CN119836165A - 显示基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法，该显示基板包括：衬底基板；阵列设置在衬底基板上的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路；设置在像素驱动电路的远离衬底基板的一侧的像素界定层；该像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素，本公开的实施例通过分别三次沉积不同颜色的发光层和功能层，以及两次曝光刻蚀的图形化技术，实现了RGB全彩OLED像素化器件的制备，解决了将AMOLED蒸镀技术拓展至中大尺寸显示产品中时，显示分辨率无法进一步提升的问题，而且还提升了显示器件的分辨率和显示效果。

Description

显示基板及其制备方法

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法。

背景技术

与液晶显示面板相比，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为不需要任何光源的自发光显示器件，即为主动发光显示器件，且有机发光二极管具有高光效率、宽视角、高对比度、低驱动电压、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点，由此在显示技术领域中具有较好的发展前景。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已经成为目前显示领域的主流产品，随着显示技术的不断发展，优化显示效果已成为必然趋势。

有机发光显示装置包括与自发光元件对应的有机发光二极管，有机发光二极管包括形成在两个电极之间的发射层。有机发光二极管通过经由电子注入电极(即阴极)和空穴注入电极(即阳极)将电子和空穴注入到发射层中并且在发射层内使电极和空穴重新组合来产生激子，并且，当激子从激发态转变为基态时有机发光二极管发射光。根据光发射方向的不同将发光二极管分类为顶部发射模式、底部发射模式和双向发射模式。有机发光显示装置还能够被划分为无源矩阵型和有源矩阵型。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法，该显示基板包括：衬底基板；阵列设置在衬底基板上的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路；设置在像素驱动电路的远离衬底基板的一侧的像素界定层；该像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素，本公开的实施例通过分别三次沉积不同颜色的发光层和功能层，以及两次曝光刻蚀的图形化技术，实现了RGB全彩OLED像素化器件的制备，解决了将AMOLED蒸镀技术拓展至中大尺寸显示产品中时，显示分辨率无法进一步提升的问题，而且还提升了显示器件的分辨率和显示效果。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括：衬底基板；阵列设置在所述衬底基板上的像素单元，其中，每个所述像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个所述子像素包括发光元件和驱动对应的所述发光元件发光的像素驱动电路；设置在所述像素驱动电路的远离所述衬底基板的一侧的像素界定层；其中，所述像素界定层包括多个像素开口，每个所述像素开口对应一个所述子像素。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，每个所述像素单元包括三个所述子像素，每个所述子像素对应的所述发光元件包括层叠设置的第一电极和发光单元；在同一个所述像素单元中的三个所述子像素包括的所述发光单元分别包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层；在所述发光单元的远离所述衬底基板的一侧设置有第二电极，在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧设置有遮挡层；在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处和远离所述第一颜色发光层的位置处均设置有第三颜色保留膜层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处还设置有第二颜色保留膜层，所述第二颜色保留膜层和所述第三颜色保留膜层在远离所述衬底基板的方向上依次层叠设置。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第一颜色发光层之间的最大距离，与在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第二颜色发光层之间的最大距离不同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述第三颜色保留膜层的远离所述衬底基板的一侧设置有封装结构。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示基板包括显示区域和环设在所述显示区域的周边的外围区域；在所述外围区域，从靠近所述显示区域的位置到远离所述显示区域的位置，依次设置有第一公共电压连接线、第二公共电压连接线和第三公共电压连接线；在每个所述像素单元中，所述发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线分别和所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述像素界定层还包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，在每个所述间隔部中设置有辅助电极，所述辅助电极和所述第二电极通过第一过孔结构电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极包括从靠近所述衬底基板的位置向远离所述衬底基板的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一钛金属层的厚度范围为100埃～800埃，所述铝金属层的厚度范围为2000埃～6000埃，所述第二钛金属层的厚度范围为100埃～500埃，所述金属氧化物层的厚度范围为100埃～300埃。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一钛金属层、所述铝金属层、所述第二钛金属层和所述金属氧化物层的厚度分别为500埃、5000埃、300埃和200埃。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述像素界定层还包括多个间隔部，多个所述间隔部包括依次相邻的第一间隔部、第二间隔部和第三间隔部，在所述第一间隔部和所述第二间隔部之间设置有所述第一电极，在所述第二间隔部和所述第三间隔部之间设置有连接电极。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一电极和所述连接电极在同一工艺步骤中采用相同的材料形成，且所述第一电极和所述连接电极相互间隔。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述像素驱动电路所在层的背离所述衬底基板的一侧还设置有辅助电极，所述辅助电极和所述像素界定层之间还设置有平坦化层，所述连接电极和所述辅助电极通过位于所述平坦化层中的第二过孔结构电连接，所述连接电极和所述第二电极电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，多个所述辅助电极连接形成网格状结构。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极包括钼金属层，铜金属层，钛金属层、铝金属层和钛金属层形成的层叠结构,或者，氧化铟锡层、银金属层和氧化铟锡层形成的层叠结构。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极的厚度为1000埃～6000埃，且所述辅助电极的方块电阻为0～0.5Ω/sq。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电极和所述连接电极的连接电阻为0～0.1Ω。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件分别通过所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线与电源电压线电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；所述第二颜色保留膜层包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输保留层、第二颜色发光保留层、第二电子传输保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层；且所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，且所述第二电极设置在所述第二发光单元的远离所述衬底基板的一侧。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光层包括层叠设置的第一有机发射层和第二有机发射层；所述第一颜色发光层包括层叠设置的第一颜色发光第一子层和第一颜色发光第二子层；所述第二颜色发光层包括层叠设置的第二颜色发光第一子层和第二颜色发光第二子层；所述第三颜色发光层包括层叠设置的第三颜色发光第一子层和第三颜色发光第二子层；所述第一发光单元包括所述第一有机发射层，所述第一有机发射层包括所述第一颜色发光第一子层、所述第二颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第一子层；所述第二发光单元包括所述第二有机发射层，所述第二有机发射层包括所述第一颜色发光第二子层、所述第二颜色发光第二子层和所述第三颜色发光第二子层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一颜色发光第一子层的厚度和所述第一颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度彼此不同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度之和彼此不同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，至少在所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层之间，和/或在所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层之间，和/或在所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层之间设置有电荷产生层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述电荷产生层包括层叠设置的第一电荷产生层和第二电荷产生层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层是按照PN结结构构造的。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一发光单元包括层叠设置的空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、所述第一有机发射层、第一空穴阻挡层、第一电子传输层和所述第一电荷产生层；所述第二发光单元包括层叠设置的所述第二电荷产生层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、所述第二有机发射层、第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层；且所述第二颜色保留膜层包括层叠设置第三部分和第四部分，所述第三部分包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输第一保留层、第二电子阻挡第一保留层、第二颜色发光第一保留层、第二空穴阻挡第一保留层、第二电子传输第一保留层、第二电荷产生第一保留层，所述第四部分包括层叠设置的第二电荷产生第二保留层、第二空穴传输第二保留层、第二电子阻挡第二保留层、第二颜色发光第二保留层、第二空穴阻挡第二保留层、第二电子传输第二保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层分别为红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层均为磷光发光层，且所述第三颜色发光层中还具有硼元素。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层均包括基质材料和磷光材料，所述红色发光层包括的所述磷光材料的分子量大于所述绿色发光层包括的所述磷光材料的分子量，且大于所述蓝色发光层包括的所述磷光材料的分子量。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一电极包括层叠设置的反射金属层和透明导电层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述反射金属层的材料包括铝和银中的至少之一，所述透明导电层的材料包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少之一。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电极包括由银、铝、镁、锂、钙、氟化锂、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种形成的单层结构或者多层结构。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一电极的透过率大于80％。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且至少一个所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板，该显示基板包括：衬底基板；阵列设置在所述衬底基板上的像素单元，其中，每个所述像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个所述子像素包括发光元件和驱动对应的所述发光元件发光的像素驱动电路；设置在所述像素驱动电路的远离所述衬底基板的一侧的像素界定层；其中，所述像素界定层包括多个像素开口，每个所述像素开口对应一个所述子像素；所述像素界定层还包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，在每个所述间隔部中设置有辅助电极，所述辅助电极和所述第二电极通过第一过孔结构电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，每个所述像素单元包括三个所述子像素，每个所述子像素对应的所述发光元件包括层叠设置的第一电极和发光单元；在同一个所述像素单元中的三个所述子像素包括的所述发光单元分别包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层；在所述发光单元的远离所述衬底基板的一侧设置有第二电极，在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧设置有遮挡层；在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处和远离所述第一颜色发光层的位置处均设置有第三颜色保留膜层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处还设置有第二颜色保留膜层，所述第二颜色保留膜层和所述第三颜色保留膜层在远离所述衬底基板的方向上依次层叠设置。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第一颜色发光层之间的最大距离，与在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第二颜色发光层之间的最大距离不同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述第三颜色保留膜层的远离所述衬底基板的一侧设置有封装结构。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示基板包括显示区域和环设在所述显示区域的周边的外围区域；在所述外围区域，从靠近所述显示区域的位置到远离所述显示区域的位置，依次设置有第一公共电压连接线、第二公共电压连接线和第三公共电压连接线；在每个所述像素单元中，所述发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线分别和所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极包括从靠近所述衬底基板的位置向远离所述衬底基板的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一钛金属层的厚度范围为100埃～800埃，所述铝金属层的厚度范围为2000埃～6000埃，所述第二钛金属层的厚度范围为100埃～500埃，所述金属氧化物层的厚度范围为100埃～300埃。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一钛金属层、所述铝金属层、所述第二钛金属层和所述金属氧化物层的厚度分别为500埃、5000埃、300埃和200埃。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极包括层叠设置的多层结构，且所述辅助电极包括的所述多层结构通过过孔并联连接。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括栅线、数据线、电源电压信号线和初始化信号线，其中，所述辅助电极和所述栅线、所述数据线、所述电源电压信号线和所述初始化信号线中的至少之一同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括栅线、数据线、电源电压信号线、初始化信号线、参考电压信号线和感应电压信号线，其中，所述辅助电极和所述栅线、所述数据线、所述电源电压信号线、所述初始化信号线、所述参考电压信号线和所述感应电压信号线中的至少之一同层设置。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；所述第二颜色保留膜层包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输保留层、第二颜色发光保留层、第二电子传输保留层和第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层；且所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，且所述第二电极设置在所述第二发光单元的远离所述衬底基板的一侧。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述发光层包括层叠设置的第一有机发射层和第二有机发射层；所述第一颜色发光层包括层叠设置的第一颜色发光第一子层和第一颜色发光第二子层；所述第二颜色发光层包括层叠设置的第二颜色发光第一子层和第二颜色发光第二子层；所述第三颜色发光层包括层叠设置的第三颜色发光第一子层和第三颜色发光第二子层；所述第一发光单元包括所述第一有机发射层，所述第一有机发射层包括所述第一颜色发光第一子层、所述第二颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第一子层；所述第二发光单元包括所述第二有机发射层，所述第二有机发射层包括所述第一颜色发光第二子层、所述第二颜色发光第二子层和所述第三颜色发光第二子层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一颜色发光第一子层的厚度和所述第一颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度彼此不同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度之和彼此不同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，至少在所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层之间，和/或在所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层之间，和/或在所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层之间设置有电荷产生层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述电荷产生层包括层叠设置的第一电荷产生层和第二电荷产生层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层是按照PN结结构构造的。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一发光单元包括层叠设置的空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、所述第一有机发射层、第一空穴阻挡层、第一电子传输层和所述第一电荷产生层；所述第二发光单元包括层叠设置的所述第二电荷产生层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、所述第二有机发射层、第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层；且所述第二颜色保留膜层包括层叠设置第三部分和第四部分，所述第三部分包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输第一保留层、第二电子阻挡第一保留层、第二颜色发光第一保留层、第二空穴阻挡第一保留层、第二电子传输第一保留层、第二电荷产生第一保留层，所述第四部分包括层叠设置的第二电荷产生第二保留层、第二空穴传输第二保留层、第二电子阻挡第二保留层、第二颜色发光第二保留层、第二空穴阻挡第二保留层、第二电子传输第二保留层和第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层分别为红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层均为磷光发光层，且所述第三颜色发光层中还具有硼元素。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层均包括基质材料和磷光材料，所述红色发光层包括的所述磷光材料的分子量大于所述绿色发光层包括的所述磷光材料的分子量，且大于所述蓝色发光层包括的所述磷光材料的分子量。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一电极包括层叠设置的反射金属层和透明导电层。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述反射金属层的材料包括铝和银中的至少之一，所述透明导电层的材料包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少之一。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电极包括由银、铝、镁、锂、钙、氟化锂、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种形成的单层结构或者多层结构。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一电极的透过率大于80％。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且至少一个所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成阵列排布的像素单元，其中，每个所述像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个所述子像素包括发光元件和驱动对应的所述发光元件发光的像素驱动电路；在所述像素驱动电路的远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层；其中，所述像素界定层包括多个像素开口，每个所述像素开口对应一个所述子像素，每个所述像素单元对应依次相邻的第一颜色开口区域、第二颜色开口区域和第三颜色开口区域；在每个所述像素开口中分别形成第一电极；在对应所述第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层、第二电极第一子层和第一遮挡层；在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层；在所述第一遮挡层、所述第二遮挡层、所述像素界定层和在所述第三颜色开口区域对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第三颜色发光膜、第三功能膜、第二电极第三子层膜和第三遮挡薄膜。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第三颜色发光膜、所述第三功能膜、所述第二电极第三子层膜和所述第三遮挡薄膜的对应于所述第三颜色开口区域的位置处的部分分别作为第三颜色发光层、第三功能层、第二电极第三子层和第三遮挡层，剩余部分作为第三颜色保留膜层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第三功能层包括依次形成在所述第三颜色发光层的靠近所述第一电极的一侧的空穴注入层和空穴传输层，以及依次形成在所述第三颜色发光层的远离所述第一电极的一侧的电子传输层和电子注入层；所述第三颜色保留膜层包括分别依次形成在所述第一遮挡层和所述第二遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层的过程中，还包括：在所述第一遮挡层上形成第二颜色保留膜层，且所述第二颜色保留膜层在所述第三颜色保留膜层的靠近所述衬底基板的一侧。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第二颜色保留膜层包括依次形成在所述第一遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第二空穴注入保留层、第二空穴传输保留层、第二颜色发光保留层、第二电子传输保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第三颜色发光层包括层叠设置的第三颜色发光第一子层和第三颜色发光第二子层，且所述第三颜色发光第一子层相对于所述第三颜色发光第二子层更靠近所述第一电极；所述第三功能层包括层叠设置的第三功能第一子层和第三功能第二子层，且所述第三功能第一子层相对于所述第三功能第二子层更靠近所述第一电极；所述第三功能第一子层包括依次形成在所述第三颜色发光第一子层的靠近所述第一电极的一侧的空穴注入层、第一空穴传输层和第一电子阻挡层，以及依次形成在所述第三颜色发光第一子层的远离所述第一电极的一侧的第一空穴阻挡层、第一电子传输层和第一电荷产生层；所述第三功能第二子层包括依次形成在所述第三颜色发光第二子层的靠近所述第一电极的一侧的第二电荷产生层、第二空穴传输层和第二电子阻挡层，以及依次形成在所述第三颜色发光第二子层的远离所述第一电极的一侧的第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层；所述第三颜色保留膜层包括分别依次形成在所述第一遮挡层和所述第二遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层、第三电荷产生第一保留层、第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层的过程中，还包括：在所述第一遮挡层上形成第二颜色保留膜层，且所述第二颜色保留膜层在所述第三颜色保留膜层的靠近所述衬底基板的一侧。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第二颜色发光层包括层叠设置的第二颜色发光第一子层和第二颜色发光第二子层，且所述第二颜色发光第一子层相对于所述第二颜色发光第二子层更靠近所述第一电极；所述第二功能层包括层叠设置的第二功能第一子层和第二功能第二子层，且所述第二功能第一子层相对于所述第二功能第二子层更靠近所述第一电极；所述第二功能第一子层包括依次形成在所述第二颜色发光第一子层的靠近所述第一电极的一侧的空穴注入层、第一空穴传输层和第一电子阻挡层，以及依次形成在所述第二颜色发光第一子层的远离所述第一电极的一侧的第一空穴阻挡层、第一电子传输层和第一电荷产生层；所述第二功能第二子层包括依次形成在所述第二颜色发光第二子层的靠近所述第一电极的一侧的第二电荷产生层、第二空穴传输层和第二电子阻挡层，以及依次形成在所述第二颜色发光第二子层的远离所述第一电极的一侧的第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层；所述第二颜色保留膜层包括分别依次形成在所述第一遮挡层和所述第二遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第二空穴注入保留层、第二空穴传输第一保留层、第二电子阻挡第一保留层、第二颜色发光第一保留层、第二空穴阻挡第一保留层、第二电子传输第一保留层、第二电荷产生第一保留层、第二电荷产生第二保留层、第二空穴传输第二保留层、第二电子阻挡第二保留层、第二颜色发光第二保留层、第二空穴阻挡第二保留层、第二电子传输第二保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在对应所述第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层、第二电极第一子层和第一遮挡层包括：在所述像素界定层和所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第一颜色发光膜、第一功能膜、第二电极第一子层膜和第一遮挡薄膜；在所述第一遮挡薄膜之上且在所述第一颜色开口区域对应的位置处形成第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜对所述第一遮挡薄膜进行构图以形成第一遮挡层；以所述第一遮挡层为掩膜对所述第一颜色发光膜、所述第一功能膜和所述第二电极第一子层膜进行构图以形成所述第一颜色发光层、所述第一功能层和所述第二电极第一子层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层包括：在所述第一遮挡层、所述像素界定层和在所述第二颜色开口区域、所述第三颜色开口区域对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第二颜色发光膜、第二功能膜、第二电极第二子层膜和第二遮挡薄膜；在所述第二遮挡薄膜上且在所述第一颜色开口区域和所述第二颜色开口区域对应的位置处形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜对所述第二遮挡薄膜进行构图以形成第二遮挡层；以所述第二遮挡层为掩膜对所述第二颜色发光膜、所述第二功能膜和所述第二电极第二子层膜进行构图以形成所述第二颜色发光层、所述第二功能层和所述第二电极第二子层，并在所述第一遮挡层上形成第二颜色保留膜层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层包括：在所述第一遮挡层、所述像素界定层和在所述第二颜色开口区域、所述第三颜色开口区域对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第二颜色发光膜、第二功能膜、第二电极第二子层膜和第二遮挡薄膜；在所述第二遮挡薄膜上且在所述第二颜色开口区域对应的位置处形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜对所述第二遮挡薄膜进行构图以形成第二遮挡层，并去除所述第一遮挡层上的第二颜色保留膜层；以所述第二遮挡层为掩膜对所述第二颜色发光膜、所述第二功能膜和所述第二电极第二子层膜进行构图以形成所述第二颜色发光层、所述第二功能层和所述第二电极第二子层。

例如，本公开至少一实施例提供的制备方法，还包括在所述第三遮挡薄膜的远离所述衬底基板的一侧形成封装结构。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述像素界定层包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，在形成所述像素界定层之前还包括形成辅助电极，且在每个所述间隔部中均设置有所述辅助电极，所述辅助电极和所述第二电极通过第一过孔结构电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述像素界定层包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，多个所述间隔部包括依次相邻的第一间隔部、第二间隔部和第三间隔部，在所述第一间隔部和所述第二间隔部之间形成所述第一电极的过程中，还包括在所述第二间隔部和所述第三间隔部之间形成连接电极。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在形成所述像素驱动电路之后，且在形成所述像素界定层之前，还包括形成辅助电极、平坦化层和贯穿所述平坦化层的第二过孔结构，所述辅助电极设置在所述平坦化层中，所述连接电极和所述辅助电极通过所述第二过孔结构电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述显示基板包括显示区域和环设在所述显示区域的周边的外围区域；在所述外围区域，从靠近所述显示区域的位置到远离所述显示区域的位置，依次形成有第一公共电压连接线、第二公共电压连接线和第三公共电压连接线；所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线分别和包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光膜的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件分别通过所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线和电源电压线电连接。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的截面结构示意图；

图2为本公开一实施例提供的一种像素电路的电路结构示意图；

图3为图2中像素电路的驱动方法的时序图；

图4为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的截面结构示意图；

图5为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图6为图5所示显示基板的截面结构示意图；

图7为图6所示显示基板的截面结构的扫描电镜图；

图8为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的平面结构示意图；

图9为图8所示显示基板的截面结构示意图；

图10为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的部分结构的截面结构示意图；

图11为图10所示第一电极和连接电极的平面结构示意图；

图12为本公开至少一实施例提供的又一个显示基板的截面结构示意图；

图13为本公开至少一实施例提供的又一个显示基板的截面结构示意图；

图14为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的截面结构示意图；

图15为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的截面结构示意图；

图16为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的截面结构示意图；

图17为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图18为图17所示显示基板的截面结构示意图；

图19为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；

图20为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；

图21为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；

图22为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；

图23～图29为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图；

图23～图30为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的制备方法的过程图；

图31～图37为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的制备方法的过程图；

图31～图38为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的制备方法的过程图；

图31～图37和图39～图41为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图；

图31～图37和图39～图42为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图；

图31～图37和图39～图43为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图；

图23～图29和图44～图49为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图；

图23～图29和图44～图50为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图；以及

图23～图29和图44～图51为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

除非另外定义，本发明实施例中使用的“平行”、“垂直”和“相同”等特征均包括严格意义上的“平行”、“垂直”、“相同”等情况，以及“大致平行”、“大致垂直”、“大致相同”等包含一定误差的情况。例如，上述的“大致”可表示所比较的对象的差值为所比较的对象的平均值的10％，或者5％之内。在本发明实施例的下文中没有特别指出一个部件或元件的数量时，意味着该部件或元件可以是一个也可以是多个，或可理解为至少一个。“至少一个”指一个或多个，“多个”指至少两个。本发明实施例中的“同层设置”指同一材料在经过同一步骤(例如，一步图案化工艺)后形成的多个膜层之间的关系。这里的“同层”并不总是指多个膜层的厚度相同或者多个膜层在截面图中的高度相同。

有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)显示技术的量产工艺路线可以分为大尺寸技术和中小尺寸技术，由于RGB全彩显示技术具有显示效果好(色彩纯度高)、色彩绚丽、亮度高和功耗低等优势，在移动端占据了绝大部分的市场份额，随着显示技术的发展，有源矩阵有机发光二极管已经逐步向车载和人工智能等领域拓展，但是受限于目前的蒸镀和精细金属掩模版(FMM)技术水平，G6(1500*1850mm)及以上世代线还不成熟，低世代线切割技术的成本太高，从而无法兼顾成本和量产效率，目前的第6代OLED产线中采用的“半切”(Half Cut)的切割方式，但是采用该方式存在玻璃基板的利用率低的缺点，因此，开发不受限于FMM技术的全彩化方案变得尤为重要。

随着产线世代数的增加，设备尺寸增大，投资规模相应地也增加了，即第6代产线的投资规模较第4.5代产线的投资规模大大增加。以刚性AMOLED产线为例，第4.5代产线按15K/月的产能计算投资总额约50～70亿，第6代产线按15K/月的产能计算投资总额约100～140亿。在不考虑其他因素的情况下，采用高世代产线获得的玻璃基板的面积更大，产生的经济效应也较为明显且产量更高，采用高世代产线形成的单位面积显示面板的产品分摊的固定资产投资成本显著降低。

另外，第4.5代AMOLED生产线主要的切割尺寸为1～4英寸，主要切割的产品是智能穿戴类等较小尺寸的面板产品。第6代AMOLED生产线主要用于切割尺寸为5～17英寸的产品，例如，智能手机类、平板/笔记本电脑类等较大面板尺寸的产品。基于切割有效性的考虑，大尺寸基板用于切割较大尺寸产品可以避免用小尺寸基板切割较大尺寸产品带来的基板面积浪费，从而增加基板的利用效率、降低成本。而且，G6代以上基板尺寸目前没有成熟稳定的FMM技术，导致无法像液晶显示面板的产线类似基板尺寸越大，单位面积成本越低。

基于目前G6代柔性LTPs-AMOLED生产线设计，首先在尺寸为1500*1850的柔性基板上进行驱动电路的制备，例如，该驱动电路包括像素电路、GOA电路、EOA电路、电容和ESD等，然后进行二分切割(一分二)，变成尺寸为1500*925mm的基板，再利用FMM技术进行RGB全彩显示器件蒸镀和薄膜封装等工艺制程，这样的制程设计，使得基板在切割效率，制备良率和生产成本以及中大尺寸高分辨率产品规划等方面具有劣势。例如，基板在一分二切割裂片的过程中，需要预留宽度为10～50mm的切割区及缓冲区，相比全尺寸蒸镀的技术方案，则牺牲了一定比例的基板面积，降低了单位面积基板的产效，从而导致切割效率降低。而且，基板在一分二切割裂片的过程中会产生破片损失，从而降低了良率，裂片后再蒸镀也降低了后段封装制程的效率，从而需要提升制备良率和效率。

本公开的发明人注意到可以采用全尺寸阵列工艺、蒸镀工艺和封装工艺，以提高产出效率，而且可以不使用FMM技术来实现RGB图形化成膜和制备独立的发光器件，从而可以节省FMM的制造成本和清洗成本。此外，只需要借助产线原有的部分设备(例如，曝光机和刻蚀机)进行RGB像素化制备，从而使得形成的器件的位置精度更高，以避免混色，镀膜位置偏移等不良现象的产生。而且，随着显示产品的尺寸增加，FMM加工难度也显著增加，尤其是高分辨率(ppi＞320)的FMM技术，但是根据目前的曝光(CD＞2.0μm)和刻蚀的工艺水平(Space＞2.0μm)，制备大尺寸高分辨率的显示产品已经不是主要挑战了，而且该方案还可以节省切割，裂片和磨边的工艺步骤，从而进一步缩短了工艺流程。

本公开的发明人还注意到，可以通过分别三次沉积不同颜色的发光层和功能层，以及两次曝光刻蚀的图形化技术，即在不使用精细金属掩膜(FMM)的条件下，实现了RGB全彩OLED像素化器件的制备，解决了将AMOLED蒸镀技术拓展至中大尺寸显示产品中时，显示分辨率无法进一步提升的问题，而且，还可以解决产品解析度受限于FMM技术，中大尺寸高分辨率FMM制备难度较大，生产成本较高的问题。通过在大世代AMOLED产线上，利用曝光和刻蚀工艺制备大尺寸高分辨率RGB全彩AMOLED显示产品，还可以提升显示器件的分辨率和显示效果。

本公开的发明人注意到还可以在驱动背板上通过掩膜板热蒸发镀膜(EV)沉积有机发光二极管的各个膜层，并利用超薄封装层对各个膜层进行保护，然后进行曝光和刻蚀去除部分区域沉积的封装层和OLED膜层，该OLED膜层包括阴极和OLED各个功能层的叠层，该过程反复进行三次，可以实现大尺寸高分辨率RGB像素化，从而可以解决高世代线，G6基板尺寸1500*1800mm及以上大尺寸高分辨率AMOLED产品的制备，不再因为精细金属掩膜板(FMM)的制备水平限制RGB全彩技术在大尺寸上的应用。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括：衬底基板；阵列设置在衬底基板上的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路；设置在像素驱动电路的远离衬底基板的一侧的像素界定层；像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素。例如，该显示基板是底发光型的结构，即光线从显示基板的底部出射，该显示基板为大尺寸产品，且可以进行大批量生产。

例如，图1为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的截面结构示意图，如图1所示，该显示基板100包括：衬底基板101，阵列设置在衬底基板101上的像素单元102，每个像素单元102包括发射不同颜色光线的多个子像素103，每个子像素103包括发光元件1031和驱动对应的发光元件1031发光的像素驱动电路1032；设置在像素驱动电路1032的远离衬底基板101的一侧的像素界定层104，该像素界定层104包括多个像素开口1041，每个像素开口1041对应一个子像素103。例如，具有该结构的显示基板为大尺寸显示产品，且具有该结构的显示产品可以进行大批量生产，从而可以提高生产效率，并且可以降低生产成本。

例如，在一个示例中，该显示基板100包括呈矩阵布置的多个像素单元102，每个像素单元102包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。或者，每个像素单元102包括白色子像素和颜色转换层，该颜色转换层被配置为将从白色子像素发射的白光转换成红光、绿光和蓝光。该显示基板包括有源型子像素，该有源型子像素包括开关晶体管、电容器、驱动晶体管和有机发光二极管。该开关晶体管配置为响应于扫描信号来传送数据信号，该电容器配置为存储与数据信号对应的数据电压，该驱动晶体管配置为产生与数据电压对应的驱动电流，该有机发光二极管配置为发射与驱动电流对应的光线。例如，可以按照2T1C(两个晶体管和一个电容器)结构构造有源型子像素，该2T1C结构包括开关晶体管、电容器、驱动晶体管和有机发光二极管，该有源型子像素还可以被配置为进一步包括至少一个晶体管和至少一个电容器以形成其他结构的像素电路，且能够根据发光方向按照顶部发射模式、底部发射模式和双发射模式中的一种形成子像素。

例如，图2为本公开一实施例提供的一种像素电路的电路结构示意图，如图2所示，该像素电路121包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、驱动晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容C。

例如，如图2所示，为了进一步降低刷新频率，可以将第一晶体管T1和第二晶体管T2的有源层的材料设计成IGZO，并将第二晶体管G2设计成双栅结构，以降低漏电流，从而实现1～120Hz动态刷新频率的调节，以降低驱动功耗，并延长显示基板的使用寿命。

例如，如图2所示，第一晶体管T1为第一复位晶体管T1，第二晶体管T2为阈值补偿晶体管T2，第四晶体管T4为数据写入晶体管T4，第五晶体管T5为第二发光控制晶体管T5，第六晶体管T6为第一发光控制晶体管T6，第七晶体管T7为第二复位控制晶体管T7。

例如，第一晶体管T1的第一极连接N1节点，即与驱动晶体管T3的栅极电连接，第一晶体管T1的第二极连接第一初始信号端Vinit1，即与第一复位信号线电连接以接收复位信号，第一晶体管T1的栅极连接第一复位信号端Re1，即与复位控制信号线电连接以接收复位控制信号；第二晶体管T2也即阈值补偿晶体管的第一极连接N1节点，即与驱动晶体管T3的栅极电连接，第二晶体管T2的第二极连接驱动晶体管T3的第二极，第二晶体管T2的栅极连接第一栅极驱动信号端G1以接收补偿控制信号；驱动晶体管T3的栅极连接N1节点，以与存储电容C的第一极板、第一晶体管T1的第一极和第二晶体管T2的第一极连接；该第四晶体管T4也即数据写入晶体管的第一极连接数据信号端Data以接收数据信号，第四晶体管T4的第二极连接驱动晶体管T3的第一极，第四晶体管T4的栅极连接第二栅极驱动信号端G2以接收扫描信号；第五晶体管T5也即第二发光控制晶体管的第一极连接第一电源端VDD以接收第一电源信号，第五晶体管T5的第二极连接驱动晶体管T3的第一极，第五晶体管T5的栅极连接发光控制信号端EM以接收发光控制信号；第六晶体管T6也即第一发光控制晶体管的第一极连接驱动晶体管T3的第二极，第六晶体管T6的第二极连接第七晶体管T7的第一极，第六晶体管T6的栅极连接发光控制信号端EM以接收发光控制信号；第七晶体管T7的第二极连接第二初始信号端Vinit2，即与第二复位电源信号线电连接以接收复位信号Vinit，第七晶体管T7的栅极连接第二复位信号端Re2，即与复位控制信号线电连接以接收复位控制信号；存储电容C的第一极板连接N1节点并与驱动晶体管T3的栅极电连接，存储电容C的第二极板连接第一电源端VDD，即连接第一电源信号线。该像素电路可以连接发光元件120，该发光元件120可以为有机发光二极管(OLED)，该像素电路用于驱动该发光元件120发光，发光元件120可以连接于第六晶体管T6的第二极和第二电源端VSS之间，即连接第二电源信号线。

例如，上述第一电源信号线指输出电压信号VDD的信号线，可以与电压源连接以输出恒定的电压信号，例如正电压信号。上述第二电源信号线指输出电压信号VSS的信号线，可以与电压源连接以输出恒定的电压信号，例如负电压信号。

例如，扫描信号和补偿控制信号可以相同，即数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极可以电连接到同一条信号线以接收相同的信号，以减少信号线的数量。例如，数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即数据写入晶体管T4的栅极电连接到第二扫描信号线(第二栅线)，阈值补偿晶体管T2的栅极电连接到第一扫描信号线(第一栅线)，而第一扫描信号线和第二扫描信号线传输的信号可以相同，也可以不同，从而使得数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极可以被分开单独控制，从而可以增加控制像素电路的灵活性。

例如，第一发光控制晶体管T6和第二发光控制晶体管T5被输入的发光控制信号可以相同，即第一发光控制晶体管T6的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极可以电连接到同一条信号线以接收相同的信号，减少信号线的数量。例如，第一发光控制晶体管T6的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极也可以分别电连接至不同的发光控制信号线，此时，不同的发光控制信号线传输的信号可以相同，也可以不同。

例如，第二复位晶体管T7和第一复位晶体管T1被输入的复位控制信号可以相同，即，第二复位晶体管T7的栅极和第一复位晶体管T1的栅极可以电连接到同一条信号线以接收相同的信号，减少信号线的数量。例如，第二复位晶体管T7的栅极和第一复位晶体管T1的栅极也可以分别电连接至不同的复位控制信号线，此时，不同复位控制信号线上的信号可以相同也可以不相同。

例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2可以为N型晶体管。例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2可以为N型金属氧化物晶体管，N型金属氧化物晶体管具有较小的漏电流，从而可以避免发光阶段，N1节点通过第一晶体管T1和第二晶体管T2漏电。同时，驱动晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7可以为P型晶体管，例如，驱动晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7可以为P型低温多晶体硅晶体管，P型低温多晶体硅晶体管具有较高的载流子迁移率，从而有利于实现高分辨率、高反应速度、高像素密度、高开口率的显示面板。第一初始信号端Vinit1和第二初始信号端Vinit2可以根据实际情况输出相同或者不同的电压信号。

例如，图3为图2中像素电路的驱动方法的时序图。例如，在图3中，G1表示第一栅极驱动信号端G1的时序，G2表示第二栅极驱动信号端G2的时序，Re1表示第一复位信号端Re1的时序，Re2表示第二复位信号端Re2的时序，EM表示发光控制信号端EM的时序，Data表示数据信号端Data的时序。该像素电路的驱动方法可以包括第一复位阶段t1、补偿阶段t2，第二复位阶段t3、发光阶段t4。在第一复位阶段t1：第一复位信号端Re1输出高电平信号，第一晶体管T1导通，第一初始信号端Vinit1向节点N1输入初始信号。在补偿阶段t2：第一栅极驱动信号端G1输出高电平信号，第二栅极驱动信号端G2输出低电平信号，第四晶体管T4、第二晶体管T2导通，同时数据信号端Data输出驱动信号以向节点N1写入电压Vdata+Vth(即电压Vdata与Vth之和)，其中Vdata为驱动信号的电压，Vth为驱动晶体管T3的阈值电压。在第二复位阶段t3，第二复位信号端Re2输出低电平信号，第七晶体管T7导通，第二初始信号端Vinit2向第六晶体管T6的第二极输入初始信号。发光阶段t4：发光控制信号端EM输出低电平信号，第六晶体管T6和第五晶体管T5导通，驱动晶体管T3在存储电容C存储的电压Vdata+Vth作用下发光。

需要说明的是，在本公开实施例中，各个像素电路除了可以为图2所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构、8T1C结构或者9T2C结构，本公开实施例对此不作限定。

例如，如图1所示，多个第一电极105分别形成在不同的像素开口1041中。在一个示例中，该第一电极105为透明金属氧化物形成的阳极，例如，该第一电极105的材料为氧化铟镓锌，且第一电极105被限定为红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，并且该第一电极105的材料为透明金属氧化物，该显示基板为底发射显示基板。例如，该第一电极105的透过率大于80％。

例如，在另一个示例中，该第一电极105包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，该第一导电层的材料为具有高反射率的金属材料，该第二金属层的材料为透明导电材料。该第一导电层的材料为金属铝和金属银中的至少之一。该第二金属层的材料为氧化铟锡和氧化铟锌中的至少之一。

例如，如图1所示，每个像素单元102包括三个子像素103，该三个子像素103发射的光线的颜色不同，可以分别为红色光线、绿色光线和蓝色光线。每个子像素103对应的发光元件1031包括层叠设置的第一电极105和发光单元106，在同一个像素单元102中的三个子像素103包括的三个发光单元106分别包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109。在一个示例中，该第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109可以分别为红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。例如，在发光单元106的远离衬底基板101的一侧设置有第二电极110，在第二电极110的远离衬底基板101的一侧设置有遮挡层111，在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处和远离第一颜色发光层107的位置处均设置有第三颜色保留膜层112，通过该遮挡层111和光刻胶的遮挡可以实现在不使用精细掩膜板的情况下对各个层结构进行构图工艺，从而可以适用于大规模生产。

例如，如图1所示，发光单元106包括层叠设置的功能层和发光层，该功能层在依次远离第一电极105的方向上包括层叠设置的空穴注入层113、空穴传输层114、电子传输层115和电子注入层116，该发光层包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109，且发光层设置在空穴传输层114和电子传输层115之间，以实现空穴和电子在发光层中复合以发光。

例如，在一个示例中，该遮挡层111的材料为无机绝缘材料，该遮挡层111的材料为氮化硅、碳氮化硅和碳化硅中的至少之一。

例如，在一个示例中，如图1所示，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处，以及在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处还设置有第三颜色保留膜层112。该第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124和第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。该第三颜色保留膜层112包括的第三颜色发光保留层1121和第三颜色发光层109在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三空穴注入保留层1122和第三颜色发光层109对应的空穴注入层113在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三空穴传输保留层1123和第三颜色发光层109对应的空穴传输层114在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三电子传输保留层1124和第三颜色发光层109对应的电子传输层115在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三电子注入保留层1125和第三颜色发光层109对应的电子注入层116在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第二电极保留第三子层1126和第三颜色发光层109对应的第二电极110在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三遮挡保留层1127和第三颜色发光层109对应的遮挡层111在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。

例如，在一个示例中，该第二电极110为整层设置的阴极，该第二电极110的材料可以是导电金属。

例如，如图1所示，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处的第三颜色保留膜层112和第一颜色发光层107之间的最大距离，与在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处的第三颜色保留膜层112和第二颜色发光层108之间的最大距离可以相同或者不同。例如，该第一颜色发光层107和与之层叠设置的功能层的厚度之和大于第二颜色发光层108和与之层叠设置的功能层的厚度之和，例如，包括第一颜色发光层107的发光单元106包括的空穴注入层113、空穴传输层114、第一颜色发光层107、电子传输层115和电子注入层116的厚度之和，大于包括第二颜色发光层108的发光单元106包括的空穴注入层113、空穴传输层114、第二颜色发光层108、电子传输层115和电子注入层的厚度之和，从而使得在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处的第三颜色保留膜层112和第一颜色发光层107之间的最大距离，大于在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处的第三颜色保留膜层112和第二颜色发光层108之间的最大距离。

例如，如图1所示，在第三颜色保留膜层112的远离衬底基板101的一侧设置有封装结构117，该封装结构117可以包括层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。

例如，图4为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的截面结构示意图，图4所示的结构和图1所示的结构的不同之处在于，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处还设置有第二颜色保留膜层122，第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层112在远离衬底基板101的方向上依次层叠设置。如图4所示，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处具有层叠设置的第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层112，且第二颜色保留膜层122相对于第三颜色保留膜层112更靠近衬底基板101。在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处仅设置有第三颜色保留膜层112。

例如，如图4所示，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处的第三颜色保留膜层112和第一颜色发光层107之间的最大距离，与在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处的第三颜色保留膜层112和第二颜色发光层108之间的最大距离不同，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处的第三颜色保留膜层112和第一颜色发光层107之间间隔有第二颜色保留膜层122，该第二颜色保留膜层122包括多层层叠结构。

例如，如图4所示，发光单元106包括层叠设置的功能层和发光层，该功能层在远离第一电极105的方向上包括依次层叠设置的空穴注入层113、空穴传输层114、电子传输层115和电子注入层116，该发光层包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109，且发光层设置在空穴传输层114和电子传输层115之间，以实现空穴和电子在发光层中复合以发光。例如，该第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109设置在同一层。该第二颜色保留膜层122包括层叠设置的第二空穴注入保留层1222、第二空穴传输保留层1223、第二颜色发光保留层1221、第二电子传输保留层1224、第二电子注入保留层1225、第二电极保留第二子层1226和第二遮挡保留层1227，且该第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

例如，如图4所示，在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处设置的第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处设置的第三颜色保留膜层112包括的各个层结构和在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处设置的第三颜色保留膜层112包括的对应的各个层结构设置在不同层。

例如，图5为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图，如图5所示，该显示基板100包括显示区域130和环设在显示区域130的周边的外围区域140，例如，该显示区域130为用于显示的区域，该外围区域140设置有一些走线和覆晶薄膜150。例如，如图5所示，在外围区域140的除了设置有覆晶薄膜150的一侧，在其他三侧，分别从靠近显示区域130的位置到远离显示区域130的位置，依次设置有第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143设置在不同的层中，且均连接至覆晶薄膜150。在第一公共电压连接线141和覆晶薄膜150围设的区域中设置有第一阴极1101a，在第二公共电压连接线142和覆晶薄膜150围设的区域中设置有第二阴极1101b，在第三公共电压连接线143和覆晶薄膜150围设的区域中设置有第三阴极1101c，该第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c位于不同的层结构中，且分别通过对应的第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143和覆晶薄膜150进行连接。

例如，图6为图5所示显示基板的截面结构示意图，图6所示的截面结构是以在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处具有层叠设置的第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层112，且在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处仅设置有第三颜色保留膜层112为例进行说明的。图7为图6所示显示基板的截面结构的扫描电镜图，结合图5和图6，在每个像素单元中，发光元件1031包括第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c，第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c分别包括位于不同层中的第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143分别和第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c电连接。

需要说明的是，尽管在图6所示的截面结构示意图中，该第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c是位于同一层的，但是在实际的产品结构中，如图7所示，第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c是位于不同层的。结合图5至图7，在对应第二发光元件1031b和第三发光元件1031c的位置处，第一阴极1101a具有镂空区域；在对应第一发光元件1031a和第三发光元件1031c的位置处，第二阴极1101b具有镂空区域；在对应第一发光元件1031a和第二发光元件1031b的位置处，第三阴极1101c具有镂空区域。

例如，在常规的设计中，有机发光二极管显示器件通常采用单层共阴极的结构，即不同颜色的子像素对应的阴极为同一层结构，该整层设置的阴极在外环上搭接在电源电压信号线上，该电源电压信号线和覆晶薄膜电连接。但是本公开的实施例提供的显示基板，在制备过程中，是将对应第一发光元件的发光层、功能层、阴极和封装层形成之后整体进行构图，封装层覆盖的面积比阴极覆盖的面积更大，这样会使得封装层覆盖阴极的边缘，或者封装层没有去除干净，或者由于对应不同颜色的发光元件的发光层和功能层的厚度不同，从而使得不同颜色的发光元件对应的阴极是位于不同层的，且它们之间是不进行电连接的，进而不能通过设置一整块的阴极来使得对应不同颜色的发光元件均和电源电压信号线电连接。本公开的实施例通过使得第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c分别包括第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c，且该第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c位于不同层且相互间隔，并在显示区域130的周边的外围区域140设置第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143，且分别使得第一公共电压连接线141和第一阴极1101a电连接，第二公共电压连接线142和第二阴极1101b电连接，第三公共电压连接线143和第三阴极1101c电连接，再使得第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143均和电源电压线电连接，且使得电源电压线和覆晶薄膜150电连接，该种设计可以在采用本公开的实施例提供的简单的制备工艺制备显示基板的基础上，使得位于不同层的第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c均连接到覆晶薄膜上。

需要说明的是，在另一个示例中，图6还可以是在图1所示截面结构的基础上进行的设计，即以在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处具有第三颜色保留膜层112，且在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处不具有保留结构为例进行说明的。在又一个示例中，图6还可以是以在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处和在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处均不具有保留结构为例进行说明的，具体的结构不再图示说明。

例如，图8为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的平面结构示意图，如图8所示，该显示基板100包括显示区域130和环设在显示区域130的周边的外围区域140，例如，该显示区域130为用于显示的区域，该外围区域140设置有一些走线和覆晶薄膜150。例如，如图8所示，在外围区域140的除了设置有覆晶薄膜150的一侧，在其他三侧，分别从靠近显示区域130的位置到远离显示区域130的位置，依次设置有第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143均连接至电源电压线133，该电源电压线133连接至覆晶薄膜150，且在显示区域130中在相邻的发光元件之间还设置有辅助电极1043。

例如，图9为图8所示显示基板的截面结构示意图，图9所示的截面结构是以在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处和在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处均不具有保留结构为例进行说明的。结合图8和图9，在每个像素单元中，该第二电极110为阴极，发光元件1031包括第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c，第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c分别包括位于不同层中的第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143分别和第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c电连接。

例如，如图9所示，像素界定层104还包括将相邻的像素开口1041间隔开的多个间隔部1042，在每个间隔部1042中设置有辅助电极1043，辅助电极1043和第二电极110通过第一过孔结构1044电连接。例如，每个辅助电极1043均和对应的发光元件的阴极电连接，该辅助电极1043可以实现降低阴极的电阻。

例如，在一个示例中，辅助电极1043包括层叠设置的多层结构，且辅助电极1043包括的多层结构通过过孔并联连接。

例如，在一个示例中，该显示基板还包括栅线、数据线、电源电压信号线和初始化信号线，该栅线、数据线、电源电压信号线和初始化信号线位于不同的层结构中，该辅助电极1043和栅线、数据线、电源电压信号线和初始化信号线中的至少之一同层设置。例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括的多层结构分别和栅线、数据线、电源电压信号线和初始化信号线同层设置。

例如，在一个示例中，第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c对应的辅助电极1043可以位于不同的层。

需要说明的是，尽管在图9所示的截面结构示意图中，该第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c是位于同一层的，但是在实际的产品结构中，如图10所示，第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c是位于不同层的。结合图8至图10，在对应第二发光元件1031b和第三发光元件1031c的位置处，第一阴极1101a具有镂空区域；在对应第一发光元件1031a和第三发光元件1031c的位置处，第二阴极1101b具有镂空区域；在对应第一发光元件1031a和第二发光元件1031b的位置处，第三阴极1101c具有镂空区域。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括从靠近衬底基板101的位置向远离衬底基板101的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。例如，该第一钛金属层的厚度范围为100埃～800埃，该铝金属层的厚度范围为2000埃～6000埃，该第二钛金属层的厚度范围为100埃～500埃，该金属氧化物层的厚度范围为100埃～300埃。例如，在又一个示例中，该第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层的厚度分别为500埃、5000埃、300埃和200埃。

例如，在一个示例中，在第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层形成的相邻的层之间设置有第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，该第一层间绝缘层为有机绝缘层，该第一层间绝缘层的厚度为1.5微米，该第二层间绝缘层的材料为无机绝缘层，该第二层间绝缘层的材料具体可以为氮化硅，第二层间绝缘层的厚度为300埃～1000埃。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括从靠近衬底基板101的位置向远离衬底基板101的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。

例如，如图9所示，在第二电极110的远离衬底基板101的一侧设置有封装结构117，该封装结构117包括层叠设置的第一封装层1171、第二封装层1172和第三封装层1173，第一封装层1171和第三封装层1173可以采用无机材料，第二封装层1172可以采用有机材料，第二封装层1172设置在第一封装层1171和第三封装层1173之间，该层叠设置的封装结构117可以保证外界水汽无法进入各个发光元件的发光层。

例如，图10为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的部分结构的截面结构示意图，图11为图10所示第一电极和连接电极的平面结构示意图，结合图10和图11所示，该显示基板100包括像素驱动电路1032，设置在像素驱动电路1032的远离衬底基板101的一侧的平坦化层118和像素界定层104，该像素界定层104还包括多个间隔部119，多个间隔部119包括依次相邻的第一间隔部1191、第二间隔部1192和第三间隔部1193，在第一间隔部1191和第二间隔部1192之间设置有第一电极105，在第二间隔部1192和第三间隔部1193之间设置有连接电极161，即在相邻的两个间隔部119之间设置有第一电极105或者连接电极161，该第一电极105和连接电极161依次交替设置，该第一电极105的长度大于连接电极161的长度。

例如，如图10所示，该第一电极105和连接电极161在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。例如，该第一电极105和连接电极161都采用氧化铟锡形成，第一电极105和连接电极161的厚度均小于间隔部的厚度。

例如，如图10所示，在像素驱动电路1032所在层的背离衬底基板101的一侧还设置有辅助电极1043，该辅助电极1043和像素界定层104之间还设置有平坦化层118，连接电极161和辅助电极1043通过位于平坦化层118中的第二过孔结构1045电连接，进而使得连接电极161和第二电极110电连接，以进一步降低第二电极110的电阻。

例如，在一个示例中，该多个辅助电极1043连接形成网格状结构，该网格状的结构可以使得辅助电极1043的电阻降低，最终使得与该辅助电极1043连接的第二电极110的电阻进一步降低。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括钼金属层、铜金属层、钛金属层、铝金属层和钛金属层形成的层叠结构,或者，氧化铟锡层、银金属层和氧化铟锡层形成的层叠结构，该辅助电极1043由多层层叠的结构形成可以进一步降低辅助电极1043的电阻。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043的厚度为1000埃～6000埃，且辅助电极1043的方块电阻为0～0.5Ω/sq。例如，该辅助电极1043的厚度为1000埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃和6000埃，对应的方块电阻可以分别为0.1Ω/sq、0.2Ω/sq、0.3Ω/sq、0.4Ω/sq、0.45Ω/sq和0.5Ω/sq。

例如，在一个示例中，第二电极110和连接电极161的连接电阻为0～0.1Ω，即相对于单独的第二电极110，第二电极110和连接电极161的连接电阻大幅度减小了。

例如，如图11所示，第一电极105和连接电极161相互间隔设置，每相邻的两个第一电极105之间都设置有至少两个连接电极161。

例如，将该实施例中的结构和图8所示的实施例结合，结合图8和图10所示，第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c分别通过第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143与电源电压线133电连接，电源电压线133连接至覆晶薄膜150。

例如，图12为本公开至少一实施例提供的又一个显示基板的截面结构示意图，如图12所示，每个发光单元106包括层叠设置的第一发光单元1061和第二发光单元1062，且第二电极110设置在第二发光单元1062的远离衬底基板101的一侧，通过将第一发光单元1061和第二发光单元1062叠层设置以形成一个发光单元106可以提高发光单元106发射光线的效率，且使得发光单元106发射光线的色纯度更大。

例如，如图12所示，发光层133包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109，每个发光层133包括层叠设置的第一有机发射层1331和第二有机发射层1332；第一颜色发光层107包括层叠设置的第一颜色发光第一子层1071和第一颜色发光第二子层1072；第二颜色发光层108包括层叠设置的第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082；第三颜色发光层109包括层叠设置的第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092；第一发光单元1061包括第一有机发射层1331，第一有机发射层1331包括第一颜色发光第一子层1071、第二颜色发光第一子层1081和第三颜色发光第一子层1091；第二发光单元1062包括第二有机发射层1332，第二有机发射层1332包括第一颜色发光第二子层1072、第二颜色发光第二子层1082和第三颜色发光第二子层1092。

例如，在一个示例中，该第一颜色发光第一子层1071的厚度和第一颜色发光第二子层1072的厚度彼此不同；第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082的厚度彼此不同；第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092的厚度彼此不同。例如，将该第一颜色发光第一子层1071的厚度和第一颜色发光第二子层1072的厚度设置成彼此不同，将第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082的厚度设置成彼此不同，将第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092的厚度设计成彼此不同，可以减小第一发光单元1061中的发光层和第二发光单元1062中的发光层与第一电极或者第二电极之间的距离的差异导致出射光效的效率的不同，即上述设计可以使得第一发光单元1061和第二发光单元1062发射光线的效率得到提升。

例如，在一个示例中，该第一颜色发光第一子层1071和第一颜色发光第二子层1072的厚度之和，与第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082的厚度之和，与第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092的厚度之和彼此不同。

例如，在一个示例中，至少在第一颜色发光第一子层1071和第一颜色发光第二子层1072之间，和/或在第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082之间，和/或在第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092之间设置有电荷产生层123。

例如，在一个示例中，该电荷产生层123包括层叠设置的第一电荷产生层1231和第二电荷产生层1232。例如，该第一电荷产生层1231和第二电荷产生层1232是按照PN结的结构构造的，该第一电荷产生层1231是N型电荷产生层，第二电荷产生层1232是P型电荷产生层。

例如，在一个示例中，如图12所示，该第一发光单元1061包括层叠设置的空穴注入层113、第一空穴传输层1141、第一电子阻挡层124、第一有机发射层1331、第一空穴阻挡层125、第一电子传输层1151和第一电荷产生层1231；第二发光单元1062包括层叠设置的第二电荷产生层1232、第二空穴传输层1142、第二电子阻挡层126、第二有机发射层1332、第二空穴阻挡层127、第二电子传输层1152和电子注入层116。

例如，在一个示例中，如图12所示，该第三颜色保留膜层112包括层叠设置第一部分112a和第二部分112b，第一部分112a包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输第一保留层1123a、第三电子阻挡第一保留层1241、第三颜色发光第一保留层1121a、第三空穴阻挡第一保留层1251、第三电子传输第一保留层1124a和第三电荷产生第一保留层1231a，第二部分112b包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层1231b、第三空穴传输第二保留层1123b、第三电子阻挡第二保留层1261、第三颜色发光第二保留层1121b、第三空穴阻挡第二保留层1252、第三电子传输第二保留层1124b、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

例如，图13为本公开至少一实施例提供的又一个显示基板的截面结构示意图，如图13所示，该第三颜色保留膜层112包括层叠设置第一部分112a和第二部分112b，第一部分112a包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输第一保留层1123a、第三电子阻挡第一保留层1241、第三颜色发光第一保留层1121a、第三空穴阻挡第一保留层1251、第三电子传输第一保留层1124a和第三电荷产生第一保留层1231a，第二部分112b包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层1231b、第三空穴传输第二保留层1123b、第三电子阻挡第二保留层1261、第三颜色发光第二保留层1121b、第三空穴阻挡第二保留层1252、第三电子传输第二保留层1124b、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127；且该第二颜色保留膜层122包括层叠设置第三部分122a和第四部分122b，第三部分122a包括层叠设置的第二空穴注入保留层1222、第二空穴传输第一保留层12231、第二电子阻挡第一保留层1262、第二颜色发光第一保留层1221a、第二空穴阻挡第一保留层1271、第二电子传输第一保留层12241、第二电荷产生第一保留层12321，第四部分122b包括层叠设置的第二电荷产生第二保留层12322、第二空穴传输第二保留层12231、第二电子阻挡第二保留层1263、第二颜色发光第二保留层1222b、第二空穴阻挡第二保留层1253、第二电子传输第二保留层12242、第二电子注入保留层1225、第二电极保留第二子层1226和第二遮挡保留层1227。

例如，在一个示例中，如图12和图13所示，第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109分别为红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109均为磷光发光层，且第三颜色发光层109中还具有硼元素。

例如，在一个示例中，该红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层均包括基质材料和磷光材料，红色发光层包括的磷光材料的分子量大于绿色发光层包括的磷光材料的分子量，且大于蓝色发光层包括的磷光材料的分子量。

例如，在一个示例中，该第一电极105包括层叠设置的反射金属层和透明导电层，该层叠设置的反射金属层和透明导电层可以减小第一电极105的电阻，该显示基板为顶发射显示基板。

例如，在一个示例中，该反射金属层的材料包括铝和银中的至少之一，该透明导电层的材料包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少之一。

例如，在一个示例中，该第二电极110包括由银、铝、镁、锂、钙、氟化锂、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种形成的单层结构或者多层结构。

例如，在一个示例中，该显示基板为底发射型显示基板，且第一电极的透过率大于80％。

例如，在一个示例中，该像素驱动电路1032包括多个薄膜晶体管1032a，至少一个薄膜晶体管1032a为金属氧化物薄膜晶体管，且至少一个薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板，例如，图14为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的截面结构示意图，如图14所示，该显示基板100包括：衬底基板101；阵列设置在衬底基板101上的像素单元102，每个像素单元102包括发射不同颜色光线的多个子像素103，每个子像素103包括发光元件1031和驱动对应的发光元件1031发光的像素驱动电路1032；设置在像素驱动电路1032的远离衬底基板101的一侧的像素界定层104；该像素界定层104包括多个像素开口1041，每个像素开口1041对应一个子像素103，该像素界定层104还包括将相邻的像素开口1041间隔开的多个间隔部119，在每个间隔部119中设置有辅助电极1043，辅助电极1043和第二电极110通过第一过孔结构1044电连接，以降低第二电极110的电阻。

例如，在一个示例中，第二电极110的边界位于显示区域中，第二电极110在显示区域中和栅线层、数据线层、电源电压线层中的一层电连接。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括从靠近衬底基板101的位置向远离衬底基板101的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。例如，该第一钛金属层的厚度范围为100埃～800埃，该铝金属层的厚度范围为2000埃～6000埃，该第二钛金属层的厚度范围为100埃～500埃，该金属氧化物层的厚度范围为100埃～300埃。例如，在又一个示例中，该第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层的厚度分别为500埃、5000埃、300埃和200埃。

例如，在一个示例中，在第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层形成的相邻的层之间设置有第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，该第一层间绝缘层为有机绝缘层，该第一层间绝缘层的厚度为1.5微米，该第二层间绝缘层的材料为无机绝缘层，该第二层间绝缘层的材料具体可以为氮化硅，第二层间绝缘层的厚度为300埃～1000埃。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括从靠近衬底基板101的位置向远离衬底基板101的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。

例如，在一个示例中，该多个辅助电极1043连接形成网格状结构，该网格状的结构可以使得辅助电极1043的电阻降低，最终使得与该辅助电极1043连接的第二电极110的电阻进一步降低。

例如，如图14所示，每个像素单元102包括三个子像素103，每个子像素103对应的发光元件1031包括层叠设置的第一电极105和发光单元106，在同一个像素单元102中的三个子像素103包括的发光单元106分别包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109；在发光单元106的远离衬底基板101的一侧设置有第二电极110，在第二电极110的远离衬底基板101的一侧设置有封装结构117，尽管在图14中只示出了封装结构为单层结构，在其他的示例中，该封装结构117可以包括层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。

例如，尽管在图14所示的截面结构示意图中，该相邻的三个子像素103对应的第二电极110是位于同一层的，但是在实际的产品结构中，该相邻的三个子像素103对应的第二电极110是位于不同层的。

例如，图15为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的截面结构示意图，图15所示显示基板的结构和图14所示显示基板的结构的不同之处在于，图15所示的显示基板，在第二电极110的远离衬底基板101的一侧还设置有遮挡层111，即遮挡层111位于第二电极110和封装结构117之间。例如，该遮挡层111的材料为无机绝缘材料。

例如，在本公开的实施例中是通过光刻胶材料对形成对应的发光元件时不需要的部分进行去除，因此需要遮挡层111进行遮挡，所以保留了该遮挡层111。

例如，图15所示显示基板的结构和图14所示显示基板的结构的不同之处还在于，在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处和远离第一颜色发光层107的位置处均设置有第三颜色保留膜层112。图15所示的截面结构和图14所示的截面结构的相同之处在此不再赘述，仅描述不同之处。

例如，在一个示例中，该第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124和第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。该第三颜色保留膜层112包括的第三颜色发光保留层1121和第三颜色发光层109在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三空穴注入保留层1122和第三颜色发光层109对应的空穴注入层113在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三空穴传输保留层1123和第三颜色发光层109对应的空穴传输层114在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三电子传输保留层1124和第三颜色发光层109对应的电子传输层115在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三电子注入保留层1125和第三颜色发光层109对应的电子注入层116在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第二电极保留第三子层1126和第三颜色发光层109对应的第二电极110在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。该第三颜色保留膜层112包括的第三遮挡保留层1127和第三颜色发光层109对应的遮挡层111在同一工艺步骤中采用相同的材料形成。

例如，图16为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的截面结构示意图，图16所示显示基板的结构和图15所示显示基板的结构的不同之处在于，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处还设置有第二颜色保留膜层122，即第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层112在远离衬底基板101的方向上依次层叠设置，但是在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处仅设置有第三颜色保留膜层112。图16所示的截面结构和图15所示的截面结构的相同之处在此不再赘述，仅描述不同之处。

例如，如图16所示，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处的第三颜色保留膜层112和第一颜色发光层107之间的最大距离，与在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处的第三颜色保留膜层112和第二颜色发光层108之间的最大距离不同，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处的第三颜色保留膜层112和第一颜色发光层107之间间隔有第二颜色保留膜层122，该第二颜色保留膜层122包括多层层叠结构。

例如，如图16所示，发光单元106包括层叠设置的功能层和发光层，该功能层在远离第一电极105的方向上包括依次层叠设置的空穴注入层113、空穴传输层114、电子传输层115和电子注入层116，该发光层包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109，且发光层设置在空穴传输层114和电子传输层115之间，以实现空穴和电子在发光层中复合以发光。例如，该第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109设置在同一层。该第二颜色保留膜层122包括层叠设置的第二空穴注入保留层1222、第二空穴传输保留层1223、第二颜色发光保留层1221、第二电子传输保留层1224、第二电子注入保留层1225、第二电极保留第二子层1226和第二遮挡保留层1227，且该第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

例如，如图16所示，在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处设置的第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处设置的第三颜色保留膜层112包括的各个层结构和在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处设置的第三颜色保留膜层112包括的对应的各个层结构设置在不同层。

例如，如图16所示，在第三颜色保留膜层112的远离衬底基板101的一侧设置有封装结构117，该封装结构117的特征可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，图17为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图17所示，该显示基板100包括显示区域130和环设在显示区域130的周边的外围区域140，例如，该显示区域130为用于显示的区域，该外围区域140设置有一些走线和覆晶薄膜150。例如，如图17所示，在外围区域140的除了设置有覆晶薄膜150的一侧，在其他三侧，分别从靠近显示区域130的位置到远离显示区域130的位置，依次设置有第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143均连接至电源电压线133，该电源电压线133连接至覆晶薄膜150，且在显示区域130中在相邻的发光元件之间还设置有辅助电极1043。

例如，图18为图17所示显示基板的截面结构示意图，图18所示的截面结构是以在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处和在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处均不具有保留结构为例进行说明的。结合图17和图18，在每个像素单元中，该第二电极110为阴极，发光元件1031包括第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c，第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c分别包括位于不同层中的第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143分别和第一发光元件1031a、第二发光元件1031b和第三发光元件1031c电连接。

例如，如图18所示，像素界定层104还包括将相邻的像素开口1041间隔开的多个间隔部1042，在每个间隔部1042中设置有辅助电极1043，辅助电极1043和第二电极110通过第一过孔结构1044电连接。例如，每个辅助电极1043均和对应的发光元件的阴极电连接，该辅助电极1043可以实现降低阴极的电阻。

需要说明的是，尽管在图18所示的截面结构示意图中，该第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c是位于同一层的，但是在实际的产品结构中，第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c是位于不同层的。结合图17和图18，在对应第二发光元件1031b和第三发光元件1031c的位置处，第一阴极1101a具有镂空区域；在对应第一发光元件1031a和第三发光元件1031c的位置处，第二阴极1101b具有镂空区域；在对应第一发光元件1031a和第二发光元件1031b的位置处，第三阴极1101c具有镂空区域。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括从靠近衬底基板101的位置向远离衬底基板101的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。例如，该第一钛金属层的厚度范围为100埃～800埃，该铝金属层的厚度范围为2000埃～6000埃，该第二钛金属层的厚度范围为100埃～500埃，该金属氧化物层的厚度范围为100埃～300埃。例如，在又一个示例中，该第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层的厚度分别为500埃、5000埃、300埃和200埃。

例如，在一个示例中，在第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层形成的相邻的层之间设置有第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，该第一层间绝缘层为有机绝缘层，该第一层间绝缘层的厚度为1.5微米，该第二层间绝缘层的材料为无机绝缘层，该第二层间绝缘层的材料具体可以为氮化硅，第二层间绝缘层的厚度为300埃～1000埃。

例如，在一个示例中，该辅助电极1043包括从靠近衬底基板101的位置向远离衬底基板101的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。

例如，如图18所示，发光单元106包括层叠设置的功能层和发光层，功能层在依次远离第一电极105的方向上包括层叠设置的空穴注入层113、空穴传输层114、电子传输层115和电子注入层116，且发光层设置在空穴传输层114和电子传输层115之间，以实现空穴和电子在发光层中复合以发光。发光层包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109。第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124和第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

例如，如图18所示，该第二颜色保留膜层122包括层叠设置的第二空穴注入保留层1222、第二空穴传输保留层1223、第二颜色发光保留层1221、第二电子传输保留层1224、第二电子注入保留层1225、第二电极保留第二子层1226和第二遮挡保留层1227，且该第三颜色保留膜层112包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

需要说明的是，尽管在图18中示出的是，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处具有层叠设置的第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层112，且第二颜色保留膜层122相对于第三颜色保留膜层112更靠近衬底基板101，在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处仅设置有第三颜色保留膜层112的情形，但是图17所示的实施例也适用于在遮挡层111的远离第一颜色发光层107和远离第二颜色发光层108的位置处均设置第三颜色保留膜层112的情形，还适用于在遮挡层111的远离第一颜色发光层107和远离第二颜色发光层108的位置处未设置第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层112的情形。

例如，图19为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图，图19所示的截面结构是以在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处和在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处均不具有保留结构为例进行说明的。

例如，如图19所示，每个发光单元106包括层叠设置的第一发光单元1061和第二发光单元1062，且第二电极110设置在第二发光单元1062的远离衬底基板101的一侧，通过将第一发光单元1061和第二发光单元1062叠层设置以形成一个发光单元106可以提高发光单元106发射光线的效率，且使得发光单元106发射光线的色纯度更大。

例如，如图19所示，发光层133包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109，每个发光层133包括层叠设置的第一有机发射层1331和第二有机发射层1332；第一颜色发光层107包括层叠设置的第一颜色发光第一子层1071和第一颜色发光第二子层1072；第二颜色发光层108包括层叠设置的第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082；第三颜色发光层109包括层叠设置的第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092；第一发光单元1061包括第一有机发射层1331，第一有机发射层1331包括第一颜色发光第一子层1071、第二颜色发光第一子层1081和第三颜色发光第一子层1091；第二发光单元1062包括第二有机发射层1332，第二有机发射层1332包括第一颜色发光第二子层1072、第二颜色发光第二子层1082和第三颜色发光第二子层1092。

例如，在一个示例中，如图19所示，该第一颜色发光第一子层1071的厚度和第一颜色发光第二子层1072的厚度彼此不同；第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082的厚度彼此不同；第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092的厚度彼此不同。例如，将该第一颜色发光第一子层1071的厚度和第一颜色发光第二子层1072的厚度设置成彼此不同，将第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082的厚度设置成彼此不同，将第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092的厚度设计成彼此不同，可以减小第一发光单元1061中的发光层和第二发光单元1062中的发光层与第一电极或者第二电极之间的距离的差异导致出射光效的效率的不同，即上述设计可以使得第一发光单元1061和第二发光单元1062发射光线的效率得到提升。

例如，在一个示例中，该第一颜色发光第一子层1071和第一颜色发光第二子层1072的厚度之和，与第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082的厚度之和，与第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092的厚度之和彼此不同。

例如，在一个示例中，至少在第一颜色发光第一子层1071和第一颜色发光第二子层1072之间，和/或在第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082之间，和/或在第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092之间设置有电荷产生层123。

例如，如图19所示，该电荷产生层123包括层叠设置的第一电荷产生层1231和第二电荷产生层1232。例如，该第一电荷产生层1231和第二电荷产生层1232是按照PN结的结构构造的，该第一电荷产生层1231是N型电荷产生层，第二电荷产生层1232是P型电荷产生层。

例如，在一个示例中，如图19所示，该第一发光单元1061包括层叠设置的空穴注入层113、第一空穴传输层1141、第一电子阻挡层124、第一有机发射层1331、第一空穴阻挡层125、第一电子传输层1151和第一电荷产生层1231；第二发光单元1062包括层叠设置的第二电荷产生层1232、第二空穴传输层1142、第二电子阻挡层126、第二有机发射层1332、第二空穴阻挡层127、第二电子传输层1152和电子注入层116。

例如，如图19所示，对应于第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109的第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c分别通过第一过孔结构1044和辅助电极1043电连接。例如，每个辅助电极1043均和对应的发光元件的阴极电连接，该辅助电极1043可以实现降低阴极的电阻。

例如，在图19所示的显示基板中，该第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c位于不同层。

例如，图20为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图，如图20所示，对应于第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109的第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c分别通过第一过孔结构1044和辅助电极1043电连接。例如，每个辅助电极1043均和对应的发光元件的阴极电连接，该辅助电极1043可以实现降低阴极的电阻。图20所示的显示基板和图19所示的显示基板的相同之处在此不再赘述。

例如，如图20所示，在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处和远离第一颜色发光层107的位置处均设置有第三颜色保留膜层112。该第三颜色保留膜层112包括层叠设置第一部分112a和第二部分112b，第一部分112a包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输第一保留层1123a、第三电子阻挡第一保留层1241、第三颜色发光第一保留层1121a、第三空穴阻挡第一保留层1251、第三电子传输第一保留层1124a和第三电荷产生第一保留层1231a，第二部分112b包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层1231b、第三空穴传输第二保留层1123b、第三电子阻挡第二保留层1261、第三颜色发光第二保留层1121b、第三空穴阻挡第二保留层1252、第三电子传输第二保留层1124b、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

例如，图21为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图，如图21所示，对应于第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109的第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c分别通过第一过孔结构1044和辅助电极1043电连接。例如，每个辅助电极1043均和对应的发光元件的阴极电连接，该辅助141电极1043可以实现降低阴极的电阻。图21所示的显示基板和图19所示的显示基板的相同之处在此不再赘述。

例如，如图21所示，在遮挡层111的远离第二颜色发光层108的位置处设置有第三颜色保留膜层112，在遮挡层111的远离第一颜色发光层107的位置处设置有第三颜色保留膜层112和第二颜色保留膜层122的叠层结构。该第三颜色保留膜层112包括层叠设置第一部分112a和第二部分112b，第一部分112a包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输第一保留层1123a、第三电子阻挡第一保留层1241、第三颜色发光第一保留层1121a、第三空穴阻挡第一保留层1251、第三电子传输第一保留层1124a和第三电荷产生第一保留层1231a，第二部分112b包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层1231b、第三空穴传输第二保留层1123b、第三电子阻挡第二保留层1261、第三颜色发光第二保留层1121b、第三空穴阻挡第二保留层1252、第三电子传输第二保留层1124b、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127；且该第二颜色保留膜层122包括层叠设置第三部分122a和第四部分122b，第三部分122a包括层叠设置的第二空穴注入保留层1222、第二空穴传输第一保留层12231、第二电子阻挡第一保留层1262、第二颜色发光第一保留层1221a、第二空穴阻挡第一保留层1271、第二电子传输第一保留层12241、第二电荷产生第一保留层12321，第四部分122b包括层叠设置的第二电荷产生第二保留层12322、第二空穴传输第二保留层12231、第二电子阻挡第二保留层1263、第二颜色发光第二保留层1222b、第二空穴阻挡第二保留层1253、第二电子传输第二保留层12242、第二电子注入保留层1225、第二电极保留第二子层1226和第二遮挡保留层1227。

例如，在图21所示的实施例中，还示出了分别从靠近显示区域的位置到远离显示区域的位置，依次设置有第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143设置在不同的层中，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143分别连接至第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c。

需要说明的是，在上述图19和图20的中，也设置有第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143，该第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143设置在不同的层中，并分别连接至第一阴极1101a、第二阴极1101b和第三阴极1101c。

例如，在一个示例中，如图19至图21所示，第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109分别为红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109均为磷光发光层，且第三颜色发光层109中还具有硼元素。

例如，在一个示例中，该红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层均包括基质材料和磷光材料，红色发光层包括的磷光材料的分子量大于绿色发光层包括的磷光材料的分子量，且大于蓝色发光层包括的磷光材料的分子量。

例如，在一个示例中，该第一电极105包括层叠设置的反射金属层和透明导电层，该层叠设置的反射金属层和透明导电层可以减小第一电极105的电阻。

例如，在一个示例中，该反射金属层的材料包括铝和银中的至少之一，该透明导电层的材料包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少之一。

例如，在一个示例中，该第二电极110包括由银、铝、镁、锂、钙、氟化锂、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种形成的单层结构或者多层结构。

例如，在一个示例中，该像素驱动电路1032包括多个薄膜晶体管1032a，至少一个薄膜晶体管1032a为金属氧化物薄膜晶体管，且至少一个薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成阵列排布的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路；在像素驱动电路的远离衬底基板的一侧形成像素界定层；该像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素，每个像素单元对应依次相邻的第一颜色开口区域、第二颜色开口区域和第三颜色开口区域；在每个像素开口中分别形成第一电极；在对应第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层和第一遮挡层；在对应第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层和第二遮挡层；在第一遮挡层、第二遮挡层、像素界定层和在第三颜色开口区域对应的第一电极的远离衬底基板的一侧形成第三颜色发光膜、第三功能膜和第三遮挡薄膜，本公开的实施例通过分别进行多次沉积不同颜色的发光层和功能层，以及多次曝光刻蚀的图形化技术，即在不使用精细金属掩膜(FMM)的条件下，实现了例如RGB全彩OLED像素化器件的制备，解决了将AMOLED蒸镀技术拓展至中大尺寸显示产品中时，显示分辨率无法进一步提升的问题，而且，还可以解决产品解析度受限于FMM技术，中大尺寸高分辨率FMM制备难度较大，生产成本较高的问题。通过在大世代AMOLED产线上，利用曝光和刻蚀工艺制备大尺寸高分辨率RGB全彩AMOLED显示产品，还可以提升显示器件的分辨率和显示效果。

例如，图22为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图，图23～图29为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图，结合图22和图23至图29所示，该制备方法包括如下步骤。

步骤S101：提供衬底基板；

步骤S102：在衬底基板上形成阵列排布的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路；

步骤S103：在像素驱动电路的远离衬底基板的一侧形成像素界定层；其中，像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素，每个像素单元对应依次相邻的第一颜色开口区域、第二颜色开口区域和第三颜色开口区域；

步骤S104：在每个像素开口中分别形成第一电极；

步骤S105：在对应第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层、第二电极第一子层和第一遮挡层；

步骤S106：在对应第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层；

步骤S107：在第一遮挡层、第二遮挡层、像素界定层和在第三颜色开口区域对应的第一电极的远离衬底基板的一侧形成第三颜色发光膜、第三功能膜、第二电极第三子层膜和第三遮挡薄膜。

例如，如图23所示，提供衬底基板101，该衬底基板101可以为玻璃基板、石英基板或者柔性显示基板等，本公开的实施例对此不作限定。

例如，如图24所示，在衬底基板101上形成阵列排布的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路1032。

需要说明的是，尽管在图24中提及了像素单元及其包括的子像素，和各个子像素对应的发光元件，但是由于各个发光元件包括的层叠的结构很多，在该步骤中无法使出，因此，在该步骤中近景示出了形成像素驱动电路1032。

例如，如图25所示，在像素驱动电路1032的远离衬底基板101的一侧形成像素界定层104，该像素界定层104包括多个像素开口1041，每个像素开口1041对应一个子像素，每个像素单元对应依次相邻的第一颜色开口区域1041a、第二颜色开口区域1041b和第三颜色开口区域1041c。

例如，如图26所示，在每个像素开口1041中分别形成第一电极105。

例如，在图26所示的结构中，通过第一电极105对各个相邻的子像素进行划分，即形成在每个像素开口1041中的每个第一电极105对应一个子像素。

例如，图27A～图27E为在对应第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层、第二电极第一子层和第一遮挡层的过程图。

例如，如图27A所示，在对应第一颜色开口区域1041a的位置处形成第一颜色发光层107、第一功能层171、第二电极第一子层177和第一遮挡层172包括：在像素界定层104和第一电极105的远离衬底基板101的一侧形成第一颜色发光膜107’、第一功能膜171’、第二电极第一子层膜177’和第一遮挡薄膜172’。

例如，该第一功能膜171’为包括多层结构层叠形成的结构，尽管在图27A中只在一层结构对应的位置处进行了标注，但是在图27A中第一功能膜171’包括位于第一颜色发光膜107’的靠近衬底基板101的一侧的两个膜层和远离衬底基板101的一侧的两个膜层，即该第一功能膜171’至少包括层叠设置的四层结构。第一颜色发光膜107’也可以包括多层层叠结构。

例如，如图27B所示，在第一遮挡薄膜172’之上且在第一颜色开口区域1041a对应的位置处形成第一光刻胶层181。例如，该第一光刻胶层181的材料可以参见常规的材料，在此不再赘述。

例如，如图27C所示，以第一光刻胶层181为掩膜对第一遮挡薄膜172’进行构图以形成第一遮挡层172。

例如，在图27C所示的结构中，第一遮挡层172仅覆盖位于最左边的子像素对应的区域。

例如，该第一遮挡层172的材料可以为无机绝缘材料。例如，该第一遮挡层172的材料为氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅等中的至少之一。

例如，如图27D所示，去除第一遮挡层172的远离衬底基板101的一侧的第一光刻胶层181。

例如，如图27E所示，以第一遮挡层172为掩膜对第一颜色发光膜107’、第一功能膜171’和第二电极第一子层膜177’进行构图以形成第一颜色发光层107、第一功能层171和第二电极第一子层177。

例如，图28A～图28E为在对应第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层的过程图。

例如，如图28A所示，在对应第二颜色开口区域1041b的位置处形成第二颜色发光层108、第二功能层173、第二电极第二子层178和第二遮挡层174包括：在第一遮挡层172、像素界定层104和在第二颜色开口区域1041b、第三颜色开口区域1041c对应的第一电极105的远离衬底基板101的一侧形成第二颜色发光膜108’、第二功能膜173’、第二电极第二子层膜178’和第二遮挡薄膜174’。

例如，如图28B所示，在第二遮挡薄膜174’上且在第一颜色开口区域1041a和第二颜色开口区域1041b对应的位置处形成第二光刻胶层182。

例如，如图28C所示，以第二光刻胶层182为掩膜对第二遮挡薄膜174’进行构图以形成第二遮挡层174。例如，该第二遮挡层174覆盖左边的子像素和中间的子像素对应的区域。例如，该第二遮挡层174的材料和第一遮挡层172的材料相同，本公开的实施例对此不再赘述。

例如，如图28D所示，去掉第二遮挡层174的远离衬底基板101的一侧的第二光刻胶层182。

例如，如图28E所示，以第二遮挡层174为掩膜对第二颜色发光膜108’、第二功能膜173’和第二电极第二子层膜178’进行构图以形成第二颜色发光层108、第二功能层173和第二电极第二子层178，并在第一遮挡层172上形成第二颜色保留膜层122。

例如，该第二颜色保留膜层122的结构可以参见其他实施例的相关描述，在此不再赘述。

例如，图29为在第一遮挡层、第二遮挡层、像素界定层和在第三颜色开口区域对应的第一电极的远离衬底基板的一侧形成第三颜色发光膜、第三功能膜、第二电极第三子层膜和第三遮挡薄膜的过程图。例如，如图29所示，在第一遮挡层172、第二遮挡层174、像素界定层104和在第三颜色开口区域1041c对应的第一电极105的远离衬底基板101的一侧形成第三颜色发光膜109’、第三功能膜175’、第二电极第三子层膜179’和第三遮挡薄膜176’。

例如，如图29所示，第三颜色发光膜109’、第三功能膜175’、第二电极第三子层膜179’和第三遮挡薄膜176’的对应于第三颜色开口区域1041c的位置处的部分分别作为第三颜色发光层109、第三功能层175、第二电极第三子层179和第三遮挡层176，剩余部分作为第三颜色保留膜层121。

例如，该第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层121的结构可以参见其他实施例中的相关描述，在此不再赘述。

例如，在另一个示例中，如图30所示，在图29所示结构的基础上，该显示基板的制备方法还包括在第三遮挡薄膜176’的远离衬底基板101的一侧形成封装结构117，该封装结构117可以为三层结构，该封装结构包括的层结构可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，在一个示例中，采用本公开的实施例提供的制备方法形成的图30所示的显示基板也即为图4所示显示基板，结合图30和图4所示，发光层包括上述第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109，功能层包括上述第一功能层171、第二功能层173和第三功能层175。该第一功能层171包括依次形成在第二颜色发光层108的靠近第一电极105的一侧的空穴注入层113和空穴传输层114，以及依次形成在第二颜色发光层108的远离第一电极105的一侧的电子传输层115和电子注入层116。该第二功能层173包括依次形成在第二颜色发光层108的靠近第一电极105的一侧的空穴注入层113和空穴传输层114，以及依次形成在第二颜色发光层108的远离第一电极105的一侧的电子传输层115和电子注入层116。该第三功能层175包括依次形成在第三颜色发光层108的靠近第一电极105的一侧的空穴注入层113和空穴传输层114，以及依次形成在第三颜色发光层108的远离第一电极105的一侧的电子传输层115和电子注入层116。

例如，结合图30和图4所示，该第三颜色保留膜层112包括分别依次形成在第一遮挡层172、第二遮挡层174的远离衬底基板101的一侧的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输保留层1123、第三颜色发光保留层1121、第三电子传输保留层1124、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

例如，结合图30和图4所示，第二颜色保留膜层123包括依次形成在第一遮挡层172的远离衬底基板101的一侧的第二空穴注入保留层1222、第二空穴传输保留层1223、第二颜色发光保留层1221、第二电子传输保留层1224、第二电子注入保留层1225、第二电极保留第二子层1226和第二遮挡保留层1227。

例如，在图4、图29和图30所示的显示基板中，每个发光元件对应一个发光单元，在第一遮挡层172上形成了层叠的第二颜色保留膜层122和第三颜色保留膜层112，且第二颜色保留膜层122在第三颜色保留膜层112的靠近衬底基板101的一侧，在第二遮挡层174上仅形成了第三颜色保留膜层112。

例如，在另一个示例中，采用本公开的实施例提供的制备方法形成的图30所示的显示基板也即为图13所示显示基板，即将图30中的各个功能层和发光层细化成图13所示的结构，结合图30和图13所示，每个发光单元106包括层叠设置的第一发光单元1061和第二发光单元1062，且第二电极110设置在第二发光单元1062的远离衬底基板101的一侧。

例如，结合图30和图13所示，发光层133包括第一颜色发光层107、第二颜色发光层108和第三颜色发光层109，每个发光层133包括层叠设置的第一有机发射层1331和第二有机发射层1332；第一颜色发光层107包括层叠设置的第一颜色发光第一子层1071和第一颜色发光第二子层1072；第二颜色发光层108包括层叠设置的第二颜色发光第一子层1081和第二颜色发光第二子层1082；第三颜色发光层109包括层叠设置的第三颜色发光第一子层1091和第三颜色发光第二子层1092；第一发光单元1061包括第一有机发射层1331，第一有机发射层1331包括第一颜色发光第一子层1071、第二颜色发光第一子层1081和第三颜色发光第一子层1091；第二发光单元1062包括第二有机发射层1332，第二有机发射层1332包括第一颜色发光第二子层1072、第二颜色发光第二子层1082和第三颜色发光第二子层1092。

例如，该功能层包括上述第一功能层171、第二功能层173和第三功能层175。第一功能层171包括层叠设置的第一功能第一子层和第一功能第二子层，且第一功能第一子层相对于第一功能第二子层更靠近第一电极105，第一功能第一子层包括依次形成在第一颜色发光第一子层1071的靠近第一电极105的一侧的空穴注入层113、第一空穴传输层1141和第一电子阻挡层124，以及依次形成在第一颜色发光第一子层1071的远离第一电极105的一侧的第一空穴阻挡层125、第一电子传输层1151和第一电荷产生层1231。第一功能第二子层1072包括依次形成在第一颜色发光第二子层1072的靠近第一电极105的一侧的第二电荷产生层1232、第二空穴传输层1142和第二电子阻挡层126，以及依次形成在第三颜色发光第二子层1072的远离第一电极105的一侧的第二空穴阻挡层127、第二电子传输层1152和电子注入层116。第二功能层173包括层叠设置的第二功能第一子层和第二功能第二子层，且第二功能第一子层相对于第二功能第二子层更靠近第一电极105，第二功能第一子层包括依次形成在第二颜色发光第一子层1731的靠近第一电极105的一侧的空穴注入层113、第一空穴传输层1141和第一电子阻挡层124，以及依次形成在第二颜色发光第一子层1731的远离第一电极105的一侧的第一空穴阻挡层125、第一电子传输层1151和第一电荷产生层1231。第二功能第二子层1732包括依次形成在第二颜色发光第二子层1732的靠近第一电极105的一侧的第二电荷产生层1232、第二空穴传输层1142和第二电子阻挡层126，以及依次形成在第二颜色发光第二子层1732的远离第一电极105的一侧的第二空穴阻挡层127、第二电子传输层1152和电子注入层116。第三功能层175包括层叠设置的第三功能第一子层和第三功能第二子层，且第三功能第一子层相对于第三功能第二子层更靠近第一电极105，第三功能第一子层包括依次形成在第三颜色发光第一子层1091的靠近第一电极105的一侧的空穴注入层113、第一空穴传输层1141和第一电子阻挡层124，以及依次形成在第三颜色发光第一子层1091的远离第一电极105的一侧的第一空穴阻挡层125、第一电子传输层1151和第一电荷产生层1231。第三功能第二子层1092包括依次形成在第三颜色发光第二子层1092的靠近第一电极105的一侧的第二电荷产生层1232、第二空穴传输层1142和第二电子阻挡层126，以及依次形成在第三颜色发光第二子层1092的远离第一电极105的一侧的第二空穴阻挡层127、第二电子传输层1152和电子注入层116。

例如，该电荷产生层123包括层叠设置的第一电荷产生层1231和第二电荷产生层1232。该第一发光单元1061包括层叠设置的空穴注入层113、第一空穴传输层1141、第一电子阻挡层124、第一有机发射层1331、第一空穴阻挡层125、第一电子传输层1151和第一电荷产生层1231；第二发光单元1062包括层叠设置的第二电荷产生层1232、第二空穴传输层1142、第二电子阻挡层126、第二有机发射层1332、第二空穴阻挡层127、第二电子传输层1152和电子注入层116。

结合图30和图13所示，该第三颜色保留膜层112包括层叠设置第一部分112a和第二部分112b，第一部分112a包括层叠设置的第三空穴注入保留层1122、第三空穴传输第一保留层1123a、第三电子阻挡第一保留层1241、第三颜色发光第一保留层1121a、第三空穴阻挡第一保留层1251、第三电子传输第一保留层1124a和第三电荷产生第一保留层1231a，第二部分112b包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层1231b、第三空穴传输第二保留层1123b、第三电子阻挡第二保留层1261、第三颜色发光第二保留层1121b、第三空穴阻挡第二保留层1252、第三电子传输第二保留层1124b、第三电子注入保留层1125、第二电极保留第三子层1126和第三遮挡保留层1127。

结合图30和图13所示，该第二颜色保留膜层122包括层叠设置第三部分122a和第四部分122b，第三部分122a包括层叠设置的第二空穴注入保留层1222、第二空穴传输第一保留层12231、第二电子阻挡第一保留层1262、第二颜色发光第一保留层1221a、第二空穴阻挡第一保留层1271、第二电子传输第一保留层12241、第二电荷产生第一保留层12321，第四部分122b包括层叠设置的第二电荷产生第二保留层12322、第二空穴传输第二保留层12231、第二电子阻挡第二保留层1263、第二颜色发光第二保留层1222b、第二空穴阻挡第二保留层1253、第二电子传输第二保留层12242、第二电子注入保留层1225、第二电极保留第二子层1226和第二遮挡保留层1227。

例如，上述各个层结构的材料，不同层的厚度之间的大小关系等均可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，图31～图37为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的制备方法的过程图，例如，如图31所示，提供衬底基板101，该衬底基板101的材料可以参见上述中的相关描述，本公开的实施例对此不作限定。

例如，如图32所示，在衬底基板101上形成阵列排布的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路。

需要说明的是，尽管在图32中提及了像素单元及其包括的子像素，和各个子像素对应的发光元件，但是由于各个发光元件包括的层叠的结构很多，在该步骤中无法使出，因此，在该步骤中近景示出了形成像素驱动电路1032。

例如，如图33所示，在像素驱动电路1032的远离衬底基板101的一侧形成像素界定层104，该像素界定层104包括多个像素开口1041，每个像素开口1041对应一个子像素，每个像素单元对应依次相邻的第一颜色开口区域1041a、第二颜色开口区域1041b和第三颜色开口区域1041c。

例如，如图34所示，在每个像素开口1041中分别形成第一电极105。

例如，在图34所示的结构中，通过第一电极105对各个相邻的子像素进行划分，即形成在每个像素开口1041中的每个第一电极105对应一个子像素。

例如，图35A～图35E为在对应第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层、第二电极第一子层和第一遮挡层的过程图。

例如，如图35A所示，在对应第一颜色开口区域1041a的位置处形成第一颜色发光层107、第一功能层171、第二电极第一子层177和第一遮挡层172包括：在像素界定层104和第一电极105的远离衬底基板101的一侧形成第一颜色发光膜107’、第一功能膜171’、第二电极第一子层膜177’和第一遮挡薄膜172’。

例如，该第一功能膜171’为包括多层结构层叠形成的结构，尽管在图35A中只在一层结构对应的位置处进行了标注，但是在图35A中第一功能膜171’包括位于第一颜色发光膜107’的靠近衬底基板101的一侧的两个膜层和远离衬底基板101的一侧的两个膜层，即该第一功能膜171’包括层叠设置的四层结构，但本公开的实施例不限于此，该第一功能膜171’还可以包括更多层结构层叠形成的结构。

例如，如图35B所示，在第一遮挡薄膜172’之上且在第一颜色开口区域1041a对应的位置处形成第一光刻胶层181。例如，该第一光刻胶层181的材料可以参见常规的材料，在此不再赘述。

例如，如图35C所示，以第一光刻胶层181为掩膜对第一遮挡薄膜172’进行构图以形成第一遮挡层172。

例如，在图35C所示的结构中，第一遮挡层172仅覆盖位于最左边的子像素对应的区域。

例如，该第一遮挡层172的材料可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，如图35D所示，去掉第一遮挡层172的远离衬底基板101的一侧的第一光刻胶层181。

例如，如图35E所示，以第一遮挡层172为掩膜对第一颜色发光膜107’、第一功能膜171’和第二电极第一子层膜177’进行构图以形成第一颜色发光层107、第一功能层171和第二电极第一子层177。

例如，图36A～图36E为在对应第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层的过程图。

例如，如图36A所示，在对应第二颜色开口区域1041b的位置处形成第二颜色发光层108、第二功能层173、第二电极第二子层178和第二遮挡层174包括：在第一遮挡层172、像素界定层104和在第二颜色开口区域1041b、第三颜色开口区域1041c对应的第一电极105的远离衬底基板101的一侧形成第二颜色发光膜108’、第二功能膜173’、第二电极第二子层膜178’和第二遮挡薄膜174’。

例如，如图36B所示，在第二遮挡薄膜174’上且在第二颜色开口区域1041b对应的位置处形成第二光刻胶层182。

例如，如图36C所示，以第二光刻胶层182为掩膜对第二遮挡薄膜174’进行构图以形成第二遮挡层174。例如，该第二遮挡层174仅覆盖中间的子像素对应的区域。例如，该第二遮挡层174的材料和第一遮挡层172的材料相同，本公开的实施例对此不再赘述。

例如，如图36D所示，去掉第二遮挡层174的远离衬底基板101的一侧的第二光刻胶层182。

例如，如图36E所示，以第二遮挡层174为掩膜对第二颜色发光膜108’、第二功能膜173’和第二电极第二子层膜178’进行构图以形成第二颜色发光层108、第二功能层173和第二电极第二子层178，并去除第一遮挡层172上残留的膜层。

例如，图37为在第一遮挡层、第二遮挡层、像素界定层和在第三颜色开口区域对应的第一电极的远离衬底基板的一侧形成第三颜色发光膜、第三功能膜、第二电极第三子层膜和第三遮挡薄膜的过程图。例如，如图37所示，在第一遮挡层172、第二遮挡层174、像素界定层104和在第三颜色开口区域1041c对应的第一电极105的远离衬底基板101的一侧形成第三颜色发光膜109’、第三功能膜175’、第二电极第三子层膜179’和第三遮挡薄膜176’。

例如，如图37所示，第三颜色发光膜109’、第三功能膜175’、第二电极第三子层膜179’和第三遮挡薄膜176’的对应于第三颜色开口区域1041c的位置处的部分分别作为第三颜色发光层109、第三功能层175、第二电极第三子层179和第三遮挡层176，剩余部分作为第三颜色保留膜层121。

例如，该第三颜色保留膜层121的结构可以参见其他实施例中的相关描述，在此不再赘述。

例如，在另一个示例中，如图38所示，在图37所示结构的基础上，该显示基板的制备方法还包括在第三遮挡薄膜176’的远离衬底基板101的一侧形成封装结构117，该封装结构117可以为三层结构，该封装结构包括的层结构可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，在另一个示例中，采用本公开的实施例提供的制备方法形成的图38所示的显示基板也即为图1所示显示基板，结合图38和图1所示，每个发光元件对应一个发光单元，在第一遮挡层172和第二遮挡层174上形成了第三颜色保留膜层112。该显示基板包括的各个层结构可以参照图1的相关描述，在此不再赘述。

例如，在另一个示例中，采用本公开的实施例提供的制备方法形成的图38所示的显示基板也即为图12所示显示基板，结合图38和图12所示，每个发光元件对应两个发光单元，在第一遮挡层172和第二遮挡层174上形成了第三颜色保留膜层112。该显示基板包括的各个层结构可以参照图12的相关描述，在此不再赘述。

例如，本公开至少一实施例还提供另一种显示基板的制备方法，该制备方法除了包括图31～图37所示的步骤之外，还包括图39～图41所示的步骤，即图31～图37和图39～图41为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图。

例如，如图39所示，在图37所示截面结构的基础上，在第三遮挡薄膜176’上且在第三颜色开口区域1041c对应的位置处形成第三光刻胶层183。

例如，如图40所示，以第三光刻胶层183为掩膜去除第三颜色保留膜层121上的第三遮挡薄膜176’的除了第三遮挡层176之外的部分。

例如，如图41所示，去除第三光刻胶层183，并去除第三颜色保留膜层121剩余的部分。

例如，在另一个实施例中，在图41所形成的截面结构的基础上，还可以包括图42所示的步骤，即图31～图37和图39～图42为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图，如图42所示，去除第一遮挡层172、第二遮挡层174和第三遮挡层176，并在第二电极110之上形成电极连接结构186，电极连接结构186和第二电极110电连接。

例如，在另一个实施例中，在图42所形成的截面结构的基础上，还可以包括图43所示的步骤，即图31～图37和图39～图43为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图，如图43所示，在图42所示显示基板的结构上形成封装结构117，该封装结构具体的结构可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，本公开至少一实施例还提供另一种显示基板的制备方法，该制备方法除了包括图23～图29所示的步骤之外，还包括图44～图49所示的步骤，即图23～图29和图44～图49为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图。

例如，如图44所示，在图29所示截面结构的基础上，在第三遮挡薄膜176’上且在第三颜色开口区域1041c对应的位置处形成第三光刻胶层183。

例如，如图45所示，以第三光刻胶层183为掩膜去除第三颜色保留膜层121上的第三遮挡薄膜176’的除了第三遮挡层176之外的部分。

例如，如图46所示，去除第三光刻胶层183，并去除第三颜色保留膜层121剩余的部分。

例如，如图47所示，在图46所示截面结构的基础上，在第二遮挡层174和第三遮挡层176上且在第二颜色开口区域1041b第三颜色开口区域1041c对应的位置处形成第四光刻胶层184。

例如，如图48所示，以第四光刻胶层184为掩膜去除第二颜色保留膜层122上的第二遮挡薄膜残余的结构。

例如，如图49所示，去除第四光刻胶层184，并去除第二颜色保留膜层122剩余的部分。

例如，在另一个实施例中，在图49所形成的截面结构的基础上，还可以包括图50所示的步骤，即图23～图29和图44～图50为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图，如图50所示，去除第一遮挡层172、第二遮挡层174和第三遮挡层176，并在第二电极110之上形成电极连接结构186，电极连接结构186和第二电极110电连接。

例如，在另一个实施例中，在图50所形成的截面结构的基础上，还可以包括图51所示的步骤，即图23～图29和图44～图51为本公开至少一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的过程图，如图51所示，在图50所示显示基板的结构上形成封装结构117，该封装结构具体的结构可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，在本公开的至少一个实施例中，在上述各个制备方法的实施例中，在图24所示的步骤之后，且在图25所示的步骤之前，即在形成像素界定层104之前还包括形成辅助电极1043，然后在图25所示的步骤中形成像素界定层104，且在像素界定层104的每个间隔部1042中均形成有辅助电极1043。例如结合图16和图21所示的结构，辅助电极1043和第二电极110通过第一过孔结构1044电连接。

例如，在本公开的至少一个实施例中，在上述各个制备方法的实施例中，在图32所示的步骤之后，且在图33所示的步骤之前，即在形成像素界定层104之前还包括形成辅助电极1043，然后在图33所示的步骤中形成像素界定层104，且在像素界定层104的每个间隔部1042中均形成有辅助电极1043。例如结合图图15和20所示的结构，辅助电极1043和第二电极110通过第一过孔结构1044电连接。

例如，在本公开的至少一个实施例中，在上述各个制备方法的实施例中，在图24所示的步骤之后，且在图25所示的步骤之前；或者，在图32所示的步骤之后，且在图33所示的步骤之前，即在形成像素驱动电路1032之后，且在形成像素界定层104之前，还包括形成辅助电极1043、平坦化层118和贯穿平坦化层118的第二过孔结构1045，辅助电极1043设置在平坦化层118中，然后在图25或者图32所示的步骤中形成像素界定层104。该像素界定层104包括依次相邻的第一间隔部1191、第二间隔部1192和第三间隔部1193，在第一间隔部1191和第二间隔部1192之间形成第一电极105的过程中，还包括在第二间隔部1192和第三间隔部1193之间形成连接电极161。连接电极161和辅助电极1043通过第二过孔结构1045电连接，关于连接电极161的相关内容，可以参见图9和图10所示的结构。

例如，在本公开的至少一个实施例中，在上述各个制备方法的实施例中，结合图21，显示基板包括显示区域130和环设在显示区域130的周边的外围区域140，在外围区域140，从靠近显示区域130的位置到远离显示区域130的位置，且在分别形成对应第一颜色开口区域1041a、第二颜色开口区域1041b和第三颜色开口区域1041c的第二电极110时，还分别形成有第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143。第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143分别和包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光膜的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件电连接。

例如，结合图8和图17，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件分别通过第一公共电压连接线141、第二公共电压连接线142和第三公共电压连接线143和电源电压线133电连接。

本公开至少一实施例提供的显示基板及其制备方法，至少具有以下有益技术效果：通过分别三次沉积不同颜色的发光层和功能层，以及两次曝光刻蚀的图形化技术，即在不使用精细金属掩膜(FMM)的条件下，可以实现RGB全彩OLED像素化器件的制备，解决了将AMOLED蒸镀技术拓展至中大尺寸显示产品中时，显示分辨率无法进一步提升的问题，而且，还可以解决产品解析度受限于FMM技术，中大尺寸高分辨率FMM制备难度较大，生产成本较高的问题。通过在大世代AMOLED产线上，利用曝光和刻蚀工艺制备大尺寸高分辨率RGB全彩AMOLED显示产品，还可以提升显示器件的分辨率和显示效果。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (85)

1.一种显示基板，包括：

衬底基板；

阵列设置在所述衬底基板上的像素单元，其中，每个所述像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个所述子像素包括发光元件和驱动对应的所述发光元件发光的像素驱动电路；

设置在所述像素驱动电路的远离所述衬底基板的一侧的像素界定层；其中，所述像素界定层包括多个像素开口，每个所述像素开口对应一个所述子像素。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，

每个所述像素单元包括三个所述子像素，每个所述子像素对应的所述发光元件包括层叠设置的第一电极和发光单元；

在同一个所述像素单元中的三个所述子像素包括的所述发光单元分别包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层；

在所述发光单元的远离所述衬底基板的一侧设置有第二电极，在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧设置有遮挡层；

在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处和远离所述第一颜色发光层的位置处均设置有第三颜色保留膜层。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处还设置有第二颜色保留膜层，所述第二颜色保留膜层和所述第三颜色保留膜层在远离所述衬底基板的方向上依次层叠设置。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第一颜色发光层之间的最大距离，与在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第二颜色发光层之间的最大距离不同。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其中，在所述第三颜色保留膜层的远离所述衬底基板的一侧设置有封装结构。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的显示基板，其中，

所述显示基板包括显示区域和环设在所述显示区域的周边的外围区域；

在所述外围区域，从靠近所述显示区域的位置到远离所述显示区域的位置，依次设置有第一公共电压连接线、第二公共电压连接线和第三公共电压连接线；

在每个所述像素单元中，所述发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线分别和所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件电连接。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，

所述像素界定层还包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，在每个所述间隔部中设置有辅助电极，所述辅助电极和所述第二电极通过第一过孔结构电连接。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述辅助电极包括从靠近所述衬底基板的位置向远离所述衬底基板的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第一钛金属层的厚度范围为100埃～800埃，所述铝金属层的厚度范围为2000埃～6000埃，所述第二钛金属层的厚度范围为100埃～500埃，所述金属氧化物层的厚度范围为100埃～300埃。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述第一钛金属层、所述铝金属层、所述第二钛金属层和所述金属氧化物层的厚度分别为500埃、5000埃、300埃和200埃。

11.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述像素界定层还包括多个间隔部，多个所述间隔部包括依次相邻的第一间隔部、第二间隔部和第三间隔部，在所述第一间隔部和所述第二间隔部之间设置有所述第一电极，在所述第二间隔部和所述第三间隔部之间设置有连接电极。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第一电极和所述连接电极在同一工艺步骤中采用相同的材料形成，且所述第一电极和所述连接电极相互间隔。

13.根据权利要求11或12所述的显示基板，其中，在所述像素驱动电路所在层的背离所述衬底基板的一侧还设置有辅助电极，所述辅助电极和所述像素界定层之间还设置有平坦化层，所述连接电极和所述辅助电极通过位于所述平坦化层中的第二过孔结构电连接，所述连接电极和所述第二电极电连接。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其中，多个所述辅助电极连接形成网格状结构。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述辅助电极包括钼金属层，铜金属层，钛金属层、铝金属层和钛金属层形成的层叠结构,或者，氧化铟锡层、银金属层和氧化铟锡层形成的层叠结构。

16.根据权利要求14或15所述的显示基板，其中，所述辅助电极的厚度为1000埃～6000埃，且所述辅助电极的方块电阻为0～0.5Ω/sq。

17.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二电极和所述连接电极的连接电阻为0～0.1Ω。

18.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件分别通过所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线与电源电压线电连接。

19.根据权利要求18所述的显示基板，其中，

所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

20.根据权利要求19所述的显示基板，其中，

所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；

所述第二颜色保留膜层包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输保留层、第二颜色发光保留层、第二电子传输保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层；且

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

21.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，且所述第二电极设置在所述第二发光单元的远离所述衬底基板的一侧。

22.根据权利要求21所述的显示基板，其中，

所述发光层包括层叠设置的第一有机发射层和第二有机发射层；

所述第一颜色发光层包括层叠设置的第一颜色发光第一子层和第一颜色发光第二子层；

所述第二颜色发光层包括层叠设置的第二颜色发光第一子层和第二颜色发光第二子层；

所述第三颜色发光层包括层叠设置的第三颜色发光第一子层和第三颜色发光第二子层；

所述第一发光单元包括所述第一有机发射层，所述第一有机发射层包括所述第一颜色发光第一子层、所述第二颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第一子层；

所述第二发光单元包括所述第二有机发射层，所述第二有机发射层包括所述第一颜色发光第二子层、所述第二颜色发光第二子层和所述第三颜色发光第二子层。

23.根据权利要求22所述的显示基板，其中，所述第一颜色发光第一子层的厚度和所述第一颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度彼此不同。

24.根据权利要求23所述的显示基板，其中，所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度之和彼此不同。

25.根据权利要求22～24中任一项所述的显示基板，其中，至少在所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层之间，和/或在所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层之间，和/或在所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层之间设置有电荷产生层。

26.根据权利要求25所述的显示基板，其中，所述电荷产生层包括层叠设置的第一电荷产生层和第二电荷产生层。

27.根据权利要求26所述的显示基板，其中，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层是按照PN结结构构造的。

28.根据权利要求25所述的显示基板，其中，

所述第一发光单元包括层叠设置的空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、所述第一有机发射层、第一空穴阻挡层、第一电子传输层和所述第一电荷产生层；

所述第二发光单元包括层叠设置的所述第二电荷产生层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、所述第二有机发射层、第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层。

29.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

30.根据权利要求3所述的显示基板，其中，

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层；

且所述第二颜色保留膜层包括层叠设置第三部分和第四部分，所述第三部分包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输第一保留层、第二电子阻挡第一保留层、第二颜色发光第一保留层、第二空穴阻挡第一保留层、第二电子传输第一保留层、第二电荷产生第一保留层，所述第四部分包括层叠设置的第二电荷产生第二保留层、第二空穴传输第二保留层、第二电子阻挡第二保留层、第二颜色发光第二保留层、第二空穴阻挡第二保留层、第二电子传输第二保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

31.根据权利要求29或30所述的显示基板，其中，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层分别为红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层均为磷光发光层，且所述第三颜色发光层中还具有硼元素。

32.根据权利要求31所述的显示基板，其中，所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层均包括基质材料和磷光材料，所述红色发光层包括的所述磷光材料的分子量大于所述绿色发光层包括的所述磷光材料的分子量，且大于所述蓝色发光层包括的所述磷光材料的分子量。

33.根据权利要求32所述的显示基板，其中，所述第一电极包括层叠设置的反射金属层和透明导电层。

34.根据权利要求33所述的显示基板，其中，所述反射金属层的材料包括铝和银中的至少之一，所述透明导电层的材料包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少之一。

35.根据权利要求33所述的显示基板，其中，所述第二电极包括由银、铝、镁、锂、钙、氟化锂、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种形成的单层结构或者多层结构。

36.根据权利要求32所述的显示基板，其中，所述第一电极的透过率大于80％。

37.根据权利要求1～5中任一项所述的显示基板，其中，所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且至少一个所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

38.一种显示基板，包括：

衬底基板；

阵列设置在所述衬底基板上的像素单元，其中，每个所述像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个所述子像素包括发光元件和驱动对应的所述发光元件发光的像素驱动电路；

设置在所述像素驱动电路的远离所述衬底基板的一侧的像素界定层；其中，所述像素界定层包括多个像素开口，每个所述像素开口对应一个所述子像素；

所述像素界定层还包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，在每个所述间隔部中设置有辅助电极，所述辅助电极和所述第二电极通过第一过孔结构电连接。

39.根据权利要求38所述的显示基板，其中，每个所述像素单元包括三个所述子像素，每个所述子像素对应的所述发光元件包括层叠设置的第一电极和发光单元；

在同一个所述像素单元中的三个所述子像素包括的所述发光单元分别包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层；

在所述发光单元的远离所述衬底基板的一侧设置有第二电极，在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧设置有遮挡层；

在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处和远离所述第一颜色发光层的位置处均设置有第三颜色保留膜层。

40.根据权利要求39所述的显示基板，其中，

在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处还设置有第二颜色保留膜层，所述第二颜色保留膜层和所述第三颜色保留膜层在远离所述衬底基板的方向上依次层叠设置。

41.根据权利要求40所述的显示基板，其中，在所述遮挡层的远离所述第一颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第一颜色发光层之间的最大距离，与在所述遮挡层的远离所述第二颜色发光层的位置处的所述第三颜色保留膜层和所述第二颜色发光层之间的最大距离不同。

42.根据权利要求40所述的显示基板，其中，在所述第三颜色保留膜层的远离所述衬底基板的一侧设置有封装结构。

43.根据权利要求42所述的显示基板，其中，

所述显示基板包括显示区域和环设在所述显示区域的周边的外围区域；

在所述外围区域，从靠近所述显示区域的位置到远离所述显示区域的位置，依次设置有第一公共电压连接线、第二公共电压连接线和第三公共电压连接线；

在每个所述像素单元中，所述发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线分别和所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件电连接。

44.根据权利要求43所述的显示基板，其中，

所述辅助电极包括从靠近所述衬底基板的位置向远离所述衬底基板的位置依次层叠设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和金属氧化物层。

45.根据权利要求44所述的显示基板，其中，所述第一钛金属层的厚度范围为100埃～800埃，所述铝金属层的厚度范围为2000埃～6000埃，所述第二钛金属层的厚度范围为100埃～500埃，所述金属氧化物层的厚度范围为100埃～300埃。

46.根据权利要求45所述的显示基板，其中，所述第一钛金属层、所述铝金属层、所述第二钛金属层和所述金属氧化物层的厚度分别为500埃、5000埃、300埃和200埃。

47.根据权利要求44所述的显示基板，其中，所述辅助电极包括层叠设置的多层结构，且所述辅助电极包括的所述多层结构通过过孔并联连接。

48.根据权利要求47所述的显示基板，还包括栅线、数据线、电源电压信号线和初始化信号线，其中，所述辅助电极和所述栅线、所述数据线、所述电源电压信号线和所述初始化信号线中的至少之一同层设置。

49.根据权利要求47所述的显示基板，还包括栅线、数据线、电源电压信号线、初始化信号线、参考电压信号线和感应电压信号线，其中，所述辅助电极和所述栅线、所述数据线、所述电源电压信号线、所述初始化信号线、所述参考电压信号线和所述感应电压信号线中的至少之一同层设置。

50.根据权利要求39～49中任一项所述的显示基板，其中，所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

51.根据权利要求50所述的显示基板，其中，

所述发光单元包括层叠设置的功能层和发光层，所述功能层在依次远离所述第一电极的方向上包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，且所述发光层设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述发光层包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层；

所述第二颜色保留膜层包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输保留层、第二颜色发光保留层、第二电子传输保留层和第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层；且

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

52.根据权利要求40所述的显示基板，其中，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，且所述第二电极设置在所述第二发光单元的远离所述衬底基板的一侧。

53.根据权利要求52所述的显示基板，其中，

所述发光层包括层叠设置的第一有机发射层和第二有机发射层；

所述第一颜色发光层包括层叠设置的第一颜色发光第一子层和第一颜色发光第二子层；

所述第二颜色发光层包括层叠设置的第二颜色发光第一子层和第二颜色发光第二子层；

所述第三颜色发光层包括层叠设置的第三颜色发光第一子层和第三颜色发光第二子层；

所述第一发光单元包括所述第一有机发射层，所述第一有机发射层包括所述第一颜色发光第一子层、所述第二颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第一子层；

所述第二发光单元包括所述第二有机发射层，所述第二有机发射层包括所述第一颜色发光第二子层、所述第二颜色发光第二子层和所述第三颜色发光第二子层。

54.根据权利要求53所述的显示基板，其中，所述第一颜色发光第一子层的厚度和所述第一颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度彼此不同；所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度彼此不同。

55.根据权利要求54所述的显示基板，其中，所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层的厚度之和，与所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层的厚度之和彼此不同。

56.根据权利要求53～55中任一项所述的显示基板，其中，至少在所述第一颜色发光第一子层和所述第一颜色发光第二子层之间，和/或在所述第二颜色发光第一子层和所述第二颜色发光第二子层之间，和/或在所述第三颜色发光第一子层和所述第三颜色发光第二子层之间设置有电荷产生层。

57.根据权利要求56所述的显示基板，其中，所述电荷产生层包括层叠设置的第一电荷产生层和第二电荷产生层。

58.根据权利要求57所述的显示基板，其中，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层是按照PN结结构构造的。

59.根据权利要求56或57所述的显示基板，其中，

所述第一发光单元包括层叠设置的空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、所述第一有机发射层、第一空穴阻挡层、第一电子传输层和所述第一电荷产生层；

所述第二发光单元包括层叠设置的所述第二电荷产生层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、所述第二有机发射层、第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层。

60.根据权利要求39所述的显示基板，其中，

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

61.根据权利要求40所述的显示基板，其中，

所述第三颜色保留膜层包括层叠设置第一部分和第二部分，所述第一部分包括层叠设置的所述第一部分包括层叠设置的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层和第三电荷产生第一保留层，所述第二部分包括层叠设置的第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层；

且所述第二颜色保留膜层包括层叠设置第三部分和第四部分，所述第三部分包括层叠设置的第二空穴注入保留层、第二空穴传输第一保留层、第二电子阻挡第一保留层、第二颜色发光第一保留层、第二空穴阻挡第一保留层、第二电子传输第一保留层、第二电荷产生第一保留层，所述第四部分包括层叠设置的第二电荷产生第二保留层、第二空穴传输第二保留层、第二电子阻挡第二保留层、第二颜色发光第二保留层、第二空穴阻挡第二保留层、第二电子传输第二保留层和第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

62.根据权利要求60或61所述的显示基板，其中，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层分别为红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层均为磷光发光层，且所述第三颜色发光层中还具有硼元素。

63.根据权利要求62所述的显示基板，其中，所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层均包括基质材料和磷光材料，所述红色发光层包括的所述磷光材料的分子量大于所述绿色发光层包括的所述磷光材料的分子量，且大于所述蓝色发光层包括的所述磷光材料的分子量。

64.根据权利要求60～63中任一项所述的显示基板，其中，所述第一电极包括层叠设置的反射金属层和透明导电层。

65.根据权利要求64所述的显示基板，其中，所述反射金属层的材料包括铝和银中的至少之一，所述透明导电层的材料包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少之一。

66.根据权利要求65所述的显示基板，其中，所述第二电极包括由银、铝、镁、锂、钙、氟化锂、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种形成的单层结构或者多层结构。

67.根据权利要求60～63中任一项所述的显示基板，其中，所述第一电极的透过率大于80％。

68.根据权利要求65或66所述的显示基板，其中，所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且至少一个所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

69.一种显示基板的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成阵列排布的像素单元，其中，每个所述像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个所述子像素包括发光元件和驱动对应的所述发光元件发光的像素驱动电路；

在所述像素驱动电路的远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层；其中，所述像素界定层包括多个像素开口，每个所述像素开口对应一个所述子像素，每个所述像素单元对应依次相邻的第一颜色开口区域、第二颜色开口区域和第三颜色开口区域；

在每个所述像素开口中分别形成第一电极；

在对应所述第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层、第二电极第一子层和第一遮挡层；

在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层；

在所述第一遮挡层、所述第二遮挡层、所述像素界定层和在所述第三颜色开口区域对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第三颜色发光膜、第三功能膜、第二电极第三子层膜和第三遮挡薄膜。

70.根据权利要求69所述的制备方法，其中，所述第三颜色发光膜、所述第三功能膜、所述第二电极第三子层膜和所述第三遮挡薄膜的对应于所述第三颜色开口区域的位置处的部分分别作为第三颜色发光层、第三功能层、第二电极第三子层和第三遮挡层，剩余部分作为第三颜色保留膜层。

71.根据权利要求70所述的制备方法，其中，所述第三功能层包括依次形成在所述第三颜色发光层的靠近所述第一电极的一侧的空穴注入层和空穴传输层，以及依次形成在所述第三颜色发光层的远离所述第一电极的一侧的电子传输层和电子注入层；所述第三颜色保留膜层包括分别依次形成在所述第一遮挡层和所述第二遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第三空穴注入保留层、第三空穴传输保留层、第三颜色发光保留层、第三电子传输保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

72.根据权利要求71所述的制备方法，其中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层的过程中，还包括：在所述第一遮挡层上形成第二颜色保留膜层，且所述第二颜色保留膜层在所述第三颜色保留膜层的靠近所述衬底基板的一侧。

73.根据权利要求72所述的制备方法，其中，所述第二颜色保留膜层包括依次形成在所述第一遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第二空穴注入保留层、第二空穴传输保留层、第二颜色发光保留层、第二电子传输保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

74.根据权利要求70所述的制备方法，其中，

所述第三颜色发光层包括层叠设置的第三颜色发光第一子层和第三颜色发光第二子层，且所述第三颜色发光第一子层相对于所述第三颜色发光第二子层更靠近所述第一电极；

所述第三功能层包括层叠设置的第三功能第一子层和第三功能第二子层，且所述第三功能第一子层相对于所述第三功能第二子层更靠近所述第一电极；

所述第三功能第一子层包括依次形成在所述第三颜色发光第一子层的靠近所述第一电极的一侧的空穴注入层、第一空穴传输层和第一电子阻挡层，以及依次形成在所述第三颜色发光第一子层的远离所述第一电极的一侧的第一空穴阻挡层、第一电子传输层和第一电荷产生层；

所述第三功能第二子层包括依次形成在所述第三颜色发光第二子层的靠近所述第一电极的一侧的第二电荷产生层、第二空穴传输层和第二电子阻挡层，以及依次形成在所述第三颜色发光第二子层的远离所述第一电极的一侧的第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层；

所述第三颜色保留膜层包括分别依次形成在所述第一遮挡层和所述第二遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第三空穴注入保留层、第三空穴传输第一保留层、第三电子阻挡第一保留层、第三颜色发光第一保留层、第三空穴阻挡第一保留层、第三电子传输第一保留层、第三电荷产生第一保留层、第三电荷产生第二保留层、第三空穴传输第二保留层、第三电子阻挡第二保留层、第三颜色发光第二保留层、第三空穴阻挡第二保留层、第三电子传输第二保留层、第三电子注入保留层、第二电极保留第三子层和第三遮挡保留层。

75.根据权利要求74所述的制备方法，其中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层的过程中，还包括：在所述第一遮挡层上形成第二颜色保留膜层，且所述第二颜色保留膜层在所述第三颜色保留膜层的靠近所述衬底基板的一侧。

76.根据权利要求75所述的制备方法，其中，

所述第二颜色发光层包括层叠设置的第二颜色发光第一子层和第二颜色发光第二子层，且所述第二颜色发光第一子层相对于所述第二颜色发光第二子层更靠近所述第一电极；

所述第二功能层包括层叠设置的第二功能第一子层和第二功能第二子层，且所述第二功能第一子层相对于所述第二功能第二子层更靠近所述第一电极；

所述第二功能第一子层包括依次形成在所述第二颜色发光第一子层的靠近所述第一电极的一侧的空穴注入层、第一空穴传输层和第一电子阻挡层，以及依次形成在所述第二颜色发光第一子层的远离所述第一电极的一侧的第一空穴阻挡层、第一电子传输层和第一电荷产生层；

所述第二功能第二子层包括依次形成在所述第二颜色发光第二子层的靠近所述第一电极的一侧的第二电荷产生层、第二空穴传输层和第二电子阻挡层，以及依次形成在所述第二颜色发光第二子层的远离所述第一电极的一侧的第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层；

所述第二颜色保留膜层包括分别依次形成在所述第一遮挡层和所述第二遮挡层的远离所述衬底基板的一侧的第二空穴注入保留层、第二空穴传输第一保留层、第二电子阻挡第一保留层、第二颜色发光第一保留层、第二空穴阻挡第一保留层、第二电子传输第一保留层、第二电荷产生第一保留层、第二电荷产生第二保留层、第二空穴传输第二保留层、第二电子阻挡第二保留层、第二颜色发光第二保留层、第二空穴阻挡第二保留层、第二电子传输第二保留层、第二电子注入保留层、第二电极保留第二子层和第二遮挡保留层。

77.根据权利要求69或70所述的制备方法，其中，在对应所述第一颜色开口区域的位置处形成第一颜色发光层、第一功能层、第二电极第一子层和第一遮挡层包括：

在所述像素界定层和所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第一颜色发光膜、第一功能膜、第二电极第一子层膜和第一遮挡薄膜；

在所述第一遮挡薄膜之上且在所述第一颜色开口区域对应的位置处形成第一光刻胶层；

以所述第一光刻胶层为掩膜对所述第一遮挡薄膜进行构图以形成第一遮挡层；

以所述第一遮挡层为掩膜对所述第一颜色发光膜、所述第一功能膜和所述第二电极第一子层膜进行构图以形成所述第一颜色发光层、所述第一功能层和所述第二电极第一子层。

78.根据权利要求77所述的制备方法，其中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层包括：

在所述第一遮挡层、所述像素界定层和在所述第二颜色开口区域、所述第三颜色开口区域对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第二颜色发光膜、第二功能膜、第二电极第二子层膜和第二遮挡薄膜；

在所述第二遮挡薄膜上且在所述第一颜色开口区域和所述第二颜色开口区域对应的位置处形成第二光刻胶层；

以所述第二光刻胶层为掩膜对所述第二遮挡薄膜进行构图以形成第二遮挡层；

以所述第二遮挡层为掩膜对所述第二颜色发光膜、所述第二功能膜和所述第二电极第二子层膜进行构图以形成所述第二颜色发光层、所述第二功能层和所述第二电极第二子层，并在所述第一遮挡层上形成第二颜色保留膜层。

79.根据权利要求77所述的制备方法，其中，在对应所述第二颜色开口区域的位置处形成第二颜色发光层、第二功能层、第二电极第二子层和第二遮挡层包括：

在所述第一遮挡层、所述像素界定层和在所述第二颜色开口区域、所述第三颜色开口区域对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成第二颜色发光膜、第二功能膜、第二电极第二子层膜和第二遮挡薄膜；

在所述第二遮挡薄膜上且在所述第二颜色开口区域对应的位置处形成第二光刻胶层；

以所述第二光刻胶层为掩膜对所述第二遮挡薄膜进行构图以形成第二遮挡层，并去除所述第一遮挡层上的第二颜色保留膜层；

以所述第二遮挡层为掩膜对所述第二颜色发光膜、所述第二功能膜和所述第二电极第二子层膜进行构图以形成所述第二颜色发光层、所述第二功能层和所述第二电极第二子层。

80.根据权利要求79所述的制备方法，还包括在所述第三遮挡薄膜的远离所述衬底基板的一侧形成封装结构。

81.根据权利要求69～80中任一项所述的制备方法，其中，

所述像素界定层包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，在形成所述像素界定层之前还包括形成辅助电极，且在每个所述间隔部中均设置有所述辅助电极，所述辅助电极和所述第二电极通过第一过孔结构电连接。

82.根据权利要求69～80中任一项所述的制备方法，其中，

所述像素界定层包括将相邻的所述像素开口间隔开的多个间隔部，多个所述间隔部包括依次相邻的第一间隔部、第二间隔部和第三间隔部，在所述第一间隔部和所述第二间隔部之间形成所述第一电极的过程中，还包括在所述第二间隔部和所述第三间隔部之间形成连接电极。

83.根据权利要求82所述的制备方法，其中，在形成所述像素驱动电路之后，且在形成所述像素界定层之前，还包括形成辅助电极、平坦化层和贯穿所述平坦化层的第二过孔结构，所述辅助电极设置在所述平坦化层中，所述连接电极和所述辅助电极通过所述第二过孔结构电连接。

84.根据权利要求75所述的制备方法，其中，

所述显示基板包括显示区域和环设在所述显示区域的周边的外围区域；

在所述外围区域，从靠近所述显示区域的位置到远离所述显示区域的位置，依次形成有第一公共电压连接线、第二公共电压连接线和第三公共电压连接线；

所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线分别和包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光膜的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件电连接。

85.根据权利要求84所述的制备方法，其中，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件分别通过所述第一公共电压连接线、所述第二公共电压连接线和所述第三公共电压连接线和电源电压线电连接。