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CN119200320B - 光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端 - Google Patents

光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端 Download PDF

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CN119200320B
CN119200320B CN202411733380.XA CN202411733380A CN119200320B CN 119200320 B CN119200320 B CN 119200320B CN 202411733380 A CN202411733380 A CN 202411733380A CN 119200320 B CN119200320 B CN 119200320B
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吴志强
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Huaxincheng Hangzhou Technology Co ltd
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Huaxincheng Hangzhou Technology Co ltd
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • GPHYSICS
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    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441Optical proximity correction [OPC]

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

本申请提供光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端,通过获取一层或多层待修正版图,提取对应的图形参数和锚点参数,并对每层有桥接风险的周期性图形中的图形元素进行预修正,以生成预修正版图。本申请有效避免桥接现象,确保晶圆图案的完整性及电路功能正常;同时提高OPC修正效率,优化光学邻近效应补偿,显著减少修正所需时间与资源,提升生产效率;此外,还扩大了工艺窗口,提升了修正精度和稳定性,降低了缺陷率;降低了工艺风险的同时,提高了最终产品的质量。

Description

光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端
技术领域
本申请涉及半导体制造领域,特别是涉及一种光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端。
背景技术
在半导体光刻制程过程中,由于紫外光的衍射效应,在将掩膜图案投影到晶圆上时,晶圆表面形成的图案经常会发生畸变,这种现象称为光学邻近效应(OpticalProximity Effect,OPE)。光学邻近效应引起的晶圆表面图案畸变主要表现为线宽特征尺寸(Critical Dimension,CD)偏移、线条端部(End Of Line,EOL)变短、图案缺失(MissedPatterns)或桥接(Bridging)、角部变圆(Corner Rounding)等特征。桥接(Bridging)指的是在光刻过程中,由于相邻图案之间的光学相互作用,导致原本应该是分开的线条或图案在晶圆表面上出现连接或融合的现象。这种现象会影响电路的性能,导致短路等问题。
为了补偿光学邻近效应造成的缺陷,从而在晶圆表面上得到与原始设计图形相同的图案,采用了光学邻近修正(Optical Proximity Correction,OPC)技术。现有的OPC修正方法主要针对EPE(模拟出来的轮廓边缘与目标形状之间的偏差)进行修正。然而,在特定工艺条件下,如图1和图2所示,芯片设计图形可能已经存在桥接风险,从而导致无法准确获取EPE,从而使得OPC的修正效果受到影响。此外,这也增加了OPC修正所需的时间,降低了生产效率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本申请的目的在于提供一种光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端,用于解决现有技术中,在对密集型晶圆图案进行光刻时,由于存在的桥接风险,导致无法准确获取EPE,进而影响OPC修正效果,从而增加了修正时间并降低了生产效率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本申请的第一方面提供一种方法光学邻近预修正方法,所述方法包括: 获取一层或多层待修正版图,其中每层待修正版图中包含一个由多个图形元素组成的周期性图案;从每层待修正版图中提取出对应的周期性图形的图形参数和锚点参数;基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正,以生成预修正版图。
于本申请的第一方面的一些实施例中,周期性图形的图形参数包括:周期性图形的线宽和间距。
于本申请的第一方面的一些实施例中,周期性图形的锚点参数包括:锚点线宽和锚点间距。
于本申请的第一方面的一些实施例中,基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正的过程包括:根据所述图形参数和锚点参数,计算每个图形元素边缘上每个点的平移距离;根据计算所述平移距离,将对应图形元素沿预设方向进行平移,以生成预修正版图。
于本申请的第一方面的一些实施例中,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正包括如下计算过程:
;其中,x表示所述平移距离;Width表示周期性图形的线宽,Space表示周期性图形的间距;Awidth表示锚点线宽,ASpace表示锚点间距。
于本申请的第一方面的一些实施例中,将对应图形元素沿预设方向进行平移的过程包括:计算所述图形元素边缘上的每个点的法向量,并将当前点沿法向量向靠近所述图形元素内部的方向以所述平移距离进行平移。
为实现上述目的及其他相关目的,本申请的第二方面提供一种光学邻近预修正装置,包括:版图读取模块:用于获取一层或多层待修正版图,其中每层待修正版图中包含一个由多个图形元素组成的周期性图案;参数提取模块:用于从待修正版图中提取出每层版图的周期性图形的图形参数和锚点参数;图形修正模块:用于基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正,以生成预修正版图。
为实现上述目的及其他相关目的,本申请的第三方面提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现所述光学邻近预修正方法。
为实现上述目的及其他相关目的,本申请的第四方面提供一种计算机程序产品,所述计算机程序产品中包括计算机程序代码,当所述计算机程序代码在计算机上运行时,使得所述计算机实现所述光学邻近预修正方法。
为实现上述目的及其他相关目的,本申请的第五方面提供一种电子终端,包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序;所述处理器执行所述计算机程序以实现所述光学邻近预修正方法。
如上所述,本申请的方法、装置、介质、程序产品及终端,具有以下有益效果:
1.有效避免桥接现象:通过改进图案修正技术,本申请能够有效防止晶圆表面出现桥接,确保图案的完整性和电路的正常功能。
2.提高OPC修正效率:本申请的技术方案优化了光学邻近效应的补偿过程,显著减少了修正所需的时间和资源,从而提高了整体的生产效率。
3.扩大工艺窗口:通过提升修正精度和稳定性,本申请使得工艺窗口得以扩大,允许更高的制造容忍度,从而减少因工艺波动导致的缺陷。
4.降低工艺风险:本申请不仅提升了生产效率,同时也降低了制造过程中的风险,减少了潜在的产品缺陷率,提高了最终产品的质量和可靠性。
附图说明
图1显示了本申请光学邻近预修正一现有技术的桥接后的模拟版图图形。
图2显示了本申请光学邻近预修正方法另一现有技术的桥接后的模拟版图图形。
图3显示了本申请光学邻近预修正方法一实施例的流程示意图。
图4显示了本申请光学邻近预修正方法一实施例中初始版图图形。
图5显示了本申请光学邻近预修正方法一实施例预修正后的模拟版图图形。
图6显示了本申请光学邻近预修正方法一实施例预修正后的版图图形。
图7显示了本申请光学邻近预修正装置一实施例的结构示意图。
图8显示了本申请光学邻近预修正终端一实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在对本申请进行进一步详细说明之前,对本申请实施例中涉及的名词和术语进行说明,本申请实施例中涉及的名词和术语适用于如下的解释:
<1>光学邻近校正(Optical Proximity Correction, OPC):OPC旨在通过预先修正掩模上的图形来补偿成像过程中的各种非理想效应,如衍射、干涉和散射等,从而确保最终在晶圆表面形成的图形准确无误地匹配设计要求。
<2>关键尺寸(Critical Dimension, CD):CD指的是半导体制造流程中,特定结构的宽度或长度,尤其是那些对器件性能有直接影响的微小尺寸。CD是评估制造工艺精确度和一致性的核心指标。
<3> 桥接(Bridging):桥接是在半导体制造过程中,当两个本应独立的图形因为工艺限制而意外地相互连接时所发生的现象。桥接会导致电气短路,影响器件的功能性和可靠性。
<4>边缘放置误差(Edge Placement Error, EPE):EPE是衡量光刻工艺中图形边缘相对于设计模型位置偏差的程度。EPE对于确保复杂集成电路中各元件间正确的电气连接至关重要。
<5>周期性图案(Periodic Pattern):周期性图案指在半导体制造中,沿着一个或多个方向按照固定间隔重复出现的图形。这种类型的图案对于评估光刻系统的分辨率和均匀性非常重要。
<6> 图形元素(Pattern Element):图形元素是构成集成电路布局的基本单元,可以是线条、孔洞、接触窗或其他任何几何形状,它们共同组成了复杂的电路设计。
<7> 线宽(Line Width):线宽是指在半导体器件中,导体线或隔离区的实际宽度。线宽控制对于实现高性能和高密度的集成电路至关重要。
<8> 间距(Spacing):间距是指两个相邻图形元素中心之间的最小距离,或者更具体地说,是两图形边缘间的最短距离。保持适当的间距对于防止桥接和其他缺陷至关重要。
<9> 锚点(Anchor Point):锚点在版图设计中用来作为固定其他图形元素的参考点。它们在确保复杂设计中各部分的相对位置准确性方面发挥着重要作用,特别是在多层图形对准的过程中。
为便于理解本申请实施例,首先结合图3详细说明。图3展示了本申请实施例中的一种光学邻近预修正方法的流程示意图。本实施例中的光学邻近预修正方法主要包括如下各步骤:
步骤S31:获取一层或多层待修正版图,其中每层待修正版图中包含一个由多个图形元素组成的周期性图案。
在本申请一实施例中,所述待修正版图的文件格式包括 GDSII、OASIS 和 SDF(标准数据格式)等多种格式。GDSII 和 OASIS 用于描述复杂的二维图形和结构,便于在光刻机中读取。而 SDF 用于集成电路设计中的布局描述。在集成电路设计中,由于各层的功能的材料各不相同,因此需要解释的是可能包含的金属层有掺杂层、绝缘层、金属层、衬底层等。其中,掺杂层用于形成晶体管的源极和漏极,通常需要使用离子注入技术进行精确控制。绝缘层如二氧化硅或氮化硅,用来隔绝电路部分,防止短路和保护图案。金属层例如铝或铜,用于制造电源和信号互连,实现电气连接。此层的设计需要注意线宽和间距,以防提高特效时的短路风险。衬底层通常由单晶硅构成,为整个芯片提供支撑。示例性地,待修正版的层数为5层到50层左右,其具体的层数取决于电路的复杂性和性能特征。
在本申请一实施例中,周期性图案通常包括重复排列的图形,如栅极、互连线、接触孔等。在高密度存储器中,例如DRAM,存储单元的图案非常密集且周期性,这样设计可以使芯片更有效地利用空间。光刻分辨率会直接受到设计中周期性图案间距的影响。较小的间距可导致排列过紧,而引发衍射问题,尤其对于间距过紧的图案在光刻后会导致发生桥接。本申请的提出,通过在光刻前对版图图形进行预修正,以提高光刻后的图案的准确性。
步骤S32:从每层待修正版图中提取出对应的周期性图形的图形参数和锚点参数。
在本申请一实施例中,周期性图形的图形参数包括:周期性图形的线宽和间距。
在本实施例中,线宽是指周期性图形中各条线的厚度,间距是指周期性图形中相邻线条之间的距离。在光刻过程中,线宽受到光的衍射和散射影响较大。较小的线宽可能在实际曝光时出现模糊或扩展现象,从而影响到电路的性能。当间距过小(例如小于光刻分辨率的极限)时,可能导致线条之间的电气短路或干扰现象,从而影响设备的性能。
在本申请一实施例中,周期性图形的锚点参数包括:锚点线宽和锚点间距。
需要说明的是,在本实施例中,锚点是周期性图形中用作对齐或参考的特定点或线,以用于确保其他设计元素在光刻过程中能够保持正确的相对位置。锚点能够有效减少在图形转移和对齐过程中产生的误差,并为后续环节提供稳定的基准。进一步地,锚点线宽指在周期性图形中用作对齐或参考的锚点特定线条的厚度,以确保光刻或其他制造过程中对齐基准与周围设计元素的预期定位和比例,从而决定图形的可识别性和在晶圆上的成型精度。锚点间距则是相邻锚点之间的物理距离,以定义多个锚点在设计中的布局与排列关系,并直接影响周期性图形在光刻过程中的精度与对齐能力。
步骤S33:基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正,以生成预修正版图。
在本申请一实施例中,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正;其中识,对图形元素中具有桥接风险的图形元素进行识别的过程包括:对相邻元素进行距离测量,若距离小于设定值(实例性地,0.2微米),则识别为桥接风险;计算特定区域内的线条密度,若线条数量超过标准(如每平方厘米超过100条),则识别为桥接风险;分析复杂交叉点,若数量超过预定值(如3个以上),则识别为桥接风险。
在本申请一实施例中,基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正的过程包括:根据所述图形参数和锚点参数,计算每个图形元素边缘上每个点的平移距离;根据计算所述平移距离,将对应图形元素沿预设方向进行平移,以生成预修正版图。
在本实施例中,用于平移的预设方向包括但不限于:法向量平移、切线方向平移、自定义向量平移、坐标系统平移、重心平移、规则网格平移、函数驱动平移和加权平移等平移方法等。其中,法向量平移通过计算图形元素边缘的法向量来确定平移方向,确保图形元素向内部移动。切线方向平移沿着与图形边缘相切的方向进行,以保留元素的整体形状。自定义向量平移允许定义任意平移方向。坐标系统平移依据全局或局部坐标的X轴、Y轴和Z轴方向进行移动,提供精确的位置控制。重心平移围绕图形的中心点进行,以实现图形的平衡。规则网格平移在预设的网格上按照一定间距进行移动,以确保整体设计的整齐。函数驱动平移利用数学函数定义平移路径,使元素沿特定曲线或路径移动。加权平移根据图形元素的特性,调整不同部分的平移方式。
在本申请一实施例中,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正包括如下计算过程:对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正包括如下计算过程:;其中,x表示所述平移距离;Width表示周期性图形的线宽,Space表示周期性图形的间距;Awidth表示锚点线宽,ASpace表示锚点间距。
在本实施例中,所述预修正过程包括:通过分别计算线宽和锚点线宽之间的差值的平方,以及间距和锚点间距之间的差值的平方,来获取两个差异的平方和。这一过程对于每个图形元素都是必要的,通过计算所得的平方和开方后,再将结果除以2,以求得合理的平移距离。从而有效地调整每个图形元素的位置,使其与参考锚点之间保持最佳的相对关系。这个过程不仅提高了设计的整齐度,而且提高了光刻后图像的美观和功能性。
在本申请一实施例中,将对应图形元素沿预设方向进行平移的过程包括:计算所述图形元素边缘上的每个点的法向量,并将当前点沿法向量向靠近所述图形元素内部的方向以所述平移距离进行平移。
本实施例中,通过计算每个边缘点的法向量,以确定其移动方向,从而实现精确的元素定位。首先,计算图形元素边缘上每个点的法向量,这一向量是垂直于切线的,有效描述了点的外部方向。接下来,会利用这些法向量,按照预设方向确定平移方位,从而实现将点沿法向量的方向向图形内部移动。最后,针对每个边缘点,依据法向量进行平移操作,平移的距离则由图形参数和锚点参数确定。
图4展示了本申请一实施例中预修正前的版图示意图,在本实施例中,锚点的宽度为84nm,间距为76nm,而使用的图案宽度为92nm,间距为70nm。经过计算,得出的移动量为5nm,因此调整后的图案宽度将变为82nm,间距则调整为80nm。图5和图6展示了经过模拟刻蚀后的图形示意图。在目标图形模拟过程中,轮廓状态正常,且不存在桥接风险。通过本申请提出的OPC预修正方法,可以准确捕捉到EPE,有效避免“桥接”现象,从而提高OPC修正效率,扩大工艺窗口,并降低工艺风险。
需要说明的是,本申请实施例中,“示例性的”或者“例如”等词表示例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
本申请实施例中,“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或两个以上。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B的情况,其中A,B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达,是指的这些项中的任意组合,包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如,a,b或c中的至少一项(个),可以表示:a,b,c,a-b,a-c,b-c或a-b-c,其中a,b,c可以是单个,也可以是多个。
图7是本申请实施例提供的光学邻近预修正装置的示意性框图。如图7所示,该装置包括版图读取模块701、参数提取模块702和图形修正模块703。
版图读取模块701:用于获取一层或多层待修正版图,其中每层待修正版图中包含一个由多个图形元素组成的周期性图案。
参数提取模块702:用于从待修正版图中提取出每层版图的周期性图形的图形参数和锚点参数。
图形修正模块703:用于基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正,以生成预修正版图。
应理解,各模块执行上述相应步骤的具体过程在上述方法实施例中已经详细说明,为了简洁,在此不再赘述。
还应理解,本申请实施例中对模块的划分是示意性的,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式。另外,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理器中,也可以是单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。
图8是本申请实施例提供的电子终端的示意性框图。如图8所示,电子终端包括:至少一个处理器801、存储器802、至少一个网络接口803和用户接口805。装置中的各个组件通过总线系统804耦合在一起。可以理解的是,总线系统804用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统804除包括数据总线之外,还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见,在图8中将各种总线都标为总线系统。
其中,用户接口805可以包括显示器、键盘、鼠标、轨迹球、点击枪、按键、按钮、触感板或者触摸屏等。
可以理解,存储器802可以是易失性存储器或非易失性存储器,也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(ROM,Read Only Memory)、可编程只读存储器(PROM,Programmable Read-Only Memory),其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明,许多形式的RAM可用,例如静态随机存取存储器(SRAM,StaticRandom Access Memory)、同步静态随机存取存储器(SSRAM,Synchronous Static RandomAccess Memory)。本申请实施例描述的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类别的存储器。
本申请实施例中的存储器802用于存储各种类别的数据以支持电子终端800的操作。这些数据的示例包括:用于在电子终端800上操作的任何可执行程序,如操作系统8021和应用程序8022;操作系统8021包含各种系统程序,例如框架层、核心库层、驱动层等,用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序8022可以包含各种应用程序,例如媒体播放器(Media Player)、浏览器(Browser)等,用于实现各种应用业务。实现本申请实施例提供的光学邻近预修正方法可以包含在应用程序8022中。
上述本申请实施例揭示的方法可以应用于处理器801中,或者由处理器801实现。处理器801可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。在实现过程中,上述方法的各步骤可以通过处理器801中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器801可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP,Digital Signal Processor),或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。处理器801可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器801可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本申请实施例所提供的配件优化方法的步骤,可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中,该存储介质位于存储器,处理器读取存储器中的信息,结合其硬件完成前述方法的步骤。
在示例性实施例中,电子终端800可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC,Application Specific Integrated Circuit)、DSP、可编程逻辑器件(PLD,ProgrammableLogic Device)、复杂可编程逻辑器件(CPLD,Complex Programmable Logic Device),用于执行前述方法。
根据本申请实施例提供的方法,本申请还提供一种计算机程序产品,该计算机程序产品包括:计算机程序代码,当该计算机程序代码在计算机上运行时,使得该计算机执行如上所示实施例中任一实施例的光学邻近预修正方法。
根据本申请实施例提供的方法,本申请还提供一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质存储有程序代码,当该程序代码在计算机上运行时,使得该计算机执行如上所示实施例中任一实施例的光学邻近预修正方法。
在本说明书中使用的术语“部件”、“模块”、“系统”等用于表示计算机相关的实体、硬件、固件、硬件和软件的组合、软件、或执行中的软件。例如,部件可以是但不限于,在处理器上运行的进程、处理器、对象、可执行文件、执行线程、程序和/或计算机。通过图示,在计算设备上运行的应用和计算设备都可以是部件。一个或多个部件可驻留在进程和/或执行线程中,部件可位于一个计算机上和/或分布在2个或更多个计算机之间。此外,这些部件可从在上面存储有各种数据结构的各种计算机可读介质执行。部件可例如根据具有一个或多个数据分组(例如来自与本地系统、分布式系统和/或网络间的另一部件交互的二个部件的数据,例如通过信号与其它系统交互的互联网)的信号通过本地和/或远程进程来通信。
本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各种说明性逻辑块(Illustrative Logical Block)和步骤(Step),能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在上述实施例中,各功能单元的功能可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时,可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个计算机指令(程序)。在计算机上加载和执行计算机程序指令(程序)时,全部或部分地产生按照本申请实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中,或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输,例如,计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(Digital Subscriber Line,DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质,(例如,软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如,高密度数字视频光盘(Digital Video Disc,DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘(Solid State Disk,SSD)等。
功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
综上所述,本申请提供光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端,本申请提供了一种提高光刻过程中密集型晶圆图案的修正效率的方法,通过获取一层或多层待修正版图,提取对应的图形参数和锚点参数,并对每层周期性图形中的图形元素进行预修正,以生成预修正版图。本申请有效避免桥接现象,确保晶圆图案的完整性及电路功能正常;同时提高OPC修正效率,优化光学邻近效应补偿,显著减少修正所需时间与资源,提升生产效率;此外,还扩大了工艺窗口,提升了修正精度和稳定性,降低了缺陷率;降低了工艺风险的同时,提高了最终产品的质量。所以,本申请有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本申请的原理及其功效,而非用于限制本申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本申请的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本申请的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种光学邻近预修正方法,其特征在于,所述方法包括:
获取一层或多层待修正版图,其中每层待修正版图中包含一个由多个图形元素组成的周期性图案;
从每层待修正版图中提取出对应的周期性图形的图形参数和锚点参数;周期性图形的图形参数包括:周期性图形的线宽和间距;周期性图形的锚点参数包括:锚点线宽和锚点间距;
基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正,包括:根据所述图形参数和锚点参数,计算每个图形元素边缘上每个点的平移距离;根据计算所述平移距离,将对应图形元素沿预设方向进行平移,以生成预修正版图。
2.根据权利要求1所述的光学邻近预修正方法,其特征在于,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正包括如下计算过程:
其中,x表示所述平移距离;Width表示周期性图形的线宽,Space表示周期性图形的间距;Awidth表示锚点线宽,ASpace表示锚点间距。
3.根据权利要求1所述的光学邻近预修正方法,其特征在于,将对应图形元素沿预设方向进行平移的过程包括:计算所述图形元素边缘上的每个点的法向量,并将当前点沿法向量向靠近所述图形元素内部的方向以所述平移距离进行平移。
4.一种光学邻近预修正装置,其特征在于,包括:
版图读取模块:用于获取一层或多层待修正版图,其中每层待修正版图中包含一个由多个图形元素组成的周期性图案;周期性图形的图形参数包括:周期性图形的线宽和间距;周期性图形的锚点参数包括:锚点线宽和锚点间距;
参数提取模块:用于从待修正版图中提取出每层版图的周期性图形的图形参数和锚点参数;
图形修正模块:用于基于所述图形参数和锚点参数,对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正,包括:根据所述图形参数和锚点参数,计算每个图形元素边缘上每个点的平移距离;根据计算所述平移距离,将对应图形元素沿预设方向进行平移,以生成预修正版图。
5.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至3中任一项所述光学邻近预修正方法。
6.一种计算机程序产品,其特征在于,所述计算机程序产品中包括计算机程序代码,当所述计算机程序代码在计算机上运行时,使得所述计算机实现如权利要求1至3中任一项所述的光学邻近预修正方法。
7.一种电子终端,包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1至3中任一项所述光学邻近预修正方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN120706343B (zh) * 2025-08-13 2025-11-14 华芯程(杭州)科技有限公司 基于opc的sta时序分析优化方法、装置、介质、程序产品及终端

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113777876A (zh) * 2021-08-16 2021-12-10 华中科技大学 一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法及系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101937171B (zh) * 2009-07-03 2013-01-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立光学邻近校正模型方法和光学邻近校正方法
CN106873305B (zh) * 2015-12-11 2020-05-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近效应矫正方法
CN109240049A (zh) * 2018-11-08 2019-01-18 上海华力集成电路制造有限公司 改善金属层工艺热点的opc修正方法
CN113050365B (zh) * 2019-12-27 2024-06-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质
CN111812940B (zh) * 2020-08-11 2023-04-28 上海华力微电子有限公司 一种优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法
CN112230509B (zh) * 2020-10-30 2024-05-17 上海华力微电子有限公司 光刻工艺热点的光学邻近修正的方法
CN114117573B (zh) * 2021-11-25 2025-04-22 上海华力集成电路制造有限公司 采用可视化编辑图形数据库处理辅助图形的方法
CN118567176A (zh) * 2023-02-28 2024-08-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质
CN116520632A (zh) * 2023-04-21 2023-08-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 版图修正方法、存储介质及终端
CN117092877A (zh) * 2023-08-03 2023-11-21 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司 光学邻近修正参数的确定方法及装置
CN117111398B (zh) * 2023-10-23 2024-01-23 粤芯半导体技术股份有限公司 光罩制程偏差的监控方法及监控系统

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113777876A (zh) * 2021-08-16 2021-12-10 华中科技大学 一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法及系统

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