CN119411099A - 气相沉积设备 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种气相沉积设备，包括静电吸盘、绝缘支撑部以及平行设置的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板靠近所述第二电极板的第一表面上设置有第一凹槽，所述静电吸盘设置于所述第一凹槽内，所述绝缘支撑部设置于所述第一电极板且位于所述第一凹槽外侧，沉积工艺中待沉积基板设置于所述静电吸盘远离所述第一电极板的一侧，金属掩膜版通过所述绝缘支撑部支撑设置于所述待沉积基板远离所述第一电极板的一侧且与所述第一电极板绝缘。与相关技术相比，本公开气相沉积设备可以通过静电力实现金属掩膜版和待沉积基板的紧密贴合，有效降低金属掩膜版与待沉积基板之间的间隙，有利于实现显示面板的窄边框。

Description

气相沉积设备

技术领域

本公开涉及气相沉积技术领域。更具体地，涉及一种气相沉积设备。

背景技术

随着智能手机、平板电脑、电视等显示设备对窄边框设计的追求，有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板窄边框技术成为行业发展趋势。OLED显示面板窄边框的实现主要依赖于先进的封装技术和电路设计，通过优化这些技术，制造商可以在保持显示面板性能的同时减少边框宽度。

然而，在封装工艺，尤其是利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺制备无机封装层的过程中，金属掩膜版与玻璃基板自然贴合产生的微小间隙会导致阴影区成膜，影响窄边框的实现。相关技术主要通过严格控制金属掩膜版制作工艺来减小金属掩膜版与玻璃基板贴合时产生的间隙，但效果有限。

发明内容

本公开的目的在于提供一种气相沉积设备，以解决相关技术中金属掩膜版与基板贴合间隙导致的阴影区成膜，实现显示面板的窄边框。

为达到上述目的，本公开采用下述技术方案：

本公开第一方面提供了一种气相沉积设备，包括静电吸盘、绝缘支撑部以及平行设置的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板靠近所述第二电极板的第一表面上设置有第一凹槽，所述静电吸盘设置于所述第一凹槽内，所述绝缘支撑部设置于所述第一电极板且位于所述第一凹槽外侧，沉积工艺中待沉积基板设置于所述静电吸盘远离所述第一电极板的一侧，金属掩膜版通过所述绝缘支撑部支撑设置于所述待沉积基板远离所述第一电极板的一侧且与所述第一电极板绝缘。

可选的，所述第一表面上还设置有围绕所述第一凹槽的第二凹槽，所述绝缘支撑部设置于所述第一电极板内，所述绝缘支撑部具有突出于所述第二凹槽底壁的支撑面，所述金属掩膜版包括金属边框，所述金属边框上设置有第一延伸部，所述第一延伸部的末端支撑设置于所述支撑面上。

可选的，所述待沉积基板和所述金属掩膜版呈四边形，所述绝缘支撑部的支撑面在所述第二电极板上的正投影呈四边形。

可选的，所述绝缘支撑部包括多个支撑块，所述多个支撑块在所述第二凹槽内均匀分布。

可选的，所述绝缘支撑部采用陶瓷垫块。

可选的，所述静电吸盘包括静电电极和包覆所述静电电极的绝缘层，所述静电电极的输入电压为第一直流电压。

可选的，所述第一电极板和所述第二电极板的输入电压为第一交流电压。

可选的，所述静电吸盘在所述第二电极板上的正投影覆盖所述待沉积基板在所述第二电极板上的正投影。

可选的，所述金属掩膜版的表面上形成有绝缘保护层。

可选的，所述绝缘保护层的材料包括氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化锌中的至少一种。

本公开的有益效果如下：

本公开实施例的气相沉积设备，通过设置静电吸盘和绝缘支撑部，在气相沉积过程中，待沉积基板设置于静电吸盘上，金属掩膜版通过绝缘支撑部支撑设置于待沉积基板上方并与待沉积基板自然贴合，静电吸盘通电后可以实现待沉积基板表面的极化，待沉积基板表面的极化进一步使金属掩膜版表面发生极化，由于金属掩膜版通过绝缘支撑部支撑，因此金属掩膜版上极化的电荷不会被引走，此时金属掩膜版和待沉积基板通过静电力紧密贴合，可以有效降低金属掩膜版与待沉积基板之间的间隙，进而缓解沉积过程中形成的阴影区，有利于实现显示面板的窄边框。

附图说明

下面结合附图对本公开的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1为相关技术中显示面板下边框的结构示意图；

图2为相关技术中显示面板下边框在CVD工艺中金属掩膜版与基板贴合间隙导致下边框大尺寸的原理示意图；

图3为本公开实施例提供的气相沉积设备的结构示意图；

图4为本公开实施例提供的金属掩膜版的结构示意图；

图5为本公开实施例提供的静电吸盘的原理示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

相关技术中，OLED显示面板通常采用有机层和无机层层叠的封装结构，例如封装层包括依次层叠的第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层，其中，第一无机封装层和第二无机封装层通过化学气相沉积工艺，也即CVD工艺制备得到，其中，CVD工艺中需要使用金属掩膜版完成特定图形的形成。在无机封装层的成膜过程中，金属掩膜版与玻璃基板自然贴合，不可避免会产生微小的间隙，由于CVD工艺是气相沉积，因此在间隙处容易形成薄膜，这个区域称为阴影区，阴影区无机薄膜的长度与厚度会影响显示面板的边框设计。

以下边框为例，请参考图1和图2，其中图1为显示面板下边框的结构示意图，图2为显示面板下边框在CVD工艺中金属掩膜版与基板贴合间隙导致下边框大尺寸的原理示意，具体的，图2对应于图1中虚线框所示区域，如图1和图2所示，显示面板的下边框一般分布有触控电路T1或者显示驱动电路T2的搭接区域(如图1中Q2所示)，柔性电路板400在搭接区域与触控电路T1或显示驱动电路T2绑定在一起，若搭接区域Q2内形成有无机薄膜层，会导致触控电路T1或者显示驱动电路T2断路，显示面板无法正常工作。如图2所示，金属掩膜版Mask具有镂空区域，镂空区域的尺寸与无机封装层(记为CVD膜层)的尺寸一致，如图1中区域Q1所示，区域Q1即表示显示面板中无机封装层覆盖的区域，而非镂空区域与待沉积的玻璃基板贴合时，若金属掩膜版Mask的非镂空区域与玻璃基板之间存在间隙，如图2所示间隙高度为d，则在该间隙内也会形成无机膜层，即形成阴影区，若触控搭接区域或显示驱动搭接区域有无机膜层，会导致断路，因此搭接区域需要设置在阴影区外侧，此时会导致显示面板的边框尺寸增大，不利于窄边框的实现。

为了解决该技术问题，本公开提供了一种气相沉积设备，通过对气相沉积设备的结构进行改进，来改善金属掩膜版与待沉积基板之间贴合时产生的间隙，使得金属掩膜版与待沉积基板能够更好的贴合，避免无机封装层制备工艺中阴影区的形成，进而实现窄边框设计。

请参考图3，图3为本公开实施例提供的气相沉积设备的结构示意图，如图3所示，气相沉积设备包括静电吸盘110、绝缘支撑部120以及平行设置的第一电极板130和第二电极板140，所述第一电极板130靠近所述第二电极板140的第一表面上设置有第一凹槽1310，所述静电吸盘110设置于所述第一凹槽1310内，所述绝缘支撑部120设置于所述第一电极板130且位于所述第一凹槽1310外侧，沉积工艺中待沉积基板200设置于所述静电吸盘110远离所述第一电极板130的一侧，金属掩膜版300通过所述绝缘支撑部120支撑设置于所述待沉积基板200远离所述第一电极板130的一侧且与所述第一电极板130绝缘。

可选的，本公开实施例中的气相沉积设备是指化学气相沉积设备，该气相沉积设备包括反应腔，第一电极板130和第二电极板140位于所述反应腔内部且相对设置。其中，第一电极板130和第二电极板140相对设置具体可以为：第一电极板130设置在反应腔的底部，第二电极板140设置在反应腔的顶部，也可以是第一电极板130和第二电极板140均设置在所述反应腔的侧壁，在此不作限定。

本公开实施例中，以第一电极板130设置在反应腔的底部，第二电极板140设置在反应腔的顶部为例进行描述，此时第一电极板130也可以表示为下电极板，第二电极板140也可以表示为上电极板。第一电极板130和第二电极板140平行设置，第一电极板130和第二电极板140之间的区域形成反应区域。此外，气相沉积设备还包括气体反应器(图中未示意出)，气体反应器设置在第二电极板140下方，且通过电连接薄片与第二电极板140电连接。在气相沉积过程中，待沉积基板200(例如形成有发光器件层、需要进行封装的玻璃基板)和金属掩膜版300放置在反应区域内，且位于第一电极板130上方、气体反应器下方，且金属掩膜版300位于反应区域内待沉积基板200靠近第二电极板140的一侧，具体实施时，待沉积基板200放置于第一电极板130上，金属掩膜版300自然贴合于待沉积基板200上。当在第二电极板140上施加电源时，第一电极板130和第二电极板140之间形成电场，这个电场能量足够高时，可以使气体反应器中的气体发生电解，将气体的离子分离，并最终将分离出的离子沉积在待沉积基板200上方，形成膜层。在无机封装层制备工艺中，形成的膜层即为无机封装层。

为了解决待沉积基板200与金属掩膜版300贴合时的间隙问题，本公开实施例的主要改进包括：在第一电极板130上设置了静电吸盘110，并设置绝缘支撑部120来支撑金属掩膜版300。

其中，静电吸盘110又称静电卡盘(ESC，E-Chuck)，是一种利用静电吸附原理加持固定被吸附物的夹具。本公开实施例中，在第一电极板130内部设置静电吸盘110后，待沉积基板200设置于静电吸盘110上，即气相沉积工艺中静电吸盘110支撑待沉积基板200，静电吸盘110通电后产生的静电力会使得待沉积基板200表面电荷重新极化排布，待沉积基板200表面极化后会使得金属掩膜版300表面完成极化，由于金属掩膜版300通过绝缘支撑部120支撑且与第一电极板130绝缘，因此金属掩膜版300中极化后的电荷不会被导走，最终待沉积基板200与金属掩膜版300通过静电力紧密贴合，这种贴合方式不仅提高了贴合的均匀性和稳定性，还有效减少了阴影区的形成，即阴影区成膜得到有效改善。

其中，绝缘支撑部120是指具有绝缘性能的支撑部，通过绝缘支撑部120，可以实现对金属掩膜版300的支撑，且与金属掩膜版300的接触是绝缘的。具体实施时，金属掩膜版300通过绝缘支撑部120悬空设置于第一电极板130上方，也即金属掩膜版300与第一电极板130之间不存在物理接触，如此设置可以保证金属掩膜版300中极化后的电荷不会被导走。

可选的，绝缘支撑部120采用陶瓷垫块。可以理解的是，绝缘支撑部120还可以根据需要设置为其他绝缘材料。

本公开实施例中，在第一电极板130的第一表面，也即第一电极板130的上表面上设置有容纳静电吸盘110的第一凹槽1310，第一凹槽1310的形状和尺寸与静电吸盘110的形状和尺寸相匹配，例如形状和尺寸相匹配可以表示为形状和尺寸相同，此时静电吸盘110刚好容置于第一凹槽1310内。此外，静电吸盘110的形状和尺寸与待沉积基板200的形状和尺寸相匹配。

可选的，静电吸盘110的形状和尺寸与待沉积基板200的形状或尺寸相同；或者，静电吸盘110的形状与待沉积基板200的形状相同，静电吸盘110的尺寸略大于待沉积基板200的尺寸，也即静电吸盘110在第二电极板140上的正投影至少覆盖待沉积基板200在第二电极板140上的正投影。

可选的，本公开实施例中的待沉积基板200为玻璃基板，玻璃基板上形成有依次层叠的驱动电路层、像素界定层、第一电极层、发光器件层以及第二电极层，通过本公开实施例的气相沉积设备可以在第二电极层上方形成无机封装层。示例性的，无机封装层的材料可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料。

与相关技术相比，本公开实施例的气相沉积设备，通过设置静电吸盘和绝缘支撑部，在气相沉积过程中，待沉积基板设置于静电吸盘上，金属掩膜版通过绝缘支撑部支撑设置于待沉积基板上方并与待沉积基板自然贴合，静电吸盘通电后可以实现待沉积基板表面的极化，待沉积基板表面的极化进一步使金属掩膜版表面发生极化，由于金属掩膜版通过绝缘支撑部支撑，因此金属掩膜版上极化的电荷不会被引走，此时金属掩膜版和待沉积基板通过静电力紧密贴合，可以有效降低金属掩膜版与待沉积基板之间的间隙，进而缓解沉积过程中形成的阴影区，有利于实现显示面板的窄边框。

此外，虽然在某些情况下可以使用磁力吸盘吸附金属掩膜版与玻璃基板贴合，但由于CVD工艺的特殊性，无法使用磁力吸盘吸附金属掩膜版。一方面，磁力吸盘产生的磁场可能会干扰CVD工艺中的化学反应或沉积过程，导致沉积层的质量下降，另一方面，CVD工艺通常需要在高温下进行，而磁力吸盘在高温环境下可能失去磁性或性能下降，无法满足工艺要求。而本公开实施例提供的静电吸附方案适用于气相沉积设备时不会对CVD工艺产生不良影响。

在一种可能的实现方式中，所述金属掩膜版300的表面上形成有绝缘保护层，即在金属掩膜版300的表面上覆盖一层绝缘保护材料形成绝缘保护层。

可选的，金属掩膜版300采用因瓦合金材料。本公开实施例中，在金属掩膜版300的表面形成绝缘保护层，一方面可以增强金属掩膜版300的表面硬度和耐腐蚀性，另一方面，还可以促进金属掩膜版300的极化，为后续的静电贴合提供有利条件。

可选的，所述绝缘保护层的材料包括氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化锌中的至少一种。本公开实施例中，绝缘保护层的材料选用阳极氧化材料，例如氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化锌等材料。在具体实施时，可以通过真空溅镀的方式在金属掩膜版的表面形成一层绝缘保护层。

可以理解的是，本公开实施例仅示例性的说明了绝缘保护层采用阳极氧化材料，在其他实施例中，绝缘保护层还可以采用其他可行的绝缘保护材料。

可选的，本公开实施例中待沉积基板200为四边形(如矩形)，金属掩膜版300也呈四边形。

示例性的，如图4所示，金属掩膜版300包括金属边框310、多个支撑条320以及多个金属掩膜片330。金属边框310的中部为中空区，示例性的，金属边框310可以为矩形金属框架，在矩形框架的中部设置有同为矩形的中空区，金属边框310的平面结构呈“回”字结构，但在实际应用中，金属边框310的形状以及金属边框310中部的中空区的形状可以根据待沉积基板2--上所需沉积的形状进行具体设置，在此不做限定。支撑条320呈板条状，其中部分支撑条沿第一方向(如水平方向)跨设于所述金属边框310的中空区，其余部分所述支撑条320沿第二方向(如竖直方向)跨设于所述金属边框310的中空区，沿第一方向设置的多个支撑条320与沿第二方向设置的多个支撑条320相互交叉构成支撑网，支撑条的两端分别与金属边框310连接。金属掩膜片330位于所述支撑条320上方，且金属掩膜片330通过张网设备固定焊接在金属边框310和支撑条320形成的支撑网上，每个金属掩膜片330上形成有镂空区域(也即开口)，该镂空区域与CVD工艺中需要沉积无机材料的封装区域对应，也即该镂空区域与图1中区域Q1对应。

其中，金属掩膜版300的表面上形成有绝缘保护层，是指金属掩膜版300的全表面被绝缘保护层覆盖。对应图4所示金属掩膜版，也可以理解为金属掩膜版300的金属边框310、支撑条320以及金属掩膜片330上的非镂空区域覆盖有一层绝缘保护层。

在一种可能的实现方式中，所述第一表面上还设置有围绕所述第一凹槽1310的第二凹槽1320，所述绝缘支撑部120设置于所述第一电极板130内，所述绝缘支撑部120具有突出于所述第二凹槽1320底壁的支撑面，所述金属掩膜版300包括金属边框310，所述金属边框310上设置有第一延伸部340，所述第一延伸部340的末端340a支撑设置于所述支撑面上。

如图3所示，金属掩膜版300上的第一延伸部340朝第一方向延伸，其中第一方向与金属掩膜版300的金属边框310所在平面相交，也即第一延伸部340朝远离金属掩膜版300所在平面的方向延伸，当金属掩膜版300与待沉积基板200贴合时，第一延伸部340的末端伸入第二凹槽1320内并与突出第二凹槽1320底壁的绝缘支撑部120的支撑面接触，此时绝缘支撑部120实现对金属掩膜版300的支撑。其中，为了实现金属掩膜版300与第一电极板130之间的绝缘，第一延伸部340伸入第二凹槽1320的末端与第二凹槽1320的侧壁、底壁均无接触，即第一延伸部340的尺寸略小于第二凹槽1320的尺寸。

在一种可能的实现方式中，所述待沉积基板200和所述金属掩膜版300呈四边形，所述绝缘支撑部120的支撑面在所述第二电极板140上的正投影呈四边形。

本公开实施例中，绝缘支撑部120的支撑面在第二电极板140上的正投影呈四边形可以理解为绝缘支撑部120为围绕待沉积基板200的一圈结构，此时，待沉积基板200可以为金属掩膜版300金属边框上的各个位置提供支撑力，支撑效果更好。

可选的，所述绝缘支撑部120包括多个支撑块，所述多个支撑块120在第二凹槽1320内均匀分布。本公开实施例中，绝缘支撑部120可以为金属掩膜版300金属边框上的多个位置提供支撑力，每一位置与一个支撑块对应。示例性的，每一个支撑块为一个独立的陶瓷垫块，如此设置，绝缘支撑部120的结构简单、可以简化制作加工工艺。

在一种可能的实现方式中，所述静电吸盘110包括静电电极和包覆所述静电电极的绝缘层，所述静电吸盘110的输入电压为第一直流电压。其中，静电吸盘110输入第一直流电压时产生静电力的第一电场。

示例性的，请参考图5，图5为静电吸盘的结构示意图，如图5所示，静电吸盘110包括绝缘层1110和静电电极1120，绝缘层1110用于与待沉积基板200接触，其通常为氮化铝或者氧化铝陶瓷，具有良好的机械强度、耐高温性和导热性。静电电极1120用于产生静电力的电场，静电电极1120通常为平面状，其嵌入或沉积在绝缘材料中形成被绝缘层1110包覆的结构，静电电极1120的材料可以为铝、铜或钨等导电性良好的金属。可选的，第一电压为直流电压，当直流电压施加电压于静电电极1120时，静电电极1120形成静电电场，静电电场导致待沉积基板200表面的电荷重新极化排布，具体的，电荷极化方向为正电荷向负极移动，负电荷向正极移动，待沉积基板200的极化进一步导致金属掩膜版300发生极化，进而待沉积基板200和金属掩膜版300通过静电力吸附在一起。

可选的，所述第一电极板130和所述第二电极板140的输入电压为第一交流电压，也即第一电极板130和第二电极板140之间的输入电压为第一交流电压。示例性的，第一交流电压为高频交流电压，其频率例如为13.56MHz，电压范围例如为500～1000V。其中，第一电极板130和第二电极板140之间输入第一交流电压时，第一电极板130和第二电极板140之间形成的电场使得气体反应器中的工艺气体产生解离。

本公开实施例中，静电吸盘120通电(如输入第一直流电压VCC)时形成的静电场记为第一电场，第一电极板130和第二电极板140通电(如输入第二交流电压)时形成的电场记为第二电场，其中，第一电场和第二电场的输入电压类型、所处区域以及电场强度均是不同的，第一电场和第二电场之间的影响可以忽略，也即，第一直流电压对于第一交流电压的解离作用影响可忽略不计，且第一交流电压对于第一直流电压产生的静电场的影响也可以忽略不计。具体的，第一电场的区域为静电吸盘120与待沉积基板200、金属掩膜版300之间，第二电场的区域为第一电极板130和第二电极板140之间，第一电场的输入为直流电压，第二电场的输入为交流电压，且第一电场的电场强度远小于第二电场的电场强度。

基于相同的发明构思，本公开第二方面提供了一种显示面板，该显示面板包括衬底基板、在所述衬底基板上依次层叠的驱动电路层、像素界定层、第一电极层、发光器件层、第二电极层以及封装层，封装层包括依次层叠的第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层，其中，第一无机封装层和第二无机封装层通过本公开实施例提供的气相沉积设备制备得到，由于第一无机封装层和第二无机封装层制备过程中可以实现金属掩膜版与待沉积基板的紧密贴合，因此可以有效缩短阴影区的宽度，有利于实现显示面板的窄边框设计要求。

可选的，第一无机封装层和第二无机封装层可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成，有机封装层可以采用聚酰亚胺(PI)、环氧树脂等有机材料形成。

示例性的，驱动电路层包括在衬底基板上采用构图工艺形成的有源层(Active)、在有源层上通过沉积等方式形成的栅极绝缘层(GI)、在栅绝缘层上采用构图工艺形成的薄膜晶体管的栅极(Gate)、在栅极上通过沉积等方式形成的介电层(ILD)、在介电层上形成的源漏金属层及覆盖源漏金属层和露出的介电层的平坦层(PLN)，源漏金属层形成薄膜晶体管的源极(Source)和漏极(Drain)，例如源极通过介电层过孔与有源层电连接。其中，有源层可以采用多晶硅和金属氧化物等材料，栅极绝缘层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，介电层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。栅极材料包括铝、钛、钴等金属或者合金材料。平坦层例如为有机材料。

第一电极层例如为阳极(Anode)层，可以采用ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金材料，阳极例如通过平坦层开设的过孔与漏极电连接。

像素界定层可利用构图工艺形成，其围绕阳极，示例性的，像素界定层的材料可以包括负性光刻胶、聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。

发光器件层形成在像素界定层开设的开口所暴露的阳极上。发光器件层包括发光层(EML，Emitting Layer)，不同颜色子像素的发光层不同，例如，红色子像素包括红色发光层，绿色子像素包括绿色发光层，蓝色子像素包括蓝色发光层。发光器件层还可包括有助于发光层发光的辅助发光层，辅助发光层例如包括空穴注入层(HIL，Hole InjectionLayer)、空穴传输层(HTL，Hole Transport Layer)、电子阻挡层(EIL，Electron InjectionLayer)、空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)、电子传输层(ETL，Electron TransportLayer)和电子注入层(EIL，Electron Injection Layer)中的一个或多个膜层。发光层和辅助发光层例如为有机材料层。

第二电极层例如为阴极层，阴极例如在OLED显示面板上整面形成，覆盖发光器件层和像素界定层，阴极的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金，或者IZO、ZTO等金属氧化物，又或者PEDOT/PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。

此外，显示面板还可以包括位于封装层上的盖板(例如玻璃盖板CG)。

本公开实施例中，显示面板可以为有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，简称OLED)显示面板。可以理解的是，还可以根据实际需要设置显示面板为其他类型，例如，显示面板还可以为量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，简称QLED)显示面板或微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)显示面板等。

基于相同的发明构思，本公开第三方面提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。示例性的，该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。

显然，本公开的上述实施例仅仅是为清楚地说明本公开所作的举例，而并非是对本公开的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本公开的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本公开的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种气相沉积设备，其特征在于，包括静电吸盘、绝缘支撑部以及平行设置的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板靠近所述第二电极板的第一表面上设置有第一凹槽，所述静电吸盘设置于所述第一凹槽内，所述绝缘支撑部设置于所述第一电极板且位于所述第一凹槽外侧，沉积工艺中待沉积基板设置于所述静电吸盘远离所述第一电极板的一侧，金属掩膜版通过所述绝缘支撑部支撑设置于所述待沉积基板远离所述第一电极板的一侧且与所述第一电极板绝缘。

2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述第一表面上还设置有围绕所述第一凹槽的第二凹槽，所述绝缘支撑部设置于所述第一电极板内，所述绝缘支撑部具有突出于所述第二凹槽底壁的支撑面，所述金属掩膜版包括金属边框，所述金属边框上设置有第一延伸部，所述第一延伸部的末端支撑设置于所述支撑面上。

3.根据权利要求2所述的气相沉积设备，其特征在于，所述待沉积基板和所述金属掩膜版呈四边形，所述绝缘支撑部的支撑面在所述第二电极板上的正投影呈四边形。

4.根据权利要求2所述的气相沉积设备，其特征在于，所述绝缘支撑部包括多个支撑块，所述多个支撑块在所述第二凹槽内均匀分布。

5.根据权利要求1至4任一项所述的气相沉积设备，其特征在于，所述绝缘支撑部采用陶瓷垫块。

6.根据权利要求5所述的气相沉积设备，其特征在于，所述静电吸盘包括静电电极和包覆所述静电电极的绝缘层，所述静电电极的输入电压为第一直流电压。

7.根据权利要求6所述的气相沉积设备，其特征在于，所述第一电极板和所述第二电极板的输入电压为第一交流电压。

8.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述静电吸盘在所述第二电极板上的正投影覆盖所述待沉积基板在所述第二电极板上的正投影。

9.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述金属掩膜版的表面上形成有绝缘保护层。

10.根据权利要求9所述的气相沉积设备，其特征在于，所述绝缘保护层的材料包括氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化锌中的至少一种。