CN119602813A - 射频PA Mid器件、射频系统和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种射频PA Mid器件、射频系统和电子设备，该射频PA Mid器件包括低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块和2G高频功率放大器，其中：低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块各自的发射通路一端与输入端电连接，另一端与天线端电连接；低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块各自的接收通路一端与接收端电连接，另一端与输出端电连接，2G高频功率放大器一端与中高频输入端电连接，另一端与中高频发射通路电连接。从而提高了射频PA Mid器件的集成度，降低了射频结构的设计成本，减小了占用基板的面积。

Description

射频PA Mid器件、射频系统和电子设备

技术领域

本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频PA Mid器件、射频系统和电子设备。

背景技术

随着技术的发展和进步，各种通信制式(如4G信号，又如5G信号)的需求也在日益增加。由于各功率放大模块集成双工器((Power Amplifier Modules includingduplexers，PA Mid)等射频器件的集成度低，导致射频结构的设计成本较高、占用基板的面积较大。

发明内容

本申请提供一种射频PA Mid器件、射频系统和电子设备，可以提高射频器件的集成度，降低射频结构的设计成本，减小占用基板的面积。

第一方面，本申请实施例提供了一种射频PA Mid器件，被配置有用于连接射频收发器的一个或多个低频输入端口与输出端口、一个或多个中高频输入端口与输出端口、一个或多个超高频输入端口与输出端口，以及一个或多个低频接收端口、一个或多个中高频接收端口、一个或多个超高频接收端口，以及用于连接天线的一个或多个天线端口；射频PAMid器件包括：

低频PA Mid模块，低频PA Mid模块包括第一低频发射通路和低频接收通路，第一低频发射通路一端被配置为与一个或多个低频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口电连接，低频接收通路一端被配置为与一个或多个低频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个低频输出端口电连接；

中高频PA Mid模块，中高频PA Mid模块包括第一中高频发射通路和第一中高频接收通路，第一中高频发射通路一端被配置为与一个或多个中高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口电连接，第一中高频接收通路一端被配置为与一个或多个中高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个中高频输出端口电连接；

超高频PA Mid模块，超高频PA Mid模块包括第一超高频发射通路和第一超高频接收通路，第一超高频发射通路一端被配置为与一个或多个超高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口电连接，第一超高频接收通路一端被配置为与一个或多个超高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个超高频输出端口电连接；

2G高频功率放大器，2G高频功率放大器一端被配置为与一个或多个中高频输入端口电连接，另一端被配置为与第一中高频发射通路电连接。

第二方面，本申请实施例提供了一种射频系统，该射频系统包括：

第一方面所述的射频PA Mid器件；

一个或多个天线，被配置为与射频PA Mid器件的一个或多个天线端口电连接；

射频收发器，被配置为与射频PA Mid器件的一个或多个低频输入端口与输出端口、一个或多个中高频输入端口与输出端口、一个或多个超高频输入端口与输出端口电连接。

第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括第二方面所述的射频系统。

基于此，本申请实施例提供了一种PA Mid器件、射频系统和电子设备。该射频PAMid器件可以包括低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块和2G高频功率放大器，其中：低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块各自的发射通路一端与输入端电连接，另一端与天线端电连接；低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PAMid模块各自的接收通路一端与接收端电连接，另一端与输出端电连接，2G高频功率放大器一端与中高频输入端电连接，另一端与中高频发射通路电连接。如此，将低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块和2G高频功率放大器集成在射频PA Mid器件中，可以提高射频PA Mid器件的集成度，降低了射频结构的设计成本，减小了占用基板的面积。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种射频系统的组成结构示意图一；

图2为一种LB PA Mid模块的组成结构示意图；

图3为一种MHB PA Mid模块的组成结构示意图；

图4为一种射频系统的组成结构示意图二；

图5为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图一；

图6为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图二；

图7为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图三；

图8为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图四；

图9为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图五；

图10为本申请实施例提供的一种射频系统的组成结构示意图一；

图11为本申请实施例提供的一种射频系统的组成结构示意图二；

图12为本申请实施例提供的一种射频系统的组成结构示意图三；

图13为本申请实施例提供的一种射频系统的组成结构示意图四。

具体实施方式

为了便于理解本申请，为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，不是旨在限制本申请。

在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。

本申请实施例所涉及的术语“第一\第二\第三”仅是用于区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件或电路，但这些元件或电路不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分，或者，这些术语仅用于将第一电路与另一电路区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一中高频功率放大器称为第二中高频功率放大器，且类似地，可将第二中高频功率放大器称为第一中高频功率放大器。第一中高频功率放大器和第二中高频功率放大器两者都是功率放大器，但其不是同一功率放大器。

还可以理解，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

还需要指出，本申请实施例中的“电连接”，说明被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号的传递。

此外，本申请实施例中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本申请实施例涉及的射频PA Mid器件可以应用到具有无线通信功能的通信设备，其通信设备可以为手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算机设备或连接到无线调制解调器的其他处理设备，以及各种形式的用户设备(User Equipment，UE)，例如，手机，移动台(Mobile Station，MS)；以及网络设备，例如，基站、接入点等等。

为了应对日益增加的各种通信制式的需求，同时兼顾解决印制电路板(PrintedCircuit Board，PCB)布局紧张的问题，射频器件的高度集成化和小型化已经成为了发展趋势。

示例性地，在相关技术中，最初可以支持单一频段(Single Band)的射频前端第二阶段(Phase2)产品；后续基于终端设备主板的小型化发展趋势，定义了可以支持各通信制式集成的第七阶段增强版(Phase7 Lite Enhancement，Phase7LE)产品，从而使得射频器件的集成度越来越高。

图1为一种射频系统的组成结构示意图一。如图1所示，该射频系统可以包括射频收发器(Transceiver)110、低频(Low Band，LB)PA Mid模块120、中高频(Medium HighBand，MHB)PA Mid模块130、第五代移动通信技术(5th Generation Mobile CommunicationTechnology，5G)PA Mid模块(即超高频PA Mid模块)140和天线组150；其中：

射频收发器110可以包括发射器(Transmitter，TX)，或者可以包括接收器(Receiver，RX)，或者可以包括发射器和接收器。射频收发器110可以用于实现射频信号和基带信号之间的变频处理，和/或，用于实现不同频段信号的变频处理等等。

射频PA Mid模块(如LB PA Mid模块120，又如MHB PA Mid模块130，又如5G PA Mid模块140)可以用于支持射频信号的放大收发控制。也就是说，该射频PA Mid模块可以实现对单个射频信号的接收和发射控制。

示例性地，射频PA Mid模块可以为封装芯片，且被配置有用于接收射频信号的接收通路和发射射频信号的发射通路，以实现对射频信号的收发控制。

如图1所示，LB PA Mid模块120能够支持低频频段的2G/3G/4G信号。LB PA Mid模块120的一端(即RX1)与射频收发器110的第一端连接，另一端(即ANT1)与天线Ant1连接，从而实现对低频信号的收发控制。例如，LB PA Mid模块120可以实现对N5频段、N8频段、N20频段和N28频段中一个或多个频段的低频信号的收发控制。

MHB PA Mid模块130能够支持高频频段的2G信号以及中高频频段的3G/4G信号。MHB PA Mid模块130的一端(即RX2)与射频收发器110的第二端连接，另一端(即ANT2)与天线Ant2连接，从而实现对中高频信号的收发控制。例如，MHB PA Mid模块130可以实现对N41频段的中高频信号的收发控制。

5G PA Mid模块140能够支持超高频频段的5G信号。5G PA Mid模块140的一端(即RX3)与射频收发器110的第三端连接，另一端(即ANT3)与天线Ant3连接，从而实现对超高频信号的收发控制。例如，5G PA Mid模块140可以实现对N77频段和/或N79频段的超高频信号的收发控制。

天线组150可以包括天线Ant1、天线Ant2和天线Ant3。天线Ant1能够支持低频频段的2G/3G/4G信号，例如，天线Ant1可以用于接收和发射N5频段、N8频段、N20频段和N28频段中一个或多个频段的低频信号；天线Ant2能够支持高频频段的2G信号以及中高频频段的3G/4G信号，例如，天线Ant2可以用于接收和发射N41频段的中高频信号；天线Ant3能够支持超高频频段的5G信号，例如，天线Ant3可以用于接收和发射N77频段和/或N79频段的超高频信号。

在一些实施例中，天线组150内的各天线(如天线Ant1、又如天线Ant2，又如天线Ant3)可以为定向天线，也可以为非定向天线。

示例性地，天线组150内的各天线可以使用任何合适类型的天线形成。例如，天线组150内的各天线可以包括由以下天线结构形成的具有谐振元件的天线：阵列天线结构、环形天线结构、贴片天线结构、缝隙天线结构、螺旋形天线结构、带状天线、单极天线、偶极天线中的一种或多种等。不同类型的天线可以用于不同射频信号的频段组合。

LB PA Mid模块和MHB PA Mid模块的整个芯片架构集成了多频段的发射和接收通道，下面结合图2和图3分别对LB PA Mid模块和MHB PA Mid模块各自的组成结构进行说明。

图2为一种LB PA Mid模块的组成结构示意图。如图2所示，该LB PA Mid模块可以包括功率放大器(如4G LB PA)、开关(如DPDT#2)、耦合器、低噪声放大器(Low-NoiseAmplifier，LNA)、控制器(如PA+ASM RFFE1，又如LNA RFFE2)；其中：

功率放大器可以用于对射频信号(如低频信号)进行放大处理，从而提高该射频信号的功率。

开关可以用于接通和断开电路，从而控制电路的接通或断开。

耦合器可以用于耦合射频通路中的低频信号，并可以通过耦合输出端口输出该低频信号。

低噪声放大器是一种噪声系数很低的放大器。低噪声放大器可以通过减小放大器自身的噪声，以提高输出低频信号的信噪比。

控制器可以用于以下至少一项：控制各开关的通断、控制各功率放大器的工作状态，以及调节各低噪声放大器的增益系数。

图3为一种MHB PA Mid模块的组成结构示意图。如图3所示，该MHB PA Mid模块可以包括功率放大器(如MB 4G PA)、开关(如DP7T)、耦合器、低噪声放大器(如LNA1)、控制器(如PA+ASM RFFE1，又如LNA RFFE2)，各器件的功能与图2中相应器件的功能类似，在此不再进行赘述。

在本申请实施例中，可以结合Phase7LE产品及相关器件，构造射频应用的框架。图4为一种射频系统的组成结构示意图二。如图4所示，该射频系统可以包括射频收发器、LBPA Mid模块、MHB PA Mid模块、5G PA Mid模块和天线组(如Ant1～Ant6)，各器件的相应功能可以参考前述实施例中的相关描述，在此不再进行赘述。

此外，该射频系统还可以包括合路器(如Combiner1)、滤波器(如三相滤波器(Triple Saw Filter))、4G LFEM模块、5G LFEM1模块、5G LFEM2模块、5G LFEM3模块；其中：

合路器可以将射频电路中的输入信号组合起来，产生一个输出信号。合路器的工作原理取决于其类型。例如，同轴合路器的工作原理是通过共模抑制实现的。

滤波器可以用于对射频信号(如中高频信号，又如超高频信号)进行滤波处理。

LFEM模块可以理解为低噪声放大器前端模块(Low Noise AmPlifier–Front-EndModules)。LFEM模块可以用于支持对两个或两个以上频段的射频信号的双通道接收，还可以用于支持射频信号的发射传输。

基于如图4所示的射频系统，可以实现对射频信号的收发控制。如图4所示，以N79频段为例，工作原理如下：

(1)N79 TX链路

从射频收发器的TX2 5GH端口输出发射信号；

经RFIN3端口，进入5G PA Mid模块；

经N79 PA放大后，至SPDT#4开关；

SPDT#4切换至单端口，经Filter滤波后，至DP3T开关；

DP3T切换至触点1，至ANT1端口输出；

经Path20路径，至Combiner3；

Combiner3合路后，经Path10路径，至Ant3天线口输出。

(2)N79 PRX链路

接收信号从Ant3天线口进入，经Path10路径，至Combiner3；

经Path20路径，至5G PA Mid模块的ANT1端口输入；

3P4T切换至触点1，至DP3T开关；

DP3T切换至触点2，经N79 Filter滤波后，至SPDT#4开关；

SPDT#4切换至RX通路，至SPDT#2开关；

SPDT#2切换单端口，至RX2端口输出；

接收信号经SDR PRX16端口，进入射频收发器。

(3)N79 DRX链路

接收信号从Ant4天线口进入，经Path15路径，至Combiner4；

经Path21路径，至5G PA Mid模块的AUX1端口；

3P4T切换至触点2，至AUX1 RX端口；

从5G LFEM1模块的ANT1端口进入，至DP4T开关；

DP4T切换至触点2，经Filter滤波，至N79 LNA；

经N79 LNA放大后，至5G LFEM1模块的RX2端口输出；

接收信号经SDR DRX16端口，进入射频收发器。

(4)N79 PRX MIMO链路

接收信号从Ant5天线口进入，经Path22路径，至5G PA Mid模块的AUX2端口输入；

3P4T切换至触点3，至AUX2 RX端口；

从5G LFEM2模块的ANT1端口进入，至DP4T开关；

DP4T切换至触点2，经Filter滤波，至N79 LNA；

经N79 LNA放大后，至5G LFEM2模块的RX2端口输出；

接收信号经SDR PRX14端口，进入射频收发器。

(5)N79 DRX MIMO链路

接收信号从Ant6天线口进入，经Path23路径，至5G PA Mid模块的AUX3端口输入；

3P4T切换至触点4，至AUX3 RX端口；

从5G LFEM3模块的ANT1端口进入，至DP4T开关；

DP4T切换至触点2，经Filter滤波，至N79 LNA；

经N79 LNA放大后，至5G LFEM3模块的RX2端口输出；

接收信号经SDR DRX14端口，进入射频收发器。

随着技术的发展和进步，各种通信制式(如4G信号，又如5G信号)的需求也在日益增加。由于各PA Mid(如LB PA Mid模块，又如MHB PA Mid模块，又如5G PA Mid模块)等射频器件的集成度低，导致射频结构的设计成本较高、占用基板的面积较大。

基于此，本申请实施例提供了一种射频PA Mid器件，该射频PA Mid器件可以包括低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块和2G高频功率放大器，其中：低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块各自的发射通路一端与输入端电连接，另一端与天线端电连接；低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块各自的接收通路一端与接收端电连接，另一端与输出端电连接，2G高频功率放大器一端与中高频输入端电连接，另一端与中高频发射通路电连接。如此，将低频PA Mid模块、中高频PA Mid模块、超高频PA Mid模块和2G高频功率放大器集成在射频PA Mid器件中，可以提高射频PAMid器件的集成度，降低了射频结构的设计成本，减小了占用基板的面积。

下面将结合附图对本申请各实施例进行详细说明。

图5为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图一。如图5所示，该射频PA Mid器件被配置有用于连接射频收发器的一个或多个低频输入端口(如LBRFIN)与输出端口(如OUT1)、一个或多个中高频输入端口(如MHB RFIN)与输出端口(如OUT2)、一个或多个超高频输入端口(如UHB RFIN)与输出端口(如OUT3)，以及一个或多个低频接收端口(如AUX1)、一个或多个中高频接收端口(如AUX2)、一个或多个超高频接收端口(如AUX3)，以及用于连接天线的一个或多个天线端口(如ANT1～ANT3)；射频PA Mid器件包括：

低频PA Mid模块501，低频PA Mid模块501包括第一低频发射通路502和低频接收通路503，第一低频发射通路502一端被配置为与一个或多个低频输入端口(如LB RFIN)电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口(如ANT1)电连接，低频接收通路503一端被配置为与一个或多个低频接收端口(如AUX1)电连接，另一端被配置为与一个或多个低频输出端口(如OUT1)电连接；

中高频PA Mid模块504，中高频PA Mid模块504包括第一中高频发射通路505和第一中高频接收通路506，第一中高频发射通路505一端被配置为与一个或多个中高频输入端口(如MHB RFIN)电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口(如ANT2)电连接，第一中高频接收通路506一端被配置为与一个或多个中高频接收端口(如AUX2)电连接，另一端被配置为与一个或多个中高频输出端口(如OUT2)电连接；

超高频PA Mid模块507，超高频PA Mid模块507包括第一超高频发射通路508和第一超高频接收通路509，第一超高频发射通路508一端被配置为与一个或多个超高频输入端口(如UHB RFIN)电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口(如ANT3)电连接，第一超高频接收通路509一端被配置为与一个或多个超高频接收端口(如AUX3)电连接，另一端被配置为与一个或多个超高频输出端口(如OUT3)电连接；

2G高频功率放大器510，2G高频功率放大器510一端被配置为与一个或多个中高频输入端口(如2G HB IN)电连接，另一端被配置为与第一中高频发射通路505电连接。

在一些实施例中，低频PA Mid模块501可以用于处理N5频段、N8频段、N20频段和N28频段中一个或多个频段的低频信号；中高频PA Mid模块504用于处理N41频段的中高频信号；超高频PA Mid模块507用于处理N77频段和/或N79频段的超高频信号。

示例性地，N5的工作频段为824MHz～849MHz，N8的工作频段为880MHz～815MHz，N20的工作频段为832MHz～862MHz，N28的工作频段为703MHz～748MHz，N41的工作频段为2496MHz～2690MHz，N77的工作频段为3300MHz～4200MHz，N79的工作频段为4400MHz～5000MHz。

相关技术中，射频PA Mid器件中的多颗器件均需要供电、移动行业处理器接口(Mobile Industry Processor Interface，MIPI)控制，增大了PCB布局布线复杂度。示例性地，2G高频功率放大器部署在低频PA Mid模块中，2G高频功率放大器的输出端与中高频PAMid模块的一端连接，从而增加了链路损耗，降低了2G高频功率放大器的性能。

基于此，本申请实施例中2G高频功率放大器510一端被配置为与一个或多个中高频输入端口电连接，另一端被配置为与第一中高频发射通路505电连接。如此，可以减小链路损耗，提高2G高频功率放大器510的性能。

在图5所示射频PA Mid器件的基础上，图6为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图二。如图6所示，射频PA Mid器件可以包括低频PA Mid模块501、中高频PA Mid模块504、超高频PA Mid模块507和2G高频功率放大器510，其中：

第一中高频发射通路505包括第六开关单元601、第二中高频功率放大器602、第三中高频功率放大器603、第四中高频功率放大器604和第七开关单元605；

第二中高频功率放大器602一端被配置为与一个或多个中高频输入端口(如4G MBRFIN)电连接，另一端被配置为与第六开关单元601第一端电连接，第六开关单元601第二端被配置为与2G高频功率放大器510另一端电连接，第六开关单元601第三端被配置为与一个或多个天线端口(如ANT3)电连接；

第七开关单元605第一端被配置为与一个或多个中高频输入端口(如4G HB RFIN)电连接，第七开关单元605两个第二端被配置为分别与第三中高频功率放大器603一端和第四中高频功率放大器604一端电连接，第三中高频功率放大器603另一端被配置为与第六开关单元601第四端电连接，第四中高频功率放大器604另一端被配置为与一个或多个天线端口(如HB TX OUT)电连接。

需要说明的是，为了进一步提高射频PA Mid器件的集成度，在图5所示射频PA Mid器件的基础上，图7为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图三。如图7所示，射频PA Mid器件还可以包括：

中高频LFEM模块701，中高频LFEM模块701包括第二中高频接收通路(图中未标出)，第二中高频接收通路一端被配置为与一个或多个中高频接收端口(如LNA AUX HB4)电连接，另一端被配置为与一个或多个中高频输出端口(如LNA OUT MHB1)电连接；

超高频LFEM模块(702、703和704)，超高频LFEM模块(702、703和704)包括第二超高频接收通路(图中未标出)，第二超高频接收通路一端被配置为与一个或多个超高频接收端口(如AUX1)电连接，另一端被配置为与一个或多个超高频输出端口(如RX3)电连接。

基于此，在射频PA Mid器件还包括中高频LFEM模块701和超高频LFEM模块(702、703和704)的情况下，可以进一步提高射频PA Mid器件的集成度，降低了射频结构的设计成本，减小了占用基板的面积。

在一些实施例中，射频PA Mid器件还可以包括：

第二低频发射通路，第二低频发射通路一端被配置为与一个或多个低频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口电连接；

第二中高频发射通路，第二中高频发射通路一端被配置为与一个或多个中高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口电连接；

第二超高频发射通路，第二超高频发射通路一端被配置为与一个或多个超高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个天线端口电连接。

基于此，通过在射频PA Mid器件中集成第二低频发射通路、第二中高频发射通路和第二超高频发射通路，可以持续在“广覆盖”上发力，构建上行MIMO通路。

需要说明的是，第二低频发射通路、第二中高频发射通路以及第二超高频发射通路可以与低频PA Mid模块501、中高频PA Mid模块504、超高频PA Mid模块507以及2G高频功率放大器510集成在射频PA Mid器件中。为了进一步提高射频PA Mid器件的集成度，在图5所示射频PA Mid器件的基础上，图8为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图四。如图8所示，射频PA Mid器件可以在集成有低频PA Mid模块501、中高频PA Mid模块504、超高频PA Mid模块507以及2G高频功率放大器510、中高频LFEM模块701以及超高频LFEM模块(702和704)的基础上，再次集成第二低频发射通路801、第二中高频发射通路802以及第二超高频发射通路(803和804)。

在一些实施例中，如图8所示，第二低频发射通路801包括低频功率放大器805和低频滤波器806，低频功率放大器805一端被配置为与一个或多个低频输入端口(如4G LBRFIN2)电连接，另一端被配置为与低频滤波器806第一端电连接，低频滤波器806第二端被配置为与一个或多个天线端口(如N28 OUT)电连接。

示例性地，低频滤波器806可以是一种双工器。

需要说明的是，双工器是一种比较特殊的双向三端滤波器。双工器可以将微弱的接收信号耦合进来，还可以将较大的发射信号馈送至天线，且发射信号和接收信号可以完成各自的功能而不相互影响。也就是说，双工器可以实现对发射信号和接收信号的隔离，从而保证接收和发射都能同时正常工作。

在一些实施例中，如图8所示，第二中高频发射通路802包括第一中高频功率放大器807和第一中高频滤波器808，第一中高频功率放大器807一端被配置为与一个或多个中高频输入端口(如N41 IN)电连接，另一端被配置为与第一中高频滤波器808第一端电连接，第一中高频滤波器808第二端被配置为与一个或多个天线端口(如N41 TRX)电连接。

在一些实施例中，如图8所示，超高频PA Mid模块507包括第一开关单元813，第二超高频发射通路(803和804)另一端被配置为与第一开关单元813一端电连接，第一开关单元813另一端被配置为与一个或多个天线端口(如AUX1)电连接。

在一些实施例中，如图8所示，第二超高频发射通路的数量为多个(如第二超高频发射通路803和第二超高频发射通路804)，且多个第二超高频发射通路之间并联连接；

第二超高频发射通路803包括超高频功率放大器809和超高频滤波器811，超高频功率放大器809一端被配置为与一个或多个超高频输入端口(如5G HB RFIN2)电连接，另一端被配置为与超高频滤波器811第一端电连接，超高频滤波器811第二端被配置为与一个或多个天线端口(如AUX2)电连接；

第二超高频发射通路804包括超高频功率放大器810和超高频滤波器812，超高频功率放大器810一端被配置为与一个或多个超高频输入端口(如5G UB RFIN2)电连接，另一端被配置为与超高频滤波器812第一端电连接，超高频滤波器812第二端被配置为与一个或多个天线端口(如AUX3)电连接。

需要说明的是，超高频滤波器811第二端也可以通过第一开关单元813与一个或多个天线端口电连接。

还需要说明的是，超高频滤波器812第二端也可以通过第一开关单元813与一个或多个天线端口电连接。

为了进一步提高射频PA Mid器件的集成度，在图5所示射频PA Mid器件的基础上，图9为本申请实施例提供的一种射频PA Mid器件的组成结构示意图五，可以将外挂滤波器也集成到射频PA Mid器件中。

如图9所示，在一些实施例中，中高频LFEM模块701中的第二中高频接收通路包括一个或多个第二中高频滤波器(901～906)、一个或多个第二开关单元(907～914)、一个或多个第一低噪声放大器(915～922)以及第三开关单元(923和924)；

一个或多个第二中高频滤波器(901～906)一端被配置为与一个或多个中高频接收端口(如DRX MIMO OUT)电连接，另一端被配置为与一个或多个第二开关单元(907～914)一端电连接，第二开关单元(907～914)另一端被配置为与一个或多个第一低噪声放大器(915～922)一端电连接，一个或多个第一低噪声放大器(915～922)另一端被配置为与第三开关单元(923和924)一个或多个第一端电连接，第三开关单元(923和924)一个或多个第二端被配置为与一个或多个中高频输出端口(如LNA OUT MHB1)电连接。

基于此，可以将外挂滤波器集成到第二中高频接收通路中，从而能够提高射频PAMid器件的集成度，降低成本以及占用基板的面积，进而增加射频PA Mid器件的性能。

如图9所示，在一些实施例中，第一中高频接收通路506包括一个或多个第三中高频滤波器(925～929)、一个或多个第四开关单元(930～933)、一个或多个第二低噪声放大器(934～939)以及第五开关单元940；

一个或多个第三中高频滤波器(925～929)一端被配置为与一个或多个中高频接收端口(如PRX MIMO OUT)电连接，另一端被配置为与一个或多个第四开关单元(930～933)一端电连接，第四开关单元(930～933)另一端被配置为与一个或多个第二低噪声放大器(934～939)一端电连接，一个或多个第二低噪声放大器(934～939)另一端被配置为与第五开关单元940一个或多个第一端电连接，第五开关单元940一个或多个第二端被配置为与一个或多个中高频输出端口(如LNA OUT3)电连接。

基于此，可以将外挂滤波器集成到第一中高频接收通路中，从而能够提高射频PAMid器件的集成度，降低成本以及占用基板的面积，进而增加射频PA Mid器件的性能。

以下结合具体应用场景，对上述实施例提供的射频PA Mid器件进行详细阐述。

本申请实施例提出了一种射频PA Mid器件，基于该射频PA Mid器件，本申请实施例还提供了一种射频系统，该射频系统可以包括：

上述实施例提供的射频PA Mid器件；

一个或多个天线，被配置为与射频PA Mid器件的一个或多个天线端口电连接；

射频收发器，被配置为与射频PA Mid器件的一个或多个低频输入端口与输出端口、一个或多个中高频输入端口与输出端口、一个或多个超高频输入端口与输出端口电连接。

如图6所示，本申请实施例提供的新型LMHUB PA Mid器件(即射频PA Mid器件)与相关技术中的PA Mid器件的区别之处在于：

LB PA Mid模块(即低频PA Mid模块)、MHB PA Mid模块(即中高频PA Mid模块)和5G PA Mid模块(即超高频PA Mid模块)整合成LMHUB PA Mid器件；

2G HB PA器件(即2G高频功率放大器)直接连接到MHB PA Mid模块的DP7T开关。

基于该新型LMHUB PA Mid器件，可以构建如图10所示的射频系统，从而可以实现对射频信号的收发控制。如图10所示，以N79频段为例，工作原理如下：

(1)N79 TX链路

从射频收发器的TX2 5GH端口输出发射信号；

经5G UB RFIN端口，进入LMHUB PA Mid器件；

经5G UB PA放大后，至SPDT#5开关；

SPDT#5切换至单端口，经N79 Filter滤波后，至4P5T开关；

4P5T切换至触点7，至AUX1端口输出；

经Path22路径，至Ant5天线口输出。

(2)N79 PRX链路

接收信号从Ant5天线口进入，经Path22路径，至LMHUB PA Mid器件的AUX1端口输入；

4P5T切换至触点2，经N79 Filter滤波后，至SPDT#5开关；

SPDT#5切换至RX通路，至LNA；

经LNA放大后，至SPDT#3开关；

SPDT#3切换单端口，至RX2端口输出；

接收信号经SDR PRX16端口，进入射频收发器。

(3)N79 DRX链路

接收信号从Ant6天线口进入，经Path23路径，至LMHUB PA Mid器件的AUX2端口；

4P5T切换至触点3，至AUX1 RX端口；

从5G LFEM1器件的ANT1端口进入，至DP4T开关；

DP4T切换至触点2，经Filter滤波，至N79 LNA；

经N79 LNA放大后，至5G LFEM1器件的RX2端口输出；

接收信号经SDR DRX16端口，进入射频收发器。

(4)N79 PRX MIMO链路

接收信号从Ant3天线口进入，经Path10路径，至Combiner3；

Combiner3合路后，经Path21路径，至LMHUB PA Mid器件的ANT5端口输入；

4P5T切换至触点4，至AUX2 RX端口；

从5G LFEM2器件的ANT1端口进入，至DP4T开关；

DP4T切换至触点2，经Filter滤波，至N79 LNA；

经N79 LNA放大后，至5G LFEM2器件的RX2端口输出；

接收信号经SDR PRX14端口，进入射频收发器。

(5)N79 DRX MIMO链路

从Ant4天线口进入，经Path15路径，至Combiner4；

Combiner4合路后，经Path20路径，至LMHUB PA Mid器件的AUX3端口输入；

4P5T切换至触点5，至AUX3 RX端口；

从5G LFEM3器件的ANT1端口进入，至DP4T开关；

DP4T切换至触点2，经Filter滤波，至N79 LNA；

经N79 LNA放大后，至5G LFEM3器件的RX2端口输出；

接收信号经SDR DRX14端口，进入射频收发器。

本申请实施例可以基于新型LMHUB PA Mid器件，构建如图10所示的射频系统。相比于相关技术，本申请实施例通过整合LB PA Mid模块、MHB PA Mid模块和5G PAMid模块、2G HB PA等器件，从而可以提高器件的集成度，达到降低成本、提升器件性能的目的。

本申请实施例基于对极致性能方案的追求，提出了更为集成的新型LMHUB PA Mid器件，如图7所示。该新型LMHUB PA Mid器件与相关技术中的PA Mid器件的区别之处在于：

4G LFEM器件(即中高频LFEM模块)和5G LFEM器件(DRX和DRX MIMO，即超高频LFEM模块)也集成到LMHUB PA Mid器件中，从而进一步提升了器件集成化，降低了链路损耗，达到降低成本、提升器件性能的目的。

基于该新型LMHUB PA Mid器件，可以构建如图11所示的射频系统，从而可以实现对射频信号的收发控制。如图11所示，以N79频段为例，工作原理如下：

(1)N79 TX链路

从射频收发器的TX2 5GH端口输出发射信号；

经5G UB RFIN端口，进入LMHUB PAMid器件；

经5G UB PA放大后，至SPDT#5开关；

SPDT#5切换至单端口，经N79 Filter1滤波后，至4P5T开关；

4P5T切换至触点8，至AUX2端口输出；

经Path23路径，至Ant5天线口输出。

(2)N79 PRX链路

接收信号从Ant5天线口进入，经Path23路径，至LMHUB PAMid器件的AUX2端口输入；

4P5T切换至触点2，经N79 Filter1滤波后，至SPDT#5开关；

SPDT#5切换至RX通路，至LNA18；

经LNA18放大后，至SPDT#3开关；

SPDT#3切换单端口，至RX2端口输出；

接收信号经SDR PRX16端口，进入射频收发器。

(3)N79 DRX链路

接收信号从Ant6天线口进入，经Path24路径，至LMHUB PAMid器件的AUX3端口；

4P5T切换至触点3，至SPDT#6开关；

SPDT#6切换至触点2，经N79 Filter2滤波，至LNA20；

经LNA20放大后，至DPDT#4开关；

DPDT#4切换至触点4，至LMHUB PAMid器件的RX4端口输出；

接收信号经SDR DRX16端口，进入射频收发器。

(4)N79 PRX MIMO链路

接收信号从Ant3天线口进入，经Path10路径，至Combiner3；

Combiner3合路后，经Path21路径，至LMHUB PAMid器件的ANT5端口输入；

4P5T切换至触点4，至SPDT#7开关；

SPDT#7切换至触点2，经N79 Filter3滤波，至LNA22；

经LNA22放大后，至DPDT#5开关；

DPDT#4切换至触点4，至LMHUB PAMid器件的RX6端口输出；

接收信号经SDR PRX14端口，进入射频收发器。

(5)N79 DRX MIMO链路

接收信号从Ant4天线口进入，经Path15路径，至Combiner4；

Combiner4合路后，经Path22路径，至LMHUB PAMid器件的AUX1端口输入；

4P5T切换至触点5，至SPDT#8开关；

SPDT#8切换至触点2，经N79 Filter4滤波，至LNA24；

经LNA24放大后，至DPDT#6开关；

DPDT#6切换至触点4，至LMHUB PAMid器件的RX8端口输出；

接收信号经SDR DRX14端口，进入射频收发器。

本申请实施例可以持续在“广覆盖”上发力，构建上行MIMO通路，提出更为集成的新型LMHUB PA Mid器件，如图8所示。

基于该新型LMHUB PA Mid器件，可以构建如图12所示的射频系统，从而可以实现对射频信号的收发控制。如图12所示，以N79频段为例，工作原理如下：

(1)N79 TX1链路

从射频收发器的TX2 5GH端口输出发射信号；

经5G UB RFIN1端口，进入LMHUB PAMid器件；

经5G UB PA1放大后，至SPDT#5开关；

SPDT#5切换至单端口，经N79 Filter1滤波后，至4P6T开关；

4P6T切换至触点9，至AUX2端口输出；

经Path23路径，至Ant5天线口输出。

(2)N79 TX2链路

从射频收发器的TX4 5GH端口输出发射信号；

经5G UB RFIN2端口，进入LMHUB PAMid器件；

经5G UB PA2放大后，至SPDT#8开关；

SPDT#8切换至单端口，经N79 Filter2滤波后，至4P6T开关；

4P6T切换至触点7，至ANT5端口输出；

经Path21路径，至Combiner3；

Combiner3合路后，经Path10路径，至Ant3天线口输出。

(3)N79 PRX链路

接收信号从Ant5天线口进入，经Path23路径，至LMHUB PAMid器件的AUX2端口输入；

4P6T切换至触点2，经N79 Filter1滤波后，至SPDT#5开关；

SPDT#5切换至RX通路，至LNA18；

经LNA18放大后，至SPDT#3开关；

SPDT#3切换单端口，至RX2端口输出；

接收信号经SDR PRX16端口，进入射频收发器。

(4)N79 DRX链路

接收信号从Ant6天线口进入，经Path24路径，至LMHUB PAMid器件的AUX3端口；

4P6T切换至触点3，至SPDT#6开关；

SPDT#6切换至触点2，经N79 Filter2滤波，至LNA20；

经LNA20放大后，至DPDT#4开关；

DPDT#4切换至触点4，至LMHUB PAMid器件的RX4端口输出；

接收信号经SDR DRX16端口，进入射频收发器。

(5)N79 PRX MIMO链路

接收信号从Ant3天线口进入，经Path10路径，至Combiner3；

Combiner3合路后，经Path21路径，至LMHUB PAMid器件的ANT5端口输入；

4P6T切换至触点5，经N79 Filter2滤波，至SPDT#8开关；

SPDT#8切换至RX通路，至LNA22；

经LNA22放大后，至LMHUB PAMid器件的RX6端口输出；

接收信号经SDR PRX14端口，进入射频收发器。

(6)N79 DRX MIMO链路

接收信号从Ant4天线口进入，经Path15路径，至Combiner4；

Combiner4合路后，经Path22路径，至LMHUB PAMid器件的AUX1端口输入；

4P6T切换至触点6，至SPDT#10开关；

SPDT#10切换至触点2，经N79 Filter4滤波，至LNA24；

经LNA24放大后，至DPDT#6开关；

DPDT#6切换至触点4，至LMHUB PAMid器件的RX8端口输出；

接收信号经SDR DRX14端口，进入射频收发器。

本申请实施例为了进一步提高器件集成度，可以将外挂分立器件(如外挂滤波器)集成到新型LMHUB PA Mid器件中，如图9所示。基于该新型LMHUB PA Mid器件，可以构建如图13所示的射频系统，从而可以实现对射频信号的收发控制。

本申请实施例还提供了一种电子设备。该电子设备可以包括前述实施例中任一项的射频系统。通过在电子设备设置该射频系统，实现了将多个器件(如LB PA Mid模块、MHBPA Mid模块和5G PA Mid模块)集成于射频前端器件(即射频PA Mid器件)中，提高了集成度，减少了占用的主板面积；而且，由于器件集成度的提高，只需封装一次，也降低了成本；再者，通过集成化，在器件内部即可实现各部分间的匹配，降低了端口失配，提高了电子设备的性能。

需要说明的是，该电子设备可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便捷式媒体播放器(Portable MediaPlayer，PMP)、导航装置、可穿戴设备、智能手环、计步器等移动终端，以及诸如数字TV、广播、台式计算机等固定终端。

需要说明的是，在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种射频PAMid器件，其特征在于，被配置有用于连接射频收发器的一个或多个低频输入端口与输出端口、一个或多个中高频输入端口与输出端口、一个或多个超高频输入端口与输出端口，以及一个或多个低频接收端口、一个或多个中高频接收端口、一个或多个超高频接收端口，以及用于连接天线的一个或多个天线端口；所述射频PAMid器件包括：

低频PAMid模块，所述低频PAMid模块包括第一低频发射通路和低频接收通路，所述第一低频发射通路一端被配置为与一个或多个所述低频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接，所述低频接收通路一端被配置为与一个或多个所述低频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述低频输出端口电连接；

中高频PA Mid模块，所述中高频PAMid模块包括第一中高频发射通路和第一中高频接收通路，所述第一中高频发射通路一端被配置为与一个或多个所述中高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接，所述第一中高频接收通路一端被配置为与一个或多个所述中高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述中高频输出端口电连接；

超高频PAMid模块，所述超高频PA Mid模块包括第一超高频发射通路和第一超高频接收通路，所述第一超高频发射通路一端被配置为与一个或多个所述超高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接，所述第一超高频接收通路一端被配置为与一个或多个所述超高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述超高频输出端口电连接；

2G高频功率放大器，所述2G高频功率放大器一端被配置为与一个或多个所述中高频输入端口电连接，另一端被配置为与所述第一中高频发射通路电连接。

2.根据权利要求1所述的射频PAMid器件，其特征在于，所述射频PAMid器件还包括：

第二低频发射通路，所述第二低频发射通路一端被配置为与一个或多个所述低频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接；

第二中高频发射通路，所述第二中高频发射通路一端被配置为与一个或多个所述中高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接；

第二超高频发射通路，所述第二超高频发射通路一端被配置为与一个或多个所述超高频输入端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接。

3.根据权利要求2所述的射频PA Mid器件，其特征在于，所述第二低频发射通路包括低频功率放大器和低频滤波器，所述低频功率放大器一端被配置为与一个或多个所述低频输入端口电连接，另一端被配置为与所述低频滤波器第一端电连接，所述低频滤波器第二端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接。

4.根据权利要求2所述的射频PAMid器件，其特征在于，所述第二中高频发射通路包括第一中高频功率放大器和第一中高频滤波器，所述第一中高频功率放大器一端被配置为与一个或多个所述中高频输入端口电连接，另一端被配置为与所述第一中高频滤波器第一端电连接，所述第一中高频滤波器第二端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接。

5.根据权利要求2所述的射频PAMid器件，其特征在于，所述超高频PA Mid模块包括第一开关单元，所述第二超高频发射通路另一端被配置为与所述第一开关单元一端电连接，所述第一开关单元另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接。

6.根据权利要求2或5所述的射频PA Mid器件，其特征在于，所述第二超高频发射通路的数量为多个，且多个所述第二超高频发射通路之间并联连接；

每个所述第二超高频发射通路包括超高频功率放大器和超高频滤波器，所述超高频功率放大器一端被配置为与一个或多个所述超高频输入端口电连接，另一端被配置为与所述超高频滤波器第一端电连接，所述超高频滤波器第二端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的射频PA Mid器件，其特征在于，所述射频PA Mid器件还包括：

中高频LFEM模块，所述中高频LFEM模块包括第二中高频接收通路，所述第二中高频接收通路一端被配置为与一个或多个所述中高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述中高频输出端口电连接；

超高频LFEM模块，所述超高频LFEM模块包括第二超高频接收通路，所述第二超高频接收通路一端被配置为与一个或多个所述超高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述超高频输出端口电连接。

8.根据权利要求7所述的射频PAMid器件，其特征在于，所述第二中高频接收通路包括一个或多个第二中高频滤波器、一个或多个第二开关单元、一个或多个第一低噪声放大器以及第三开关单元；

一个或多个所述第二中高频滤波器一端被配置为与一个或多个所述中高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述第二开关单元一端电连接，所述第二开关单元另一端被配置为与一个或多个所述第一低噪声放大器一端电连接，一个或多个所述第一低噪声放大器另一端被配置为与所述第三开关单元一个或多个第一端电连接，所述第三开关单元一个或多个第二端被配置为与一个或多个所述中高频输出端口电连接。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的射频PAMid器件，其特征在于，所述第一中高频接收通路包括一个或多个第三中高频滤波器、一个或多个第四开关单元、一个或多个第二低噪声放大器以及第五开关单元；

一个或多个所述第三中高频滤波器一端被配置为与一个或多个所述中高频接收端口电连接，另一端被配置为与一个或多个所述第四开关单元一端电连接，所述第四开关单元另一端被配置为与一个或多个所述第二低噪声放大器一端电连接，一个或多个所述第二低噪声放大器另一端被配置为与所述第五开关单元一个或多个第一端电连接，所述第五开关单元一个或多个第二端被配置为与一个或多个所述中高频输出端口电连接。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的射频PA Mid器件，其特征在于，所述第一中高频发射通路包括第六开关单元、第二中高频功率放大器、第三中高频功率放大器、第四中高频功率放大器和第七开关单元；

所述第二中高频功率放大器一端被配置为与一个或多个所述中高频输入端口电连接，另一端被配置为与所述第六开关单元第一端电连接，所述第六开关单元第二端被配置为与所述2G高频功率放大器另一端电连接，所述第六开关单元第三端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接；

所述第七开关单元第一端被配置为与一个或多个所述中高频输入端口电连接，所述第七开关单元两个第二端被配置为分别与所述第三中高频功率放大器一端和所述第四中高频功率放大器一端电连接，所述第三中高频功率放大器另一端被配置为与所述第六开关单元第四端电连接，所述第四中高频功率放大器另一端被配置为与一个或多个所述天线端口电连接。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的射频PA Mid器件，其特征在于，

所述低频PA Mid模块用于处理N5频段、N8频段、N20频段和N28频段中一个或多个频段的低频信号；

所述中高频PA Mid模块用于处理N41频段的中高频信号；

所述超高频PA Mid模块用于处理N77频段和/或N79频段的超高频信号。

12.一种射频系统，其特征在于，包括：

如权利要求1-11中任一项所述的射频PA Mid器件；

一个或多个天线，被配置为与所述射频PAMid器件的一个或多个天线端口电连接；

射频收发器，被配置为与所述射频PAMid器件的一个或多个低频输入端口与输出端口、一个或多个中高频输入端口与输出端口、一个或多个超高频输入端口与输出端口电连接。

13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求12所述的射频系统。