5(E5)大致上是相同于该具体例1(E1)，其具体制程参数是汇整于以下表17.至表20.。此外，本发明于实施完该具体例5(E5)的镀膜方法是制得一批紫红色链片(见图13)。
表17.
表18.
表19.
表20.
申请人是根据上述具体例4(E4)的镀膜方法所制得的该批蓝紫色链片进一步地组装成一如图14所示的链条。由图14显示可知，所述蓝紫色链片经组装成该链条后，确实不致于使溅镀于各链片本体上的多层膜脱落，各链片仍显示有蓝紫色的多层膜。
经本发明的详细说明与各具体例的说明可知，本发明于实施该溅镀程序时，是通过各电源供应组件33、34、35中的直流电源供应器331、341、351，与电连接至各自所对应的直流电源供应器331、341、351的瞬间脉冲电路模块332、342、352，迫使各高速开关3322、3422、3522于电路断路(off)时，各直流电源供应器331、341、351与耗尽电量的各超级电容3323、3423、3523能停止供电给各自所对应的靶材321、322、323，且各直流电源供应器331、341、351能在各周期(T)的熄火时间(Toff)内令各自所对应的超级电容3323、3423、3523充满电量，从而在下一次电路导通(on)时，使各直流电源供应器331、341、351能偕同经充满电量的各超级电容3323、3423、3523在其周期(T)的放电时间(Ton)内，对各自所对应的靶材321、322、323提供翻倍的电功率，令该溅镀腔体31内的经溅射出各靶材321、322、323的靶材粒子，能通过所提供的电功率瞬间被游离化成颜色呈蓝色且经解离的靶材粒子等离子320，从而提升该靶材粒子等离子320的等离子密度并于该批待镀物上溅镀出高致密性且高附着性的靶材镀膜。
此外，该连续式镀膜系统于该溅镀装置3前也配置有该前处理装置2，该批待镀物(如，各具体例的所述链片本体)于执行该溅镀程序前，仍可直接通过该掣动单元61传送设置于其上且承载有该批待镀物的载盘5至该前处理腔体21内，以在同一个完整流程内执行该前处理程序(如，各具体例的氩等离子清洁程序)与该溅镀程序，并借此解决制程耗时的问题。
综上所述，本发明通过连续式镀膜系统来执行的镀膜方法及其方法所得的镀膜，不只能在同一个完整流程内执行完所有程序以制得成品，其溅镀程序中所产生的等离子密度高，也能在该批待镀物上溅镀出高致密性且高附着性的镀膜，所以确实能达成本发明的目的。
以上所述者，只为本发明的实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，也就是凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明的范围。
Claims (5)
1.一种镀膜方法，是通过连续式镀膜系统来实施，该连续式镀膜系统包含载盘及传送机构，且沿生产方向还包含载入装置、前处理装置、溅镀装置，及载出装置：
该载入装置包括载入腔体；
该前处理装置包括邻接且相通于该载入腔体的前处理腔体；
该溅镀装置包括邻接且相通于该前处理腔体的溅镀腔体、设置于该溅镀腔体内的靶材单元，及至少一电源供应组件，该电源供应组件具有电源供应器，及并联于该电源供应器的瞬间脉冲电路模块，该瞬间脉冲电路模块具有电感、高速开关及超级电容，该高速开关串联于该靶材单元与该电感间，且该超级电容并联于该溅镀腔体与该电感以与该电源供应器并联，且该瞬间脉冲电路模块的该高速开关是绝缘闸双极电晶体；
该载出装置包括邻接且相通于该溅镀腔体的载出腔体，且该载入腔体、该前处理腔体、该溅镀腔体及该载出腔体共同定义出生产通道；
该传送机构包括驱动单元，及连接于该驱动单元且位于该生产通道内的掣动单元；及
该载盘位于该掣动单元上，以通过该驱动单元连动该掣动单元来带动位在该掣动单元上的该载盘于该生产通道内移动；
其特征在于该镀膜方法包含以下步骤：
步骤(a)，一批位在该载盘上的待镀物经该掣动单元被传送至该载入腔体内执行加热程序；
步骤(b)，位于该载盘上的该批待镀物经该掣动单元被传送至该前处理腔体内以执行等离子清洁程序；
步骤(c)，位于该载盘上的该批待镀物经该掣动单元被传送至该溅镀腔体内以通过该电源供应组件的该电源供应器与该瞬间脉冲电路模块来执行溅镀程序，每当该高速开关处于电路断路的状态时，该电源供应器能在每一周期的熄火时间内令该超级电容充满电量，每当该高速开关处于电路导通的状态时，该电源供应器能偕同经充满电量的该超级电容在每一周期的放电时间内对串联至该高速开关的该靶材单元进行瞬间放电，以令该溅镀腔体内的经溅射出该靶材单元的靶材粒子能通过该电源供应器与经充满电量的该超级电容所提供的功率瞬间被游离化从而于该批待镀物上溅镀高致密性且高附着性的靶材镀膜；及
步骤(d)，经溅镀有该靶材镀膜的该批待镀物是沿该生产方向被该载盘带往该载出腔体以执行降温程序；
其中，各周期是由其熄火时间与其放电时间所构成；及
其中，经各周期的放电时间与该熄火时间所定义出的占空比介于0.1％至30％间。
2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于：各周期的放电时间介于10μs至500μs间；各周期的熄火时间介于1840μs至10000μs间。
3.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于：该电源供应器偕同该超级电容提供给该靶材单元的靶材电压与峰值电流分别至少大于500V与至少大于100A。
4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于：该批待镀物于该溅镀腔体内执行该溅镀程序时是通过该掣动单元令该载盘于该溅镀腔体内往复移动至少一趟。
5.一种镀膜，其特征在于：是根据权利要求1至4任一权利要求所述的镀膜方法所制得；其中，该批待镀物是多个链片本体，且各链片本体与溅镀于各自所对应的链片本体上的镀膜共同构成链片。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146967A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-12 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种高可靠沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1688737A (zh) * | 2002-09-25 | 2005-10-26 | 先进能源工业公司 | 具有电弧处理能力的高峰值功率等离子体脉冲电源 |
| CN102108492A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-06-29 | 中国科学院力学研究所 | 一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备 |
| US8685213B2 (en) * | 2001-06-14 | 2014-04-01 | Cemecon Ag | Method and apparatus for plasma generation |
| CN206040608U (zh) * | 2016-09-06 | 2017-03-22 | 凌嘉科技股份有限公司 | 用于生产线的可移动式载盘装置 |
| CN108048814A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-18 | 凌嘉科技股份有限公司 | 具有反应式离子蚀刻功能的连续式镀膜系统 |
-
2019
- 2019-04-19 CN CN201910315617.5A patent/CN110004426A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8685213B2 (en) * | 2001-06-14 | 2014-04-01 | Cemecon Ag | Method and apparatus for plasma generation |
| CN1688737A (zh) * | 2002-09-25 | 2005-10-26 | 先进能源工业公司 | 具有电弧处理能力的高峰值功率等离子体脉冲电源 |
| CN102108492A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-06-29 | 中国科学院力学研究所 | 一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备 |
| CN206040608U (zh) * | 2016-09-06 | 2017-03-22 | 凌嘉科技股份有限公司 | 用于生产线的可移动式载盘装置 |
| CN108048814A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-18 | 凌嘉科技股份有限公司 | 具有反应式离子蚀刻功能的连续式镀膜系统 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146967A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-12 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种高可靠沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源 |
| CN111146967B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-08-15 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种高可靠沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
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Application publication date: 20190712 |