CN119907185A - 一种pcb板上的通孔的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种PCB板上的通孔的制造方法，包括：在PCB板的衬底的表面形成氮化硅膜层；在所述氮化硅膜层的表面形成光刻胶覆盖层；对所述光刻胶覆盖层的表面进行加工，形成具有预设图案形状的掩膜层；根据所述掩膜层上的预设图案形状，对所述氮化硅膜层进行离子刻蚀，以在所述PCB板上形成通孔。采用本发明的技术方案能够解决化学法存在的缺少控制性、腐蚀剂残留等问题，提高加工精度和加工质量，从而提高PCB板的质量。
Description
技术领域
本发明涉及PCB板加工技术领域，尤其涉及一种PCB板上的通孔的制造方法。
背景技术
在印刷电路板(简称PCB板)的制造加工过程中，PCB板上的通孔是一个非常重要的组成部分。通孔是PCB板上两个不同层之间的电气连接点，制造通孔的一种方法是使用化学法的湿法腐蚀，然而，这种化学法存在缺少控制性、腐蚀剂残留等问题，导致PCB板的质量较差。
发明内容
本发明实施例的目的在于，提供一种PCB板上的通孔的制造方法，能够解决化学法存在的缺少控制性、腐蚀剂残留等问题，提高加工精度和加工质量，从而提高PCB板的质量。
为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种PCB板上的通孔的制造方法，包括：
在PCB板的衬底的表面形成氮化硅膜层；
在所述氮化硅膜层的表面形成光刻胶覆盖层；
对所述光刻胶覆盖层的表面进行加工，形成具有预设图案形状的掩膜层；
根据所述掩膜层上的预设图案形状，对所述氮化硅膜层进行离子刻蚀，以在所述PCB板上形成通孔。
进一步地，所述氮化硅膜层的厚度为100nm。
进一步地，所述光刻胶覆盖层的厚度为200nm。
进一步地，所述离子刻蚀的工艺参数包括：氩气流量为50sccm，离子束能量为500eV，离子束电流为5mA，压力为5mTorr，刻蚀时间为3min。
进一步地，所述通孔的直径为500nm。
与现有技术相比，本发明实施例提供了一种PCB板上的通孔的制造方法，首先，在PCB板的衬底的表面形成氮化硅膜层；接着，在氮化硅膜层的表面形成光刻胶覆盖层；然后，对光刻胶覆盖层的表面进行加工，形成具有预设图案形状的掩膜层；最后，根据掩膜层上的预设图案形状，对氮化硅膜层进行离子刻蚀，以在PCB板上形成通孔。本发明实施例能够解决化学法存在的缺少控制性、腐蚀剂残留等问题，提高加工精度和加工质量，从而提高PCB板的质量。
附图说明
图1是本发明提供的一种PCB板上的通孔的制造方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种PCB板上的通孔的制造方法，参见图1所示，是本发明提供的一种PCB板上的通孔的制造方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S14：
步骤S11、在PCB板的衬底的表面形成氮化硅膜层；
步骤S12、在所述氮化硅膜层的表面形成光刻胶覆盖层；
步骤S13、对所述光刻胶覆盖层的表面进行加工，形成具有预设图案形状的掩膜层；
步骤S14、根据所述掩膜层上的预设图案形状，对所述氮化硅膜层进行离子刻蚀，以在所述PCB板上形成通孔。
在具体实施时，首先，采用现有的镀膜技术在PCB板的衬底的表面上形成一层氮化硅膜层；接着，在氮化硅膜层的表面上覆盖一层光刻胶覆盖层；然后，采用现有的光刻技术对光刻胶覆盖层的表面进行加工处理，以在光刻胶覆盖层的表面上形成具有预设图案形状的掩膜层；最后，将带有掩膜层的PCB板放置在离子刻蚀设备中，根据掩膜层上所形成的预设图案形状，对氮化硅膜层进行离子刻蚀处理，使得氮化硅膜层的下方形成通孔，从而在PCB板上形成通孔。
需要说明的是，预设图案形状为制造通孔所需的形状，例如，可以是网格结构形状、孔洞结构形状等。
在另一个优选实施例中，所述氮化硅膜层的厚度为100nm。
具体的，结合上述实施例，在PCB板的衬底的表面上进行镀膜处理之后，所形成的氮化硅膜层的厚度为100纳米。
在又一个优选实施例中，所述光刻胶覆盖层的厚度为200nm。
具体的，结合上述实施例，在氮化硅膜层的表面上覆盖光刻胶覆盖层之后，所形成的光刻胶覆盖层的厚度为200纳米。
在又一个优选实施例中，所述离子刻蚀的工艺参数包括：氩气流量为50sccm，离子束能量为500eV，离子束电流为5mA，压力为5mTorr，刻蚀时间为3min。
具体的，结合上述实施例，在离子刻蚀设备中对氮化硅膜层进行离子刻蚀处理时，所采用的离子刻蚀的工艺参数包括：离子刻蚀的反应气体为氩气，氩气流量为50sccm，离子束能量为500eV，离子束电流为5mA，压力为5mTorr，刻蚀时间为3min。
在又一个优选实施例中，所述通孔的直径为500nm。
具体的，结合上述实施例，在PCB板上所形成的通孔的直径为500纳米。
结合上述所有实施例，下面通过一个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：(1)采用现有的镀膜技术在PCB板的衬底的表面上形成一层厚度为100nm的氮化硅膜层；(2)在氮化硅膜层的表面上覆盖一层厚度为200nm的光刻胶覆盖层；(3)采用现有的光刻技术对光刻胶覆盖层的表面进行加工处理，以在光刻胶覆盖层的表面上形成具有预设图案形状的掩膜层，例如，网格结构形状、孔洞结构形状等；(4)将带有掩膜层的PCB板放置在离子刻蚀设备中，在离子刻蚀的反应气体为氩气、氩气流量为50sccm、离子束能量为500eV、离子束电流为5mA、压力为5mTorr的工艺参数条件下，根据掩膜层上所形成的预设图案形状，对氮化硅膜层进行离子刻蚀处理3min，使得氮化硅膜层的下方形成通孔，从而在PCB板上形成通孔，并且所形成的通孔的直径为500nm。
综上，本发明实施例所提供的一种PCB板上的通孔的制造方法，首先，在PCB板的衬底的表面形成氮化硅膜层；接着，在氮化硅膜层的表面形成光刻胶覆盖层；然后，对光刻胶覆盖层的表面进行加工，形成具有预设图案形状的掩膜层；最后，根据掩膜层上的预设图案形状，对氮化硅膜层进行离子刻蚀，以在PCB板上形成通孔。本发明实施例能够解决化学法存在的缺少控制性、腐蚀剂残留等问题，提高加工精度和加工质量，从而提高PCB板的质量；进一步的，本发明实施例具有高效、高精度、高加工质量的特点，尤其适用于制造大规模多层印刷线路板，通过采用本发明实施例，可以大大加快印刷线路板的生产速度，降低生产成本，提高产品质量。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种PCB板上的通孔的制造方法，其特征在于，包括：
在PCB板的衬底的表面形成氮化硅膜层；
在所述氮化硅膜层的表面形成光刻胶覆盖层；
对所述光刻胶覆盖层的表面进行加工，形成具有预设图案形状的掩膜层；
根据所述掩膜层上的预设图案形状，对所述氮化硅膜层进行离子刻蚀，以在所述PCB板上形成通孔。
2.如权利要求1所述的PCB板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述氮化硅膜层的厚度为100nm。
3.如权利要求1所述的PCB板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述光刻胶覆盖层的厚度为200nm。
4.如权利要求1所述的PCB板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述离子刻蚀的工艺参数包括：氩气流量为50sccm，离子束能量为500eV，离子束电流为5mA，压力为5mTorr，刻蚀时间为3min。
5.如权利要求1所述的PCB板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述通孔的直径为500nm。
Priority Applications (1)
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| CN202311403206.4A CN119907185A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 一种pcb板上的通孔的制造方法 |
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Publications (1)
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| CN119907185A true CN119907185A (zh) | 2025-04-29 |
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| CN202311403206.4A Pending CN119907185A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 一种pcb板上的通孔的制造方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN119907185A (zh) |
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2023
- 2023-10-26 CN CN202311403206.4A patent/CN119907185A/zh active Pending
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