CN119907507A - 显示面板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法和显示装置。隔离结构围合形成隔离开口，当后续制备发光层和第一电极层时，发光层和第一电极层在隔离开口边缘断开，形成位于隔离开口内的发光单元和第一电极，该制备方法可以无需采用精密掩膜板，能够减少精密掩膜板的开发和使用，降低制备成本。隔离结构朝向隔离开口的内壁包括具有凸起的多个毛刺区域，一个毛刺区域内的凸起的平均尺寸小于另一个毛刺区域内的凸起的平均尺寸，即至少一个毛刺区域的凸起的平均尺寸得以增大，使得封装部与隔离结构朝向隔离开口的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的封装部和隔离结构的紧密结合性能。

Description

显示面板及其制备方法和显示装置

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)以及基于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)等技术的平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、笔记本电脑、台式电脑等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

但目前的OLED显示产品的使用性能有待提升。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，旨在提高显示面板的使用性能。

本申请第一方面实施例提供一种显示面板，显示面板包括：基板；隔离结构，位于基板上，隔离结构围合形成多个隔离开口；隔离结构朝向至少一个隔离开口的内壁具有至少两个毛刺区域，各毛刺区域内均设置有凸起，至少两个毛刺区域内，一个毛刺区域内的平均凸起尺寸小于另一个毛刺区域内的平均凸起尺寸。

根据本申请第一方面的实施方式，至少两个毛刺区域沿显示面板厚度方向分布，远离基板一侧的毛刺区域的平均凸起尺寸大于靠近基板一侧的毛刺区域的平均凸起尺寸。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，隔离开口包括间隔设置的第一隔离开口和第二隔离开口，隔离结构朝向第二隔离开口的内壁的凸起的平均尺寸大于隔离结构朝向第一隔离开口的内壁的凸起的平均尺寸。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，隔离结构朝向第二隔离开口的内壁具有第一毛刺区域和第二毛刺区域，第二毛刺区域位于第一毛刺区域背离基板的一侧，第一毛刺区域包括至少一个第一凸起，第二毛刺区域包括至少一个第二凸起，第一凸起的平均尺寸小于第二凸起的平均尺寸；隔离结构朝向第一隔离开口的内壁具有多个尺寸均一的凸起；第二凸起的平均尺寸大于隔离结构朝向第一隔离开口的内壁的凸起的平均尺寸。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，隔离开口包括与第一隔离开口、第二隔离开口间隔设置的第三隔离开口，隔离结构朝向第三隔离开口的内壁具有第三毛刺区域和第四毛刺区域，第三毛刺区域位于第四毛刺区域背离基板的一侧，第三毛刺区域包括至少一个第三凸起，第四毛刺区域包括至少一个第四凸起，第三凸起的平均尺寸小于第四凸起的平均尺寸。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第四凸起的平均尺寸大于第二凸起的平均尺寸。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：发光层，位于基板上，发光层包括多个发光单元，发光单元位于隔离开口内；第一电极层，位于发光层背离基板的一侧，并包括位于隔离开口的第一电极，第一电极与隔离结构电连接。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，发光单元在基板的正投影位于第一电极在基板的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，发光单元与隔离结构间隔设置。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：像素定义层，位于基板上，像素定义层包括像素限定部和由像素限定部围合形成的像素开口，像素开口和隔离开口连通。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括第二电极，第二电极位于基板与像素定义层之间，第二电极由像素开口露出。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：第一封装层，位于第二电极背离基板的一侧，第一封装层包括多个间隔设置的封装部。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，封装部包括延伸部，延伸部在基板的正投影位于隔离结构在基板的正投影之内，延伸部与隔离结构间隔形成间隙。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，发光层还包括位于间隙内的冗余单元。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电极层还包括位于间隙内的冗余电极。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，延伸部的宽度大于或者等于3μm。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一封装层为无机层。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：第二封装层，位于第一封装层远离基板的一侧。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：第三封装层，位于第二封装层远离基板的一侧。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二封装层为有机层，和/或，第三封装层为无机层。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，隔离结构包括第一层和第二层，第二层位于第一层背离基板的一侧，第一层在基板的正投影位于第二层在基板的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，毛刺区域位于第一层朝向隔离开口的内壁。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一层包括导电材料。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二层包括导电材料或者绝缘材料。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一层和第二层均包括金属材料，且第一层和第二层的材料不同。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，隔离结构还包括位于第一层朝向基板一侧的第三层，第一层在基板的正投影位于第三层在基板的正投影之内。

本申请第二方面实施例提供一种显示面板的制备方法，方法包括：

在基板上制备隔离材料层，并对隔离材料层进行图案化处理，形成第一隔离开口；

在隔离材料层背离基板的一侧依次制备第一发光材料层、第一电极材料层和第一封装材料层；

在第一封装材料层背离基板的一侧制备第一阻挡层，第一隔离开口在基板的正投影位于第一阻挡层在基板的正投影之内；

对第一封装材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口的第一封装部；

采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层。

根据本申请第二方面的实施方式，采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层的步骤之前或者之后，方法还包括：

对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口内的第一发光单元和第一子电极。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第一封装部在基板的正投影位于第一阻挡层在基板的正投影之内。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用酸性刻蚀液对第一电极材料层进行刻蚀。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用碱性刻蚀液对第一发光材料层进行刻蚀。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第一阻挡层的材料包括光刻胶。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第一封装部包括位于隔离材料层远离基板一侧的第一延伸部，第一延伸部与隔离材料层间隔形成第一间隙，对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口的第一发光单元和第一子电极的步骤中，方法还包括：

对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一间隙的第一冗余单元和第一冗余电极。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第一延伸部的宽度大于或者等于3μm。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，在基板上制备隔离材料层，并对隔离材料层进行图案化处理的步骤中，方法还包括：

对隔离材料层进行图案化处理的过程中，形成与第一隔离开口相互间隔第二隔离开口。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口的第一发光单元和第一子电极的步骤之后，方法还包括：

对第二隔离开口进行冲洗。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用超声去离子水对第二隔离开口进行冲洗。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层的步骤中，方法还包括：

在干法刻蚀工艺中，隔离材料层朝向第二隔离开口的内壁形成第一毛刺区域和第二毛刺区域，第二毛刺区域位于第一毛刺区域背离基板的一侧，第一毛刺区域包括至少一个第一凸起，第二毛刺区域包括至少一个第二凸起，第一凸起的平均尺寸小于第二凸起的平均尺寸。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，形成第一发光单元之后，方法还包括：

在隔离材料层背离基板的一侧依次制备第二发光材料层、第二电极材料层和第二封装材料层；

在第二封装材料层背离基板的一侧制备第二阻挡层，第二隔离开口在基板的正投影位于第二阻挡层在基板的正投影之内；

对第二封装材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口的第二封装部；

采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层的步骤之前或者之后，步骤还包括：

对第二发光材料层和第二电极材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口的第二发光单元和第二子电极。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用酸性刻蚀液对第二电极材料层进行刻蚀。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用碱性刻蚀液对第二发光材料层进行刻蚀。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第二阻挡层的材料包括光刻胶。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第二封装部包括第二延伸部，第二延伸部在基板的正投影位于隔离材料层在基板的正投影之内，第二延伸部与隔离材料层间隔形成第二间隙，对第二发光材料层和第二电极材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口的第二发光单元和第二子电极的步骤中，方法还包括：

对第二发光材料层和第二电极材料层进行图案化处理，形成位于第二间隙的第二冗余单元和第二冗余电极。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第二延伸部的宽度大于或者等于3μm。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，在基板上制备隔离材料层，并对隔离材料层进行图案化处理的步骤中，方法还包括：

对隔离材料层进行图案化处理的过程中，形成与第一隔离开口、第二隔离开口相互间隔的第三隔离开口。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，对第二发光材料层和第二电极材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口的第二发光单元和第二子电极的步骤之后，方法还包括：

对第三隔离开口进行冲洗。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用超声去离子水对第三隔离开口进行冲洗。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层的步骤中，方法还包括：

在干法刻蚀工艺中，隔离材料层朝向第三隔离开口的内壁形成第三毛刺区域和第四毛刺区域，第四毛刺区域位于第三毛刺区域背离基板的一侧，第三毛刺区域包括至少一个第三凸起，第四毛刺区域包括至少一个第四凸起，第三凸起的平均尺寸小于第四凸起的平均尺寸。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，方法还包括：

在隔离材料层背离基板的一侧依次制备第三发光材料层、第三电极材料层和第三封装材料层；

在第三封装材料层背离基板的一侧制备第三阻挡层，第三隔离开口在基板的正投影位于第三阻挡层在基板的正投影之内；

对第三封装材料层进行图案化处理，形成位于第三隔离开口的第三封装部；

采用干法刻蚀工艺去除第三阻挡层。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用干法刻蚀工艺去除第三阻挡层的步骤之前或者之后，步骤还包括：

对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理，形成位于第三隔离开口的第三发光单元和第三子电极。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用酸性刻蚀液对第三电极材料层进行刻蚀。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，采用碱性刻蚀液对第三发光材料层进行刻蚀。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第三阻挡层的材料包括光刻胶。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第三封装部包括第三延伸部，第三延伸部在基板的正投影位于隔离材料层在基板的正投影之内，第三延伸部与隔离材料层间隔形成第三间隙，对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理，形成位于第三隔离开口的第三发光单元和第三子电极的步骤中，方法还包括：

对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理，形成位于第三间隙的第三冗余单元和第三冗余电极。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第三延伸部的宽度大于或者等于3μm

根据本申请第二方面前述任一实施方式，隔离材料层包括第一层和第二层，第二层位于第一层背离基板的一侧，第一层远离基板的一侧在基板的正投影位于第二层在基板的正投影之内。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第一层包括导电材料。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第二层包括导电材料或者绝缘材料。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，第一层和第二层均包括金属材料，且第一层和第二层的材料不同。

根据本申请第二方面前述任一实施方式，隔离结构还包括位于第一层朝向基板一侧的第三层，第一层在基板的正投影位于第三层在基板的正投影之内。

本申请第三方面的实施例提供一种显示装置，其包括上述任一实施方式的显示面板。

根据本申请实施例的显示面板，隔离结构围合形成隔离开口，当后续制备发光层和第一电极层时，发光层和第一电极层在隔离开口边缘断开，形成位于隔离开口内的发光单元和第一电极，该制备方法可以无需采用精密掩膜板，能够减少精密掩膜板的开发和使用，降低制备成本。隔离结构朝向隔离开口的内壁包括具有凸起的多个毛刺区域，一个毛刺区域内的凸起的平均尺寸小于另一个毛刺区域内的凸起的平均尺寸，即至少一个毛刺区域的凸起的平均尺寸得以增大，使得封装部与隔离结构朝向隔离开口的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的封装部和隔离结构的紧密结合性能。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是本申请实施例提供的一种显示面板的局部剖视图；

图2是另一实施例提供的显示面板的局部剖视图；

图3是又一实施例提供的显示面板的局部剖视图；

图4是再一实施例提供的显示面板的局部剖视图；

图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图；

图6至图16是本申请实施例提供的一种显示面板的制备过程图。

附图标记说明：

10、显示面板；

100、基板；

200、隔离结构；201、隔离材料层；210、第一层；220、第二层；230、第三层；240、隔离开口；241、第一隔离开口；242、第二隔离开口；243、第三隔离开口；250、毛刺区域；251、凸起；260、第一毛刺区域；261、第一凸起；270、第二毛刺区域；271、第二凸起；280、第三毛刺区域；281、第三凸起；290、第四毛刺区域；291、第四凸起；

300、发光层；310、发光单元；311、第一发光单元、312、第二发光单元；313、第三发光单元；320、冗余单元；321、第一冗余单元；322、第二冗余单元；323、第三冗余单元；

400、第一电极层；410、第一电极；411、第一子电极；412、第二子电极；413、第三子电极；420、冗余电极；421、第一冗余电极；422、第二冗余电极；423、第三冗余电极；

500、像素定义层；510、像素限定部；520、像素开口；530、第二电极；

600、第一封装层；601、封装部；602、延伸部；603、间隙；610、第一封装部；611、第一延伸部；612、第一间隙；620、第二封装部；621、第二延伸部；622、第二间隙；630、第三封装部；631、第三延伸部；632、第三间隙；640、第二封装层；650、第三封装层；

710、第一阻挡层；720、第二阻挡层；730、第三阻挡层。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请，并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法和显示装置，以下将结合附图对显示面板及其制备方法和显示装置的各实施例进行说明。

本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板可以是有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)显示面板。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种显示面板的局部剖视图。

如图1所示，本申请第一方面实施例提供一种显示面板10，显示面板10包括：基板100；隔离结构200，位于基板100上，隔离结构200围合形成多个隔离开口240；隔离结构200朝向至少一个隔离开口240的内壁具有至少两个毛刺区域250，各毛刺区域250内均设置有凸起251，至少两个毛刺区域250内，一个毛刺区域250内的凸起251的平均尺寸小于另一个毛刺区域250内的凸起251的平均尺寸。

凸起251的平均尺寸是指凸起251沿垂直于隔离结构200朝向隔离开口240的内壁的方向上的平均尺寸。

根据本申请实施例的显示面板10的制备方法，隔离结构200围合形成隔离开口240，当后续制备发光层300和第一电极层400时，发光层300和第一电极层400在隔离开口240边缘断开，形成位于隔离开口240内的发光单元310和第一电极410，该制备方法可以无需采用精密掩膜板，能够减少精密掩膜板的开发和使用，降低制备成本。隔离结构200朝向隔离开口240的内壁包括具有凸起251的多个毛刺区域250，一个毛刺区域250内的凸起251的平均尺寸小于另一个毛刺区域250内的凸起251的平均尺寸，即至少一个毛刺区域250的凸起251的平均尺寸得以增大，使得封装部601与隔离结构200朝向隔离开口240的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的封装部601和隔离结构200的紧密结合性能。

基板100的设置方式还有多种，基板100例如可以包括衬底和设置于衬底的阵列基板。或者基板100即衬底。或者基板100包括背离衬底一侧的缓冲层和支撑板等。

在一些可选的实施例中，至少两个毛刺区域250沿显示面板10厚度方向分布，远离基板100一侧的毛刺区域250的凸起251的平均尺寸大于靠近基板100一侧的毛刺区域250的凸起251的平均尺寸。

在这些可选的实施例中，远离基板100一侧的毛刺区域250的凸起251的平均尺寸更大，使得该区域的封装部601与隔离结构200的内壁接触面积增大，贴合更紧密，具有更强的封装部601和隔离结构200的紧密结合性能。

如图1所示，在一些可选的实施例中，隔离开口240包括间隔设置的第一隔离开口241和第二隔离开口242，隔离结构200朝向第二隔离开口242的内壁的凸起251的平均尺寸大于隔离结构200朝向第一隔离开口241的内壁的凸起251的平均尺寸。可选的，隔离结构200朝向第二隔离开口242的内壁具有第一毛刺区域260和第二毛刺区域270，第二毛刺区域270位于第一毛刺区域260背离基板100的一侧，第一毛刺区域260包括至少一个第一凸起261，第二毛刺区域270包括至少一个第二凸起271，第一凸起261的平均尺寸小于第二凸起271的平均尺寸。

在这些可选的实施例中，由于采用含氧等离子气体(含氧plasma)对第一阻挡层710进行剥离，含氧等离子气体会对隔离结构200朝向第二隔离开口242露出的部分内壁进行氧化，使得第二毛刺区域270的第二凸起271平均尺寸更大。第一凸起261的平均尺寸小于第二凸起271的平均尺寸，第二凸起271的平均尺寸增大，当后续采用封装部601进行封装时，封装部601与隔离结构200朝向第二隔离开口242的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的封装部601和隔离结构200的紧密结合性能。

可选的，隔离结构200朝向第一隔离开口241的内壁具有多个平均尺寸相同的凸起251，封装部601与隔离结构200朝向第一隔离开口241的内壁结合力分部均匀，提高封装部601和隔离结构200的紧密结合性能。

在一些可选的实施例中，第二凸起271的平均尺寸大于隔离结构200朝向第一隔离开口241的内壁的凸起251的平均尺寸。

在这些可选的实施例中，第二凸起271的平均尺寸大于隔离结构200朝向第一隔离开口241的内壁的凸起251的平均尺寸，第二凸起271的平均尺寸增大，当后续采用封装部601进行封装时，封装部601与隔离结构200朝向第二隔离开口242的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的封装部601和隔离结构200的紧密结合性能。

在一些可选的实施例中，隔离开口240包括与第一隔离开口241、第二隔离开口242间隔设置的第三隔离开口243，隔离结构200朝向第三隔离开口243的内壁具有第三毛刺区域280和第四毛刺区域290，第三毛刺区域280位于第四毛刺区域290背离基板100的一侧，第三毛刺区域280包括至少一个第三凸起281，第四毛刺区域290包括至少一个第四凸起291，第三凸起281的平均尺寸小于第四凸起291的平均尺寸。

在这些可选的实施例中，由于采用含氧等离子气体(含氧plasma)对第二阻挡层720进行剥离，含氧等离子气体会对隔离结构200朝向第三隔离开口243露出的部分内壁进行氧化，使得第四毛刺区域290的的第四凸起291平均尺寸更大。第三凸起281的平均尺寸小于第四凸起291的平均尺寸，第四凸起291的平均尺寸增大，当后续采用封装部601进行封装时，封装部601与隔离结构200朝向第三隔离开口243的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的封装部601和隔离结构200的紧密结合性能。

在一些可选的实施例中，第四凸起291的平均尺寸大于第二凸起271的平均尺寸。

在这些可选的实施例中，第四凸起291的平均尺寸大于第二凸起271的平均尺寸，第四凸起291的平均尺寸增大，当后续采用封装部601进行封装时，封装部601与隔离结构200朝向第三隔离开口243的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的封装部601和隔离结构200的紧密结合性能。

可选的，显示面板10还包括：发光层300，位于基板100上，发光层300包括多个发光单元310，发光单元310位于隔离开口240内，发光单元310用于实现显示面板10的发光显示；第一电极层400，位于发光层300背离基板100的一侧，并包括位于隔离开口240的第一电极410，第一电极410与隔离结构200电连接，第一电极410通过隔离结构200相互电连接形成整面电极。

可选的，发光单元310在基板100的正投影位于第二电极530在基板100的正投影之内，即第二电极530覆盖发光单元310设置，以作为发光单元310的电极，保证发光单元310的正常发光，提高显示面板10的显示效果。

可选的，发光单元310与隔离结构200间隔设置，是指发光单元310和隔离结构200间隔并存在一定间距，且发光单元310和隔离结构200之间填充第一电极410，以避免发光单元310与隔离结构200直接接触，且各发光单元310之间相互间隔，减少载流子在各发光单元310之间的串扰，改善发光单元310的串色问题。

在一些可选的实施例中，显示面板10还包括：像素定义层500，位于基板100上，像素定义层500包括像素限定部510和由像素限定部510围合形成的像素开口520，用于定义显示面板10的发光区域，像素开口520和隔离开口240连通，减少隔离结构200对像素开口520的遮挡，保证显示面板10的发光效果。

可选的，隔离结构200位于像素限定部510背离基板100的一侧，使得隔离结构200与像素开口520之间具有较大段差，在制备发光单元310和第一电极410时，发光单元310和第一电极410在隔离结构200边缘更容易断开，便于发光单元310和第一电极410的制备。

在一些可选的实施例中，显示面板10还包括第二电极530，第二电极530位于基板100与像素定义层500之间，第二电极530由像素开口520露出，第二电极530由隔离开口240露出，以作为发光单元310的发光电极。第一电极410和第二电极530中的一者作为发光单元310的阳极，另一者作为发光单元310的阴极。本申请实施例以第二电极530作为发光单元310的阳极，第一电极410作为发光单元310的阴极进行举例说明。

可选的，显示面板10还包括：第一封装层600，位于第二电极530背离基板100的一侧，第一封装层600包括多个间隔设置的封装部601，封装部601的至少部分位于隔离开口240内，实现对第一电极410和发光单元310的封装。

请参阅图2，图2是另一实施例提供的显示面板的局部剖视图。

如图2所示，在一些可选的实施例中，封装部601包括延伸部602，延伸部602在基板100的正投影位于隔离结构200在基板100的正投影之内，延伸部602与隔离结构200间隔形成间隙603。

可选的，发光层300还包括位于间隙603内的冗余单元320。

可选的，第一电极层400还包括位于间隙603内的冗余电极420。

在这些可选的实施例中，当对发光层300和第一电极层400进行图案化时，保留发光层300和第一电极层400位于间隙603的部分，形成位于间隙603的冗余单元320和冗余电极420，冗余单元320和冗余电极420填充于间隙603内，以对延伸部602进行支撑，提高延伸部602的结构稳定性，还能够对延伸部602朝向间隙603的内壁进行覆盖保护，避免后续湿制程对延伸部602的损伤。

在一些可选的实施例中，延伸部602的宽度大于或者等于3μm。延伸部602的宽度是指隔离材料层201靠近隔离开口240的边缘与延伸部602的边缘之间的距离。例如，延伸部602的宽度为3μm、4μm、5μm或者6μm等。

在这些可选的实施例中，延伸部602的宽度大于或者等于3μm，能够改善因延伸部602的宽度过小，导致水氧入侵路径过短，发光单元310和第一电极410容易发生水氧腐蚀的问题。还能够改善因延伸部602的宽度过小，导致位于间隙603的冗余单元320和冗余电极420的面积较小，容易在后续制程中被刻蚀掉，使得延伸部602朝向间隙603的内壁裸露，容易受到刻蚀损伤，封装性能下降的问题。

在一些可选的实施例中，第一封装层600的材料包括无机材料。

在这些可选的实施例中，第一封装层600包括无机材料，无机材料致密性较好，对水汽、氧气的阻隔性较好。

请参阅图3，图3是又一实施例提供的显示面板的局部剖视图。

如图3所示，可选的，显示面板10还包括：第二封装层640，位于第一封装层600背离基板100的一侧；第三封装层650，位于第二封装层640背离基板100的一侧。显示面板10采用三层封装，具有较好的封装性能，降低水氧入侵的可能。

可选的，第二封装层640的材料包括有机材料。

可选的，第三封装层650的材料包括无机材料。第一封装层600、第二封装层640和第三封装层650分别采用无机材料、有机材料和无机材料进行封装，形成TFE(Thin FilmEncapsulation，TFE)薄膜封装结构，进一步提高封装性能。

在一些可选的实施例中，隔离结构200包括第一层210和位于第一层210背离基板100一侧的第二层220，第一层210远离基板100的一侧在基板100的正投影位于第二层220在基板100的正投影之内。

在这些可选的实施例中，第一层210和第二层220层叠设置形成隔离结构200，靠近基板100设置的第一层210远离基板100的一侧在基板100的正投影位于第二层220在基板100的正投影之内，第二层220的正投影面积大于第一层210远离基板100的一侧的正投影面积，第二层220覆盖第一层210的靠近第二层220的表面，此时第一层210相对于第二层220朝向远离隔离开口240的方向凹陷。当制备发光层300，发光层300在隔离结构200边缘产生较大落差，且第一层210相对于第二层220内凹设置，发光层300在隔离结构200边缘难以连接，从而发生断裂，发光层300断裂形成相互断开的发光单元310。本申请的所有实施例不要求隔离结构200为倒梯形结构或者两层结构，能够实现发光层300隔断效果的结构即可。

在一些可选的实施例中，毛刺区域250位于第一层210朝向隔离开口240的内壁。

可选的，第一层210包括导电材料，例如第一层210包括非金属导电材料或者金属导电材料，以实现隔离结构200和第二电极530的电连接。

在一些可选的实施例中，第二层220包括导电材料或者绝缘材料，其中，绝缘材料可以为氮化硅或者氧化硅中的至少一种。

在这些可选的实施例中，第二层220包括导电材料，例如第二层220包括非金属导电材料或者金属导电材料。当第二层220为非金属导电材料或者绝缘材料时，采用刻蚀液对第一层210进行湿刻的过程中，第二层220难以被刻蚀，从而使得第一层210更容易实现相对于第二层220内凹设置。

在一些可选的实施例中，第一层210和第二层220包括金属材料，且第一层210和第二层220的材料不同。

在这些可选的实施例中，当第一层210和第二层220均为金属材料时，可采用刻蚀液对第一层210进行湿刻，通过对刻蚀液的设置，能够令第二层220的刻蚀速率小于第一层210的刻蚀速率。由于第一层210的刻蚀速率较大，采用刻蚀液进行湿刻时，即使第二层220会受到一定的刻蚀，但第一层210刻蚀的更快，从而使得第一层210相对于第二层220内凹设置。

请参阅图4，图4是再一实施例提供的显示面板的局部剖视图。

如图4所示，在一些可选的实施例中，隔离结构200还包括位于第一层210朝向基板100一侧的第三层230，第一层210在基板100的正投影位于第三层230在基板100的正投影之内。

在这些可选的实施例中，设置第三层230后，第一层210能够较好的附着在第三层230之上，产生的刻蚀废料落在第三层230，便于清理。

可选的，第二层220材料为钛(Ti)或者钼(Mo)，第一层210材料为铝(Al)、银(Ag)或者铜(Cu)，第三层230材料为钛(Ti)或者钼(Mo)，例如，隔离结构200为Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)或者Ti/Al/Mo(钛/铝/钼)三层金属复合材料。

专利CN118251982A、202410864269.8、PCT/CN2024/098407、PCT/CN2024/102783、PCT/CN2024/098217、PCT/CN2024/099419、PCT/CN2024/099072、CN117979755A、CN117998900A、CN117062489A、CN117580403A、CN116583155A、CN116669477A、CN117396039A、CN116669480A、CN116600606A、CN117500332A记载了隔离结构200(或称隔断结构或隔离柱)的相关内容，以供参考。

可选的，发光层300包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、发光材料层、空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。

请一并参阅图5和图16，图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图；图6至图16是本申请实施例提供的一种显示面板的制备过程图；

如图5至图16所示，本申请第二方面实施例提供一种显示面板的制备方法，方法包括：

步骤S01：在基板上制备隔离材料层，并对隔离材料层进行图案化处理，形成第一隔离开口；

步骤S02：在隔离材料层背离基板的一侧依次制备第一发光材料层、第一电极材料层和第一封装材料层；

步骤S03：在第一封装材料层背离基板的一侧制备第一阻挡层，第一隔离开口在基板的正投影位于第一阻挡层在基板的正投影之内；

步骤S04：对第一封装材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口的第一封装部；

步骤S05：采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层。

根据本申请实施例的显示面板10的制备方法，隔离材料层201图案化形成第一隔离开口241，当后续制备第一发光材料层和第一子电极411材料层时，第一发光材料层和第一子电极411材料层在第一隔离开口241边缘断开，形成位于第一隔离开口241内的第一发光单元311和第一子电极411，该制备方法可以无需采用精密掩膜板，能够减少精密掩膜板的开发和使用，降低制备成本。在第一封装层600上设置第一阻挡层710，第一阻挡层710作为第一封装材料层的掩膜版，以对第一隔离开口241处的第一封装材料层进行刻蚀阻挡，从而能够刻蚀去除其他区域的第一封装材料层，保留位于第一阻挡层710覆盖的第一封装材料层，形成位于第一隔离开口241内的第一封装部610。采用干法刻蚀对第一阻挡层710进行剥离，能够避免采用湿法刻蚀时，湿法刻蚀对第一封装部610位于隔离材料层201背离基一侧的部分具有较强的不良影响，容易导致第一封装部610位于隔离材料层201背离基一侧的部分发生翘起或者膜层脱落等现象，第一封装部610的封装性能下降的问题，从而提高显示面板10的使用性能。

可选的，采用含氧等离子气体(含氧plasma)对第一阻挡层710进行剥离，以去除第一阻挡层710。

如图10所示，在一些可选的实施例中，采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层710的步骤之前或者之后，方法还包括：

对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口241内的第一发光单元311和第一子电极411。

在这些可选的实施例中，在形成第一封装部610之后，对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，例如，采用酸性刻蚀液对第一电极材料层进行刻蚀，采用碱性刻蚀液对第一发光材料层进行刻蚀。对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理的步骤可以位于采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层710的步骤之前或者之后。当对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理的步骤位于采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层710的步骤之后时，在对第一发光材料层和第一电极材料层进行湿刻时，第一阻挡层710还能够对第一封装部610进行保护，以减小酸性刻蚀液和碱性刻蚀液对第一封装部610的影响，保证第一封装部610的封装性能。

如图8所示，可选的，第一封装部610在基板100的正投影位于第一阻挡层710在基板100的正投影之内，当形成第一封装部610后，第一封装部610被第一阻挡层710所覆盖，当对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理的步骤位于采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层710的步骤之后时，在对第一发光材料层和第一电极材料层进行湿刻时，第一阻挡层710还能够对第一封装部610进行保护，以减小酸性刻蚀液和碱性刻蚀液对第一封装部610的影响，保证第一封装部610的封装性能。

可选的，第一阻挡层710的材料包括光刻胶，光刻胶容易制备且具有较好的刻蚀阻挡效果。

如图11所示，在一些可选的实施例中，第一封装部610包括位于隔离材料层201远离基板100一侧的第一延伸部611，第一延伸部611与隔离材料层201间隔形成第一间隙612，对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口241的第一发光单元311和第一子电极411的步骤中，方法还包括：

对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一间隙612的第一冗余单元321和第一冗余电极421。

在这些可选的实施例中，第一封装部610延伸至隔离材料层201背离基板100的一侧形成第一延伸部611，第一延伸部611与隔离材料层201之间间隔形成第一间隙612，当对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化时，保留第一发光材料层和第一电极材料层位于第一间隙612的部分，形成位于第一间隙612的第一冗余单元321和第一冗余电极421，第一冗余单元321和第一冗余电极421填充于第一间隙612内，以对第一延伸部611进行支撑，提高第一延伸部611的结构稳定性，还能够对第一延伸部611朝向第一间隙612的内壁进行覆盖保护，避免后续湿制程对第一延伸部611的损伤。

如图3和10所示，可选的，在对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一间隙612的第一冗余单元321和第一冗余电极421的步骤之后，方法还包括：

去除位于第一间隙612的第一冗余单元321和第一冗余电极421。

在这些可选的实施例中，为了增大后续第二封装层640与隔离结构200的接触面积，提高第二封装层640与隔离结构200的粘附力，可以将第一间隙612内的第一冗余单元321和第一冗余电极421进行去除，使得第二封装层640能够填充于第一间隙612内。当保留第一冗余单元321和第一冗余电极421时，能够省略上述步骤，简化制备流程。

在一些可选的实施例中，第一延伸部611的宽度大于或者等于3μm。第一延伸部611的宽度是指隔离材料层201靠近第一隔离开口241的边缘与第一延伸部611的边缘之间的距离。例如，第一延伸部611的宽度为3μm、4μm、5μm或者6μm等。

在这些可选的实施例中，第一延伸部611的宽度大于或者等于3μm，能够改善因第一延伸部611的宽度过小，导致水氧入侵路径过短，第一发光单元311和第一子电极411容易发生水氧腐蚀的问题。还能够改善因第一延伸部611的宽度过小，导致位于第一间隙612的第一冗余单元321和第一冗余电极421的面积较小，容易在后续制程中被刻蚀掉，使得第一延伸部611朝向第一间隙612的内壁裸露，容易受到刻蚀损伤，封装性能下降的问题。

在一些可选的实施例中，在基板100上制备隔离材料层201，并对隔离材料层201进行图案化处理的步骤中，方法还包括：

对隔离材料层201进行图案化处理的过程中，形成与第一隔离开口241相互间隔的第二隔离开口242。

在这些可选的实施例中，第一隔离开口241和第二隔离开口242同步形成，制备第一发光材料层和第一电极材料层时，第一发光材料层和第一电极材料层沉积至第二隔离开口242，当对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化时，将位于第二隔离开口242内的部分进行去除，从而保留第一隔离开口241内的第一发光单元311和第一子电极411。可选的，第一隔离开口241和第二隔离开口242分步制备得到，例如，当制备完第一发光单元311、第一子电极411和第一封装部610后，在对隔离材料层201进行刻蚀形成第二隔离开口242。

在一些可选的实施例中，对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理，形成位于第一隔离开口241的第一发光单元311和第一子电极411的步骤之后，方法还包括：

对第二隔离开口242进行冲洗。

在这些可选的实施例中，在对第一发光材料层和第一电极材料层进行图案化处理的过程中，先对第一电极材料层采用酸性刻蚀液进行刻蚀，再对第一发光材料层进行碱性刻蚀液进行刻蚀后，第二隔离开口242内会有碱性刻蚀液残留。对第二隔离开口242进行冲洗，能够将第二隔离开口242内残留的碱性刻蚀液进行冲洗去除，从而避免残留的碱性刻蚀液对隔离材料层201朝向第二隔离开口242的侧壁造成损伤，导致隔离材料层201的侧壁出现缝隙或空洞的问题。还能够避免残留的碱性刻蚀液对后续制备第二隔离开口242内的第二发光单元312的腐蚀的问题。

可选的，采用超声去离子水对第二隔离开口242进行冲洗。

如图9所示，在一些可选的实施例中，采用干法刻蚀工艺去除第一阻挡层710的步骤中，方法还包括：

在干法刻蚀工艺中，隔离材料层201朝向第二隔离开口242的内壁形成第一毛刺区域260和第二毛刺区域270，第二毛刺区域270位于第一毛刺区域260背离基板100的一侧，第一毛刺区域260包括至少一个第一凸起261，第二毛刺区域270包括至少一个第二凸起271，第一凸起261的平均尺寸小于第二凸起271的平均尺寸。

第一凸起261的平均尺寸是指第一凸起261沿垂直于隔离材料层201朝向第二隔离开口242的内壁的方向上的平均尺寸，第二凸起271的平均尺寸是指第二凸起271沿垂直于隔离材料层201朝向第二隔离开口242的内壁的方向上的平均尺寸。

在这些可选的实施例中，由于采用含氧等离子气体(含氧plasma)对第一阻挡层710进行剥离，含氧等离子气体会对隔离材料层201朝向第二隔离开口242露出的部分内壁进行氧化，使得第二毛刺区域270的的第二凸起271平均尺寸更大。而隔离材料层201朝向第二隔离开口242的另一部分内壁被第一发光材料层和第一电极材料层覆盖，被第一发光材料层和第一电极材料层覆盖的内壁不会被含氧等离子气体氧化，因此使得第一凸起261的平均尺寸小于第二凸起271的平均尺寸，第二凸起271的平均尺寸增大，当后续采用第二封装部620进行封装时，第二封装部620与隔离材料层201朝向第二隔离开口242的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的第二封装部620和隔离材料层201的紧密结合性能。

如图12至图14所示，在一些可选的实施例中，形成第一发光单元311之后，方法还包括：

在隔离材料层201背离基板100的一侧依次制备第二发光材料层、第二电极530材料层和第二封装材料层；

在第二封装材料层背离基板100的一侧制备第二阻挡层720，第二隔离开口242在基板100的正投影位于第二阻挡层720在基板100的正投影之内；

对第二封装材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口242的第二封装部620；

采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层720。

在这些可选的实施例中，在第二封装层640上设置第二阻挡层720，第二阻挡层720作为第二封装材料层的掩膜版，以对第二隔离开口242处的第二封装材料层进行刻蚀阻挡，从而能够刻蚀去除其他区域的第二封装材料层，保留位于第二阻挡层720覆盖的第二封装材料层，形成位于第二隔离开口242内的第二封装部620。采用干法刻蚀对第二阻挡层720进行剥离，能够避免采用湿法刻蚀时，湿法刻蚀对第二封装部620位于隔离材料层201背离基一侧的部分具有较强的不良影响，容易导致第二封装部620位于隔离材料层201背离基一侧的部分发生翘起或者膜层脱落等现象，第二封装部620的封装性能下降的问题，从而提高显示面板10的使用性能。

可选的，采用含氧等离子气体(含氧plasma)对第二阻挡层720进行剥离，以去除第二阻挡层720。

如图13和图14所示，在一些可选的实施例中，采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层720的步骤之前或者之后，步骤还包括：

对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口242的第二发光单元312和第二子电极412。

在这些可选的实施例中，在形成第二封装部620之后，对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理，例如，采用酸性刻蚀液对第二电极530材料层进行刻蚀，采用碱性刻蚀液对第二发光材料层进行刻蚀。对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理的步骤可以位于采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层720的步骤之前或者之后。当对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理的步骤位于采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层720的步骤之后时，在对第二发光材料层和第二电极530材料层进行湿刻时，第二阻挡层720还能够对第二封装部620进行保护，以减小酸性刻蚀液和碱性刻蚀液对第二封装部620的影响，保证第二封装部620的封装性能。

可选的，第二封装部620在基板100的正投影位于第二阻挡层720在基板100的正投影之内，当形成第二封装部620后，第二封装部620被第二阻挡层720所覆盖，当对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理的步骤位于采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层720的步骤之后时，在对第二发光材料层和第二电极530材料层进行湿刻时，第二阻挡层720还能够对第二封装部620进行保护，以减小酸性刻蚀液和碱性刻蚀液对第二封装部620的影响，保证第二封装部620的封装性能。

可选的，第二阻挡层720的材料包括光刻胶，光刻胶容易制备且具有较好的刻蚀阻挡效果。

如图14所示，在一些可选的实施例中，第二封装部620包括第二延伸部621，第二延伸部621在基板100的正投影位于隔离材料层201在基板100的正投影之内，第二延伸部621与隔离材料层201间隔形成第二间隙622，对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口242的第二发光单元312和第二子电极412的步骤中，方法还包括：

对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理，形成位于第二间隙622的第二冗余单元322和第二冗余电极422。

在这些可选的实施例中，第二封装部620延伸至隔离材料层201背离基板100的一侧形成第二延伸部621，第二延伸部621与隔离材料层201之间间隔形成第二间隙622，当对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化时，保留第二发光材料层和第二电极530材料层位于第二间隙622的部分，形成位于第二间隙622的第二冗余单元322和第二冗余电极422，第二冗余单元322和第二冗余电极422填充于第二间隙622内，以对第二延伸部621进行支撑，提高第二延伸部621的结构稳定性，还能够对第二延伸部621朝向第二间隙622的内壁进行覆盖保护，避免后续湿制程对第二延伸部621的损伤。

在一些可选的实施例中，第二延伸部621的宽度大于或者等于3μm。第二延伸部621的宽度是指隔离材料层201靠近第二隔离开口242的边缘与第二延伸部621的边缘之间的距离。例如，第二延伸部621的宽度为3μm、4μm、5μm或者6μm等。

在这些可选的实施例中，第二延伸部621的宽度大于或者等于3μm，能够改善因第二延伸部621的宽度过小，导致水氧入侵路径过短，第二发光单元312和第二子电极412容易发生水氧腐蚀的问题。还能够改善因第二延伸部621的宽度过小，导致位于第二间隙622的第二冗余单元322和第二冗余电极422的面积较小，容易在后续制程中被刻蚀掉，使得第二延伸部621朝向第二间隙622的内壁裸露，容易受到刻蚀损伤，封装性能下降的问题。

在一些可选的实施例中，在基板100上制备隔离材料层201，并对隔离材料层201进行图案化处理的步骤中，方法还包括：

对隔离材料层201进行图案化处理的过程中，形成相互间隔的第一隔离开口241、第二隔离开口242相互间隔的第三隔离开口243。

在这些可选的实施例中，第一隔离开口241、第二隔离开口242和第三隔离开口243同步形成，制备第二发光材料层和第二电极530材料层时，第二发光材料层和第二电极530材料层沉积至第三隔离开口243，当对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化时，将位于第三隔离开口243内的部分进行去除，从而保留第二隔离开口242内的第二发光单元312和第二子电极412。

在一些可选的实施例中，对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理，形成位于第二隔离开口242的第二发光单元312和第二子电极412的步骤之后，方法还包括：

对第三隔离开口243进行冲洗。

在这些可选的实施例中，在对第二发光材料层和第二电极530材料层进行图案化处理的过程中，先对第二电极530材料层采用酸性刻蚀液进行刻蚀，再对第二发光材料层进行碱性刻蚀液进行刻蚀后，第三隔离开口243内会有碱性刻蚀液残留。对第三隔离开口243进行冲洗，能够将第三隔离开口243内残留的碱性刻蚀液进行冲洗去除，从而避免残留的碱性刻蚀液对隔离材料层201朝向第三隔离开口243的侧壁造成损伤，导致隔离材料层201的侧壁出现缝隙或空洞的问题。还能够避免残留的碱性刻蚀液对后续制备第三隔离开口243内的第三发光单元313的腐蚀的问题。

可选的，采用超声去离子水对第三隔离开口243进行冲洗。

如图14所示，在一些可选的实施例中，采用干法刻蚀工艺去除第二阻挡层720的步骤中，方法还包括：

在干法刻蚀工艺中，隔离材料层201朝向第三隔离开口243的内壁形成第三毛刺区域280和第四毛刺区域290，第四毛刺区域290位于第三毛刺区域280背离基板100的一侧，第三毛刺区域280包括至少一个第三凸起281，第四毛刺区域290包括至少一个第四凸起291，第三凸起281的平均尺寸小于第四凸起291的平均尺寸。

第三凸起281的平均尺寸是指第三凸起281沿垂直于隔离材料层201朝向第三隔离开口243的内壁的方向上的平均尺寸，第四凸起291的平均尺寸是指第四凸起291沿垂直于隔离材料层201朝向第三隔离开口243的内壁的方向上的平均尺寸，

在这些可选的实施例中，由于采用含氧等离子气体(含氧plasma)对第二阻挡层720进行剥离，含氧等离子气体会对隔离材料层201朝向第三隔离开口243露出的部分内壁进行氧化，使得第四毛刺区域290的的第四凸起291平均尺寸更大。而隔离材料层201朝向第三隔离开口243的另一部分内壁被第二发光材料层和第二电极530材料层覆盖，被第二发光材料层和第二电极530材料层覆盖的内壁不会被含氧等离子气体氧化，因此使得第三凸起281的平均尺寸小于第四凸起291的平均尺寸，第四凸起291的平均尺寸增大，当后续采用第三封装部630进行封装时，第三封装部630与隔离材料层201朝向第三隔离开口243的内壁接触面积增大，贴合更紧密，实现更强的第三封装部630和隔离材料层201的紧密结合性能。

如图15和图16所示，在一些可选的实施例中，方法还包括：

在隔离材料层201背离基板100的一侧依次制备第三发光材料层、第三电极材料层和第三封装材料层；

在第三封装材料层背离基板100的一侧制备第三阻挡层730，第三隔离开口243在基板100的正投影位于第三阻挡层730在基板100的正投影之内；

对第三封装材料层进行图案化处理，形成位于第三隔离开口243的第三封装部630；

采用干法刻蚀工艺去除第三阻挡层730。

在这些可选的实施例中，在第三封装层650上设置第三阻挡层730，第三阻挡层730作为第三封装材料层的掩膜版，以对第三隔离开口243处的第三封装材料层进行刻蚀阻挡，从而能够刻蚀去除其他区域的第三封装材料层，保留位于第三阻挡层730覆盖的第三封装材料层，形成位于第三隔离开口243内的第三封装部630。采用干法刻蚀对第三阻挡层730进行剥离，能够避免采用湿法刻蚀时，湿法刻蚀对第三封装部630位于隔离材料层201背离基一侧的部分具有较强的不良影响，容易导致第三封装部630位于隔离材料层201背离基一侧的部分发生翘起或者膜层脱落等现象，第三封装部630的封装性能下降的问题，从而提高显示面板10的使用性能。

可选的，采用含氧等离子气体(含氧plasma)对第三阻挡层730进行剥离，以去除第三阻挡层730。

在一些可选的实施例中，采用干法刻蚀工艺去除第三阻挡层730的步骤之前或者之后，步骤还包括：

对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理，形成位于第三隔离开口243的第三发光单元313和第三子电极413。

在这些可选的实施例中，在形成第三封装部630之后，对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理，例如，采用酸性刻蚀液对第三电极材料层进行刻蚀，采用碱性刻蚀液对第三发光材料层进行刻蚀。对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理的步骤可以位于采用干法刻蚀工艺去除第三阻挡层730的步骤之前或者之后。当对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理的步骤位于采用干法刻蚀工艺去除第三阻挡层730的步骤之后时，在对第三发光材料层和第三电极材料层进行湿刻时，第三阻挡层730还能够对第三封装部630进行保护，以减小酸性刻蚀液和碱性刻蚀液对第三封装部630的影响，保证第三封装部630的封装性能。

可选的，第三封装部630在基板100的正投影位于第三阻挡层730在基板100的正投影之内，当形成第三封装部630后，第三封装部630被第三阻挡层730所覆盖，当对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理的步骤位于采用干法刻蚀工艺去除第三阻挡层730的步骤之后时，在对第三发光材料层和第三电极材料层进行湿刻时，第三阻挡层730还能够对第三封装部630进行保护，以减小酸性刻蚀液和碱性刻蚀液对第三封装部630的影响，保证第三封装部630的封装性能。

可选的，第三阻挡层730的材料包括光刻胶，光刻胶容易制备且具有较好的刻蚀阻挡效果。

在一些可选的实施例中，第三封装部630包括第三延伸部631，第三延伸部631在基板100的正投影位于隔离材料层201在基板100的正投影之内，第三延伸部631与隔离材料层201间隔形成第三间隙632，对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理，形成位于第三隔离开口243的第三发光单元313和第三子电极413的步骤中，方法还包括：

对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化处理，形成位于第三间隙632的第三冗余单元323和第三冗余电极423。

在这些可选的实施例中，第三封装部630延伸至隔离材料层201背离基板100的一侧形成第三延伸部631，第三延伸部631与隔离材料层201之间间隔形成第三间隙632，当对第三发光材料层和第三电极材料层进行图案化时，保留第三发光材料层和第三电极材料层位于第三间隙632的部分，形成位于第三间隙632的第三冗余单元323和第三冗余电极423，第三冗余单元323和第三冗余电极423填充于第三间隙632内，以对第三延伸部631进行支撑，提高第三延伸部631的结构稳定性，还能够对第三延伸部631朝向第三间隙632的内壁进行覆盖保护，避免后续湿制程对第三延伸部631的损伤。

在一些可选的实施例中，第三延伸部631的宽度大于或者等于3μm。第三延伸部631的宽度是指隔离材料层201靠近第三隔离开口243的边缘与第三延伸部631的边缘之间的距离。例如，第三延伸部631的宽度为3μm、4μm、5μm或者6μm等。

在这些可选的实施例中，第三延伸部631的宽度大于或者等于3μm，能够改善因第三延伸部631的宽度过小，导致水氧入侵路径过短，第三发光单元313和第三子电极413容易发生水氧腐蚀的问题。还能够改善因第三延伸部631的宽度过小，导致位于第三间隙632的第三冗余单元323和第三冗余电极423的面积较小，容易在后续制程中被刻蚀掉，使得第三延伸部631朝向第三间隙632的内壁裸露，容易受到刻蚀损伤，封装性能下降的问题。

在一些可选的实施例中，隔离材料层201包括第一层210和位于第一层210背离基板100一侧的第二层220，第一层210远离基板100的一侧在基板100的正投影位于第二层220在基板100的正投影之内。

在这些可选的实施例中，第一层210和第二层220层叠设置形成隔离材料层201，靠近基板100设置的第一层210远离基板100的一侧在基板100的正投影位于第二层220在基板100的正投影之内，第二层220的正投影面积大于第一层210远离基板100的一侧的正投影面积，第二层220覆盖第一层210的靠近第二层220的表面，此时第一层210相对于第二层220朝向远离隔离开口240的方向凹陷。当制备发光层300，发光层300在隔离材料层201边缘产生较大落差，且第一层210相对于第二层220内凹设置，发光层300在隔离材料层201边缘难以连接，从而发生断裂，发光层300断裂形成相互断开的发光单元310。本申请的所有实施例不要求隔离材料层201为倒梯形结构或者两层结构，能够实现发光层300隔断效果的结构即可。

可选的，第一层210包括导电材料，例如第一层210包括非金属导电材料或者金属导电材料，以实现隔离材料层201和第二电极530的电连接。

在一些可选的实施例中，第二层220包括导电材料或者绝缘材料，其中，绝缘材料可以为氮化硅或者氧化硅中的至少一种。

在这些可选的实施例中，第二层220包括导电材料，例如第二层220包括非金属导电材料或者金属导电材料。当第二层220为非金属导电材料或者绝缘材料时，采用刻蚀液对第一层210进行湿刻的过程中，第二层220难以被刻蚀，从而使得第一层210更容易实现相对于第二层220内凹设置。

在一些可选的实施例中，第一层210和第二层220包括金属材料，且第一层210和第二层220的材料不同。

在这些可选的实施例中，当第一层210和第二层220均为金属材料时，可采用刻蚀液对第一层210进行湿刻，通过对刻蚀液的设置，能够令第二层220的刻蚀速率小于第一层210的刻蚀速率。由于第一层210的刻蚀速率较大，采用刻蚀液进行湿刻时，即使第二层220会受到一定的刻蚀，但第一层210刻蚀的更快，从而使得第一层210相对于第二层220内凹设置。

在一些可选的实施例中，隔离材料层201还包括位于第一层210朝向基板100一侧的第三层230，第一层210在基板100的正投影位于第三层230在基板100的正投影之内。

在这些可选的实施例中，设置第三层230后，第一层210能够较好的附着在第三层230之上，产生的刻蚀废料落在第三层230，便于清理。

可选的，第二层220材料为钛(Ti)或者钼(Mo)，第一层210材料为铝(Al)、银(Ag)或者铜(Cu)，第三层230材料为钛(Ti)或者钼(Mo)，例如，隔离材料层201为Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)或者Ti/Al/Mo(钛/铝/钼)三层金属复合材料。

对于本实施例中的结构设计，可应用至其他显示面板10中，具体可依据实际情况进行选择，本申请不对其进行具体限制。

本申请第三方面的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例的显示面板10。由于本申请第三方面实施例提供的显示装置包括上述任一实施例的显示面板10，因此本申请第三方面实施例提供的显示装置具有上述任一实施例的显示面板10具有的有益效果，在此不再赘述。

本申请实施例中的显示装置包括但不限于手机、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，简称：PDA)、平板电脑、电子书、电视机、门禁、智能固定电话、控制台等具有显示功能的设备。

依照本申请如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本申请的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本申请以及在本申请基础上的修改使用。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

基板；

隔离结构，位于所述基板上，所述隔离结构围合形成多个隔离开口；

所述隔离结构朝向至少一个所述隔离开口的内壁具有至少两个毛刺区域，各所述毛刺区域内均设置有凸起，至少两个所述毛刺区域内，一个所述毛刺区域内的平均凸起尺寸小于另一个所述毛刺区域内的平均凸起尺寸。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少两个所述毛刺区域沿所述显示面板厚度方向分布，远离所述基板一侧的所述毛刺区域的平均凸起尺寸大于靠近所述基板一侧的所述毛刺区域的平均凸起尺寸。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离开口包括间隔设置的第一隔离开口和第二隔离开口，所述隔离结构朝向所述第二隔离开口的内壁的所述凸起的平均尺寸大于所述隔离结构朝向所述第一隔离开口的内壁的所述凸起的平均尺寸；

优选的，所述隔离结构朝向所述第二隔离开口的内壁具有第一毛刺区域和第二毛刺区域，所述第二毛刺区域位于所述第一毛刺区域背离所述基板的一侧，所述第一毛刺区域包括至少一个第一凸起，所述第二毛刺区域包括至少一个第二凸起，所述第一凸起的平均尺寸小于所述第二凸起的平均尺寸；

所述隔离结构朝向所述第一隔离开口的内壁具有多个尺寸均一的凸起；

所述第二凸起的平均尺寸大于所述隔离结构朝向所述第一隔离开口的内壁的所述凸起的平均尺寸；

优选的，所述隔离开口包括与所述第一隔离开口、所述第二隔离开口间隔设置的第三隔离开口，所述隔离结构朝向所述第三隔离开口的内壁具有第三毛刺区域和第四毛刺区域，所述第三毛刺区域位于所述第四毛刺区域背离所述基板的一侧，所述第三毛刺区域包括至少一个第三凸起，所述第四毛刺区域包括至少一个第四凸起，所述第三凸起的平均尺寸小于所述第四凸起的平均尺寸；

优选的，所述第四凸起的平均尺寸大于所述第二凸起的平均尺寸。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

发光层，位于所述基板上，所述发光层包括多个发光单元，所述发光单元位于所述隔离开口内；

第一电极层，位于所述发光层背离所述基板的一侧，并包括位于所述隔离开口的第一电极，所述第一电极与所述隔离结构电连接；

优选的，所述发光单元在所述基板的正投影位于所述第一电极在所述基板的正投影之内；

优选的，所述发光单元与所述隔离结构间隔设置；

优选的，所述显示面板还包括：

像素定义层，位于所述基板上，所述像素定义层包括像素限定部和由所述像素限定部围合形成的像素开口，所述像素开口和所述隔离开口连通；

优选的，所述显示面板还包括第二电极，所述第二电极位于所述基板与所述像素定义层之间，所述第二电极由所述像素开口露出；

优选的，所述显示面板还包括：第一封装层，位于所述第二电极背离所述基板的一侧，所述第一封装层包括多个间隔设置的封装部；

优选的，所述封装部包括延伸部，所述延伸部在所述基板的正投影位于所述隔离结构在所述基板的正投影之内，所述延伸部与所述隔离结构间隔形成间隙；

优选的，所述发光层还包括位于所述间隙内的冗余单元；

优选的，所述第一电极层还包括位于所述间隙内的冗余电极；

优选的，所述延伸部的宽度大于或者等于3μm；

优选的，所述第一封装层为无机层；

优选的，所述显示面板还包括：第二封装层，位于所述第一封装层远离所述基板的一侧；

优选的，所述显示面板还包括：第三封装层，位于所述第二封装层远离所述基板的一侧；

优选的，所述第二封装层为有机层，和/或，所述第三封装层为无机层。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构包括第一层和第二层，所述第二层位于所述第一层背离所述基板的一侧，所述第一层在所述基板的正投影位于所述第二层在所述基板的正投影之内；

优选的，所述毛刺区域位于所述第一层朝向所述隔离开口的内壁；

优选的，所述第一层包括导电材料；

优选的，所述第二层包括导电材料或者绝缘材料；

优选的，所述第一层和所述第二层均包括金属材料，且所述第一层和所述第二层的材料不同；

优选的，所述隔离结构还包括位于所述第一层朝向所述基板一侧的第三层，所述第一层在所述基板的正投影位于所述第三层在所述基板的正投影之内。

6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上制备隔离材料层，并对所述隔离材料层进行图案化处理，形成第一隔离开口；

在所述隔离材料层背离所述基板的一侧依次制备第一发光材料层、第一电极材料层和第一封装材料层；

在所述第一封装材料层背离所述基板的一侧制备第一阻挡层，所述第一隔离开口在所述基板的正投影位于所述第一阻挡层在所述基板的正投影之内；

对所述第一封装材料层进行图案化处理，形成位于所述第一隔离开口的第一封装部；

采用干法刻蚀工艺去除所述第一阻挡层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一阻挡层的步骤之前或者之后，所述方法还包括：

对所述第一发光材料层和所述第一电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第一隔离开口内的第一发光单元和第一子电极；

优选的，所述第一封装部在所述基板的正投影位于所述第一阻挡层在所述基板的正投影之内；

优选的，采用酸性刻蚀液对所述第一电极材料层进行刻蚀；

优选的，采用碱性刻蚀液对所述第一发光材料层进行刻蚀；

优选的，所述第一阻挡层的材料包括光刻胶。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一封装部包括位于所述隔离材料层远离所述基板一侧的第一延伸部，所述第一延伸部与所述隔离材料层间隔形成第一间隙，对所述第一发光材料层和所述第一电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第一隔离开口的第一发光单元和第一子电极的步骤中，所述方法还包括：

对所述第一发光材料层和所述第一电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第一间隙的第一冗余单元和第一冗余电极；

优选的，所述第一延伸部的宽度大于或者等于3μm。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在基板上制备隔离材料层，并对所述隔离材料层进行图案化处理的步骤中，方法还包括：

对所述隔离材料层进行图案化处理的过程中，形成与所述第一隔离开口相互间隔的第二隔离开口。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，对所述第一发光材料层和所述第一电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第一隔离开口的第一发光单元和第一子电极的步骤之后，所述方法还包括：

对所述第二隔离开口进行冲洗；

优选的，采用超声去离子水对所述第二隔离开口进行冲洗。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一阻挡层的步骤中，所述方法还包括：

在所述干法刻蚀工艺中，所述隔离材料层朝向所述第二隔离开口的内壁形成第一毛刺区域和第二毛刺区域，所述第二毛刺区域位于所述第一毛刺区域背离所述基板的一侧，所述第一毛刺区域包括至少一个第一凸起，所述第二毛刺区域包括至少一个第二凸起，所述第一凸起的平均尺寸小于所述第二凸起的平均尺寸。

12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一发光单元之后，所述方法还包括：

在所述隔离材料层背离所述基板的一侧依次制备第二发光材料层、第二电极材料层和第二封装材料层；

在所述第二封装材料层背离所述基板的一侧制备第二阻挡层，所述第二隔离开口在所述基板的正投影位于所述第二阻挡层在所述基板的正投影之内；

对所述第二封装材料层进行图案化处理，形成位于所述第二隔离开口的第二封装部；

采用干法刻蚀工艺去除所述第二阻挡层；

优选的，采用干法刻蚀工艺去除所述第二阻挡层的步骤之前或者之后，所述步骤还包括：

对所述第二发光材料层和所述第二电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第二隔离开口的第二发光单元和第二子电极；

优选的，采用酸性刻蚀液对所述第二电极材料层进行刻蚀；

优选的，采用碱性刻蚀液对所述第二发光材料层进行刻蚀；

优选的，所述第二阻挡层的材料包括光刻胶。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述第二封装部包括第二延伸部，所述第二延伸部在所述基板的正投影位于所述隔离材料层在所述基板的正投影之内，所述第二延伸部与所述隔离材料层间隔形成第二间隙，对所述第二发光材料层和所述第二电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第二隔离开口的第二发光单元和第二子电极的步骤中，所述方法还包括：

对所述第二发光材料层和所述第二电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第二间隙的第二冗余单元和第二冗余电极；

优选的，所述第二延伸部的宽度大于或者等于3μm。

14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在基板上制备隔离材料层，并对所述隔离材料层进行图案化处理的步骤中，方法还包括：

对所述隔离材料层进行图案化处理的过程中，形成与所述第一隔离开口、所述第二隔离开口相互间隔的第三隔离开口。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，对所述第二发光材料层和所述第二电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第二隔离开口的第二发光单元和第二子电极的步骤之后，所述方法还包括：

对所述第三隔离开口进行冲洗；

优选的，采用超声去离子水对所述第三隔离开口进行冲洗。

16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第二阻挡层的步骤中，所述方法还包括：

在所述干法刻蚀工艺中，所述隔离材料层朝向所述第三隔离开口的内壁形成第三毛刺区域和第四毛刺区域，所述第四毛刺区域位于所述第三毛刺区域背离所述基板的一侧，所述第三毛刺区域包括至少一个第三凸起，所述第四毛刺区域包括至少一个第四凸起，所述第三凸起的平均尺寸小于所述第四凸起的平均尺寸。

17.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述隔离材料层背离所述基板的一侧依次制备第三发光材料层、第三电极材料层和第三封装材料层；

在所述第三封装材料层背离所述基板的一侧制备第三阻挡层，所述第三隔离开口在所述基板的正投影位于所述第三阻挡层在所述基板的正投影之内；

对所述第三封装材料层进行图案化处理，形成位于所述第三隔离开口的第三封装部；

采用干法刻蚀工艺去除所述第三阻挡层；

优选的，采用干法刻蚀工艺去除所述第三阻挡层的步骤之前或者之后，所述步骤还包括：

对所述第三发光材料层和所述第三电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第三隔离开口的第三发光单元和第三子电极；

优选的，采用酸性刻蚀液对所述第三电极材料层进行刻蚀；

优选的，采用碱性刻蚀液对所述第三发光材料层进行刻蚀；

优选的，所述第三阻挡层的材料包括光刻胶。

18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述第三封装部包括第三延伸部，所述第三延伸部在所述基板的正投影位于所述隔离材料层在所述基板的正投影之内，所述第三延伸部与所述隔离材料层间隔形成第三间隙，对所述第三发光材料层和所述第三电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第三隔离开口的第三发光单元和第三子电极的步骤中，所述方法还包括：

对所述第三发光材料层和所述第三电极材料层进行图案化处理，形成位于所述第三间隙的第三冗余单元和第三冗余电极；

优选的，所述第三延伸部的宽度大于或者等于3μm。

19.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述隔离材料层包括第一层和第二层，所述第二层位于所述第一层背离所述基板的一侧，所述第一层远离所述基板的一侧在所述基板的正投影位于所述第二层在所述基板的正投影之内；

优选的，所述第一层包括导电材料；

优选的，所述第二层包括导电材料或者绝缘材料；

优选的，所述第一层和所述第二层均包括金属材料，且所述第一层和所述第二层的材料不同；

优选的，所述隔离结构还包括位于所述第一层朝向所述基板一侧的第三层，所述第一层在所述基板的正投影位于所述第三层在所述基板的正投影之内。

20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的显示面板。