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CN119855400B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

显示面板和显示装置

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CN119855400B
CN119855400B CN202510096996.9A CN202510096996A CN119855400B CN 119855400 B CN119855400 B CN 119855400B CN 202510096996 A CN202510096996 A CN 202510096996A CN 119855400 B CN119855400 B CN 119855400B
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CN
China
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transistor
metal
display panel
dielectric layer
layer
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金玉
范文志
周至奕
孙寅
刘敖
曾昆
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Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Hefei Visionox Technology Co Ltd
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Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Hefei Visionox Technology Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种显示面板和显示装置。显示面板包括：第一电容介电层的正投影与第一晶体管的第一极区和第一晶体管的第二极区的正投影交叠，第二电容介电层的正投影与第一晶体管的第二极区的正投影至少部分交叠且与第一晶体管的第一极区的正投影无交叠；第一金属结构的正投影与第一晶体管的第一极区的正投影至少部分交叠，第二金属结构的正投影与第一晶体管的第二极区的正投影至少部分交叠。这使得在采用初始化信号对驱动晶体管的栅极结构进行初始化的过程中，驱动晶体管的栅极结构的初始化足够充分，以此改善了驱动晶体管的阈值电压偏移，提升了显示效果。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）显示装置是一种自发光型显示装置，其通常包括多个有机发光二极管和多个像素电路，像素电路用于控制对应的有机发光二极管发光。
像素电路通常包括多个薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT），且该多个薄膜晶体管中，用于产生驱动电流以驱动有机发光二极管发光的薄膜晶体管称为驱动晶体管。相关技术中，显示装置在低频显示时，由于一帧时间较长，容易出现驱动晶体管的阈值电压偏移的问题，导致显示装置出现残影、低频闪烁等显示效果差的现象。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够改善驱动晶体管的阈值电压偏移，进而提升显示效果的显示面板和显示装置。
第一方面，本申请提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
衬底；
第一晶体管，位于所述衬底的一侧；
有源层，位于所述衬底的一侧，所述有源层包括所述第一晶体管的第一极区和第二极区；
栅极绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；
第一金属层，位于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，所述第一金属层包括所述第一晶体管的栅极结构；
第一电容介电层，位于所述第一金属层远离所述栅极绝缘层的一侧；
第二电容介电层，位于所述第一电容介电层远离所述第一金属层的一侧；
其中，所述第一电容介电层在第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第一极区和第一晶体管的第二极区在所述第一方向上的正投影交叠，所述第二电容介电层在所述第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第二极区在所述第一方向上的正投影至少部分交叠且与所述第一晶体管的第一极区在所述第一方向上的正投影无交叠，其中，所述第一方向为与所述显示面板所在面垂直的方向；
第二金属层，包括第一金属结构和第二金属结构，所述第一金属结构位于所述第一电容介电层远离所述第一金属层的一侧，所述第二金属结构位于所述第二电容介电层远离所述第一电容介电层的一侧，其中，所述第一金属结构在所述第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第一极区在所述第一方向上的正投影至少部分交叠，所述第二金属结构在所述第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第二极区在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述第一金属结构在所述第一方向上与所述第一晶体管的第一极区的交叠面积大于第一预设面积，所述第二金属结构在所述第一方向上与第一晶体管的第二极区的交叠面积小于第二预设面积，其中，所述第一预设面积大于所述第二预设面积；
可选的，所述第二金属层还包括用于传输数据信号的数据信号线和用于传输初始化信号的初始化信号线，在第二方向上，所述第一金属结构位于所述数据信号线与所述第一晶体管的栅极结构之间，所述第二金属结构位于所述第一晶体管的栅极结构与所述初始化信号线之间，其中，所述第二方向为与所述显示面板所在面平行的方向；
可选的，所述第一金属结构和所述第二金属结构为用于传输电源信号的电源信号线。
可选的，所述第一金属层还包括用于传输扫描信号的扫描线，所述第二金属层还包括栅极连接金属，其中，所述栅极连接金属与所述第一晶体管的栅极结构连接；
所述第一电容介电层和所述第二电容介电层在所述第一方向上的正投影，与所述扫描线和所述栅极连接金属在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述第一金属层还包括用于传输扫描信号的扫描线，所述第二金属层还包括栅极连接金属，其中，所述栅极连接金属用于连接所述第一晶体管的栅极结构；
所述栅极连接金属与所述扫描线在所述第一方向上的正投影无交叠；
可选的，所述显示面板还包括位于所述第二金属层远离所述衬底一侧的阳极层，所述阳极层包括跨接走线，所述跨接走线分别与位于跨接区域两侧的所述栅极连接金属电连接，其中，所述跨接区域在所述第一方向上的正投影与所述扫描线在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述显示面板还包括第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构与所述栅极连接金属绝缘设置，所述第一屏蔽结构在所述第一方向上的正投影与所述扫描线在所述第一方向上的正投影至少部分交叠；
可选的，在所述第一方向上，所述第一屏蔽结构位于所述扫描线与所述栅极连接金属之间的所述第二电容介电层中；
可选的，所述第一屏蔽结构接入所述电源信号。
可选的，所述第二金属层还包括第二屏蔽结构，所述第二屏蔽结构与所述栅极连接金属绝缘设置，所述第二屏蔽结构在所述第一方向上的正投影与所述扫描线在所述第一方向上的正投影至少部分交叠；
可选的，在所述第一方向上，第二屏蔽结构位于所述扫描线与跨接走线之间；
可选的，所述第二屏蔽结构接入所述电源信号。
可选的，所述第一金属层还包括第一电容极板，所述第二金属层还包括第二电容极板；
所述第一电容介电层在所述第一方向上的正投影与所述第一电容极板在所述第一方向上的正投影至少部分交叠，所述第二电容介电层在所述第一方向上的正投影与部分所述第一电容极板在所述第一方向上的正投影至少部分交叠，所述第二电容极板在所述第一方向上的正投影与剩余所述第一电容极板在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述第一电容介电层包括无机电容介电层；所述第二电容介电层包括有机电容介电层；
可选的，所述第一电容介电层的厚度小于所述第二电容介电层的厚度。
可选的，所述第一极区为所述第一晶体管的源极区，所述第二极区为所述第一晶体管的漏极区；
可选的，所述第一晶体管为用于驱动发光器件发光的驱动晶体管。
第二方面，本申请还提供了一种显示装置，包括如上述任一实施例提供的显示面板。
上述显示面板和显示装置，包括层叠设置的衬底、有源层、栅极绝缘层、第一金属层、第一电容介电层、第二电容介电层和第二金属层；有源层包括第一晶体管的第一极区和第二极区，栅极绝缘层位于有源层与第一金属层之间，第一金属层包括第一晶体管的栅极结构；第一晶体管例如是驱动晶体管；
第一电容介电层，位于第一金属层远离栅极绝缘层的一侧；第二电容介电层，位于第一电容介电层远离第一金属层的一侧；其中，第一电容介电层在第一方向上的正投影与第一晶体管的第一极区和第一晶体管的第二极区在第一方向上的正投影交叠，第二电容介电层在第一方向上的正投影与第一晶体管的第二极区在第一方向上的正投影至少部分交叠且与第一晶体管的第一极区在第一方向上的正投影无交叠，其中，第一方向为与显示面板所在面垂直的方向；
第二金属层，包括第一金属结构和第二金属结构，第一金属结构位于第一电容介电层远离第一金属层的一侧，第二金属结构位于第二电容介电层远离第一电容介电层的一侧，其中，第一金属结构在第一方向上的正投影与第一晶体管的第一极区在第一方向上的正投影至少部分交叠，第二金属结构在第一方向上的正投影与第一晶体管的第二极区在第一方向上的正投影至少部分交叠；
如此，在第一方向上，第一金属结构、第一电容介电层和第一极区可构成第一晶体管的源极的源极电容，而第二金属结构、第二电容介电层、第一电容介电层和第二极区可构成第一晶体管的漏极的漏极电容，由于源极电容中的电容介电层为第一电容介电层，即单层，而漏极电容中的电容介电层为第一电容介电层和第二电容介电层，即双层，因此源极电容大，能够存储大量的正电荷，而漏极电容小，仅能够存储少量的负电荷，这使得在采用初始化信号对第一晶体管的栅极结构进行初始化的过程中，第一晶体管的栅源压差和栅漏压差均大，从而第一晶体管的栅极结构的初始化足够充分，第一晶体管的栅极结构的初始化足够充分足以实现对第一晶体管的阈值电压的校准，本申请实施例以此改善了第一晶体管的阈值电压偏移，从而避免显示装置在低频显示时出现的残影、低频闪烁等现象，提升了显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中显示面板的俯视示意图；
图2为图1的局部中的像素电路的结构示意图；
图3为图2中像素电路的局部版图示意图之一；
图4为图3的局部剖面示意图；
图5为图2中像素电路的局部版图示意图之二；
图6为图5的局部剖面示意图；
图7为图2中像素电路的局部版图示意图之三；
图8为图7的局部剖面示意图之一；
图9为图7的局部剖面示意图之二。
附图标记说明：
100-显示面板，110-衬底，120-有源层，130-栅极绝缘层，140-第一金属层，150-第一电容介电层，160-第二电容介电层，170-第二金属层，180-平坦化层，190-阳极层，121-源极区，122-漏极区，141-栅极结构，142-扫描线，171-第一屏蔽结构，172-第二屏蔽结构，191-跨接走线。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
正如背景技术所述，相关技术中，显示装置在低频显示时，由于一帧时间较长，容易出现驱动晶体管的阈值电压偏移的问题，导致显示装置出现残影、低频闪烁等现象，经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于：显示装置在低频显示时，驱动晶体管在低频长帧时间内，会因热载流子效应导致阈值电压逐渐正向或负向偏移，从而导致显示装置出现残影、低频闪烁等现象。
基于以上原因，本发明提供了一种能够改善驱动晶体管的阈值电压偏移，进而提高显示效果的方案。
在一个示例性的实施例中，参考图1，提供了一种显示面板100，示例性的，显示面板100可以为OLED显示面板，显示面板100包括多个有机发光二极管和多个像素电路，示例性的，参考图2，像素电路包括驱动晶体管T1、存储电容CST、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。
驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7中可以是至少一个为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。
第一初始化晶体管T4的栅极连接第一扫描线SCAN1，第一初始化晶体管T4用于根据初始化信号VREF对驱动晶体管T1的栅极进行初始化。
数据写入晶体管T2的栅极连接第二扫描线SCAN2，数据写入晶体管T2用于将数据信号VDATA写入驱动晶体管T1的栅极；阈值补偿晶体管T3的栅极连接第二扫描线SCAN2，阈值补偿晶体管T3用于对驱动晶体管T1的阈值电压VTH进行补偿；存储电容CST用于对驱动晶体管T1的栅极的电压进行存储；驱动晶体管T1用于根据驱动晶体管T1的栅极的电压产生驱动电流IDS，驱动电流IDS用于驱动发光器件，发光器件例如是有机发光二极管D发光。
第二初始化晶体管T7的栅极连接第三扫描线SCAN3，第二初始化晶体管T7用于根据初始化信号VREF对有机发光二极管D的阳极ANODE进行初始化；第一发光控制晶体管T5的栅极和第二发光控制晶体管T6的栅极均连接发光控制信号线EM，第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6用于控制有机发光二极管D发光。
本申请实施例中，显示面板100包括衬底110和第一晶体管，第一晶体管位于衬底110的一侧。第一晶体管包括第一极区、第二极极和栅极结构。可选的，第一晶体管的第一极区为第一晶体管的源极区，第一晶体管的第二极区为第二晶体管的漏极区。示例性的，第一晶体管为驱动晶体管T1。
下面以第一晶体管为驱动晶体管T1、第一晶体管的第一极区为驱动晶体管T1的源极区且第一晶体管的第二极区为驱动晶体管T1的漏极区为例，对本发明申请的技术方案进行举例说明，但并不作为对本发明申请技术方案的限定。应该理解，本发明申请中第一晶体管可以是其他功能的晶体管，第一晶体管的第一极区也可以是漏极区或其他极区，第一晶体管的第二极区也可以是源极区或其他极区，其均属于本申请发明的保护范围之内。
在版图结构中，结合图3与图4，显示面板100包括衬底110、有源层120、栅极绝缘层130、第一金属层140、第一电容介电层150、第二电容介电层160和第二金属层170。本申请实施例的说明书附图中，版图示意图中被“线-点-线”类型的虚线所圈出的区域是挖除了第一电容介电层150的区域，被“线-点-点-线”类型的虚线所圈出的区域是挖除了第二电容介电层160的区域。
衬底110主要起支撑作用。衬底110可以是玻璃或塑料等材料制成的硬性衬底，也可以是聚醚砜（PES）、聚丙烯酸酯（PAR）、聚醚酰亚胺（PEI）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚苯硫醚（PPS）、聚芳酯、聚酰亚胺（PI）、聚碳酸酯（PC）或醋酸丙酸纤维素（CAP）等材料制成的柔性衬底。
有源层120位于衬底110的一侧，有源层120包括源极区121和漏极区122。即有源层120可以包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区121和漏极区122，以及包括在源极区121和漏极区122之间形成的沟道区。有源层120的材料包括但不限于非晶硅材料、非晶氧化物半导体、多晶硅材料或金属氧化物材料等。本实施例中，有源层120可以是驱动晶体管T1的有源层120。
栅极绝缘层130位于有源层120远离衬底110的一侧，栅极绝缘层130的材料可以但不限于氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的一种或多种组合。
第一金属层140位于栅极绝缘层130远离有源层120的一侧，第一金属层140包括栅极结构141。其中，第一金属层140可以理解为显示面板100中，衬底110与有机发光二极管D之间的多层金属层中的其中一层。栅极结构141在第一方向的正投影可以覆盖沟道区，也即沟道区与栅极结构141之间设有栅极绝缘层130，其中，第一方向为与显示面板100所在面垂直的方向。本实施例中，栅极结构141可以是驱动晶体管T1的栅极结构141。
第一电容介电层150位于第一金属层140远离栅极绝缘层130的一侧，第一电容介电层150在第一方向上的正投影与源极区121和漏极区122在第一方向上的正投影交叠。
第二电容介电层160位于第一电容介电层150远离第一金属层140的一侧，第二电容介电层160在第一方向上的正投影与漏极区122在第一方向上的正投影至少部分交叠且与源极区121在第一方向上的正投影无交叠。
其中，第一电容介电层150可以理解为显示面板100中衬底110与有机发光二极管D之间的绝缘介质层，第二电容介电层160可以理解为衬底110与有机发光二极管D之间的层间绝缘层。
第二金属层170包括第一金属结构和第二金属结构；第一金属结构位于第一电容介电层150远离第一金属层140的一侧，第一金属结构在第一方向上的正投影与源极区121在第一方向上的正投影至少部分交叠；第二金属结构位于第二电容介电层160远离第一电容介电层150的一侧，第二金属结构在第一方向上的正投影与漏极区122在第一方向上的正投影至少部分交叠覆盖漏极区122。其中，第二金属层170可以理解为显示面板100中，衬底110与有机发光二极管D之间的多层金属层中的除第一金属层140以外的其中一层。
本申请实施例，在与显示面板100所在平面垂直的方向上，第一金属结构、第一电容介电层150和源极区121构成驱动晶体管T1的源极的源极电容CSOURCE，而第二金属结构、第二电容介电层160、第一电容介电层150和漏极区122构成驱动晶体管T1的漏极的漏极电容CDRAIN，由于源极电容CSOURCE中的电容介电层为第一电容介电层150，即单层、电容介电层厚度小，而漏极电容CDRAIN中的电容介电层为第一电容介电层150和第二电容介电层160，即双层、电容介电层厚度大，因此根据电容容量C=εS/d=εS/4πkd（ε为介电常数，S为两电极板之间的正对面积，k为静电力常量，d为电容介电层厚度）可知，源极电容CSOURCE大，能够存储大量的正电荷，而漏极电容CDRAIN小，仅能够存储少量的负电荷，这使得在采用初始化信号VREF对驱动晶体管T1的栅极结构141进行初始化的过程中，驱动晶体管T1的栅源压差|VGS|和栅漏压差|VGD|均大，从而驱动晶体管T1的栅极结构141的初始化足够充分，驱动晶体管T1的栅极结构141的初始化足够充分足以实现对驱动晶体管T1的阈值电压VTH的校准，本申请实施例以此改善了驱动晶体管T1的阈值电压VTH偏移，从而避免显示装置在低频显示时出现的残影、低频闪烁等现象，提升了显示效果。
在一个示例性的实施例中，继续结合图3与图4，第一金属结构在第一方向上与源极区121的交叠面积大于第一预设面积，第二金属结构在第一方向上与漏极区122的交叠面积小于第二预设面积，其中，第一预设面积大于第二预设面积。
本实施例，源极电容CSOURCE的两电极板之间的正对面积大于第一预设面积，漏极电容CDRAIN的两电极板之间的正对面积小于第二预设面积，第一预设面积大于第二预设面积，根据电容容量C=εS/d=εS/4πkd（ε为介电常数，S为两电极板之间的正对面积，k为静电力常量，d为电容介电层厚度）可知，能够进一步使得源极电容CSOURCE大，能够存储大量的正电荷，且能够进一步使得漏极电容CDRAIN小，仅能够存储少量的负电荷，从而进一步使得驱动晶体管T1的栅源压差|VGS|和栅漏压差|VGD|均大，进一步使得驱动晶体管T1的栅极结构141的初始化足够充分，驱动晶体管T1的栅极结构141的初始化足够充分足以实现对驱动晶体管T1的阈值电压VTH的校准，本申请实施例以此改善了驱动晶体管T1的阈值电压VTH偏移，从而避免显示装置在低频显示时出现的残影、低频闪烁等现象，提升了显示效果。
在一个示例性的实施例中，通过设置源极电容CSOURCE中的电容介电层为第一电容介电层150，即单层、电容介电层厚度d小，且源极电容CSOURCE的两电极板之间的正对面积S大于第一预设面积，而漏极电容CDRAIN中的电容介电层为第一电容介电层150和第二电容介电层160，即双层、电容介电层厚度d大，且漏极电容CDRAIN的两电极板之间的正对面积S小于第二预设面积，因此源极电容CSOURCE足够大，能够存储大量的正电荷，而漏极电容CDRAIN足够小，仅能够存储少量的负电荷，这使得在采用初始化信号VREF对驱动晶体管T1的栅极结构141进行初始化的过程中，驱动晶体管T1的栅源压差|VGS|和栅漏压差|VGD|均足够大，从而驱动晶体管T1的栅极结构141的初始化足够充分，驱动晶体管T1的栅极结构141的初始化足够充分足以实现对驱动晶体管T1的阈值电压VTH的校准，本申请实施例以此改善了驱动晶体管T1的阈值电压VTH偏移，从而避免显示装置在低频显示时出现的残影、低频闪烁等现象，提升了显示效果。
在一个示例性的实施例中，继续结合图3与图4，第二金属层170还包括用于传输数据信号的数据信号线和用于传输初始化信号的初始化信号线，在第二方向上，第一金属结构位于数据信号线与栅极结构141之间，第二金属结构位于栅极结构141与初始化信号线之间，其中，第二方向为与显示面板100所在面平行的方向。
本实施例，数据信号线用于向数据写入晶体管T2输送数据信号VDATA，初始化信号线用于向第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7输送初始化信号VREF。第二金属层170可用于形成数据信号线、初始化信号线、第一金属结构和第二金属结构，换言之，数据信号线、初始化信号线、第一金属结构和第二金属结构位于同层金属层中，由第二金属层170中的部分结构构成了第一金属结构和第二金属结构，这使得第一金属结构和源极区121构成驱动晶体管T1的源极的源极电容CSOURCE的两电极板，而第二金属结构和漏极区122构成驱动晶体管T1的漏极的漏极电容CDRAIN的两电极板。
在一个示例性的实施例中，第一金属结构和第二金属结构为用于传输电源信号的电源信号线。
本实施例，电源信号线用于向像素电路输送电源信号ELVDD，例如向第一发光控制晶体管T5输送第一电源信号ELVDD，有机发光二极管D的阴极CATHODE接收第二电源信号ELVSS，从而为有机发光二极管D的发光提供电源信号。第一金属结构和第二金属结构可均为电源信号线的部分结构，换言之，由第二金属层170中的电源信号线的部分结构分别与驱动晶体管T1的源极区121和驱动晶体管T1的漏极区122，构成了驱动晶体管T1的源极的源极电容CSOURCE和驱动晶体管T1的漏极的漏极电容CDRAIN。
在一个示例性的实施例中，结合图5、图6和图8，第一金属层140还包括用于传输扫描信号的扫描线142，第二金属层170还包括栅极连接金属，其中，栅极连接金属与栅极结构141连接；第一电容介电层150和第二电容介电层160在第一方向上的正投影，与扫描线142和栅极连接金属在第一方向上的正投影至少部分交叠。
其中，栅极连接金属为用于引出栅极结构141的金属，可以与栅极结构141共同构成驱动晶体管T1的栅极。根据像素电路的版图结构可知，扫描线142可以是用于连接数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3的栅极的第二扫描线SCAN2。
相关技术中，驱动晶体管T1的栅极连接金属与第二扫描线SCAN2在第一方向上存在交叠，因此驱动晶体管T1的栅极连接金属与第二扫描线SCAN2之间存在寄生电容CSTR，这使得第二扫描线SCAN2从高电平VGL跳变至低电平VGH或从低电平VGH跳变至高电平VGL时，第二扫描线SCAN2对驱动晶体管T1的栅极连接金属的耦合作用弱化了像素电路对驱动晶体管T1的栅极的补偿能力，导致驱动晶体管T1的栅极的电位偏离理想值而成为VDATA-|VTH|+VSWITCH ERROE，由此降低了显示效果，其中，VSWITCH ERROE与寄生电容CSTR、第二扫描线SCAN2的电位变化量均正相关，VSWITCH ERROE与存储电容CST负相关。
基于以上原因，本实施例通过将第二扫描线SCAN2和驱动晶体管T1的栅极连接金属之间的电容介电层设置为第一电容介电层150和第二电容介电层160，即双层、电容介电层厚度大，根据电容容量C=εS/d=εS/4πkd（ε为介电常数，S为两电极板之间的正对面积，k为静电力常量，d为电容介电层厚度）可知，第二扫描线SCAN2与驱动晶体管T1的栅极连接金属之间的寄生电容CSTR被大幅度降低，第二扫描线SCAN2从高电平VGL跳变至低电平VGH或从低电平VGH跳变至高电平VGL时，第二扫描线SCAN2很难通过寄生电容CSTR对驱动晶体管T1的栅极进行耦合，即因VSWITCH ERROE与寄生电容CSTR 正相关故VSWITCH ERROE被大幅度降低，这样驱动晶体管T1的栅极的最终电位非常接近理想补偿电位VDATA-|VTH|，由此提升了显示效果。
在一个示例性的实施例中，继续结合图5与图6，第一金属层140还包括第一电容极板，第二金属层170还包括第二电容极板，第一电容介电层150在第一方向上的正投影与第一电容极板在第一方向上的正投影至少部分交叠，第二电容介电层160在第一方向上的正投影与部分第一电容极板在第一方向上的正投影至少部分交叠，第二电容极板在第一方向上的正投影与剩余第一电容极板在第一方向上的正投影至少部分交叠。
本实施例，根据像素电路的版图结构可知，第一电容极板和第二电容极板可以构成存储电容CST的两电极板，通过将存储电容CST的两电极板之间的电容介电层设置为第一电容介电层150，即单层、电容介电层厚度小，根据电容容量C=εS/d=εS/4πkd（ε为介电常数，S为两电极板之间的正对面积，k为静电力常量，d为电容介电层厚度）可知，存储电容CST被显著增大，因VSWITCH ERROE与存储电容CST负相关，从而使得VSWITCH ERROE被显著降低，如此进一步确保驱动晶体管T1的栅极的最终电位基本为理想补偿电位VDATA-|VTH|，确保良好的显示效果。
在一个示例性的实施例中，结合图7与图8，显示面板100还包括第一屏蔽结构171，第一屏蔽结构171与栅极连接金属绝缘设置，第一屏蔽结构171在第一方向上的正投影与扫描线142在第一方向上的正投影至少部分交叠。
本实施例，第一屏蔽结构171可以为金属屏蔽结构，将第一屏蔽结构171插至第二扫描线SCAN2与驱动晶体管T1的栅极连接金属之间的电容介电层中，例如插至第二扫描线SCAN2与驱动晶体管T1的栅极连接金属Gate-M3之间的第二电容介电层160中，使得驱动晶体管T1的栅极连接金属Gate-M3和第二扫描线SCAN2之间的寄生电容CSTR接近等于零，如此进一步避免了第二扫描线SCAN2通过寄生电容CSTR对驱动晶体管T1的栅极进行耦合，这样驱动晶体管T1的栅极的最终电位基本为理想补偿电位VDATA-|VTH|，从而进一步提升了显示效果。可选的，第一屏蔽结构171可接入电源信号ELVDD。
在一个示例性的实施例中，结合图7与图9，第一金属层140还包括扫描线142，第二金属层170还包括栅极连接金属，其中，栅极连接金属用于连接栅极结构141；栅极连接金属与扫描线142在第一方向上的正投影无交叠。继续结合图7与图9，显示面板100还包括位于第二金属层170远离衬底110一侧的阳极层190，阳极层190包括跨接走线191，跨接走线191分别与位于跨接区域两侧的栅极连接金属电连接，其中，跨接区域在第一方向上的正投影与扫描线142在第一方向上的正投影至少部分交叠。
如此，跨接走线191、栅极连接金属和栅极结构141共同构成驱动晶体管T1的栅极。继续结合图7与图9，第二金属层170还包括第二屏蔽结构172，第二屏蔽结构172与栅极连接金属绝缘设置，第二屏蔽结构172在第一方向上的正投影与扫描线142在第一方向上的正投影至少部分交叠。
本实施例，将第二屏蔽结构172例如插至第二扫描线SCAN2与跨接走线191之间的平坦化层180中，使得跨接走线191和第二扫描线SCAN2之间的寄生电容CSTR接近等于零，如此进一步避免了第二扫描线SCAN2通过寄生电容CSTR对驱动晶体管T1的栅极进行耦合，这样驱动晶体管T1的栅极的最终电位基本为理想补偿电位VDATA-|VTH|，从而进一步提升了显示效果。可选的，第二屏蔽结构172可接入电源信号ELVDD。
在一个示例性的实施例中，第二金属层170还包括源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属均位于第二电容介电层160远离第一电容介电层150的一侧，其中，源极金属用于连接源极区121，漏极金属用于连接漏极区122；如此，可对应构成驱动晶体管T1的源极和漏极。
在一个示例性的实施例中，第一电容介电层150包括无机电容介电层，第二电容介电层160包括有机电容介电层。
本实施例，第一电容介电层150的材料可以是常规绝缘介质层的材料，例如氧化硅和氮化硅中的至少一者；第二电容介电层160的材料可以是有机胶，有机胶属于显示面板100中的常用材料，因此有利于减少显示面板100所用材料的种类，从而节省显示面板100的制作成本。
在一个示例性的实施例中，第一电容介电层150的厚度小于第二电容介电层160的厚度；如此，更有利于提升驱动晶体管T1的源极的源极电容CSOURCE，降低驱动晶体管T1的漏极的漏极电容CDRAIN，从而更有利于确保驱动晶体管T1的栅极被充分初始化以改善驱动晶体管T1的阈值电压VTH偏移，以及更有利于提升存储电容CST，降低扫描线142与驱动晶体管T1的栅极连接金属之间的寄生电容CSTR，从而更有利于确保驱动晶体管T1的栅极的最终电位为理想补偿电位VDATA-|VTH| 。
在一个示例性的实施例中，提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施例提供的显示面板100，其中，根据上述任一实施例可知，本申请实施例提供的显示面板100仅采用第一金属层140和第二金属层170即可完成了像素电路的制作，即显示面板的技术属于两层金属层的显示面板技术。
本申请实施例提供的显示装置和显示面板，两者属于相同的发明构思，能够实现相同的技术效果，重复内容此处不再赘述。
在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底；
第一晶体管，位于所述衬底的一侧；
有源层，位于所述衬底的一侧，所述有源层包括所述第一晶体管的第一极区和第二极区；
栅极绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；
第一金属层，位于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，所述第一金属层包括所述第一晶体管的栅极结构；
第一电容介电层，位于所述第一金属层远离所述栅极绝缘层的一侧；
第二电容介电层，位于所述第一电容介电层远离所述第一金属层的一侧；
其中，所述第一电容介电层在第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第一极区和所述第一晶体管的第二极区在所述第一方向上的正投影交叠，所述第二电容介电层在所述第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第二极区在所述第一方向上的正投影至少部分交叠，且所述第二电容介电层在所述第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第一极区在所述第一方向上的正投影无交叠，其中，所述第一方向为与所述显示面板所在面垂直的方向；
第二金属层，包括第一金属结构和第二金属结构，所述第一金属结构位于所述第一电容介电层远离所述第一金属层的一侧，所述第二金属结构位于所述第二电容介电层远离所述第一电容介电层的一侧，其中，所述第一金属结构在所述第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第一极区在所述第一方向上的正投影至少部分交叠，所述第二金属结构在所述第一方向上的正投影与所述第一晶体管的第二极区在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属结构在所述第一方向上与所述第一晶体管的第一极区的交叠面积大于第一预设面积，所述第二金属结构在所述第一方向上与第一晶体管的第二极区的交叠面积小于第二预设面积，其中，所述第一预设面积大于所述第二预设面积。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层还包括用于传输数据信号的数据信号线和用于传输初始化信号的初始化信号线，在第二方向上，所述第一金属结构位于所述数据信号线与所述第一晶体管的栅极结构之间，所述第二金属结构位于所述第一晶体管的栅极结构与所述初始化信号线之间，其中，所述第二方向为与所述显示面板所在面平行的方向。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属结构和所述第二金属结构为用于传输电源信号的电源信号线。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层还包括用于传输扫描信号的扫描线，所述第二金属层还包括栅极连接金属，其中，所述栅极连接金属与所述第一晶体管的栅极结构连接；
所述第一电容介电层和所述第二电容介电层在所述第一方向上的正投影，与所述扫描线和所述栅极连接金属在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层还包括用于传输扫描信号的扫描线，所述第二金属层还包括栅极连接金属，其中，所述栅极连接金属用于连接所述第一晶体管的栅极结构；
所述栅极连接金属与所述扫描线在所述第一方向上的正投影无交叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第二金属层远离所述衬底一侧的阳极层，所述阳极层包括跨接走线，所述跨接走线分别与位于跨接区域两侧的所述栅极连接金属电连接，其中，所述跨接区域在所述第一方向上的正投影与所述扫描线在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构与所述栅极连接金属绝缘设置，所述第一屏蔽结构在所述第一方向上的正投影与所述扫描线在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一屏蔽结构位于所述扫描线与所述栅极连接金属之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一屏蔽结构接入所述电源信号。
11.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层还包括第二屏蔽结构，所述第二屏蔽结构与所述栅极连接金属绝缘设置，所述第二屏蔽结构在所述第一方向上的正投影与所述扫描线在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二屏蔽结构位于所述扫描线与所述跨接走线之间。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第二屏蔽结构接入所述电源信号。
14.根据权利要求5或6所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层还包括第一电容极板，所述第二金属层还包括第二电容极板；
所述第一电容介电层在所述第一方向上的正投影与所述第一电容极板在所述第一方向上的正投影至少部分交叠，所述第二电容介电层在所述第一方向上的正投影与部分所述第一电容极板在所述第一方向上的正投影至少部分交叠，所述第二电容极板在所述第一方向上的正投影与剩余所述第一电容极板在所述第一方向上的正投影至少部分交叠。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容介电层包括无机电容介电层；所述第二电容介电层包括有机电容介电层。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容介电层的厚度小于所述第二电容介电层的厚度。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一极区为所述第一晶体管的源极区，所述第二极区为所述第一晶体管的漏极区。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管为用于驱动发光器件发光的驱动晶体管。
19.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-18任一项所述的显示面板。
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