CN119300432B

CN119300432B - 基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压jfet器件及制备方法

Info

Publication number: CN119300432B
Application number: CN202411378111.6A
Authority: CN
Inventors: 马杰; 张龙; 彭麒维; 刘斯扬; 孙伟锋
Original assignee: Southeast University-Wuxi Institute Of Integrated Circuit Technology; Southeast University
Current assignee: Southeast University-Wuxi Institute Of Integrated Circuit Technology; Southeast University
Priority date: 2024-09-30
Filing date: 2024-09-30
Publication date: 2025-10-21
Anticipated expiration: 2044-09-30
Also published as: CN119300432A

Abstract

一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长P型外延与N型漂移区，在N型漂移区内有P型埋层，第一，第二P型阱掺杂区，第一N型阱掺杂区，第一与第二N型高掺杂区，第一与第二P型高掺杂区，在第二P型高掺杂区内有氧化层与辅助反型金属，在N型漂移区上方设有氧化层介质，刻蚀氧化层介质引出源、漏、栅金属电极。制备方法包括获取衬底，衬底上生长外延层，外延层上生长漂移区，高能离子注入形成P型埋层，在漂移区中进行离子注入形成不同类型掺杂阱与高掺杂，在第二P型阱掺杂区刻蚀生长氧化层淀积反型辅助金属电极并构成拓展导电结构，生长层间介质，刻蚀，淀积金属形成源、漏、栅电极。

Description

基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别是涉及一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及其制备方法。

背景技术

当今半导体产业对功率器件的要求与日俱增，目前功率半导体器件由硅材料主导，面对电力电子技术向更高阻断电压、更快开关速度以及更高工作温度的发展趋势，硅基功率器件的局限性日益显现。传统的硅基功率器件性能已经逼近其材料的理论极限，在高温高压环境下无法满足新一代电力电子系统的要求。碳化硅材料作为宽禁带半导体材料，与传统硅材料相比，具有宽禁带宽度、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度、高导热率等优势，是大功率、高温、高频和抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。

结型场效应晶体管（Junction-Field-Effect-Transistor，JFET）是一种电压控制器件，利用横向JFET器件和电阻等无源器件的集成，能够实现各类模拟集成电路和数字集成电路。JFET功率器件仅通过PN结实现栅电压控制，不存在SiO₂/SiC界面态问题，在可靠性方面相较于碳化硅LDOMS有着明显的优势，而且相比于MOS控制方式，PN结门极结构的开启电压随温度变化较小，降低了器件在高温环境中误触发的可能性。

碳化硅JFET器件相较于MOSFET具有开启相对容易、不含低可靠性的栅氧化层、输入电阻较高、噪声较少等特点。现有的碳化硅JFET器件分为常开型和常关型两大类，常开型器件相较于常闭型器件电流能力更好，但常开型碳化硅JFET器件关闭时，需要在栅极施加负电压耗尽导通沟道，能量损耗较大，而且增加了电路设计难度。常关型相较于常开型器件耐压能力更强，常关型碳化硅JFET使用时，仅需要在开启时施加栅极电压，关态时沟道自动夹断不需要施加栅极电压，耗能更小，但电流能力较弱。

发明内容

本发明提供一种能够提高常关型器件电流能力的基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件。

针对上述问题，本发明采用如下技术方案：

本发明所述的一种基于拓展导电沟道的碳化硅高压JFET器件，包括：

N型衬底，在N型衬底上生长P型外延，在P型外延上生长有N漂移区，在N型漂移区内设有P型埋层、第一P型阱掺杂区、第二P型阱掺杂区、第一N型阱掺杂区及第一N型高掺杂区，所述第一P型阱掺杂区触及P型埋层，

所述第二P型阱掺杂区的底部高于P型埋层的上表面，当器件导通时，由第二P型阱掺杂区与P型埋层之间的N型漂移区形成第一导通沟道；所述第一N型高掺杂区位于第一P型阱掺杂区与第二P型阱掺杂区之间且第一N型高掺杂区与第一P型阱掺杂区相接触，

在第一P型阱掺杂区内设有第一P型高掺杂区，在第二P型阱掺杂区内设有第二P型高掺杂区，在第一N型阱掺杂区内设有第二N型高掺杂区；在所述第一P型阱掺杂区、第一P型高掺杂区、第一N型高掺杂区、第二P型阱掺杂区、第二P型高掺杂区、第一N型阱掺杂区、第二N型高掺杂区及N型漂移区表面设有氧化层介质，

在所述第一P型高掺杂区和第一N型高掺杂区上引出源极金属电极并构成器件源极，在所述第二P型高掺杂区上引出栅极金属电极并构成器件栅极，在所述第二N型高掺杂区上引出漏极金属电极并构成器件漏极，

所述第二P型高掺杂区包括与第一P型高掺杂区同方向并呈直线排列的两个或两个以上的第二P型高掺杂单元且相邻的第二P型高掺杂单元相分离；在相邻的第二P型高掺杂单元之间设有沟槽且沟槽的两侧面分别与相邻的第二P型高掺杂单元相抵触，在沟槽内设有拓展导电结构并由拓展导电结构形成第二导通沟道，与第二P型高掺杂区相连并具有等电位。

当本发明所述器件处于关断状态时，源极接入零电位电压，栅极接入零电位电压，P型埋层、第二P型阱掺杂区分别与N型漂移区耗尽，当漏级未施加电压时，P型埋层、第二P型阱掺杂区与位于其中的部分N型漂移区恰好耗尽，使得导通沟道被形成的耗尽层恰好夹断，上述耗尽区域随着漏级端施加电压增大而扩大，实现常关型碳化硅高压JFET器件关断状态和反向耐压过程；

当本发明所述器件处于开启状态时，源极接入零电位电压，栅极接入范围为0~2.7V电压，当栅极接入非零电位电压时，P型埋层、第二P型阱掺杂区与位于其中的部分N型漂移区耗尽区域范围缩小，使得原本被耗尽层夹断的导通沟道打开，随着栅极施加电压增大，辅助反型电极下方紧邻的部分第二P型阱掺杂区反型，形成特第二通沟道，增大正向导通时碳化硅常关型高压JFET器件的电流能力，使得碳化硅常关型高压JFET器件处于开启状态时饱和电流大小有效地提升。

本发明所述的一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件的制备方法，

在碳化硅基上形成N型衬底；在上述N型衬底上外延生长出P型外延；在P型外延上外延生长出N型漂移区；

在所述N型漂移区通过高能离子注入形成P型埋层；

在N型漂移区上进行P型离子注入并形成第一P型阱掺杂区和第二P型阱掺杂区；在所述N型漂移区上进行N型离子注入并形成第一N型阱掺杂区；在N型漂移区和第一N型阱掺杂区上进行高掺杂N型离子注入并分别形成第一N型高掺杂区和第二N型高掺杂区；

在第一P型阱掺杂区和第二P型阱掺杂区上进行高掺杂P型离子注入并分别在N型漂移区和第一N型阱掺杂区上形成第一P型阱掺杂区和相分离的第二P型高掺杂单元；

热退火处理后，对相邻第二P型高掺杂单元之间的第二P型阱掺杂区区域进行刻蚀并形成沟槽，在所述沟槽的底部及内壁上生长氧化层，再在氧化层内淀积金属后形成拓展导电结构；

在N型漂移区、第一P型高掺杂区、第二P型高掺杂区、第一N型高掺杂区、第二P型阱掺杂区、第二P型高掺杂区、拓展导电结构、第一N型阱掺杂区及第二N型高掺杂区表面上进行淀积一层氧化层介质；

对第一P型高掺杂区、第一N型高掺杂区、第二P型高掺杂区和拓展导电结构以及第二N型高掺杂区上方的氧化层介质局部区域进行刻蚀并形成通孔，再在氧化层介质上淀积金属层，最后，对所述金属层进行刻蚀以形成源极、栅极和漏级。

与现有技术相比，本发明有如下优点：

本发明提供了一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及其制备方法，与传统的硅基JFET器件相比，SiC器件突破了传统硅基耐压能力的极限与工作温度极限，在高压、大功率、高温的环境下工作优势更加明显。由于器件部分导通沟道不存在SiC-SiO₂界面，所以沟道载流子的等效迁移率更高，并且PN结门极结构的开启电压随温度变化较小，降低了器件在高温环境中误触发的可能性。

本发明所述的常关型碳化硅高压JFET器件具有开态电流能力大的优点。本发明通过在相邻P阱掺杂区内通过刻蚀沟槽并生长氧化层形成多个拓展导电结构，将多个拓展导电结构与整个JFET器件栅极电极相连，在通过常规栅电极控制器件导通沟道开启的同时，利用拓展导电结构或者说利用辅助反型电极下方的第二P型阱掺杂区的邻近区域反型，形成器件的第二导通沟道，参与到器件电流开态导通的过程当中，从而使得在不影响常关型碳化硅高压JFET器件关态耐压能力的同时，解决了传统常关型碳化硅高压JFET器件低电流能力问题，提高了器件的开态电流能力。

附图说明

为了更好地描述和说明这里公开的那些发明的实施例和/或示例，可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的发明、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些发明的最佳模式中的任何一者的范围的限制。

图1是本申请发明的一种加入拓展导电结构的常关型碳化硅高压JFET器件未淀积金属时内部3D示意图。

图2是本申请发明的一种加入拓展导电结构的常关型碳化硅高压JFET器件淀积金属以后局部3D示意图。

图3是沿图2中CC’剖面的P-WELL和拓展导电结构相对位置示意图。

图4是沿图2中AA’剖面图。

图5是沿图2中BB’剖面图。

图6是本申请发明的一种加入拓展导电结构的碳化硅常关型高压JFET器件制备步骤示意图。

图7(a)-图7(i)是发明的一种加入拓展导电结构的碳化硅常关型高压JFET器件，其中图7（a）~图7（i）分别是制备工艺的各个步骤的示意图。

图8是P型高掺杂区离子注入时的掩膜版结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本文所使用的半导体领域词汇为本领域技术人员常用的技术词汇，例如对于P型和N型杂质，为区分掺杂浓度，例如在文中表述为第一P型高掺杂区、第二P型高掺杂区、P型埋层均使用P型杂质重掺杂，第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、P型外延层均采用P型杂质轻掺杂，第一N型高掺杂区、第二N型高掺杂区、均采用N型杂质重掺杂，第一N型阱掺杂区、N型漂移区、N型衬底均采用N型杂质轻掺杂，为区分掺杂位置，采用“第一型”、“第二型”进行位置区分。为区分常关型器件沟道位置，采用“导通沟道”、“特征导通沟道”命名方式进行区分，常关型碳化硅高压JFET器件基于的拓展导电沟道在文中为沟槽部分以及氧化层部分。

本申请针对传统常关型碳化硅高压JFET器件电流能力差，器件耐压能力不足的问题，提出了一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件。

实施例1

一种基于拓展导电沟道的碳化硅高压JFET器件，包括：

N型衬底005，在N型衬底005上生长P型外延006，在P型外延006上生长有N漂移区007，在N型漂移区007内设有P型埋层003、第一P型阱掺杂区001、第二P型阱掺杂区002、第一N型阱掺杂区004及第一N型高掺杂区012，所述第一P型阱掺杂区001触及P型埋层003，

所述第二P型阱掺杂区002的底部高于P型埋层003的上表面，当器件导通时，由第二P型阱掺杂区002与P型埋层003之间的N型漂移区007形成第一导通沟道111；所述第一N型高掺杂区012位于第一P型阱掺杂区001与第二P型阱掺杂区002之间且第一N型高掺杂区012与第一P型阱掺杂区001相接触，

在第一P型阱掺杂区001内设有第一P型高掺杂区011，在第二P型阱掺杂区002内设有第二P型高掺杂区021，在第一N型阱掺杂区004内设有第二N型高掺杂区041；在所述第一P型阱掺杂区001、第一P型高掺杂区011、第一N型高掺杂区012、第二P型阱掺杂区002、第二P型高掺杂区021、第一N型阱掺杂区004、第二N型高掺杂区041及N型漂移区007表面设有氧化层介质041，

在所述第一P型高掺杂区011和第一N型高掺杂区012上引出源极金属电极并构成器件源极01S，在所述第二P型高掺杂区021上引出栅极金属电极并构成器件栅极02G，在所述第二N型高掺杂区041上引出漏极金属电极并构成器件漏极03D，

所述第二P型高掺杂区021包括与第一P型高掺杂区011同方向并呈直线排列的两个或两个以上的第二P型高掺杂单元且相邻的第二P型高掺杂单元相分离；在相邻的第二P型高掺杂单元之间设有沟槽且沟槽的两侧面分别与相邻的第二P型高掺杂单元相抵触，在沟槽内设有拓展导电结构023并由拓展导电结构023形成第二导通沟道222，与第二P型高掺杂区021相连并具有等电位。在本实施例中，

所述拓展导电结构023包括设在沟槽底部及内壁上的氧化层022，在氧化层022内填充金属以形成辅助反型电极024，所述辅助反型电极024与所述栅极金属电极连接。拓展导电结构023的数量为3-6个。进一步，各类型的高掺杂区的掺杂浓度大于所述阱掺杂区、外延、衬底掺杂浓度，其中衬底的浓度范围为1e8~5e8，外延浓度范围为1e9~5e9，掺杂区浓度范围为1e10~5e10，高掺杂区浓度范围为1e11~5e11。

在本发明的常关型碳化硅高压JFET器件结构中，加入了拓展导电结构023，进一步来说，所述拓展导电结构023包括设在沟槽底部及内壁上的氧化层022，在氧化层022内填充金属以形成辅助反型电极024 ，所述辅助反型电极024与所述栅极金属电极连接，在第二P型阱掺杂区002以及P型埋层003之间的N型漂移区007形成的第一导通沟道111开启同时，在第二P型阱掺杂区002内及拓展导电沟道023、辅助反型电极024下方的第二P型阱掺杂区002的相邻区域反型并形成的第二导通沟道222同时开启。

实施例2

一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件的制备方法，

在碳化硅基上形成N型衬底005；在上述N型衬底005上外延生长出P型外延006；在P型外延006上外延生长出N型漂移区007；

在所述N型漂移区007通过高能离子注入形成P型埋层003；

在N型漂移区007上进行P型离子注入并形成第一P型阱掺杂区001和第二P型阱掺杂区002；在所述N型漂移区007上进行N型离子注入并形成第一N型阱掺杂区004；在N型漂移区007和第一N型阱掺杂区004上进行高掺杂N型离子注入并分别形成第一N型高掺杂区012和第二N型高掺杂区041；

在第一P型阱掺杂区001和第二P型阱掺杂区002上进行高掺杂P型离子注入并分别在N型漂移区007和第一N型阱掺杂区004上形成第一P型阱掺杂区001和相分离的第二P型高掺杂单元；众所周知，离子注入需要使用掩膜版，参照图8，此步骤中的掩膜版结构如图8所示。

热退火处理后，对相邻第二P型高掺杂单元之间的第二P型阱掺杂区002区域进行刻蚀并形成沟槽，在所述沟槽的底部及内壁上生长氧化层022，再在氧化层022内淀积金属后形成拓展导电结构023，参照图3，所述沟槽分别与相邻的第二P型高掺杂单元相抵，所述沟槽自第二P型阱掺杂区002的一侧延伸至其另一侧；

在N型漂移区007、第一P型高掺杂区011、第二P型高掺杂区021、第一N型高掺杂区012、第二P型阱掺杂区002、第二P型高掺杂区021、拓展导电结构023、第一N型阱掺杂区004及第二N型高掺杂区041表面上进行淀积一层氧化层介质04F；

对第一P型高掺杂区011、第一N型高掺杂区012、第二P型高掺杂区021和拓展导电结构023以及第二N型高掺杂区041上方的氧化层介质局部区域进行刻蚀并形成通孔，再在氧化层介质上淀积金属层，最后，对所述金属层进行刻蚀以形成源极01S、栅极02G和漏级03D。在本实施例中，

用于形成P型埋层003的高能离子注入，其掺杂杂质为Al，掺杂剂量为1e10 ~5e10cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV。P型离子注入，其掺杂杂质为Al，掺杂剂量为1e10 ~5e10 cm^-3，能量为10keV~1MeV， N型离子注入，其掺杂杂质为N，掺杂剂量为1e10 ~5e10 cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV；高掺杂N型离子注入，其掺杂杂质为N，掺杂剂量为1e11 ~5e11 cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV。高掺杂P型离子注入，其掺杂杂质为Al，掺杂剂量为1e11~5e11 cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV。

下面参照图1~图6，对本发明所述器件结构做出进一步说明：

图1是本申请发明的一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件内部3D示意图，由第一P型阱掺杂区001、第一N型高掺杂区012、P型埋层003上方区域、第二P型阱掺杂区002共同相邻的区域形成导通沟道，在多个沟槽形式的氧化层022下方紧邻第二P型阱掺杂区内通过拓展导电结构中辅助反型金属电极024接入正电位电压使得P型半导体反型，形成器件的特征导通沟道222，并与导通沟道共同参与到器件电流导通过程中。

图4沿图2中AA’剖面的器件整体沟道示意图，在关态时，P型埋层003、第二P型阱掺杂区002分别与N型漂移区007耗尽，N型漂移区007在内部产生耗尽同时，并与P型衬底006耗尽，共同承担耐压，在开启时耗尽区域减少，导通沟道打开，电子从第一N型高掺杂区012通过P型埋层003、第二P型阱掺杂区002分别与N型漂移区007形成的导通沟道111，从N型漂移区007到第一N型阱掺杂区004，最终到达第二N型高掺杂区041。

图5沿图2中BB’剖面的器件整体沟道示意图，在关态时，P型埋层003、第二P型阱掺杂区002分别与N型漂移区007耗尽，N型漂移区007在内部产生耗尽同时，并与P型衬底006耗尽，共同承担耐压，在开启时，拓展导电结构中辅助反型金属电极024的接入正电压，使得栅氧化层下方紧邻第二P型阱掺杂区域002反型形成特征导通沟道222，电子除了从上述路径流通以外，还可以从从第一N型高掺杂区012通相邻的N型漂移区007穿过第二P型阱掺杂区002中的特征导通沟道222最终到达第一N型阱掺杂区004与第二N型高掺杂区041。

Claims

1.一种基于拓展导电沟道的碳化硅高压JFET器件，包括：

N型衬底（005），在N型衬底（005）上生长P型外延（006），在P型外延（006）上生长有N型漂移区（007），在N型漂移区（007）内设有P型埋层（003）、第一P型阱掺杂区（001）、第二P型阱掺杂区（002）、第一N型阱掺杂区（004）及第一N型高掺杂区（012），所述第一P型阱掺杂区（001）触及P型埋层（003），

所述第二P型阱掺杂区（002）的底部高于P型埋层（003）的上表面，当器件导通时，由第二P型阱掺杂区（002）与P型埋层（003）之间的N型漂移区（007）形成第一导通沟道（111）；所述第一N型高掺杂区（012）位于第一P型阱掺杂区（001）与第二P型阱掺杂区（002）之间且第一N型高掺杂区（012）与第一P型阱掺杂区（001）相接触，

在第一P型阱掺杂区（001）内设有第一P型高掺杂区（011），在第二P型阱掺杂区（002）内设有第二P型高掺杂区（021），在第一N型阱掺杂区（004）内设有第二N型高掺杂区（041）；在所述第一P型阱掺杂区（001）、第一P型高掺杂区（011）、第一N型高掺杂区（012）、第二P型阱掺杂区（002）、第二P型高掺杂区（021）、第一N型阱掺杂区（004）、第二N型高掺杂区（041）及N型漂移区（007）表面设有氧化层介质（04F），

在所述第一P型高掺杂区（011）和第一N型高掺杂区（012）上引出源极金属电极并构成器件源极（01S），在所述第二P型高掺杂区（021）上引出栅极金属电极并构成器件栅极（02G），在所述第二N型高掺杂区（041）上引出漏极金属电极并构成器件漏极（03D），

其特征在于，

所述第二P型高掺杂区（021）包括与第一P型高掺杂区（011）同方向并呈直线排列的两个或两个以上的第二P型高掺杂单元且相邻的第二P型高掺杂单元相分离；在相邻的第二P型高掺杂单元之间设有沟槽且沟槽的两侧面分别与相邻的第二P型高掺杂单元相抵触，在沟槽内设有拓展导电结构（023）并由拓展导电结构（023）形成第二导通沟道（222），与第二P型高掺杂区（021）相连并具有等电位。

2.根据权利要求1所述的基于拓展导电沟道的碳化硅高压JFET器件，其特征在于，所述拓展导电结构（023）包括设在沟槽底部及内壁上的氧化层（022），在氧化层（022）内填充金属以形成辅助反型电极（024），所述辅助反型电极（024）与所述栅极金属电极连接。

3.根据权利要求1或2所述的基于拓展导电沟道的碳化硅高压JFET器件，其特征在于，拓展导电结构（023）的数量为3-6个。

4.一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件的制备方法，其特征在于，

在碳化硅基上形成N型衬底（005）；在上述N型衬底（005）上外延生长出P型外延（006）；在P型外延（006）上外延生长出N型漂移区（007）；

在所述N型漂移区（007）通过高能离子注入形成P型埋层（003）；

在N型漂移区（007）上进行P型离子注入并形成第一P型阱掺杂区（001）和第二P型阱掺杂区（002）；在所述N型漂移区（007）上进行N型离子注入并形成第一N型阱掺杂区（004）；在N型漂移区（007）和第一N型阱掺杂区（004）上进行高掺杂N型离子注入并分别形成第一N型高掺杂区（012）和第二N型高掺杂区（041）；

在第一P型阱掺杂区（001）和第二P型阱掺杂区（002）上进行高掺杂P型离子注入并分别在N型漂移区（007）和第一N型阱掺杂区（004）上形成第一P型阱掺杂区（001）和相分离的第二P型高掺杂单元；

热退火处理后，对相邻第二P型高掺杂单元之间的第二P型阱掺杂区（002）区域进行刻蚀并形成沟槽，在所述沟槽的底部及内壁上生长氧化层（022），再在氧化层（022）内淀积金属后形成拓展导电结构（023）；

在N型漂移区（007）、第一P型高掺杂区（011）、第二P型高掺杂区（021）、第一N型高掺杂区（012）、第二P型阱掺杂区（002）、第二P型高掺杂区（021）、拓展导电结构（023）、第一N型阱掺杂区（004）及第二N型高掺杂区（041）表面上进行淀积一层氧化层介质（041）；

对第一P型高掺杂区（011）、第一N型高掺杂区（012）、第二P型高掺杂区（021）和拓展导电结构（023）以及第二N型高掺杂区（041）上方的氧化层介质（041）局部区域进行刻蚀并形成通孔，再在氧化层介质上淀积金属层，最后，对所述金属层进行刻蚀以形成源极（01S）、栅极（02G）和漏极（03D）。

5.根据权利要求4所述的基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件的制备方法，其特征在于，用于形成P型埋层（003）的高能离子注入，其掺杂杂质为Al，掺杂剂量为1e10 ~5e10 cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV。

6. 根据权利要求4所述的基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件的制备方法，其特征在于，P型离子注入，其掺杂杂质为Al，掺杂剂量为1e10 ~5e10 cm^-3，能量为10keV~1MeV， N型离子注入，其掺杂杂质为N，掺杂剂量为1e10 ~5e10 cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV。

7. 根据权利要求4所述的基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件的制备方法，其特征在于，高掺杂N型离子注入，其掺杂杂质为N，掺杂剂量为1e11 ~5e11 cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV；高掺杂P型离子注入，其掺杂杂质为Al，掺杂剂量为1e11~5e11 cm^-3，能量为1.2MeV~10MeV。