CN119137804A - 模式转换结构 - Google Patents

Abstract

本公开的一个实施例的模式转换结构具备：第一介电基板，具有由线导体和与所述线导体对置的第一接地导体构成的微带线，且具有第一厚度；第二介电基板，具有柱壁波导，且具有比所述第一厚度厚的第二厚度，所述柱壁波导包含与所述线导体在同一平面上连接的第一导体层和与所述第一导体层对置的第二导体层；以及第一通孔，将所述第一接地导体和所述第二导体层电连接。

Description

模式转换结构

技术领域

本公开涉及模式转换结构。

背景技术

在多数情况下，利用微带线作为在介电基板上传输高频信号的手段。但是，在毫米波、太赫兹波等频带中，由于作为高频固有的现象的趋肤效应及界面凹凸的影响，由导体损耗导致的传输损耗会变大。

通过使构成微带线的电介质(基板)变厚，能够减小导体损耗，但在该情况下，能量作为电磁波而被辐射的辐射损耗变大，难以减小传输损耗。

另一方面，作为缩小传输损耗的手段之一，有如下的柱壁波导结构，即，用一对导体层夹着电介质，由在信号的传输方向(电磁波的传播方向)上以λ/2(λ：电磁波的波长)的间隔排列的导通孔群将导体层彼此电连接，将主导体层作为波导管的宽壁使用，将导通孔群作为波导管的窄壁使用的柱壁波导结构。由于柱壁波导的四周被导体包围，所以即使增加基板厚度，辐射损耗也不会增加。因此，能够使电介质变厚，能够使导体损耗和辐射损耗同时减小。

若考虑到产生高频信号的集成电路(IC：Integrated Circuit)的安装，则可知，IC大多是经由锡球而安装在微带线上，难以直接向柱壁波导供电。因此，在将柱壁波导作为传输路径使用的情况下，要构成连接微带线和柱壁波导的传播(传输)模式转换结构(以下，简称为模式转换结构)。另外，“模式转换结构”也可以替换为“模式转换装置”等用语。

作为模式转换结构的现有技术，例如在专利文献1中公开了一种微带线的线导体与柱壁波导的一个宽壁位于同一平面上、且微带线的接地导体(以下称为GND)与柱壁波导的另一个宽壁位于同一平面上的(连接同一厚度的微带线和柱壁波导的)模式转换结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-153368号公报

发明内容

然而，在专利文献1所记载的现有技术中，微带线的厚度与柱壁波导的厚度相同，因此，难以连接厚度不同的微带线和柱壁波导。

在专利文献1所记载的现有技术中，在连接薄的微带线和薄的柱壁波导的情况下，辐射损耗变小而导体损耗变大，在连接厚的微带线和厚的柱壁波导的情况下，导体损耗变小而辐射损耗变大，难以减小微带线的辐射损耗和柱壁波导的导体损耗。

本公开的非限定性的实施例有助于提供如下模式转换结构，该模式转换结构能够在抑制传输损耗的同时连接厚度不同的微带线和柱壁波导。

本公开的一个实施例的模式转换结构具备：第一介电基板，具有由线导体和与所述线导体对置的第一接地导体构成的微带线，且具有第一厚度；第二介电基板，具有柱壁波导，且具有比所述第一厚度厚的第二厚度，所述柱壁波导包含与所述线导体在同一平面上连接的第一导体层和与所述第一导体层对置的第二导体层；以及第一通孔，将所述第一接地导体和所述第二导体层电连接。

根据本公开的一个实施例，能够在抑制传输损耗的同时连接厚度不同的微带线和柱壁波导。

本公开的一个实施例的更多优点和效果将通过说明书和附图予以阐明。这些优点和/或效果分别由若干个实施方式、以及说明书及附图所记载的特征提供，但未必需要为了获得一个或一个以上的相同的特征而全部提供。

附图说明

图1是表示本公开的实施方式1的模式转换结构的立体图。

图2是表示本公开的实施方式1的模式转换结构的侧剖视图。

图3是表示比较例(现有技术的例子)的模式转换结构的立体图。

图4是表示比较例的模式转换结构的侧剖视图。

图5是表示本公开的实施方式1的模式转换结构和比较例的模式转换结构的辐射功率仿真结果的图。

图6是表示本公开的实施方式2的模式转换结构的立体图。

图7是表示本公开的实施方式2的模式转换结构的侧剖视图。

图8是表示本公开的实施方式2的模式转换结构和比较例的模式转换结构的带通特性仿真结果的图。

图9是表示本公开的实施方式2的变形例的模式转换结构的立体图。

图10是表示本公开的实施方式2的变形例的模式转换结构的侧剖视图。

图11是表示本公开的实施方式3的模式转换结构的立体图。

图12是表示本公开的实施方式3的模式转换结构的侧剖视图。

图13是表示本公开的实施方式3的模式转换结构和比较例的模式转换结构的带通特性仿真结果的图。

图14是表示本公开的实施方式3的变形例的模式转换结构的侧剖视图。

具体实施方式

以下，适当参照附图来详细地说明本公开的实施方式。但是，有时会省略过于详细的说明。例如，有时省略已广为人知的事项的详细说明或对于实质上相同的结构的重复说明。原因在于：避免以下的说明无必要地变得冗长，使本领域技术人员容易理解。

此外，提供附图及以下的说明的目的在于使本领域技术人员充分理解本公开，并无由此对权利要求书所记载的主题进行限定的意图。

在本说明书中，将附图所示的Z轴正方向称为上(方向)，将Z轴负方向称为下(方向)。另外，在各种附图中，为了便于阅读、观察，省略了模式转换结构的侧表面(与附图所示的YZ面平行的面)等一些要素，另外，有些要素未按比例进行绘制。

(实施方式1)

<模式转换结构的构成>

图1是表示本公开的实施方式1的模式转换结构10的立体图，图2是表示模式转换结构10的侧剖视图(A-A’剖视图)。

如图1及图2所示，模式转换结构10具备具有微带线MSL的第一介电基板11和具有柱壁波导PW的第二介电基板14。在此，第一介电基板11的厚度(第一厚度)与第二介电基板14的厚度(第二厚度)不同(第二介电基板14的厚度比第一介电基板11的厚度厚)。

另外，第一介电基板11的厚度可以替换为构成第一介电基板11的电介质的厚度或微带线MSL的厚度，第二介电基板14的厚度可以替换为构成第二介电基板14的电介质的厚度或柱壁波导PW的厚度。另外，第一介电基板11和第二介电基板14可以由一个基板构成，也可以由不同的基板构成。

如图1所示，微带线MSL包括第一介电基板11、线导体12和GND13(第一接地导体)。具体而言，微带线MSL由在第一介电基板11中隔着电介质对置的线导体12和GND13构成。

如图1所示，柱壁波导PW包括第二介电基板14、第一导体层15、第二导体层16和通孔(导通孔)17。具体而言，柱壁波导PW由在第二介电基板14中隔着电介质对置的第一导体层15和第二导体层(波导宽壁或单纯的宽壁(构成波导宽壁或单纯的宽壁之物))16、以及将这些导体层电连接的对置的通孔(波导窄壁或单纯的窄壁(构成波导窄壁或单纯的窄壁之物))17构成。另外，通孔17在信号的传输方向(电磁波的传播方向(传输方向)；Y方向)上以电磁波的半波长(λ/2)以下的间隔排列。

如图2所示，线导体12和第一导体层15在同一平面(平行于XY平面的平面)上连接。

如图1和图2所示，通孔(导通孔)18(第一通孔)将GND13和第二导体层16电连接(GND13和第二导体层16经由通孔18而电连接)。因此，与现有技术不同，GND13和第二导体层16并非在同一平面(平行于XY平面的平面)上连接。

<比较例>

图3是表示比较例的模式转换结构30的立体图，图4是表示模式转换结构30的侧剖视图(A-A’剖视图)。另外，在模式转换结构30中，对与模式转换结构10相同的要素标注相同的附图标记，对与模式转换结构10不同的部分进行说明。

如图3及图4所示，模式转换结构30具备具有微带线MSL的第一介电基板11和具有柱壁波导PW的第二介电基板14。与模式转换结构10不同，在模式转换结构30中，第一介电基板11的厚度和第二介电基板14的厚度相同，GND13和第二导体层16存在于同一平面(XY平面)上，并且，不存在相当于通孔18的通孔。因此，可以认为模式转换结构30是基于专利文献1所公开的模式转换结构的利用现有技术的例子。

<比较>

本发明的发明人利用应用了有限积分法的电磁场仿真，分析了使用图1所示的实施例1(实施方式1)的模式转换结构10将厚度为0.1mm的微带线与厚度为0.2mm的柱壁波导连接时、以及使用图3所示的比较例(利用现有技术的例子)的模式转换结构30将厚度为0.2mm的微带线与厚度为0.2mm的柱壁波导连接时的、在300GHz下的辐射功率，并进行了辐射损耗的比较。

图5是表示在输入0.5W的功率时的、实施例1的模式转换结构10和比较例的模式转换结构30的辐射功率仿真结果的图。从图5可知，与比较例1的模式转换结构30相比，实施例1的模式转换结构10向空间辐射的功率更小，能够减小辐射损耗。这是因为实施例1的微带线的厚度比比较例的微带线的厚度薄。

这样，模式转换结构10可不必使微带线MSL的厚度与柱壁波导PW的厚度相同，因此能够抑制传输损耗，能够将介电基板的厚度不同的微带线MSL和柱壁波导PW连接起来。

(实施方式2)

<模式转换结构的构成>

图6是表示本公开的实施方式2的模式转换结构60的立体图，图7是表示模式转换结构60的侧剖视图(A-A’剖视图)。另外，在模式转换结构60中，对与模式转换结构10相同的要素标注相同的附图标记，对与模式转换结构10不同的部分进行说明。

不同于模式转换结构10，在模式转换结构60中，如图7所示，与线导体12平行地配置的GND13有λ/2左右在第一导体层15与第二导体层16之间进一步延伸(重叠)而配置。GND13以通孔18的端面(垂直于Y轴的ZX平面)为基准向柱壁波导PW的方向(Y轴正侧)延伸λ/2左右。在从Z方向观察时，通孔18从与柱壁波导PW相接的GND13的端面(端部)沿电磁波的传播方向(向Y轴的负方向)间隔开λ/2左右而配置。在图7所示的模式转换结构60中，GND13、第一导体层15和第二导体层16在YZ剖面中重叠λ/2左右而配置。

这样，由于GND13的端面(从Z方向观察时与柱壁波导PW相接的端面)、通孔18和第二导体层16构成短路短截线，所以功率的反射变小，带通特性得到改善。

<比较>

本发明的发明人利用应用了有限积分法的电磁场仿真，分析并比较了图6所示的实施例2(实施方式2)的模式转换结构60和图3所示的比较例(利用现有技术的例子)的模式转换结构30的带通特性。

图8是表示模式转换结构60和模式转换结构30的带通特性仿真结果的图。在图8中，横轴表示频率(单位：GHz)，纵轴表示表现带通特性的S参数即S21的值(单位：dB)。

由图8可知，在频率为300GHz的情况下，模式转换结构60的带通特性比模式转换结构30的大。

<变形例>

图9是表示本公开的实施方式2的变形例的模式转换结构90的立体图，图10是表示模式转换结构90的侧剖视图(A-A’剖视图)。

在本变形例中，如图10所示，在从Z方向观察时(在XY平面中)，使主导体层(第二导体层)16以线导体12与第一导体层15的连接面(与Y轴垂直的ZX平面)为基准，从柱壁波导PW向微带线MSL的方向(Y轴的负方向)延伸λ/2左右，从模式转换结构60的结构出发，使Y轴的负方向的GND13和通孔18的位置向Y轴的负方向错开λ/2左右。在图10所示的模式转换结构90中，线导体12、GND13和第二导体层16在YZ剖面中重叠λ/2左右而配置。在该情况下，同样地，在从Z方向观察时(在XY平面中)，通孔18从与柱壁波导PW相接的GND13的端面沿电磁波的传播方向(向Y轴的负方向)间隔开λ/2左右而配置。在该结构中，同样地，由于GND13的端面(从Z方向观察时与柱壁波导PW相接的端面)、通孔18和第二导体层16构成短路短截线，所以功率的反射变小，带通特性得到改善。

如上所述，通孔18也可以不配置在如下位置的正下方，该位置是指微带线MSL的线导体12与柱壁波导PW的第一导体层15的连接处或其附近的位置。带通特性依赖于微带线MSL的GND13、柱壁波导PW的第二导体层16以及通孔18之间的位置关系。

(实施方式3)

<模式转换结构的构成>

图11是表示本公开的实施方式3的模式转换结构110的立体图，图12是表示模式转换结构110的侧剖视图(A-A’剖视图)。另外，在模式转换结构110中，对与模式转换结构60相同的要素标注相同的附图标记，对与模式转换结构60不同的部分进行说明。

不同于模式转换结构60，在模式转换结构110中，如图11和图12所示，在GND13和第二导体层16之间设置有GND111(第二接地导体)。模式转换结构110具备配置在GND13与第二导体层16之间的GND111。另外，在从Z方向观察时(在XY平面中)，GND111从通孔18的端面(从Z方向观察时与柱壁波导PW相接的端面)沿着电磁波的传播方向延伸3λ/4左右。因此，在从Z方向观察时，GND13的端面(从Z方向观察时与柱壁波导PW相接的端面)与GND111的端面(从Z方向观察时与柱壁波导PW相接的端面)在电磁波的传播方向上间隔开λ/4左右。在图12所示的模式转换结构110中，第一导体层15、GND13和第二导体层16在YZ剖面中重叠λ/2左右而配置，第一导体层15、GND111和第二导体层16在YZ剖面中重叠3λ/4左右而配置，GND111和GND13在YZ剖面中重叠λ/2左右而配置。

此外，不同于模式转换结构60，如图11及图12所示，模式转换结构110中设置有将GND111与第二导体层16电连接的通孔(导通孔)112(第二通孔)。模式转换结构110具备将GND111和第二导体层16电连接的通孔112。在从Z方向观察时，通孔112从GND111的端面(从Z方向观察时与柱壁波导PW相接的端面)沿电磁波的传播方向(向Y轴的负方向)间隔开λ/2左右而配置。

结果是，由GND13和通孔18构成的短路短截线和由GND111和通孔112构成的短路短截线层叠成台阶状。

这样，通过将各个短路短截线错开λ/4左右而配置，能够使来自各个短路短截线的反射波的相位为相反相位。由此，反射波彼此抵消，从而能够减轻反射引起的损耗，能够进一步改善模式转换结构110(连接部)的带通特性。

<比较>

本发明的发明人利用应用了有限积分法的电磁场仿真，分析并比较了图11所示的实施例3(实施方式3)的模式转换结构110和图3所示的比较例(利用现有技术的例子)的模式转换结构30的带通特性。

图13是表示模式转换结构110和模式转换结构30的带通特性仿真结果的图。在图13中，横轴表示频率(单位：GHz)，纵轴表示S21的值(单位：dB)。

从图13可知，在频率为300GHz的情况下，模式转换结构110的带通特性比模式转换结构30的大。

<变形例>

在图11和图12中，示出了短路短截线层叠成2级的台阶状的例子，但是对级数没有限制。例如，也可以如图14(表示本公开的实施方式3的变形例的模式转换结构140的侧剖视图(相当于其他附图的A-A’剖视图))所示那样，追加GND141和通孔142，将短路短截线层叠成3级的台阶状。当然，以同样的方式追加GND和通孔并将短路短截线层叠成4级以上的台阶状亦可。

例如，模式转换结构可以具备配置在GND13和第二导体层16之间的n个(n为1以上的整数)GND(GND111、GND141等)、以及将n个GND中的各个GND分别与第二导体层16电连接的通孔(第二通孔；通孔112、通孔142等)。

另外，可以是，在从Z方向观察时(在XY平面中)，将n个GND中的各个GND分别与第二导体层16电连接的各通孔从n个GND各自的端面(与柱壁波导PW相接的端面)沿电磁波的传播方向间隔开λ/2左右而配置。例如可以是，如图14所示，在n＝2的情况下，在从Z方向观察时，将GND111和第二导体层16电连接的通孔112从GND111的端面(与柱壁波导PW相接的端面)沿电磁波的传播方向间隔开λ/2左右而配置。另外，例如可以是，在从Z方向观察时，将GND141和第二导体层16电连接的通孔142从GND141的端面(与柱壁波导PW相接的端面)沿电磁波的传播方向间隔开λ/2左右而配置。

另外，可以是，在从Z方向观察时，由GND13和n个GND构成的(n+1)个GND中的相对置的各个GND对的端面(与柱壁波导PW相接的端面)沿电磁波的传播方向分别间隔开λ/4左右。例如可以是，如图14所示，在n＝2的情况下，在从Z方向观察时，GND13和GND111各自的端面(与柱壁波导PW相接的端面)沿电磁波的传播方向间隔开λ/4左右，该GND13和GND111是相对置的GND对。另外，例如可以是，在从Z方向观察时，GND111和GND141的端面(与柱壁波导PW相接的端面)沿电磁波的传播方向间隔开λ/4左右，该GND111和GND141是相对置的GND对。在图14所示的模式转换结构140中，第一导体层15、GND13和第二导体层16在YZ剖面中重叠λ/2左右而配置，第一导体层15、GND111和第二导体层16在YZ剖面中重叠3λ/4左右而配置，第一导体层15、GND141和第二导体层16在YZ剖面中重叠λ左右而配置，GND111和GND13在YZ剖面中重叠λ/2左右而配置，GND111和GND141在YZ剖面中重叠3λ/4左右而配置。

<实施方式的效果>

本公开的实施方式的模式转换结构(模式转换结构10、60、90、110、140)具备：第一介电基板11，具有由对置的线导体12和GND13构成的微带线MSL，且具有第一厚度；第二介电基板14，具有柱壁波导PW，且具有比第一厚度厚的第二厚度，该柱壁波导PW包含对置的第一导体层15和第二导体层16；以及通孔18，将GND13和第二导体层16电连接。线导体12和第一导体层15在同一平面(平行于XY平面的平面)上连接。

根据该结构，可不必使微带线的厚度与柱壁波导的厚度相同，因此能够抑制传输损耗，能够将厚度不同的微带线和柱壁波导连接起来。

<实施方式的总结>

本公开的一个实施例的波导具备：第一介电基板，具有由线导体和与所述线导体对置的第一接地导体构成的微带线，且具有第一厚度；第二介电基板，具有柱壁波导，且具有比所述第一厚度厚的第二厚度，所述柱壁波导包含与所述线导体在同一平面上连接的第一导体层和与所述第一导体层对置的第二导体层；以及第一通孔，将所述第一接地导体和所述第二导体层电连接。

根据上述结构，可不必使微带线的厚度与柱壁波导的厚度相同，因此能够抑制传输损耗，能够将厚度不同的微带线和柱壁波导连接起来。

在本模式转换结构中，在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一通孔从所述第一接地导体的与所述柱壁波导相接的端部，沿着在所述柱壁波导中传播的电磁波的传播方向间隔开所述电磁波的大致半波长而配置。

根据上述结构，由于第一接地导体的端部、第一通孔和第二导体层构成短路短截线，所以功率的反射变小，能够改善带通特性。

本模式转换结构还具备：配置于所述第一接地导体与所述第二导体层之间的第二接地导体；以及将所述第二接地导体和所述第二导体层电连接的第二通孔，在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第二通孔从所述第二接地导体的与所述柱壁波导相接的端部沿所述传播方向间隔开所述电磁波的大致半波长而配置，在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一接地导体的与所述柱壁波导相接的端部和所述第二接地导体的与所述柱壁波导相接的端部之间，间隔开所述电磁波的大致四分之一波长。

根据上述结构，短路短截线被层叠，来自短路短截线的反射波被抵消，因此能够减轻反射引起的损耗，能够进一步改善带通特性。

本模式转换结构还具备：配置在所述第一接地导体和所述第二导体层之间的n个接地导体，其中，n为1以上的整数；以及将所述n个接地导体中的各个接地导体与所述第二导体层电连接的第二通孔，在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第二通孔从所述n个接地导体各自的与所述柱壁波导相接的端部沿所述传播方向间隔开所述电磁波的大致半波长而配置。

根据上述结构，由于构成了短路短截线，所以功率的反射变小，能够改善带通特性。

在本模式转换结构中，在从垂直于所述同一平面的方向观察时，如下各接地导体对的端部中的与所述柱壁波导相接的各个端部之间分别间隔开所述电磁波的大致四分之一波长，所述各接地导体对是包括所述第一接地导体和所述n个接地导体在内的(n+1)个接地导体中相对置的各接地导体对。

根据上述结构，来自短路短截线的反射波被抵消，因此能够减轻反射引起的损耗，能够进一步改善带通特性。

在本模式转换结构中，在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一接地导体、所述第一导体层和所述第二导体层沿着在所述柱壁波导中传播的电磁波的传播方向，彼此重叠所述电磁波的大致半波长而配置。

在本模式转换结构中，在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一接地导体、所述线导体和所述第二导体层沿着在所述柱壁波导中传播的电磁波的传播方向，彼此重叠所述电磁波的大致半波长而配置。

以上，虽然参照附图说明了实施方式，但是本公开并不限定于这些例子。只要是本领域技术人员，显然就能够在权利要求书中记载的范畴内想到各种变更例或修正例。应当了解的是，这些变更例或修正例当然也属于本公开的技术范围。另外，可在不脱离本公开的主旨的范围内，将实施方式中的各构成要素任意组合。

在2022年5月26日申请的特愿2022-085966的日本专利申请所包含的说明书、附图及说明书摘要的公开内容，全部引用于本申请。

工业实用性

本公开的一个实施例对于用于连接微带线和柱壁波导的模式转换结构是有用的。

附图标记说明

10 模式转换结构

11 第一介电基板

12 线导体

13 接地导体

14 第二介电基板

15 第一导体层

16 第二导体层

17通孔(导通孔)

18通孔(导通孔)

30 模式转换结构

60 模式转换结构

90 模式转换结构

110 模式转换结构

111 接地导体

112通孔(导通孔)

140 模式转换结构

141 接地导体

142通孔(导通孔)

Claims (7)

1.一种模式转换结构，其特征在于，具备：

第一介电基板，具有由线导体和与所述线导体对置的第一接地导体构成的微带线，且具有第一厚度；

第二介电基板，具有柱壁波导，且具有比所述第一厚度厚的第二厚度，所述柱壁波导包含与所述线导体在同一平面上连接的第一导体层和与所述第一导体层对置的第二导体层；以及

第一通孔，将所述第一接地导体和所述第二导体层电连接。

2.如权利要求1所述的模式转换结构，其中，

在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一通孔从所述第一接地导体的与所述柱壁波导相接的端部，沿着在所述柱壁波导中传播的电磁波的传播方向间隔开所述电磁波的大致半波长而配置。

3.如权利要求2所述的模式转换结构，其中，还具备：

配置于所述第一接地导体与所述第二导体层之间的第二接地导体；以及

将所述第二接地导体和所述第二导体层电连接的第二通孔，

在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第二通孔从所述第二接地导体的与所述柱壁波导相接的端部沿所述传播方向间隔开所述电磁波的大致半波长而配置，

在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一接地导体的与所述柱壁波导相接的端部和所述第二接地导体的与所述柱壁波导相接的端部之间，间隔开所述电磁波的大致四分之一波长。

4.如权利要求2所述的模式转换结构，其中，还具备：

配置在所述第一接地导体和所述第二导体层之间的n个接地导体，其中，n为1以上的整数；以及

将所述n个接地导体中的各个接地导体与所述第二导体层电连接的第二通孔，

在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第二通孔从所述n个接地导体各自的与所述柱壁波导相接的端部沿所述传播方向间隔开所述电磁波的大致半波长而配置。

5.如权利要求4所述的模式转换结构，其中，

在从垂直于所述同一平面的方向观察时，如下各接地导体对的端部中的与所述柱壁波导相接的各个端部之间分别间隔开所述电磁波的大致四分之一波长，所述各接地导体对是包括所述第一接地导体和所述n个接地导体在内的n+1个接地导体中相对置的各接地导体对。

6.如权利要求1所述的模式转换结构，其中，

在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一接地导体、所述第一导体层和所述第二导体层沿着在所述柱壁波导中传播的电磁波的传播方向，彼此重叠所述电磁波的大致半波长而配置。

7.如权利要求1所述的模式转换结构，其中，

在从垂直于所述同一平面的方向观察时，所述第一接地导体、所述线导体和所述第二导体层沿着在所述柱壁波导中传播的电磁波的传播方向，彼此重叠所述电磁波的大致半波长而配置。